平成１５年度日本学術振興会未来開拓学術研究推進事業
研究成果報告書概要


産学協力研究委員会名 　 結晶加工と評価技術第１４５委員会
　
研究プロジェクト名 　 ナノメータ・デバイス対応のＳＯＩウエーハに対する極限評価技術の開発
　
（英文名） 　 Ultimate Characterization Technique of SOI Wafer for the Nano-scale LSI Devices
　
研究期間 　 平成１１年度〜平成１５年度

プロジェクト・リーダー名 研究経費 総額　 ４２９，８２１千円
氏名・所属研究機関
所属部局・職名		 岸野　正剛・姫路工業大学
大学院工学研究科・教授		 内訳 平成１１年度 ９２，７５０千円
平成１２年度 １０１，３６４千円
平成１３年度 １１２，７０７千円
平成１４年度 ６５，０００千円
平成１５年度 ５８，０００千円

１．研究組織

氏名 所属機関・部局・職 研究プロジェクトでの役割分担
田島　道夫 宇宙航空研究開発機構･宇宙科学研究本部･教授 コアメンバー、物性評価の内、フォトルミネッセンス（PL）によるSOIウエーハの結晶性及び表面･界面状態の評価
津屋　英樹 三菱住友シリコン(株)･常勤監査役 コアメンバー、ゲッタリング技術の開発および高品質SOI極表面層の創生技術の開発
（平成１５年３月３１日まで）
奥村　次徳 東京都立大学･大学院工学研究科･教授 電気的評価技術の内、ケルビンプローブ･光起電力法によるSOIウエーハ評価
須原　理彦 東京都立大学･大学院工学研究科･助教授 ケルビンプローブ･光起電力法によるSOIウエーハ評価
吉田　晴彦 姫路工業大学･大学院工学研究科･助教授 電気的評価技術の内、走査型チャージポンピング法、新C-V法の評価技術開発
内橋　貴之 姫路工業大学･大学院工学研究科･助手 電気的評価技術の内、走査型キャパシタンス顕微法による評価技術の開発
（平成１２年４月１日から平成１４年７月３１日まで）
森　　英喜 姫路工業大学･大学院工学研究科･助手 電気的評価技術の内、ソフトエラー技術に関する技術開発
（平成１５年４月１日から）
益子　洋治 (株)ルネサステクノロジ･生産技術本部ウエハプロセス技術統括部解析技術開発部･担当部長 電気的評価技術の開発の中でLSIラインを使ったプロセス評価
廣瀬　和之 宇宙科学研究所･衛星応用工学研究系･助教授 物性評価の内、フォトルミネッセンス（PL）によるSOIウエーハの結晶性及び表面･界面状態の評価
（平成１３年３月３１日まで）
井深　重夫 宇宙科学研究所･衛星応用工学研究系･ポストドクター PLによるSOIウエーハの結晶性及び表面･界面状態の評価
（平成１４年２月２８日まで）
藁品　正敏 宇宙航空研究開発機構･宇宙科学研究本部･助手 PLによるSOIウエーハの結晶性及び表面･界面状態の評価
（平成１４年４月１日から）
李　志　強 宇宙航空研究開発機構･宇宙科学研究本部･ポストドクター PLによるSOIウエーハの結晶性及び表面･界面状態の評価
（平成１５年５月１日から）
梅野　正隆 福井工業大学･工学部･教授 物性評価の内、X線回折法によるSOIウエーハの極表面の評価
安武　　潔 大阪大学･大学院工学研究科･教授 物性評価の内、X線回折法によるSOIウエーハの極表面の評価
志村　考功 大阪大学･大学院工学研究科･助手 物性評価の内、X線回折法によるSOIウエーハの極表面の評価
泉　　勝俊 大阪府立大学･先端科学研究所･教授 SOI基板の表面ラフネスがデバイス特性へ与える影響の解析
佐野　正和 住友金属工業(株)･シチックス事業本部開発センター･副センター長 SOIウエーハに対する有害不純物除去（ゲッタリング）法の開発
（平成１３年６月３０日まで）
定光　信介 住友金属工業(株)･シチックス事業本部･担当課長 SOIウエーハに対する有害不純物除去（ゲッタリング）法の開発
（平成１３年７月１日から平成１４年２月２８日まで）
中前　正彦 三菱住友シリコン(株)･技監 SOIウエーハに対する有害不純物除去（ゲッタリング）法の開発
（平成１４年３月１日から）
吉田　　豊 静岡理工科大学･理工学部･教授 メスバウア分光法による鉄（Fe）不純物の挙動の解析
末澤　正志 東北大学･金属材料研究所･教授 Si結晶中の不純物･点欠陥の挙動に関する照射実験による検討
池田　和子 日本電気(株)･USLIデバイス開発研究所･エクゼクティブエキスパート SOIウエーハプロセス及びゲッタリングプロセスの開発
（平成１３年１０月３１日まで）
菊池　浩昌 日本電気(株)･エレクトロニクスカンパニー
先端デバイス開発本部･エキスパートエンジニア		 SOIウエーハプロセス及びゲッタリングプロセスの開発
（平成１３年１１月１日から平成１４年３月３１日まで）
小椋　厚志 日本電気(株)･シリコンシステム研究所･主任研究員 SOIデバイスの検討及び評価技術開発
（平成１４年４月１日から）

