日本学術振興会賞

第11回(平成26年度)日本学術振興会賞の受賞者決定について

第11回(平成26年度)日本学術振興会賞受賞者

photo_東脇 正高
東脇 正高
(ヒガシワキ マサタカ)
HIGASHIWAKI Masataka



生年 1972年 出身地 大阪府
現職 情報通信研究機構未来ICT研究所 統括兼センター長
(Managing Director/Director of the Center, Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology)
専門分野 電子デバイス工学
略歴

1994年
1996年
1998年
1998年
1998年
2000年
2007年
2010年
2013年

大阪大学基礎工学部卒
大阪大学大学院基礎工学研究科博士前期課程修了
大阪大学大学院基礎工学研究科博士後期課程修了
博士(工学)の学位取得(大阪大学)
日本学術振興会特別研究員-PD
郵政省通信総合研究所研究員
カリフォルニア大学サンタバーバラ校プロジェクト研究員
情報通信研究機構主任研究員
情報通信研究機構未来ICT研究所統括兼センター長(現在に至る)

授賞理由
「ワイドバンドギャップ半導体トランジスタに関する先駆的研究開発」
(Pioneering Research and Development on Wide Bandgap Semiconductor Transistors)

  高速無線通信の実現と普及には、高周波大電力で動作するトランジスタが必要不可欠であるが、従来の半導体材料であるシリコンでは不可能であり、ワイドバンドギャップの半導体が必要であった。東脇正高氏は、トランジスタの材料としてはほとんど注目されていなかった窒化ガリウムについて、高品質薄膜結晶成長から電気的特性の把握・極微細デバイス形成プロセスまでの一連の内容のそれぞれにおいて独自の方法を開発することにより、この材料系のトランジスタでは世界最高の動作周波数を達成した。これにより窒化ガリウムが高周波大電力トランジスタ用材料としてポテンシャルを有することが明らかとなった。さらに、全く新しい材料として非常に広いギャップを持つ酸化ガリウムに着目し、世界で初めてトランジスタ動作を実現した。これは無線通信デバイスのみならず、省エネルギー化に向けた高電圧・高効率パワーデバイスへも貢献する成果として注目されている。東脇氏のこれらの成果は、学界・産業界に大きなインパクトを与える研究であり、今後の更なる活躍が期待される。

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