平成１２年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要

プロジェクト・リーダー名	フリガナ	所属部局名	職名
赤崎　勇	アカサキ　イサム	理工学部	教授

コア・メンバー名	フリガナ	所属研究機関名・所属部局名	職名
竹田　美和	タケダ　ヨシカズ	名古屋大学大学院工学研究科	教授
平松　和政	ヒラマツ　カズマサ	三重大学工学部	教授
天野　浩	アマノ　ヒロシ	名城大学理工学部	助教授

研究協力者名	フリガナ	所属研究機関名・所属部局名	職名
高橋　清	タカハシ　キヨシ	帝京科学大学理工学部	教授
桑野　範之	クワノ　ノリユキ	九州大学大学院総合理工学府	教授
田渕　雅夫	タブチ　マサオ	名古屋大学大学院工学研究科	講師

III族窒化物は、格子不整合の極めて大きい基板上へのヘテロエピタキシーにより高性能デバイスが実用化した系であり、半導体分野では極めて特異な存在である。従来、界面緩衝層を用いることにより、格段に品質の優れた結晶を得ることに成功しているが、その微細構造や機構は殆ど未知のままであった。本研究では、界面緩衝層を介して成長するIII族窒化物結晶について、原子スケールでそれらの構造を調べるとともに、窒化物間のヘテロ接合構造形成の動的過程を捉えることにより、界面緩衝層の構造とその上の成長における原子配列、固相成長の機構と役割、および結晶欠陥の動的過程を明らかにし、この系の成長機構を総合的に解明するとともに、低次元構造形成機構とその制御法を明らかにすることを目的としてプロジェクトを開始した。4名のコアメンバーがそれぞれ、格子不整合の大きい系での結晶成長機構の解明（赤崎）、格子不整合の大きい系での結晶表面の原子配列の解明（竹田）、ヘテロ接合成長の動的観察及び低次元構造制御（平松）、及び格子不整合の大きい系での固相成長の機構と結晶欠陥の動的過程の観察（天野）というテーマに取り組み、AllnNの成長、段差基板を用いた低転位結晶成長、低温堆積層におけるX線CTR法を用いた原子レベルでの構造解析、低温中間層による応力・欠陥制御、高品質AlGaNの実現、ELOの最適化、蛍光EXAFSを用いたGalnNにおける原子レベルでの組成分離解析、転位挙動の原子レベルでの理解、表面マストランスポート現象の発見、等々多くの特筆すべき成果を挙げた。

[雑誌論文]

著者名	論文標題
T. Detchprohm, T. Kuroda, K. Hiramatsu, N. Sawaki and H. Goto	The selective growth in hydride vapor phase epitaxy of GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Inst. Phys. Conf. Ser.		142･5	1996	859-862

著者名	論文標題
K. Hiramatsu, S. Kitamura and N. Sawaki	Facets formation mechanism of GaN hexagonal pyramids on dot-patterns visa selective MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		395	1996	267-271

著者名	論文標題
H. Siege, P. Thurian, L. Eckey, A. Hoffman, C. Thomsen, B. K. Meyer, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu	Spacially resolved photoluminescence and Raman scattering experiments on the GaN/sapphire interface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		68	1996	1265-1266

著者名	論文標題
I. Akasaki and H. Amano	Crystal growth of column-III nitride semiconductors and their electrical and optical properties
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		163	1996	86-92

著者名	論文標題
M. Koike, S. Yamasaki, S. Nagai, N. Koide, S. Asami, H. Amano and I. Akasaki	High-quality GaInN/GaN multiple quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		68	1996	1403-1405

著者名	論文標題
D. Behr, J. Wagner, J. Schneider, H. Amano and I. Akasaki	Resonant Raman scattering in hexagonal GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		68	1996	2404-2406

著者名	論文標題
C. Wetzel, E. E. Haller, H. Amano and I. Akasaki	Infrared reflection on GaN and AlGaN thin film heterostructures with AlN buffer layers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		68	1996	2547-2549

著者名	論文標題
Y. J. Wang, R. Kaplan, H. K. Ng, K. Doverspike, D. K. Gaskill, T. Ikedo, H. Amano and I. Akasaki	Magneto-optical studies of GaN and GaN/AlxGa1-xN:Donor Zeeman spectroscopy and two dimensional electron gas cyclotron resonance
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		79	1996	8007-8010

著者名	論文標題
I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike and H. Amano	Shortest wavelength semiconductor laser diode
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electronics Letters		32	1996	1105-1106

著者名	論文標題
J. Burm, W. J. Schaff, L. F. Eastman, H. Amano and I. Akasaki	75A GaN channel modulation doped field effect transistors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett		68	1996	2849-2851

著者名	論文標題
J. P. Bergman, T. Luntstrom, B. Monemar, H. Amano and I. Akasaki	Photoluminescence related to the two-dimensional electron gas at a GaN/AlGaN heterointerface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		68	1996	3456-3458

著者名	論文標題
T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano and I. Akasaki	Optical Properties of Strained AlGaN on GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. of Appl. Phys.		36	1997	L177-L179

著者名	論文標題
T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. of Appl. Phys.		36	1997	L382-L385

著者名	論文標題
S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, C. Dieker, J. Washburn, M. Koike, H. Amano and I. Akasaki	TEM/HREM ANALYSIS OF DEFECTS IN GaN EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOVPE ON SiC AND SAPPHIRE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		468	1997	287-292

