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結晶加工と評価技術第145委員会
   
   
 

趣旨・目的

   
 

 21世紀の高度情報化社会を支える超LSIや半導体レーザー等の半導体デバイスは、大型で高品位な結晶育成技術と微細で精密な加工・評価技術の発展により今日の隆盛を見た。しかし、高速化と高集積化が極度に進んだ現在、従来技術の延長では解決できない多くの困難な問題が顕在化してきている。いっぽう環境・エネルギー問題に対応するため高性能かつ低価格の太陽電池や低損失電力デバイスの開発が急務となっており、革新的な結晶育成・加工技術が切望されている。こうした状況下において、基礎研究に基づく産学挙げての取り組みがますます重要になっている。
 本委員会は、シリコンならびに化合物半導体の結晶育成とウエーハ技術の向上に資するため、新しい加工および評価技術の開発を行うとともに、研究者・技術者の交流の場を与えることを目的としている。

   
 

研究テーマ

   
 
  1. ウエーハ評価技術の開発研究
  2. SOIウエーハならびに歪みシリコン技術の研究とデバイス応用
  3. 新しい無転位大口径結晶の育成技術の開発
  4. シリコン中の欠陥評価法の定量化と標準化
  5. 太陽電池用シリコン結晶の育成と評価
  6. ワイドバンドギャップ系半導体の結晶工学とデバイス応用
  7. 国際シンポジウム・研究会による人材育成
   
 

設置期間

 

平成24年10月1日〜平成29年9月30日(第8期・5年間)

   
 

委員の構成(平成29年4月現在)

 
学界 48名 産業界 24名 委員総数 72名
   
 

委員長

 
田島 道夫    明治大学 研究・知財戦略機構/JAXA宇宙科学研究所 特任教授/名誉教授
   
 

委員会のホームページ

 

http://www.riam.kyushu-u.ac.jp/nano/gakushin145/

   
 

活動状況報告

 
27年度
26年度
   
   
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