２．研究計画の概要

　今後益々進展する情報化社会を睨んで、これを技術面で支える超高速･低消費電力な特性の優れた電子デバイスに対するニーズが最近非常に高まっている。高速･低消費電力の超LSI用デバイスとしてはCMOSデバイスが優れているが、このCMOSデバイスの機能をより高度に現実的に達成できる半導体基板材料として、SOIウエーハが注目されている。超LSI用のCMOSデバイスは、SOIウエーハの超薄膜表面(100 nm 以下)のSi層に製造されるので、この表面Si層の正しい電気的、及び、物性的な評価が不可欠である。しかし、これまでの技術では100 nm 以下の極薄Siの評価は不可能である。
　本研究プロジェクトではこれらを達成するために、これまでの実績を下に、非接触にSOIウエーハの電気的な測定が可能な非接触電気的評価技術の開発、及び、極表面の物性評価に深紫外線励起を用いたフォトルミネッセンス法を開発すると共に、表面層の結晶評価のために放射光などを使った局所・極薄層X線回折法を開発する。また、SOI･Si層の高品質化のためにはゲッタリング技術が必要である。これまでSOIウエーハは表面Si層の直下にBOX（埋め込み酸化膜）層が存在するために、ゲッタリング技術の実現が困難視されてきたが、この技術は今後デバイスの量産上不可欠なので、このゲッタリング技術の開発を研究目標の一つにする。さらに、ゲッタリングによって高品質化したSOIウエーハを本研究プロジェクトで開発した評価技術によって正しく評価することを目標とする。

３．研究目的

極薄SOIウエーハに対する極限評価技術の開発を目指し、以下の開発項目を研究目的とした。
１. 極薄(100 nm 以下) SOIウエーハの電気的評価技術として、COLTS (Contactless Transient Spectroscopy) 法を革新した非接触評価法を開発する。
２. ケルビンプローブ･光起電力 (SPV) 法を革新し、極薄SOIウエーハの表面層の電気特性が測定できる評価法を開発する。
３. 深紫外線励起凝縮ルミネッセンス（フォトルミネッセンス，PL）法を発展させ、厚さ数10ナノメートル以内の表面SOI層中の欠陥および界面状態の評価が可能なPL評価法を開発する。
４. 放射光(SOR) X線を使って、局所・極薄層X線回折法を開発し、SOIウエーハの極薄表面層の結晶評価技術を開発する。
５. BOX層（埋め込み酸化層）にゲッタリング孔を設けた、有害不純物除去（ゲッタリング）法を開発し、良質な極薄SOI層を創成する。

４．研究成果の概要

４−１　研究計画、目的に対する成果
１. 研究の中で、上記COLTS法はSOIウエーハへの適用が難しいことが判明し、より優れた非接触走査型チャージポンピング法と、バックバイアス電圧を印加するSOIウエーハ用の新しいC-V法を開発した。
２. 原子間力顕微鏡を用いた走査型容量顕微法を革新し、SOIウエーハのナノスケール測定が可能な局所C-V法を開発した。
３. ケルビンプローブ･SPV法を極薄SOIウエーハ用に革新し、重金属不純物 (Fe) で汚染されたSOIウエーハの評価解析が可能な技術を開発した。
４. 極薄SOI層の物性評価が可能なPL法を開発し、厚さ50-200nm程度のSOIウエーハ内の欠陥及び表面･界面を非破壊･非接触に高感度に評価できる方法を開発した。
５. さらに、SOIウエーハの品質を反映したミクロPL分布像を描くことのでき、かつ、大口径(300 mm径) SOIウエーハに対応できる、PLマッピング装置を開発し、装置の商品化への道を開いた。
６. 極薄表面の結晶学的な評価が可能なX線回折法を開発し、表面の微弱な歪み層の検出および極薄SOIウエーハの格子傾斜に起因する同心円状のパターンを初めて見出すと共に、広領域トポグラフ法を開発し、300mmφSOIウエーハの全面一括評価も可能にした。
７. BOX層にゲッタリング孔を設けるゲッタリング技術を開発すると共に、SOIウエーハ表面にポリシリコン膜を堆積してゲッタリング処理を行い、処理後これを取り除く新しいゲッタリング法を開発し、その有用性を本プロジェクトで開発した評価法を用いて確認した。


４−２　研究計画、目的外の成果
１. 当初提案したCOLTS法が極薄のSOIウエーハには適用が困難なことが判明して難渋したが、苦闘する中で上記の非接触走査型チャージポンピング法を開発した。この方法はウエーハにバックバイアスを加えて反転層を形成し、これをキャリアの通路に使うユニークな方法である。関連する２件の特許を提案した。
２. バックバイアスを印加するSOIウエーハの測定及び解析に適したC-V法を開発した。SOIウエーハにはBOX層などが存在するために測定される容量（C）が複雑な複合容量になり、従来のC-V法がそのままでは使えない事情がある。この方法は、SOIウエーハの検査方法として今後活用されると思われる。
３. 原子間力顕微鏡を用いて、局所C-V法を開発した。今後の微細デバイスの解析に有益と思われる。
４. SOIウエーハの表面にポリシリコン膜を堆積し、ゲッタリング処理後これを除去する新しいゲッタリング法を開発した。LSIプロセスラインで有効性を確かめたので、今後LSIの量産ラインで使用されるであろう。