著者名	論文標題
M. Kunzer, J. Baur, U. Kaufmann, J. Schneider, H. Amano and I. Akasaki	Properties of Mg and Zn acceptors in MOVPE GaN as studied by optically detected magnetic
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid-State Electronics		41	1997	189-193

著者名	論文標題
B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu and N. Sawaki	The excitonic bandgap of GaN: Dependence on substrate
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid-State Electronics		41	1997	1403-1405

著者名	論文標題
A. Hoffmann, L. Eckey, P. Maxim, J. -CHR, Holst, R. Heitz, D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Stevde, D. Volm, B. D. Meyer, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, H. Amano and I. Akasaki	Dynamic study of the yellow luminescence band in GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid State Electronics		41	1997	275-278

著者名	論文標題
H. Sakai, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	GaNの誘導放出機構と混晶効果
雑誌名		巻	発行年	ページ
レーザ研究		25	1997	510-513

著者名	論文標題
I. Akasaki and H. Amano	Progress and prospect of group-□ nitride semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. of Crystal Growth		175/176	1997	29-36

著者名	論文標題
W. Li, P. Bergman, B. Monemar, H. Amano and I. Akasaki	Photoluminescence decay dynamics in an InGaN/GaN/AlGaN single quantum well
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. of Appl. Phys.		81	1997	1005-1007

著者名	論文標題
I. Akasaki and H. Amano	Crystal Growth and Conductivity of Group□ Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. of Appl. Phys.		36	1997	5393-5408

著者名	論文標題
M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki	Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. of Appl. Phys. (to be published)			1998

著者名	論文標題
桑野範之、滝 海、沖 憲典、川口靖利、平松和政、澤木宣彦	有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本結晶成長学会誌		25(印刷中)	1998

著者名	論文標題
K. Hiramatsu, H. Matsushima, T. Shibata, N. Sawaki, K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, Y. Honda, and T. Matsue	Selective area growth of GaN by MOVPE and HVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. (in press)			1998

著者名	論文標題
M. Tabuchi, N. Matsumoto, Y. Takeda, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Crystal quality and surface structure of sapphire and buffer layers on sapphire revealed by CTR scattering
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci., (in press)			1998

著者名	論文標題
M. Tabuchi, N. Matsumoto, Y. Takeda, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Crystal quality and surface structure of sapphire and buffer layers on sapphire revealed by CTR scattering
雑誌名		巻	発行年	ページ
ICNS97 ICNS'97, Japan, 27-31 Oct. 1997., Symposium Proc.			1998

著者名	論文標題
桑野範之、滝 海、沖 憲典、川口靖利、平松和政、澤木宣彦	有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 -組成不均一の発生-
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本結晶成長学会誌		25.2	1998	106-112

著者名	論文標題
桑野範之	GaN系材料の微細構造 -FIBの応用-
雑誌名		巻	発行年	ページ
第9回電顕サマースクール電子顕微鏡 基礎技術と応用1998 ~極微構造解明の新展開~ 第9回電顕サマースクール実行委員会 編 学際企画			1998	116-121

著者名	論文標題
K. Tsukamoto, W. Taki, N. Kuwano, K. Oki, T. Shibata, N. Sawaki and K. Hiramatsu	Large-Angle Gradual Tilting of Crystallographic Orientations of HVPE-Grown GaN Selectively Grown on MOVPE-GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 2nd Int. Sym. Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, 1998, Ed., K. Onabe, K. Hiramatsu, K. Itaya and Y. Nakano, Ohmsha, Tokyo			1998	488-491

著者名	論文標題
桑野範之、沖 憲典	InxGa1-xN/GaN/LT-AlN/α-Al2O3(0001)に形成された貫通転位先端のピット
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本金属学会会報まてりあ		37	1998	992

著者名	論文標題
I. Akasaki	The Evolution of Nitride Semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		482	1998	3-14

著者名	論文標題
H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, M. Iwaya, C. Wetzel and I. Akasaki	Structural Properties of Nitrides Grown by OMVPE on Sapphire Substrate
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		482	1998	479-488

著者名	論文標題
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, T. Suski, J. W. Ager, E. R. Weber, E. E. Haller and B. K. Meyer	Localized Donors in GaN: Spectroscopy using Large Pressures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		482	1998	489-500

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel. H. Amano and I. Akasaki	Observation of photoluminescence from Al1-x,InxN heteroepitaxial films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		73/6	1998	830-831

著者名	論文標題
I. Akasaki	Recent Progress in Crystal Growth and Conductivity Control of Widegap Group □ Nitrides
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Mat. Res. Soc.		1998 Spring Meeting	1998

著者名	論文標題
T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka and N. Yamada	Determination of piezoelectric fields in GaInN strained quantum wells using the quantum-confined Stark effect
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		73	1998	1691-1693

著者名	論文標題
I. Akasaki	Recent Progress in Crystal Growth and Conductivity Control of Widegap Group □ Nitrides
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Mat. Res. Soc.		1998 Spring Meeting	1998

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki	Structural and optical properties of AlInN and AlGaInN on GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 9th Int. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy			1998

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, R. Mizumoto, C. Anbe, S. Ikuta, M. Katsuragawa, T. Wauke, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki	Crystal growth of lattice matched AlInN to GaN and the relation of strong bandgap bowing to microscopic structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 24th Intl. Conf. on the Phys. of Semiconductors			1998

著者名	論文標題
H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, and I. Akasaki	Characterization of crystalline quality of GaN on sapphire and ternary alloys on GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Trans. Inst. Electron. Inform. & Commun. Engineers		C-II(J81-C-II)	1998	65-71

