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ワイドキャップ半導体光・電子デバイス第162委員会
   
   
 

趣旨・目的

 

 ワイドギャップ半導体(窒化物、炭化物、酸化物など)は、それらの持つ物性の特徴(ワイドギャップ、高電子移動度、耐高温度、無害な材料など)を活かすことにより、21世紀の情報技術・省エネルギー技術・グリーンテクノロジーを支える新機能の短波長光デバイスや超高速電子デバイス、大電力デバイス、省電力電子デバイス、白色LED、太陽電池などの飛躍的進歩を可能とする材料である。
  本委員会は、これらワイドギャップ半導体の結晶成長・物性制御からデバイス化までのすべてにわたり、産業界と学界の第一線の研究者が協力して検討を進め、革新的な基盤科学技術を確立することを目的としている。

   
 

研究テーマ

 
  1. 短波長半導体レーザーダイオード(LD)・発光ダイオード(LED)の開発
      ①緑色を初めとする可視半導体レーザーダイオードの開発
      ②紫外領域での半導体発光ダイオード、レザダイオードの開発
      ③窒化物系による赤色発光素子開発による可視〜紫外全窒化物化
  2. 超高周波・大電力・高温動作・省電力電子デバイスの開発
      ①マイクロ波領域以上の高周波大電力デバイスの開発
      ②高耐圧・大電流パワーデバイスの開発
      ③上記デバイスにおける省電力化
  3. グリーンテクノロジーの開拓
      ①高効率白色LEDの開発
      ②高効率太陽電池などクリーンエネルギー源の開発
      ③省電力電子デバイス開発
  4. ワイドギャップ半導体材料のエピタキシ制御・物性制御、新材料開拓
    窒化物、酸化物、SiCのエピタキシ制御・物性制御の他、ダイアモンドその他 新材料創製
   
 

設置期間

 

平成28年4月1日 〜 平成33年3月31日(第5期・5年間)

   
 

委員の構成(平成28年4月現在)

 
学界 74名 産業界 36名 委員総数 110名
   
 

委員長

 
岸野 克巳 上智大学 理工学部 教授
   
   
 

委員会のホームページ

 

http://jsps162.jpn.org/

   
 

活動状況報告

 
26年度
   
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