４−３　研究成果の展望
１. SOIウエーハに対してウエーハ面内の電気的特性分布評価を狙って、本研究では非接触の走査型評価法を開発したが、非接触の電気的評価法は今後の評価技術に新分野を開く可能性が高い。
２. フォトルミネッセンス法により極薄のSOIウエーハでは凝縮ルミネッセンスが顕著に検出可能になり、ルミネッセンスのライフタイムと結晶性の関係が明らかになりつつあるが、この凝縮ルミネッセンス法は薄膜結晶評価に新しい分野を開く可能性が高い。
３. フォトルミネッセンス（PL）法を極薄SOIウエーハに適用することにより、非常に薄い(100 nm以下)層の微量な不純物の検出に成功しているが、この技術を発展させれば、極薄膜の微量不純物の検出･分析法に新しい研究分野が開ける可能性がある。
４. X線回折法によって、SOIウエーハの極薄層に存在する微細な歪み層の検出に成功し、今後SOR光を用いた極薄膜の歪み解析に新しい研究分野が開ける可能性がある。
５. ゲッタリング技術と関連して、鉄( Fe )不純物の挙動を、室温〜数百度の範囲にわたって詳細に検討してきたが、シリコン半導体のFe不純物の移動には、従来から知られている拡散機構では必ずしも解析できない挙動も本プロジェクトの中で観察されている。本プロジェクトでは、この解析のためにメスバウア分光法を使った解析を行うと共に、シリコン半導体の不純物拡散機構そのものについても、水素ドープした後電子線照射並びにこれに続く吸収スペクトル解析によって不純物の動きを検討してきた。これらの知見は現在の視点から見ると疑問点の多い半導体中の不純物拡散機構についての再検討を迫ることになり、新しい研究分野が開ける可能性がある。


４−４　本事業の趣旨に鑑み、果たした役割
　SOIウエーハは今後の超LSIデバイスの製造に採用されると思われるSOIデバイス技術の基本材料である。現在は未だSOIデバイスの製造は軌道に乗っていないが、その原因は、1) 製造ラインの未構築、2) SOIウエーハの高価格、3) 極薄SOIウエーハの評価技術の不完全さ、及び、4) 製造歩留まりの不安性、などである。本プロジェクトでは、これらの内、3) と 4) に係わる課題に挑戦した。　3) と 4) に関しては問題の解決に寄与できたと思う。
　すなわち、3) のSOIウエーハの評価技術に関しては、極薄表面の電気的評価、光物性的な評価、並びに、結晶学的な評価法が開発できた。これらの評価法は、今後SOIウエーハに対するウエーハ検査ならびに製造現場における不良解析などに活用されると思われ、今後の半導体産業に於いて発展が期待されているSOIデバイスの製造技術に寄与できると思われる。本研究プロジェクトで開発された技術の中で、今後早急に実用化される可能性の高い評価技術としては、PLマッピング技術が挙げられる。このPL技術は、300mmφウエーハに対応できる装置開発まで行って、商品化も具体的な途上にある。又、バックバイアスC-V法もSOIウエーハに適した簡便な方法なので、早期の実用化が予想される。
　また、本プロジェクトで開発した、ポリシリコン堆積―処理後除去、を骨子とする新しいゲッタリング法は、LSI製造ラインに於いて実際にその有用性が確認できているので、今後SOIデバイスが量産される製造現場に於いて採用されていくものと思われる。本技術に関しては基本特許を提案済みである。

５．キーワード

(1)SOIウエーハ (2)表面･界面 (3)半導体物性
(4)評価技術 (5)電気特性 (6)局在準位
(7)フォトルミネッセンス (8)ゲッタリング (9)X 線回折

６．研究成果発表状況

A.学術雑誌論文（Journal Papers）
全著者名 論文名
S. Kishino, H. Yoshida, and N. Kitai Proposal of novel gettering technique for a thin silicon-on-insulator wafer
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Electrochemical and Solid-State Letters ??? ??? ??? 2004

全著者名 論文名
Michio Tajima, Zhiqiang Li, Shingo Sumie, Hidehisa Hashizume, Atsushi Ogura Comparison of SOI Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Microwave Photoconductivity Decay Lifetime
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 43 2 432-438 2004

全著者名 論文名
T. Mchedlidze and M. Suezawa Influence of Hydrogen on the Formation of Interstitial Agglomerates in Silicon
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Solid State Phenomena 95-96 ??? 129-134 2004

全著者名 論文名
T. Ishida, H. Yoshida, and S. Kishino Microscopic C-V Measurements of SOI Wafers by Scanning Capacitance Microscopy
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
The European Physical Journal-Applied Physics ??? ??? ??? 2004