著者名	論文標題
C. Anbe, T. Takeuchi, R. Mizumoto, H. Katoh, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko and N. Yamada	GaN-based laser diode with focused ion beam-etched mirrors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. European Materials Research Society Spring Meeting			1998

著者名	論文標題
M. Kariya, S. Nitta, S. Yamaguchi, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki	Structural properties of Al1-xInxN ternary alloys on GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	L697-L699

著者名	論文標題
H. Sakai, T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Amano and I. Akasaki	Stimulated emission with the longest wavelength in the blue region from GaInN/GaN multi-quantum well structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	831-836

著者名	論文標題
M. Katsuragawa, S. Sota, M. Komori, C. Ambe, T. Takeuchi, H. Sakai, H. Amano and I. Akasaki	Themal ionization energy of Si and Mg in AlGaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	528-531

著者名	論文標題
T. Takeuchi, S., Sota, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada	Quantum-confined Stark effect in strained GaInN quantum wells on sapphire(0001)
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	616-620

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Valenceband splitting and luminescence Stokes shift in GaInN/GaN thin films and multiple quantum well structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	621-624

著者名	論文標題
M. Tabuchi, N. Matsumoto, Y. Takeda, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Crystal quality and surface structure of sapphire and buffer layers on sapphire revealed by crystal truncation rod scattering
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	291-294

著者名	論文標題
C. Pernot, A. Hirano, H. Amano and I. Akasaki	Investigation of the Leakage Current in GaN P-N Junctions
雑誌名		巻	発行年	ページ
jpn. J. Appl. Phys.		37		L1202-L1204

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano and I. Akasaki	Optical bandgap in Gal-xInxN(0
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		73	1998	1994-1996

著者名	論文標題
H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason and J. Figiel	Stress and Defect Control in GaN Using Low Temperature Interlayers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys		37	1998	L1540-L1542

著者名	論文標題
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, T. Suski, J. W. Ager, E. R. Weber, E. E. Haller, and B. K. Meyer	Localized donors in GaN:spectroscopy using large pressures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Nitride Semiconductors Eds. F. A. Ponce, S. P. DenBaars, B. K. Meyer, S. Nakamura, and T. Strite, Proc. Mat. Res. Soc. Symp482			1998	489-500

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Piezoelectric quantization in GaInN thin films and multiple quantum well structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Wide-Bandgap Semiconductors for High Power, High Frequency and High Temperature, Eds. S. DenBaars, J. Palmour, M. Shur, and M. Spencer, Proc. Mat. Res. Soc. Symp.		512	1998	181-186

著者名	論文標題
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, J. W. Ager III, M. Topf, and B. K. Meyer	Correlation of vibrational modes and DX-like centers in GaN:O
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physica B		273-274	1999	109-112

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Piezoelectric level splitting in GaInN/GaN quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
GaN and Related Alloys Eds. S. J. Pearton, C. Kuo, T. Uenoyama, A. F. Wright, Proc. Mat. Res. Soc. Symp.		537	1999	G3.66

著者名	論文標題
H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, and I. Akasaki	Improvement of crystalline quality of GaN, AlGaN and AlN on sapphire using low temperature interlayers
雑誌名		巻	発行年	ページ
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.		4S1	1999	G10.1

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Kato, H. Amano, and I. Akasaki	Piezoelectric effects in GaInN/GaN heterostructures and quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel, August 2-81998 (World Scientific, Singapore 1999).			1999

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, R. Mizumoto, C. Anbe, S. Ikuta, M. Katsuragawa, T. Wauke, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki	Crystal growth of lattice-matched Al1-xInxN to GaN and the relation of strong bandgap bowing to the microscopic structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 24TH Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel, August 2-8, 1998. (World Scientific, Singapore 1999).			1999

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Piezoelectric Franz-Keldysh effect in strained GaInN/GaN heterostructures
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys		85(7)	1999	3786-3791

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Nitta, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki	Optical properties of GaInN/GaN heterostructures and quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
1998 IEEE Semiconducting and Insulating Materials Conference (Inst. Electrical and Electronics Engineers, Inc. Piscataway 1999)			1999	239-242

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki	Structural and optical properties of Al,SUB>1-xInxN grown by metal organic vapor-phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 18th Electronic Materials Symposium, Shirahama-shi, Wakayama-Ken, June 30-July 2,1999			1999	73-76

著者名	論文標題
C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki	Low-Intensity Ultraviolet Photodetectors Based on AlGaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L487-489

著者名	論文標題
T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Yano, M. Yamaguchi, N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka, R. Shioda, T. Hidaka, Ys. Kaneko, N. Yamada	Fabrication and Characterization of GaN-based Laser Diode Grown on Thick n-AlGaN Contact Layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176	1999	31-35

著者名	論文標題
Y. Kaneko, R. Shioda, N. Yamada, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Study on electroluminescence spectrum and waveguide loss of GaInN multiple quantum well lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176	1999	137-140

著者名	論文標題
C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki	Improvement of low intensity ultraviolet photodetectors based on AlGaN with low threading dislocation density
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176	1999	147-151

著者名	論文標題
K. Hiramatsu, K. Nishiyama, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika and T. Maeda	Recent progress in selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of III-nitrides : Effects of reactor pressure in MOVPE growth
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176	1999	535-543

著者名	論文標題
Y. Kawaguchi, S. Nambu, M. Yamaguchi, N. Sawaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, K. Tsukamoto, N. Kuwano and K. Oki	Influence of ambient gas on the epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176		561-565

