日本学術振興会賞

第13回(平成28年度)日本学術振興会賞の受賞者決定について

第13回(平成28年度)日本学術振興会賞受賞者

photo_冨岡 克広
冨岡 克広
(トミオカ カツヒロ)
TOMIOKA Katsuhiro



生年 1980年 出身地 群馬県
現職 北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター 准教授
(Associate Professor, Graduate School of Information Science and Technology, and Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University)
専門分野 半導体物性、半導体デバイス、結晶工学
略歴

2003年
2005年
2008年
2008年
2008年
2009年
2009年
2012年
2015年
2016年

群馬大学工学部卒
群馬大学大学院工学研究科修士課程修了
北海道大学大学院情報科学研究科博士課程修了
博士(工学)の学位取得(北海道大学)
日本学術振興会特別研究員-PD
北海道大学グローバルCOE特別研究員
科学技術振興機構さきがけ専任研究者(次世代領域)
科学技術振興機構さきがけ専任研究者(相界面領域)
北海道大学大学院情報科学研究科助教
北海道大学大学院情報科学研究科准教授(現在に至る)

授賞理由
「半導体ナノワイヤ集積技術とその次世代トランジスタへの応用に関する研究」
(Research on Heterogeneous Integration of Semiconductor Nanowires and Its Applications to Future Transistors)

  大規模集積回路の性能は、これまで回路を構成する電界効果トランジスタ(FET)の微細化と低電圧化を牽引力として向上してきた。しかしながら、近年、微細化によるリーク電流の増加や低電圧化によるトランジスタのオン・オフ比の低下などが性能劣化要因として顕在化しており、素子の微細化によるさらなる性能向上が困難になってきている。この問題に対して冨岡克広氏は、独創的手法により、シリコン基板上に異種の高性能半導体材料であるIII-V族化合物半導体ナノワイヤを垂直に制御性よく結晶成長させる方法を開発した。さらにこのナノ構造を用いて縦型FETやトンネル型FETを作製し、リーク電流が極めて低く、低電圧においてもオン・オフ比が十分に高い優れたトランジスタ特性を実証することに成功した。開発したこれらのFETは、従来の大規模半導体集積回路の消費電力を格段に低減できるポテンシャルを有しており、FET素子の微細化限界を打破しうるデバイスとして今後の発展が期待される。

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