IoTに代表されるような高度情報化社会を支える超LSIや半導体レーザー等の半導体デバイスは、大型で高品位な結晶育成技術と微細で精密な加工・評価技術の発展により高性能で安価なデバイスを社会に供給してきた。しかし、並列化による高速化と3次元の高集積化が進化した結果、従来技術の延長では解決できない多くの困難な問題が顕在化してきている。翻って社会に目を向けると、環境・エネルギー問題に対応するために高性能かつ安価な太陽電池や低損失電力デバイスの開発が加速されてきており、革新的な結晶育成・加工技術の創出が重要である。こうした環境下において、確固とした基礎研究に基づく産学連携研究開発の取り組みがますます重要になっている。
　本委員会は、シリコンならびに化合物半導体の結晶育成とウエーハ技術の向上に資するため、新しい加工および評価技術の開発を行うとともに、研究者・技術者そして若者の交流の場を与えることを目的としている。

平成29年10月1日〜令和4年9月30日（第9期・5年間）

http://www.riam.kyushu-u.ac.jp/nano/gakushin145/
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