著者名	論文標題
S. Watanabe, N. Yamada, Y. Yamada, T. Taguchi, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Spectral study of photoluminescence from GaInN/GaN MQWs using CW and time-resolved measurements
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (b)		216	1999	335-339

著者名	論文標題
C. Wetzel, M. Kasumi, T. Detchprohm, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Discrete Stark-like ladder in piezoelectric GaInN/GaN quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (b)		216	1999	399-403

著者名	論文標題
H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, S. Nitta, C. Wetzel and I. Akasaki	Control of dislocations and stress in AlGaN on sapphire using a low temperature interlayer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (b)		216	1999	683-689

著者名	論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi	High purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba		4	2000	301-304

著者名	論文標題
M. Iwaya, T. kashima, R. Nakamura, T. Detchprohm, S. Kamiyama, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, H. Amano, and I. Akasaki	Crack-free, thick and high-quality AlxGa1-xN using low-temperature interlayer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba		4	2000	305-309

著者名	論文標題
I. Akasaki, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Takeuchi and H. Amano	Growth of crack-free thick AlGaN layer for achievement of single lateral mode operation of GaN-based laser diode
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba		4	2000	311-314

著者名	論文標題
Y. Takeda, M. Tabuchi, M. Araki, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki	Crystalline structure and surface morphology of AlN and GaN as buffer layers for GaN growth on sapphire surface-Atomic scale characterization-
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba		4	2000	315-321

著者名	論文標題
Y. Takeda, M. Tabuchi, M. Araki, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki	Effect of crystalline structure of AlN buffer layers on GaInN/GaN growth -Atomic scale characterization-
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba		4	2000	321-324

著者名	論文標題
K. Hiramatsu, A. Motogaito, H. Miyake, H, Sone, N. sawaki, J. Christen and I. Akasaki	Epitaxial lateral overgrowth of GaN by HVPE using tungsten mask and characterization of their crystalline and optical properties
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba		4	2000	325-330

著者名	論文標題
S. Nitta, S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Iwaya, T. Kashima, R. Nakamura, T. Detchprohm, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki	Mass transport of GaN and reduction of threading dislocations
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba		4	2000	331-336

著者名	論文標題
N. Kuwano, K. Horibuchi, K. Hiramatsu, N. Sawaki	TEM observation of microstructures in ELO-GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxial method : Influences of carrier gas species and geometry of mask
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba		4	2000	337-340

著者名	論文標題
R. Kimura and K. Takahashi	High quality epitaxial growth of h-GaN on Al2O3(0001) and c-GaN on GaAs (100) by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 3rd Int. Symp. on blue laser and light emitting diodes, Berlin (2000).			2000

著者名	論文標題
R. Kimura and K. Takahashi	High phase purity cubic-GaN grown on GaAs (100) using AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 3rd. German-Japan joint workshop, Physica Status Solidi, Berlin (2000)			2000

著者名	論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi	High purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		209	2000	382-386

著者名	論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi	High purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of 7th Int. Conf. on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Technique (ICCBE-7; 1999 Tsukuba)			1999	103-104

著者名	論文標題
R. Kimura, K. Takahashi	A study of initial nucleation mechanism of MBE grown GaN on sapphire
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics (1999, Fukuoka)			1999	311-315

著者名	論文標題
寒川義裕、桑野範之、沖 憲典、伊藤 智徳	原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InP混晶中に出現するCuAu-I型規則構造形成機構の理論的解析
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本金属学会誌		63(6)	1999	741-746

著者名	論文標題
S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano and I. Akasaki	Improvement of Far Field Pattern in Nitride Laser Diodes using Crack-free Thick n-AlGaN Cladding layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 16th meeting of JSPS 162nd Research Committee, July 27, 1999, Tsukuba			1999	9-13

著者名	論文標題
S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, T. Sato, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, and N. Yamada	GaN-based semiconductor laser with stable single transverse-mode operation
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 2nd Japan-Korea Joint Workshop on Short-Wavelength Semiconductor Optoelectronic Device and Materials, Sep. 30-Oct. 2, 1999, Chiba			1999

著者名	論文標題
S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki	Performance of GaN-Based Semiconductor Laser with Spectral Broadening due to Compositional Inhomogeneity in GaInN Active Layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	390-392

著者名	論文標題
上山 智,佐藤敏幸、岩谷素顕、天野 浩、赤崎 勇	単一横モード型GaN系半導体レーザ
雑誌名		巻	発行年	ページ
オプトロニクス		No.1	2000	68-73

著者名	論文標題
H. Sone, S. Nambu, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Iyechika, T. Maeda and N. Sawaki	Optical and crystalline properties of epitaxial-lateral-overgrown-GaN using tungsten mask by hydride vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38/4A	1999	L356-359

著者名	論文標題
K. Hiramatsu, H. Matsushima, T. Shibata, Y. Kawaguchi, and N. Sawaki	Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy and hydride vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mater. Sci. & Eng.		B59	1999	104-111

著者名	論文標題
C. Ambe, T. Takeuchi, R. Mizumoto, H. Katoh, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akaskai, Y. Kaneko and N. Yamada	GaN-based laser diode with focused ion beam etched mirrors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mater. Sci. Eng.		B59	1999	382-385

著者名	論文標題
Y. Kawaguchi, S. Nambu, H. Sone, M. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, N. Sawaki, Y. Iyechika and T. Maeda	Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN using tungsten mask
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Mat. Res. Soc. Symp.		537	1999	G4.1

