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結晶加工と評価技術第145委員会
   
   
 

趣旨・目的

   
 

 IoTに代表されるような高度情報化社会を支える超LSIや半導体レーザー等の半導体デバイスは、大型で高品位な結晶育成技術と微細で精密な加工・評価技術の発展により高性能で安価なデバイスを社会に供給してきた。しかし、並列化による高速化と3次元の高集積化が進化した結果、従来技術の延長では解決できない多くの困難な問題が顕在化してきている。翻って社会に目を向けると、環境・エネルギー問題に対応するために高性能かつ安価な太陽電池や低損失電力デバイスの開発が加速されてきており、革新的な結晶育成・加工技術の創出が重要である。こうした環境下において、確固とした基礎研究に基づく産学連携研究開発の取り組みがますます重要になっている。
 本委員会は、シリコンならびに化合物半導体の結晶育成とウエーハ技術の向上に資するため、新しい加工および評価技術の開発を行うとともに、研究者・技術者そして若者の交流の場を与えることを目的としている。

   
 

研究テーマ

   
 
  1. ウエーハ高精度評価技術の開発研究
  2. IoTデバイス応用に向けた結晶成長・評価技術
  3. シリコン中の欠陥評価法の定量化と標準化
  4. 太陽電池用シリコン結晶の育成と評価
  5. ワイドバンドギャップ系半導体を含むパワー半導体用の結晶工学とデバイス応用
  6. 国際シンポジウム・研究会による人材育成
   
 

設置期間

 

平成29年10月1日〜平成34年9月30日(第9期・5年間)

   
 

委員の構成(平成30年1月現在)

 
学界 45名 産業界 24名 委員総数 69名
   
 

委員長

 
柿本 浩一    九州大学 応用力学研究所 教授
   
 

委員会のホームページ

 

http://www.riam.kyushu-u.ac.jp/nano/gakushin145/

   
 

活動状況報告

 
27年度
26年度
   
   
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