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過去の受賞者について

第3回（平成18年度）日本学術振興会賞受賞者

川崎　雅司

(カワサキ　マサシ)

KAWASAKI　Masashi

生年

1961年

出身地

大阪府

現職

東北大学金属材料研究所　教授
(Professor, Institute for Materials Research, Tohoku University)

専門分野

薄膜電子材料

略歴

1984年	東京大学工学部卒
1986年	東京大学大学院工学系研究科修士課程修了
1989年	東京大学大学院工学系研究科博士課程修了
1989年	工学博士の学位取得（東京大学）
1989年	日本学術振興会特別研究員－ＰＤ
1989年	ＩＢＭワトソン研究所博士研究員
1991年	東京工業大学工業材料研究所助手
1997年	東京工業大学大学院総合理工学研究科助教授
2001年	東北大学金属材料研究所教授（現在に至る）

授賞理由

「金属酸化物の精密エピタキシーと電子機能化に関する研究」

（Exploration of Oxide Electronics through Perfect Epitaxy）

　川崎雅司氏は、金属酸化物の薄膜結晶技術の高度化及び物性制御とそのデバイス応用について、深い洞察力と独自性に立脚した研究を展開し、物質科学の発展に寄与してきた。
　同氏は、レーザ分子線エピタキシー法により高品質な酸化亜鉛のナノ結晶薄膜の形成に成功し、室温での励起子紫外レーザ発振を実現した。この研究を契機として酸化亜鉛のｐ型化研究が世界中で行なわれたが、この問題にブレークスルーを与えたのは同氏自身であった。同氏は、酸化亜鉛の高純度化とアクセプターを取り込むための工夫を行うことによりｐ型化に成功し電流注入型発光ダイオードを実現した。
　同氏の研究は、酸化物がワイドギャップ半導体として注目された端緒の一つとなり、固体照明の実用化に向けた新たな技術の可能性を示した。今後、次世代のリーダーとしての資質を発揮し、さらに大きな業績を達成することを期待する。

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