著者名	論文標題
H. Miyake, A. Motogaito and K. Hiramatsu	Effects of reactor pressure on epitaxial lateral overgrowth of GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38 9A/B	1999	L1000-L1002

著者名	論文標題
Y. Honda, Y. Iyechika, T. Maeda, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Sone and N. Sawaki	Crystal orientation fluctuation of epitaxial-lateral-overgrown GaN with W mask and SiO2 mask observed by transmission electron diffraction and X-ray rocking curves
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38 11B	1999	L1299-1302

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki	Structural properties of InN on GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		85	1999	7682-7688

著者名	論文標題
M. Kariya, S. Nitta, S. Yamaguchi, T. Kashima, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki	Structural characterization of Al1-xInxN lattice-matched to GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		209	1999	419-423

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano and I. Akasaki	Improvement of structural and optical properties of GaN and AlGaN using isoelectronic In doping
雑誌名		巻	発行年	ページ
to be published in Inst. Int. Conf. Ser.			2000

著者名	論文標題
M. Kariya, S. Nitta, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki	Mosaic Structure of Ternary Al1-xInxN Films on GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L984-L986

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki	The Effect of Isoelectronic In-Doping on the Structural and Optical Properties of (Al)GaN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	1999	L143-145

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki	Strain relief by In-doping and its effect on the surface and the interface structures in (Al)GaN on sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
to be published in Appl. Surf. Sci.			1999

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki	Anomalous Features in Optical Properties of Al1-xInxN on GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett		76	1999	876-878

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasak	Strain Relief and Its Effect on the Properties of GaN Using Isoelectronic In Doping Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		75	1999	4106-4108

著者名	論文標題
M. Kariya, S. Nitta, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki	Effect on GaN/Al0.17Ga0.83N and Al0.05Ga0.83N/Al0.17Ga0.83N Quantum Wells by Isoelectronic In-Doping During Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L143-145

著者名	論文標題
N. Faleev, K. Pavlov, M. Tabuchi and Y. Takeda	Influence of long-range lateral ordering in structures with quantum dots in the spatial distribution of diffracted X-ray radiation
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	818-821

著者名	論文標題
K. Pavlov, N. Faleev, M. Tabuchi and Y. Takeda	Specific aspects of X-ray diffraction on statistically disordered QDs in perfect crystal matrix
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38,Suppl.38-1	1999	269-272

著者名	論文標題
N. Faleev, K. Pavlov, M. Tabuchi and Y. Takeda	CTR and DCXRD studies of lateral ordering of quantum dots in multilayer periodic structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38,Suppl.38-1	1999	277-280

著者名	論文標題
M. Tabuchi, Y. Takeda, N. Matsumoto, H. Amano and I. Akasaki	X-ray interference and crystal truncation rod observation of GaN and GaInN layers grown on sapphire with AlN buffer layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38,Suppl.38-1	1999	281-284

著者名	論文標題
N. N. Faleev, A. Yu Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, K. M. Pavlov, V. I. Punegov, M. Tabuchi and Y. Takeda	X-ray diffraction analysis of multilayer InAs-GaAs hetereostructures with InAs qunatum dots
雑誌名		巻	発行年	ページ
Semiconductors		33	1999	1229-1237

著者名	論文標題
田渕雅夫、平山啓介、竹田美和	X線反射率測定によるIII族窒化物半導体の表面構造解析
雑誌名		巻	発行年	ページ
X線回折研究のあゆみ		20	1999	21-24

著者名	論文標題
田渕雅夫、竹田美和	X線CTR散乱とX線反射率測定によるIII族窒化物半導体の構造解析
雑誌名		巻	発行年	ページ
理学電機ジャーナル		30	1999	40-45

著者名	論文標題
C. Wetzel and I. Akasaki	O, C and other unintentional impurities in GaN and related compounds
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, IEE, London, UK, 1999)		23	1999	284

著者名	論文標題
C. Wetzel and I. Akasaki	Raman and IR studies of InN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, IEE, London, UK, 1999)		23	1999	121

著者名	論文標題
C. Wetzel and I. Akasaki	Raman and IR studies of GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel(INSPEC, IEE, London, UK, 1999)		23	1999	52

著者名	論文標題
C. Wetzel and I. Akasaki	Raman and IR studies of AlGaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel(INSPEC, IEE, London, UK, 1999)		23	1999	143

著者名	論文標題
N. Kuwano	HRTEM characterization of GaN films on GaAs Properties, Processing and Application of Gallium Nitride and Related Semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel(INSPEC, IEE, London, UK, 1999)		23	1999	243-247

著者名	論文標題
Y. Takeda and M. Tabuchi	Sapphire substrates for growth of GaN and related compounds
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors(EMIS Datareviews Series No. 23)Eds. J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999)		23	1999	381-385

著者名	論文標題
H. Amano and I. Akasaki	Optical properties of AlGaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors(EMIS Datareviews Series No. 23)Eds. J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999)		23	1999	139-142

著者名	論文標題
H. Amano and I. Akasaki	X-ray diffraction characterization of GaN-based materials: triple axis diffractometry
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors(EMIS Datareviews Series No. 23)Eds. J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999)		23	1999	264-272

著者名	論文標題
T. Takeuchi and I. Akasaki	GaInN quantum wells: piezoelectricity
雑誌名		巻	発行年	ページ
Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors(EMIS Datareviews Series No.23)Eds. J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999)		23	1999	525

