21世紀の高度情報化社会を支える超LSIや半導体レーザー等の半導体デバイスは、大型で高品位な結晶育成技術と微細で精密な加工・評価技術の発展により今日の隆盛を見た。しかし、高速化と高集積化が極度に進んだ現在、従来技術の延長では解決できない多くの困難な問題が顕在化してきている。いっぽう環境・エネルギー問題に対応するため高性能かつ低価格の太陽電池や低損失電力デバイスの開発が急務となっており、革新的な結晶育成・加工技術が切望されている。こうした状況下において、基礎研究に基づく産学挙げての取り組みがますます重要になっている。
　本委員会は、シリコンならびに化合物半導体の結晶育成とウエーハ技術の向上に資するため、新しい加工および評価技術の開発を行うとともに、研究者・技術者の交流の場を与えることを目的としている。

平成19年10月1日　〜　平成24年9月30日（第7期・5年間）

http://www.comp.tmu.ac.jp/virtue001/gakushin145/145top.html