全著者名 論文名
S. Nakamura, H. Ikeda, D. Watanabe, M. Suhara and T. Okumura Room-temperature diffusion of evaporated Fe atom into SOI materials characterized by scanning Kelvin-SPV method
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
The European Physical Journal-Applied Physics ??? ??? ??? 2004

全著者名 論文名
S. Nakamura, H. Ikeda, D. Watanabe, M. Suhara and T. Okumura Scanning Kelvin-probe characterization of heavy metal contamination in patterned SIMOX wafers
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
The European Physical Journal-Applied Physics ??? ??? ??? 2004

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Kazunori Fukuda, Kiyoshi Yasutake and Masataka Umeno Characterization of SOI wafers by synchrotron X-ray topography
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
The European Physical Journal-Applied Physics ??? ??? ??? 2004

全著者名 論文名
Kazunori Fukuda, Takayoshi Yoshida, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake and Masataka Umeno Synchrotron X-ray topography of lattice undulation of bonded silicon-on-insulator wafers
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 43 3 1081-1087 2004

全著者名 論文名
Akiko Nakanishi, Naoki Fukata, and Masashi Suezawa Vacancy-oxygen pairs and vacancy-oxygen-hydrogen complexes in electron-irradiated n-type Cz-Si pre-doped with hydrogen
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 42 11 6737-6741 2003

全著者名 論文名
T. Mchedlidze and M. Suezawa Features of isotopic shift in the fine structure term of ESR spectra from iron-vacancy pair in silicon
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 340-342 ??? 556-560 2003

全著者名 論文名
Yuzi Tokuyama, Naoki Fukata, Masashi Suezawa, Toshinori Taishi, and Keigo Hoshikawa Interaction between self-interstitials and group-III acceptors in electron-irradiated p-type Si: Dopanat dependence of Watkins replacement reaction
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 340-342 ??? 583-586 2003

全著者名 論文名
Masashi Suezawa Electron-dose dependence of concentrations of vacancy-oxygen and divacancies in electron-irradiated n-type Si crystals
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 340-342 ??? 587-591 2003

全著者名 論文名
T. Mchedlidze, N. Fukata and M. Suezawa Correlation between ESR and infrared absorption signals from platinum-hydrogen complexes in silicon
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 340-342 ??? 650-653 2003

全著者名 論文名
T. Mchedlidze and M. Suezawa Properties of tetra-interstitial agglomerate in silicon: an ESR study
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 340-342 ??? 682-686 2003

全著者名 論文名
Yutaka Yoshida, Sigeru Ogawa and Kazuhiro Arikawa Direct Observation of Substitutional Fe Atoms in Si and SOI wafers at 1273 K
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 605 ??? 340-342 2003

全著者名 論文名
S. Nakamura, D. Watanabe, A. En, M. Suhara and T. Okumura Contactless electrical characterization of surface and interface of SOI materials
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Applied Surface Science 216 ??? 113-118 2003

全著者名 論文名
D. Watanabe, A. En, S. Nakamura, M. Suhara and T. Okumura Anomalously large surface band-bending for HF-treated p-Si surfaces
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Applied Surface Science 216 ??? 24-29 2003

全著者名 論文名
Kazunori Fukuda, Takayoshi Yoshida, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno Large-area X-ray topographs of lattice undulation of bonded silicon-on-insulator wafers
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 42 2A L117-L119 2003

全著者名 論文名
Masashi Suezawa, Naoki Fukata, Yasuo Takada, Ryoichi Taniguchi, Fuminobu Hori, and Ryuichiro Oshima Point defects in silicon crystals studied via complexes with hydrogen
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Microelectronic Engineer. 66 1-4 258-267 2003

全著者名 論文名
T. Mchedlidze and M. Suezawa Electron spin resonance signal from a tetra-interstitial defect in silicon
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Phys.: Condens. Matter 15 ??? 3683-3688 2003

全著者名 論文名
Michio Tajima, Haruhiko Yoshida, Shigeo Ibuka and Seigo Kishino Correlation between Photoluminescence Lifetime and Interface Trap Density in Silicon-on-Insulator Wafers
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 42 4B L429-L431 2003

全著者名 論文名
Michio Tajima, Zhiqiang Li and Ryosuke Shimidzu Photoluminescence Mapping System Applicable to 300 mm Silicon-on-Insulator Wafers
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 41 12B L1505-L1507 2002

全著者名 論文名
Michio Tajima, Shigeo Ibuka and Shigenori Arai Condensate Luminescence under Ultraviolet Excitation: Application to the Study of Ultrathin SOI Layers
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Materials Science & Engineering B91-92 ??? 10-15 2002

全著者名 論文名
S. Ibuka and M. Tajima Temporal decay measurement of condensate luminescence and its application to characterization of silicon-on-insulator wafers
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 91 8 5035-5040 2002

全著者名 論文名
Michio Tajima Characterization of Silicon-on-Insulator Wafers by Photoluminescence under UV Light Excitation
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 237-239 ??? 324-329 2002