著者名	論文標題
桑野 範之	エピタキシャル層の構造と組織
雑誌名		巻	発行年	ページ
III族窒化物半導体 赤崎勇編著、培風館			1999	217-238

著者名	論文標題
天野 浩、赤崎 勇	第3章III族窒化物半導体の光学的・電気的特性
雑誌名		巻	発行年	ページ
“III族窒化物半導体"、アドバンストエレクトロニクスシリーズ、培風館、赤崎勇編著			1999	34-61

著者名	論文標題
天野 浩、赤崎 勇	第8章 有機金属化合物気相成長(MOVPE)
雑誌名		巻	発行年	ページ
“III族窒化物半導体"、アドバンストエレクトロニクスシリーズ、培風館、赤崎勇編著			1999	147-164

著者名	論文標題
天野 浩	第15章 受光デバイス
雑誌名		巻	発行年	ページ
“III族窒化物半導体"、アドバンストエレクトロニクスシリーズ、培風館、赤崎勇編著			1999	275-283

著者名	論文標題
天野 浩	第16章 電子デバイス
雑誌名		巻	発行年	ページ
“III族窒化物半導体"、アドバンストエレクトロニクスシリーズ、培風館、赤崎勇編著			1999	285-293

著者名	論文標題
天野 浩,赤崎 勇	サファイア基板上□族窒化物半導体成長における低温堆積層の効果と構造
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		68	1999	65-71

著者名	論文標題
T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Ys. Kaneko and N. Yamada	Improvement of far-field pattern in nitride laser diodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett		75	1999	2960-2962

著者名	論文標題
T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Katoh, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki	Microscopic Investigation of Al0.43Ga0.57N on Sapphire
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L363-365

著者名	論文標題
D. M. Hofmann, B. K. Meyer, F. Leiter, W. von Forster, H. Alves, N. Romanov, H. Amano and I. Akasaki	Optical Transitions of the Mg Acceptor in GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L1422-1424

著者名	論文標題
G. Steude, B. K. Meyer, A. Goldner, A. Hoffmann, A. Kaschner, F. Bechstedt, H. Amano and I. Akasaki	Strain Modification of GaN in AlGaN/GaN Epitaxial Films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L498-500

著者名	論文標題
T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Theoretical study of orientational dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaIn/GaN heterostructures and quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	1999	L390-392

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano and I. Akasaki	The effect of isoelectronic In-doping on the structural and optical properties of(Al)GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ext. Abst. 1999 Int. Conf. SSDM			1999	52-53

著者名	論文標題
C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki	Piezoelectric polarization effects in GaInN/GaN heterostructures and some consequences for device design
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ext. Abst. 1999 Int. Conf. SSDM			1999

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki	Spectroscopy of piezoelectric effects in GaInN/GaN quantum well structures and devices
雑誌名		巻	発行年	ページ
Bull. Am. Phys. Soc.		44	1999	1337

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, M. Iwaya, M. Kasumi, H. Amano and I. Akasaki	In-situ spectroscopic ellipsometry of GaN and AlGaInN growth by MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Bull. Am. Phys. Soc.		44	1999	314

著者名	論文標題
A. Watanabe, H. Takahashi, T. Tanaka, H. Ota, K. Chikuma, H. Amano and I. Akasaki	Correlation between dislocation density and the macroscopic properties of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.			1999	L1159-L1162

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Electric-field strength, polarization dipole, and multi-interface band offset n piezoelectric Ga1-xInxN/GaN quantum-well structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
The American Physical Society		61	1999	2159-2163

著者名	論文標題
M. Kariya, S. Nitta, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Yamaguchi, H. Amno and I. Akasaki	Effect on GaN/Al0.17Ga0.83N and Al0.05Ga0.95N/Al0.17Ga0.83N Quantum Wells by Isoelectronic In-Doping during Metalorganic Vapor PhaseEpitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39(2/2B)	2000	L143-L145

著者名	論文標題
S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki	Performance of GaN-Based Semiconductor Laser with Spectral Broadening due to Compositional Inhomogeneity in GaInN Active Layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L390-L392

著者名	論文標題
T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L413-L416

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki	Anomalous features in the optical properties of Al1-xInxN on GaN grown by metal organic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		76(7)	2000	876-878

著者名	論文標題
Y. Takeda, M. Tabuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Characterization of Group-III Nitride Semiconductors by X-Ray CTR Scattering and Reflectivity Measurements
雑誌名		巻	発行年	ページ
The Rigaku Journal		17(2)	2000	54-59

著者名	論文標題
M. Kariya, S. Nitta, S. Yamguchi, T. Kashima, H. Kato, H. Amano, and I. Akasaki	Structural characterization of Al1-xInxN lattice-matched to GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		209	2000	419-423

著者名	論文標題
S. Nitta S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Iwaya, T. Kashima, R. Nakamura, T. Detchprohm, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki	Mass transport of GaN and reduction of threading dislocations
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics			2000	331-335

著者名	論文標題
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, J. W. Ager III, I. Grzegory, M. Topf and B. K. Meyer	Localized vibrational modes in GaN:O tracing the formation of oxygen Dx-like centers under hydrostatic pressure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		61(12)	2000	8202-8206

著者名	論文標題
田淵 雅夫, 竹田 美和, 竹内 哲也, 天野 浩, 赤崎 勇	X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程(Characterization of Initial Growth Stage of GaInN Multilayered Structure by X-ray CTR Scattering and X-ray Reflectivity Method)
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		21/3	2000	162-168

