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第9回(平成24年度)日本学術振興会賞の受賞者決定について

第9回（平成24年度）日本学術振興会賞受賞者

塚越　一仁

（ツカゴシ　カズヒト）

TSUKAGOSHI Kazuhito

生年

1967年

出身地

群馬県

現職

物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点　主任研究者
（Principal Investigator, International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science）

専門分野

エレクトロニクス

略歴

１９９０年	名古屋大学理学部卒
１９９２年	大阪大学大学院理学研究科博士前期課程修了
１９９３年	日立製作所日立研究所研究員
１９９４年	日本学術振興会特別研究員-DC（１９９５年からPD）
１９９５年	大阪大学大学院理学研究科博士後期課程修了
１９９５年	博士（理学）の学位取得（大阪大学）
１９９６年	日本学術振興会特別研究員-PD
１９９６年	ケンブリッジ大学キャンベンディッシュ研究所客員研究員
１９９９年	理化学研究所低温物理研究室先任研究員
２００８年	産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門主任研究員
２００９年	物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点主任研究者（現在に至る）

授賞理由

「ナノカーボンへの電流注入と電界効果伝導制御によるナノエレクトロニクス研究」

(Nano-Electronics Researches Based on Electrical Conduction Control in Nano-Carbon Conductors)

  炭素原子の微細な規則構造から成るカーボンナノチューブやグラフェンは、簡潔な構造でありながら優れた機械的強度や電気伝導性を有する画期的新材料として非常に注目されており、近年では単機能の材料としてだけではなく、高い機能を有する電子デバイスへの応用を目指した研究が活発化している。
  塚越一仁氏はナノサイズの新材料、特にカーボンナノ材料を用いた電子デバイスの研究に非常に優れた研究成果を挙げてきている。特にカーボンナノチューブと磁性電極の組み合わせによるスピン依存伝導の発見、およびグラフェンの原子２層構造に効率的に電界を印加することによるバンドギャップの誘起と電気伝導制御は、将来の電子デバイスの可能性を明確に示したと言える点で大きな意味があり、世界的に大きな注目を浴びている。
  塚越氏はカーボンナノ構造を中心とする材料の基礎研究と独自の着想でそれを実用的デバイスに応用する上で顕著な成果を挙げており、世界をリードする研究者として今後の活躍が大いに期待される。

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