全著者名 論文名
H. Yoshida, T. Takami, T. Uchihashi, S. Kishino, H. Naruoka, and Y. Mashiko Preliminary Study of Novel Scanning Charge Pumping Method Using Extra Gates for Silicon-on-Insulator Wafer Inspection
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
IEEE Electron Device Lett. 23 10 630-632 2002

全著者名 論文名
内橋貴之, 石塚義守, 吉田晴彦, 岸野正剛 走査型容量顕微鏡による半導体材料のサブミクロン評価
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
材料 51 9 995-998 2002

全著者名 論文名
Takayuki Uchihashi, Yoshimori Ishizuka, Haruhiko Yoshida, and Seigo Kishino Characterization of Semiconductor Materials at Sub-Micron Scale Using Scanning Capacitance Microscopy
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Soc. Mater. Sci. Jpn. 51 9 995-998 2002

全著者名 論文名
Y. Ishizuka, T. Uchihashi, H. Yoshida, and S. Kishino Local electrical characterization of SOI wafers by scanning probe microscopy
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Materials Science and Engineering B91-92 ??? 156-159 2002

全著者名 論文名
T. Okumura, A. En, K. Eguchi and M. Suhara Contactless characterization of surface and interface band-bending in silicon-on-insulator (SOI) structures
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Material Science and Engineering B91-92 ??? 182-185 2002

全著者名 論文名
Michihiko Suhara, Makoto Shibamiya and Tsugunori Okumura Criterion of Electron Concentration Profiling in Semiconductors by using Kelvin Probe Force Microscopy
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
AIUB J. Science and Engineering (AJSE) 1 1 41-43 2002

全著者名 論文名
Kazunori Fukuda, Takayoshi Yoshida, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno Observation of lattice undulation of commercial bonded silicon-on-insulator
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 41 11B L1327-L1327 2002

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Kazunori Fukuda, Masataka Umeno, and Atsushi Ogura Formation of epitaxially ordered SiO2 in oxygen-implanted silicon during thermal annealing
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 236 ??? 37-40 2002

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Kazunori Fukuda, and Masataka Umeno Existence of an epitaxially ordered phase in the buried oxide of SIMOX wafers
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Solid State Phenomena 82-84 ??? 485-490 2002

全著者名 論文名
Yutaka Yoshida, Yoshio Kobayashi, Atsushi Yoshida, Xungang Diao, Sigeru Ogawa, Kazuo. Hayakawa, Kenichi Yukihira, Fumio Shimura and Fumitoshi Ambe In-Beam Mossbauer Spectroscopy after GeV-Ion Implantation at an On-line Projectile-Fragments Separator
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Hyperfine Interactions 141-142 ??? 157-162 2002

全著者名 論文名
Akiko Nakanishi, Masashi Suezawa, and Naoki Fukata Optical absorption study of electron-irradiated Czochralski-grown silicon doped with hydrogen
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 41 6A 3629-3636 2002

全著者名 論文名
Masashi Suezawa, Yasuo Takada, Takuya Tamano, Ryoichi Taniguchi, Fuminobu Hori, and Ryuichiro Oshima Migration energies of point defects during electron irradiation of hydrogenated Si crystals
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Phys. Rev. B 66 15 155201 -1 〜 -6 2002

全著者名 論文名
N. Fukata, T. Mchedlidze, M. Suezawa, K. Saito and A. Kasuya Complexes of platinum and hydrogen in silicon observed by optical absorption and electron spin resonance
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Phys. Rev. B 66 23 235209 -1 〜 -10 2002

全著者名 論文名
Masashi Suezawa, Naoki Fukata, Mineo Saito, and Hiroshi Yamada-Kaneta Infrared spectra of hydrogen bound to group-III acceptors in Si: Homogeneous line broadening and sidebands
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Phys. Rev. B 65 7 075214 -1 〜 -8 2002

全著者名 論文名
Masashi Suezawa, Naoki Fukata, Teimuraz Mchedlidze, and Atsuo kasuya Many optical absorption peaks observed in electron-irradiated n-type Si
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 92 11 6561-6566 2002

全著者名 論文名
Naoki Fukata, Takashi Ohori, Masashi Suezawa, and Hideki Takahashi Hydrogen-defect complexes formed by neutron irradiation of hydrogenated silicon observed by optical absorption measurement
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 91 9 5831-5839 2002

全著者名 論文名
N. Fukata, T. Mchedlidze, M. Suezawa, K. Saito and A. Kasuya Platinum-hydrogen complexes in silicon observed by measurements of optical absorption and electron spin resonance
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Appl. Phys. Lett. 81 1 40-42 2002

全著者名 論文名
J. Takiguchi, M. Tajima, A. Ogura, S. Ibuka, Y. Tokumaru Photoluminescence Analysis of {311} Interstitial Defects in Wafers Synthesized by Separation by Implanted Oxygen
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 6A L567-L569 2001

全著者名 論文名
H. Yoshida, H. Sasakura, T. Yabuuchi, T. Takami, T. Uchihashi, and S. Kishino Back-channel-type scanning charge pumping method for characterization of interface traps in silicon-on-insulator wafer
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Appl. Phys. Lett. 79 12 1825-1827 2001

