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過去の受賞者について

第7回（平成22年度）日本学術振興会賞受賞者

渡部　平司

（ワタナベ　ヘイジ）

WATANABE Heiji

生年

1965年

出身地

大阪府

現職

大阪大学大学院工学研究科　教授
(Professor, Graduate School of Engineering, Osaka University)

専門分野

ナノエレクトロニクス

略歴

1988年	大阪大学工学部卒
1990年	大阪大学大学院工学研究科修士課程修了
1990年	日本電気株式会社基礎研究所
1994年	博士(工学)の学位取得(大阪大学)
1994年	アトムテクノロジー研究体出向（１９９８年まで）
2004年	大阪大学大学院工学研究科助教授
2006年	大阪大学大学院工学研究科教授(現在に至る)

授賞理由

「半導体表面・界面科学を基軸とした次世代エレクトロニクスの創成」

(Creation of Next-Generation Electronics Based on Semiconductor Surface and Interface Science)

　高度情報化社会の実現に向け、処理速度が速く、かつ低消費電力で動作する半導体デバイスの開発が社会的にも重要となっている。
　渡部平司氏は、シリコン半導体デバイスの技術開発において、金属－酸化膜－半導体（MOS）界面の原子層レベルでの酸化反応や界面反応を直接観測する手法を見出した上で、その知見をベースに超薄絶縁膜形成に於ける独自技術を開発し、その優位性をデバイスレベルで実証しており、半導体技術に多大な貢献を果たしている。更に、最近は、超高速動作を可能とするゲルマニウムデバイスや、パワーデバイスの省電力化を可能とする炭化シリコンデバイスにも研究分野を広げ、優れた成果を上げている。
　同氏の業績は、表面・界面科学を原点とした次世代半導体エレクトロニクスに関する画期的研究成果であり、次世代半導体技術を先導する成果が期待される。

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