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Detchprohm, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Piezoelectric Polarization in the Radiative Centers of GaInN/GaN Quantum Wells and Devices
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Electronic Materials		29/3	2000

著者名	論文標題
天野 浩、赤崎 勇	サファイア基板上III族窒化物半導体成長における低温堆積層(Effect of Low-temperature Deposited Layer on the Growth of Group-III Nitrides on Sapphire)
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		21/3	2000	126-133

著者名	論文標題
M. Tabuchi, K. Hirayama, Y. Takeda, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki	Characterization of initial growth stage of GaInN multi-layered structure by X-ray CTR scattering method
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		159/160	2000	432-440

著者名	論文標題
N. Hayashi, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko and N. Yamada	Electrical conductivity of low temperature deposited Al0.1Ga0.9N interlayer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys			2000

著者名	論文標題
T. Detchprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochiduki, T. Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki	Heteroepitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Periodically Grooved Substrates: A New Approach for Growing Low-Dislocation-Density GaN Single Crystal
雑誌名		巻	発行年	ページ
Accepted for publication in Jpn. J. App. Phys. Lett			2000

著者名	論文標題
Isamu Akasaki	The Evolution of Group □ nitride semiconductors Seeking blue light emission
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mater Sci. Eng		B74	2000	101-106

著者名	論文標題
T. Sato, M. Iwaya, K. Isomura, T. Ukaki, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki	Theoretical Analysis of Optical Transverse-Mode Control on GaN-Based Laser Diodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEICE TRANS. Electron		E83-C/4	2000

著者名	論文標題
C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki	Piezoelectric Polarization in GaInN/GaN Heterostructures and Some Consequences for Devices Design
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys		39	2000	2425-2427

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki	The Effect of Isoelectronic In-Doping on the Structural and Optical Properties of (Al)GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys		39(1/4B)	2000	2385-2388

著者名	論文標題
C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki	Solar-Blind UV Photodetectors Based on GaN/AlGaN p-i-n Photodiodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39(2/5A)	2000	L387-L389

著者名	論文標題
Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amamo, and I. Akasaki	Demonstration of solar-blind AlxGa1-xN flame detector
雑誌名		巻	発行年	ページ
IGRC2001 Proceedings International Gas Research Conference			2000

著者名	論文標題
I. Akasaki	Progress in Crystal Growth of Nitride Semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
10th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy			2000	33-34

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, M. Kosaki, Y. Yukawa, H. Amano, and I. Akasaki	Control of Crystalline Quality of MOVPE-grown GaN and (Al, Ga)N/AlGaN MQW using In-doping and /or N2 carrier gas
雑誌名		巻	発行年	ページ
10th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy			2000	337-338

著者名	論文標題
M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, T. Dechprohm, H. Amano, I. Akasaki, A. Hirano, and C. Pernot	High-Quality AlxGa1-xN using Low Temperature-Interlayer and Its Application to UV Detector
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp.		595	2000	W110.1-W110.6

著者名	論文標題
H. Miyake, M. Yamaguchi, M. Haino, A. Motogaito, K. Hiramatsu, S. Nambu, Y. Kawaguchi, N. Sawaki, Y. Iyechika, T. Maeda, and I. Akasaki	Fabrication of GaN with Buried Tungsten (W) Structures Using Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) via LP-MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp		595	2000	W2.3.1-W2.3.6

著者名	論文標題
S. Nitta, T. Kashima, M. Kariya, Y. Yukawa, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki	Mass Transport, Faceting and Behavior of Dislocations in GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp		595	2000	W2.8.1-W2.8.6

著者名	論文標題
I. Akasaki, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Takeuchi, and H. Amano	Growth of Crack-Free Thick AlGaN Layer and Its Application to GaN-Based Laser Diode
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp.		595	2000	W6.8.1-W6.8.6

著者名	論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Spectroscopy in Polarized and Piezoelectric AlGaInN Heterostructures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp		595	2000	W12.4.1-W12.4.12

著者名	論文標題
M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, and I. Akasaki	Realization of crack-free and high-quality thick AlxGa1-xN for UV optoelectronics using low-temperature interlayer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		159-160	2000	405-413

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki	Strain relief by In-doping and its effect on the surface and on the interface structures in (Al)GaN on sapphire grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		159-160	2000	414-420

著者名	論文標題
S. Nitta, M. Kariya, T. Kashima, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki	Mass transport and the reduction of threading dislocation in GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		159-160	2000	421-426

著者名	論文標題
T. Takeuchi, S. Lester, Bassile, G. Girolami, R. Twist, F. Mertz, M. Wong, R. Schneider, H. Amano, and I. Akasaki	Polarization control in nitride-based semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	137-140

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Nitta, H. Amano and I. Akasaki	Effect of carrier gas on the properties of MOVPE-grown GaN and GaN/AlGaN MQWs:a comparison of H2 to N2 as a carrier gas
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	141-143

著者名	論文標題
M. Yano, T. Detchprohm, R. Nakamura, S. Sano, H. Amano, and I. Akasaki	Heteroepitaxy and characterization of GaN with Low Dislocation Density on Periodically Grooved Sapphire Substrate
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	292-295

著者名	論文標題
S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki	Dynamical process of mass transport in GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	328-330

著者名	論文標題
C. Wetzel, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki	Excitation spectroscopy and level assignment in piezoelectric Ga1-xInxN/GaN quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	510-515

著者名	論文標題
S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki	Effect of impurity doping on the mechanical properties of AlxGa1-xN ternary alloys
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	640-643