全著者名 論文名
Y. Tokuda, T. Namizaki and T. Okumura THE USE OF HYDROGEN PASSIVATION TO FABRICATE SCHOTTKY DIODES FOR DLTS MEASUREMENTS OF HEAVILY DOPED P+ SILICON
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Materials Science, Semiconductor Processing 4 ??? 167-169 2001

全著者名 論文名
T. Okumura, K. Eguchi, A. En and M. Suhara Contactless method for electrical characterization of silicon-on-insulator materials
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 9A 5217-5220 2001

全著者名 論文名
Yoshitaka Sato, Toru Takahashi, and Masashi Suezawa Properties of Cr in hydrogenated Si
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 308-310 ??? 434-437 2001

全著者名 論文名
Masashi Suezawa, Yasuo Takada, Takuya Tamano, Ryoichi Taniguchi, Fuminobu Hori, and Ryuichiro Oshima Complexes of point defects and hydrogen generated by electron-irradiation of hydrogenated Si at low temperatures
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 308-310 ??? 224-227 2001

全著者名 論文名
Masashi Suezawa, Naoki Fukata, and Atsuo Kasuya Optical absorption peaks observed in electron-irradiated n-type Si
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 308-310 ??? 276-279 2001

全著者名 論文名
Masashi Suezawa, Naoki Fukata, Mineo Saito, and Hiroshi Yamada-Kaneta Temperature dependences of line widths and peak positions of optical absorption peaks due to localized vibration of hydrogen in Si
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 308-310 ??? 220-223 2001

全著者名 論文名
Akiko Nakanishi, Naoki Fukata, and Masashi Suezawa Complexes of poinbt defects and impurities in electron-irradiated CZ-Si doped with hydrogen
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 308-310 ??? 216-219 2001

全著者名 論文名
Ryousuke Mori, Naoki Fukata, masashi Suezawa, and Atsuo kasuya Optical absorption spectra of Be-H and Zn-H complexes in Si
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Physica B 302-303 ??? 206-211 2001

全著者名 論文名
Masashi Suezawa, Naoki Fukata, Toru Takahashi, Mineo Saito, and Hiroshi Yamada-Kaneta Temperature dependence of H-point defect complexes and H2* in Si
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Phys. Rev. B 64 8 085205 -1 〜 -7 2001

全著者名 論文名
S. Ibuka and M. Tajima Characterization of Silicon-on-Insulator Wafers by Photoluminescence Decay Lifetime Measurement
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. (Express Letter) 39 11B L1124-L1126 2000

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, and Masataka Umeno Characterization of SOI wafers by X-ray CTR scattering
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Cryst Growth 210 ??? 98-101 2000

全著者名 論文名
M. Suezawa Hydrogen-related complexes formed by electron-irradiation of hydrogenated silicon
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Phys. Rev. B 63 3 035203 -1 〜 -6 2000

全著者名 論文名
M. Suezawa Formation of defect complexes by electron-irradiation of hydrogenated crystalline silicon
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Phys. Rev. B 63 3 035201 -1 〜 -7 2000

全著者名 論文名
N. Fukata and M. Suezawa Formation and annihilation of H-point defect complexes in quenched Si doped with C
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 88 8 4525-4530 2000

全著者名 論文名
N. Fukata and M. Suezawa Annealing behavior of hydrogen-defect complexes in carbon-doped Si quenched in hydrogen atmosphere
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 87 12 8361-8367 2000

全著者名 論文名
Yoshio Kobayashi, Yutaka Yoshida, Atsushi Yoshida, Yasushi Watanabe, Kazuo Hayakawa, Kenichi Yukihira, Fumio Shimura and Fumitoshi Ambe In-Beam Mossbauer Study of 57Mn/57Fe in Si Following Projectile Fragmentation and Implantation
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
Hyperfine Interactions 126 ??? 417-420 2000

全著者名 論文名
N. Fukata and M. Suezawa Formation energy of self-interstitials in carbon-doped Si determined by optical absorption due to hydrogen bound to self-interstitials
学術雑誌名 巻 号 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 86 4 1848-1853 1999

B.国際会議発表論文（International Conferences）
全著者名 論文名
N. Kitai, H. Yoshida, S. Kishino, Z. Q. Li and M. Tajima Improvement of SOI device characteristics by gettering procedure
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
5th European Workshop on ULtimate Integration of Silicon (ULIS 2004) Leuven, Belgium ??? 141-144 2004

全著者名 論文名
Z.Q. Li, M. Tajima, S. Sumie, H. Hashizume and A. Ogura Nonuniformity of Commercial SOI Wafers Manifested by Photoluminescence and Lifetime Mapping
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
2003 IEEE International SOI Conference Newport Beach 7. 4 ??? 2003

全著者名 論文名
Michio Tajima Quality Comparison of Commercial Silicon-on-Insulator Wafers by Photoluminescence (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2003) Tokyo B-10-1 ??? 2003

