半導体デバイスと真空デバイス両者の長所を兼ね備えたエレクトロニクス技術を構築することにより、半導体デバイスの欠点や限界を超えた次世代エレクトロニクスを展開することを目的としている。
　このため、真空、材料、デバイスに関わる研究者の密接な連携の下に、高性能極微電子源の開発、およびこれら電子源を用いた各種センサー、超高速デバイス、高性能平面ディスプレイ等、これまで開発が困難であったデバイス実現のための諸技術を開拓する。

平成21年4月　〜　平成26年3月　（第4期・5年間）

真空ナノエレクトロニクスシンポジウムの開催（年１回）
ＩＤＷ　ＦＥＤWorkshopの主催（年１回）
報告書「真空ナノエレクトロニクスの基礎」刊行（第１巻〜第３巻）