著者名	論文標題
M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki	High-efficiency GaN/AlxGa1-xN multi-quantum well light emitter grown on low-dislocation density AlxGa1-xN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	833-836

著者名	論文標題
W. W. Chow, H. Amano and I. Akasaki	On the feasibility of fundamental-mode operation in unstable-resonator InGaN lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	895-898

著者名	論文標題
R. Mouillet, C. Pernot, Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki	Optical Property of an AlGaN/GaN Hetero-Bipolar-Phototransistor
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	973-976

著者名	論文標題
A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki	Solar-Blind AlGaN PIN Hetero Junction Photodiode
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)			2000	911-914

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki	The Effect of Isoelectronic In-Doping on the Structural and Optical Properties of (Al) GaN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS			2000	52-53

著者名	論文標題
I. Akasaki	Renaissance and Progress in Research on Nitride Semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of The 19th Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology Hosei University			2000

著者名	論文標題
M Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki, A. Hirano, and C. Pernot	High-quality AlxGa1-xN using low temperature-interlayer and its application to UV detector
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp.		595	2000	W1.10.1-W1.10.6

著者名	論文標題
Y. Takeda, M. Tabuchi, H. Amano, and I. Akasaki	Characterization of Group-III Nitride Semiconductors by X-Ray CTR Scattering and Reflectivity Measurements
雑誌名		巻	発行年	ページ
The Rigaku Journal		17(20)	2000

著者名	論文標題
I. Akasaki	Progress in crystal growth of nitride semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Crystal Growth		221	2000	231-239

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Kashima, M. Kosaki, Y. Yukawa, H. Amano, I. Akasaki	Control of crystalline quality of MOVPE-grown GaN and(Al, Ga)N/AlGaN MQW using In-doping and/or N2 carrier gas
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Crystal Growth		221	2000	327-333

著者名	論文標題
I. Akasaki	Renaissance and Progress in Nitride Semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1			2001	1-6

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki	Effect of carrier gas on the properties of MOVPE-grown GaN and GaN/AlGaN MQWs: a comparison of H2 to N2 as a carrier gas
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1			2001	141-143

著者名	論文標題
M. Yano, T. Detchprohm, R. Nakamura, S. Sano, S. Mochizuki, T. Nakamura, H. Amano and I. Akasaki	Heteroepitaxy and characterization of GaN with low dislocation density on periodically grooved sapphire substrate
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1			2001	292-295

著者名	論文標題
S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki	Dynamical Process of Mass Transport in GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1			2001	328-330

著者名	論文標題
S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki	Effect of Impurity Doping on the Mechanical Properties of AlxGa1-xN Ternary Alloys
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1			2001	640-643

著者名	論文標題
M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki	High-Efficiency GaN/AlxGa1-xN Multi-Quantum Well Light Emitter Grown on Low-Dislocation Density AlxGa1-xN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1			2001	833-836

著者名	論文標題
T. Detchprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochizuki, T. Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki	Heteroepitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Periodically Grooved Substrates: A New Approach for Growing Low-Dislocation-Density GaN Single Crystals
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		20(2/1A/B)	2001

著者名	論文標題
M. Iwaya, S. Terao, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki	Defect and stress control of AlxGa1-xN and fabrication of high-efficiency UV-LED
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics			2001	77-78

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Mochizuki, T. Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki	Strain and crystalline quality of nitride semiconductors:GaN, AlGaN, AlInN and multiple quantum well structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics			2001	91-96

著者名	論文標題
M. Haino, A. Motogaito, H. Miyake, K. Hiramatsu, N. Sawaki, Y. Iyechika, T. Maeda, and I. Akasaki	Fabrication and characterization of high quality buried tungsten metal structure by epitaxial-lateral-overgrown GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics			2001	105-108

著者名	論文標題
S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki	In-situ observation of fracture during grown of AlGaN on GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics			2001	109-112

著者名	論文標題
S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki	Mass transport in nitrides
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics			2001	113-116

著者名	論文標題
S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki	Fracture of AlxGa1-xN/GaN Heterostructure-Compositional and Impurity Dependence
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl, Phys		40	2001	L195-L197

著者名	論文標題
I. Akasaki and H. Amano	Semiconductors and Semimetals High brightness light emitting diodes Edited by G. B. Stringfellow and M. G. Craford
雑誌名		巻	発行年	ページ
ACADEMIC PRESS			1997	469

著者名	論文標題
I. Akasaki and H. Amano	Semiconductors and Semimetals/Vol. 50 Gallium nitride (GaN)I, Edited by J. I. Pankove, T. D. Moustakas
雑誌名		巻	発行年	ページ
ACADEMIC PRESS		50	1997	503

著者名	論文標題
I. Akasaki and H. Amano	"Lasers" in Gallium Nitride (GaN)□ in Semiconductors and Semimetals, Vol 50, Chap. 15, ed. by J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Academic Press, San Diego, U. S. A. 1998
雑誌名		巻	発行年	ページ
ACADEMIC PRESS		50	1997	469

著者名	論文標題
I. Akasaki (Principal Editor)	Progress in Visible Light Emitting
雑誌名		巻	発行年	ページ
Diodes Display and Imaging (Jpn. ed. )		8	2000

著者名	論文標題
天野 浩, 赤崎 勇	格子不整合系のエピタキシャル成長の欠陥制御
雑誌名		巻	発行年	ページ
共立出版		第7章	2000

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