全著者名 論文名
Michio Tajima Characterization of SOI Wafers by Photoluminescence Spectroscopy, Decay and Micro/Macro-Mapping (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
11th International Symposium on SOI Technology and Devices; 203rd ECS Meeting Paris 994 413-424 2003

全著者名 論文名
Zhiqiang Li, Michio Tajima and Ryosuke Shimidzu Macroscopic and Microscopic Photoluminescence Mapping System Applicable to 300 mm Wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
ALTECH- Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization IV; 203rd ECS Meeting Paris 746 322-328 2003

全著者名 論文名
Michio Tajima, Zhiqiang Li, Shingo Sumie, Hidehisa Hashizume, Atsushi Ogura Comparison of SOI Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Microwave Photoconductivity Decay Lifetime
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
10th International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors BATZ-sur-MER, France S9-2 ??? 2003

全著者名 論文名
S. Nakamura, H. Ikeda, D. Watanabe, M. Suhara, and T. Okumura Scanning Kelvin-probe characterization of heavy metal contamination in patterned SIMOX wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
10th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP X) Batz-sur-Mer, France S13-3 ??? 2003

全著者名 論文名
S. Nakamura, H. Ikeda, D. Watanabe, M. Suhara, and T. Okumura Room-temperature diffusion of evaporated Fe atom into SOI materials characterized by scanning Kelvin-SPV method
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
10th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP X) Batz-sur-Mer, France P1-06 ??? 2003

全著者名 論文名
M.Nakao, H.Iikawa, and K.Izumi Quasi-Three-Dimensional Device Simulation of Fully Depleted MOSFET/SOI Focusing on Surface Roughness
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 11th International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices (The 203rd Electrochemical Society Meeting) Paris 838 373-378 2003

全著者名 論文名
Yutaka Yoshida Direct Observation of Substitutional and Interstitial Fe atoms in Si by high-temperature and In-beam Mossbauer Spectroscopy (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
ALTECH 2003 Analytical and Diagonistic Techniques for Semiconductor Materials, Devices, and Processes, ECS Salt Lake City, US ??? 479-482 2003

全著者名 論文名
Michio Tajima, Zhiqiang Li and Ryosuke Shimidzu Photoluminescence Mapping System Applicable to 300 mm SOI Wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices; 202nd ECS Meeting Salt Lake City ??? ??? 2002

全著者名 論文名
Michio Tajima Characterization of Silicon-on-Insulator Wafers by Condensate Luminescence (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
Abstracts of 8th IUMRS Internat. Conf. Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2002) Xi'an, China C-30 146 2002

全著者名 論文名
Michio Tajima and Shigeo Ibuka Characterization of SOI Wafers by Photoluminescence (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 201st Meet. of The Electrochem. Soc.; 9th Int. Symp. on Silicon Materials Science and Technology Philadelphia 2 815-828 2002

全著者名 論文名
Takayuki Uchihashi, Yoshimori Ishizuka, Haruhiko Yoshida, and Seigo Kishino Characterization of SOI Wafer by Cross Sectional Scanning Probe Microscopy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 201st Meet. of The Electrochem. Soc.; 9th Int. Symp. on Silicon Materials Science and Technology Philadelphia 617 829-838 2002

全著者名 論文名
Toshinori Takami, Haruhiko Yoshida, Takayuki Uchihashi, Seigo Kishino Novel Charge Pumping Method without Using MOS Transistor for SOI Wafer Inspection
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
IEEE 2002 Int. Conf. on Microelectronic Test Structures (ICMTS 2002) Cork 8.2 183-187 2002

全著者名 論文名
D. Watanabe, A. En, S. Nakamura, M. Suhara and T. Okumura Anomalously large surface band- bending for HF-treated p-Si surfaces
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
4th International Symp. Contorol of Semiconductor Interfaces (ISCSI-4) Karuizawa, Japan P1-1 ??? 2002

全著者名 論文名
S. Nakamura, D. Watanabe, A. En, M. Suhara, and T. Okumura Contactless electrical characterization of surface and interface of SOI materials
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
4th International Symp. Contorol of Semiconductor Interfaces (ISCSI-4) Karuizawa, Japan A3-2 ??? 2002

全著者名 論文名
Michihiko Suhara, Makoto Shibamiya and Tsugunori Okumura A Study for a Criterion of Electron Concentration Profiling by Scanning Kelvin Probe Force Microscopy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
7th International Conference on Nanometer-scale Science and Technology (NANO-7) and 21st European Conference on Surface Science (ECOSS-21) Malmo, Sweden TH-P-90 ??? 2002

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Kazunori Fukuda, and Masataka Umeno Atomic structure of the buried oxide layer in SIMOX wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
19th congress and general assembly of the international union of crystallography Geneva, Switzerland ??? C349-C349 2002

全著者名 論文名
Kazunori Fukuda, Takayoshi Yoshida, Takayoshi Shimura, Masataka Umeno and Satoshi Iida X-ray topographic observations of bonded silicon-on-insulator wafers using synchrotron radiation
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
19th congress and general assembly of the international union of crystallography Geneva, Switzerland ??? C171-C171 2002

