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未踏･ナノデバイステクノロジー第151委員会
   
   
 

趣旨・目的
 

　高度情報化時代を迎え、電子デバイスの超微細化、 高速化、高密度集積化への要求は留まるところがない。 生産分野では、Ｇビットレベルの集積化をめざして開発に鎬を削っている。 研究分野では世界的に、ナノテクノロジーをキーワードとしていろいろな研究開発プロジェクトや研究センターの設置が進められている。
　そこで、本委員会は、産官学の研究者を結集して、 現在のデバイス開発の指導原理であるスケール則の限界を打ち破るナノテクノロジーの 研究開発を推進して、次世代ナノエレクトロニクスの発展に寄与することを目的としている。

   
 

研究テーマ
 
  1. ナノエレクトロニクス
    　極微構造による新機能発現とＵＬＳＩの極限化、量子情報基礎技術、
    　単電子デバイス、量子コンピューター、フォトニック結晶、
    　量子ドットレーザ、テラヘルツデバイスなど
  2. マクロスコピック・ナノエレクトロニクス
    　ナノテクノロジーによるマクロデバイスの性能の飛躍的向上
  3. バイオナノエレクトロニクス
    　ナノ／バイオ融合による新分野の創出
  4. ナノプロセスおよびナノ関連装置の研究
  5. 人材育成ならびに国際交流に資する活動
   
 

設置期間
 

平成23年4月1日　〜　平成28年3月31日（第6期・5年間）
   
 

委員の構成
 
学界　87名 産業界　26名 委員総数　113名
   
 

委員長
 
石橋　幸治 理化学研究所　主任研究員
   
   
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