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過去の受賞者について

第3回（平成18年度）日本学術振興会賞受賞者

田中　雅明

(タナカ　マサアキ)

TANAKA Masaaki

生年

1961年

出身地

埼玉県

現職

東京大学大学院工学系研究科　教授
(Professor, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo)

専門分野

電子材料物性・デバイス工学、スピンエレクトロニクス

略歴

1984年	東京大学工学部卒
1986年	東京大学大学院工学系研究科修士課程修了
1987年	日本学術振興会特別研究員－ＤＣ
1989年	東京大学大学院工学系研究科博士課程修了
1989年	工学博士の学位取得（東京大学）
1989年	東京大学工学部助手
1990年	東京大学工学部講師
1992年	日本学術振興会海外特別研究員（ベル通信研究所客員研究員）
1994年	東京大学工学部（後に大学院工学系研究科）助教授
2004年	東京大学大学院工学系研究科教授（現在に至る）

授賞理由

「半導体と磁性体からなる複合構造の研究とスピンエレクトロニクスへの展開」

（Ferromagnet-Semiconductor Hybrid Structures and Their Applications to Spin-Electronics）

　田中雅明氏は、「磁性・スピン」と「半導体」の両者の機能を用いた半導体スピンエレクトロニクスの発展に向けて、重要な研究成果を達成してきた。
　まず、半導体／金属、半導体／強磁性体などの複合ヘテロ構造の結晶成長技術について、特にテンプレート法と呼ばれる手法の開発を通じてその発展に貢献した。また、強磁性混晶半導体 GaMnAs 薄膜ヘテロ構造において、Ⅲ-V 族磁性半導体としては初めて量子効果を観測すると共に、強磁性トンネル接合素子を作製し極めて大きなトンネル磁気抵抗比を得た。さらに、Ⅲ-Ⅴ 族強磁性混晶半導体のキュリー温度（強磁性を失う温度）を飛躍的に上昇させ、スピンエレクトロニクス素子実用化の可能性を高めた。
　最近もMOSトランジスタ型の新しいスピンデバイス Spin MOSFETを提案するなど、着々と優れた成果を達成しており、今後の研究の発展が大いに期待される。

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