全著者名 論文名
Michio Tajima and Shigeo Ibuka Defect Characterization in SOI Wafers by Photoluminescence under Ultraviolet - Near Infrared Excitation (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2001 Shonan Village Center ??? 415-422 2001

全著者名 論文名
Michio Tajima Characterization of SOI Wafers by Photoluminescence (Special Invited Talk)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
IEEE International SOI Conference Durango, Colorado ??? ??? 2001

全著者名 論文名
S. Ibuka and M. Tajima Characterization of SOI Wafers by Temporal Decay Measurement of Condensate Luminescence
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
IEEE International SOI Conference Durango, Colorado P3 37-38 2001

全著者名 論文名
S. Ibuka, M. Tajima and A. Ogura Characterization of Optical Lifetime in Silicon-on-Insulator Wafers by Photoluminescence Decay Method
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
2001 Material Research Society Spring Meeting ??? 681E I9.6.1-I9.6.6 2001

全著者名 論文名
Seigo Kishino, Haruhiko Yoshida, Takayuki Uchihashi Electrical Characterization of Thin SOI Wafer (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
Crystalline Defects and Contamination: Their Impact and Control in Device Manufacturing III (DECON 2001) Nuremberg ??? 143-152 2001

全著者名 論文名
T. Okumura, A. En, K. Eguchi and M. Suhara Contactless characterization of surface and interface band-bending in silicon-on-insulator (SOI) structures
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
9th International Conference on Defects : Recognition, Imaging and Defects in Semiconductors (DRIP-IX) Rimini, Italy P2-09 ??? 2001

全著者名 論文名
T. Okumura, K. Eguchi, A. En and M. Suhara Noncontact Characterization of Thin SOI Materials by the Kelvin-probe Method
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces Sapporo, Japan Th1-2 ??? 2001

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Kazunori Fukuda, Masataka Umeno, and Atsushi Ogura Formation of epitaxially ordered SiO2 in oxygen-implanted silicon during thermal annealing
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 13th International Conference on Crystal Growth Kyoto, Japan 01a-SB3-06 138-138 2001

全著者名 論文名
Sigeru Ogawa and Yutaka Yoshida Direct Observation of Substitutional Fe atoms in p-type Si at 1273 K
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
Proc. of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2001 Shonan, JP ??? 330-331 2001

全著者名 論文名
S. Ibuka and M. Tajima Photoluminescence Characterization of Optical Lifetime in Silicon-on-Insulator Wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 3rd International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials Hawaii TH22 624-629 2000

全著者名 論文名
M. Tajima and S. Ibuka Characterization of Silicon-on-Insulator Wafers by Condensate Luminescence under Ultraviolet Light Excitation (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 3rd International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials Hawaii ??? 443-451 2000

全著者名 論文名
M. Tajima, S. Ibuka, J. Takiguchi, A. Mizoguchi and A. Ogura Photoluminescence Analysis of Annealing Process in Low-Dose SIMOX Wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
2000 IEEE International SOI Conference Wakefield, MA P6 44-45 2000

全著者名 論文名
Seigo Kishino Ultimate Characterization Technique of SOI Wafer for the Nano-Scale LSI Devices
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 3rd International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials Kona, Hawaii ??? 484-491 2000

全著者名 論文名
Haruhiko Yoshida, Takayuki Uchihashi, Hideki Naruoka, Yoji Mashiko, and Seigo Kishino Proposal of Scanning Charge Pumping Method for Characterization of Localized States in SOI Wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 3rd International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials Kona, Hawaii ??? 605-611 2000

全著者名 論文名
Takayuki Uchihashi, Haruhiko Yoshida, and Seigo Kishino Characterization of SOI Wafer at Nanometer Scale using Scanning Probe Technique
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 3rd International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials Kona, Hawaii ??? 612-617 2000

全著者名 論文名
T. Okumura, K. Eguchi, A.En and M. Suhara Noncontact electrical-characterization of SOI wafers by the Kelvin method combined with surface photovoltage measurements
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
3rd Int'l Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials Kona, Hawaii ??? 618-622 2000

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, and Masataka Umeno Epitaxially ordered structure in the buried oxide layer of SIMOX wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 4th International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface Toronto, Canada ??? 241-249 2000

全著者名 論文名
Kazunori Fukuda, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Kiyoshi Yasutake, and Masataka Umeno Investigation of SOI wafers by X-ray diffraction techniques
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 3rd International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials Kona, Hawaii TH-24 636-641 2000

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, and Masataka Umeno The Crystalline SiO2 phase in the BOX layer of SIMOX wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
The 3rd SANKEN International Symposium on Advanced Nanoelectronics: Devices, Materials, and Computing Osaka, Japan P1-15 128-132 2000

全著者名 論文名
Yutaka Yoshida, Yoshio Kobayashi, Kazuo Hayakawa, Kenichi Yukihira, Fumio Shimura, Atsushi Yoshida, Yasushi Watanabe, Xuingang Diao, Hiroshi Ogawa, Yasushige Yano and Fumitoshi Ambe In-Beam Mossbauer Study on Interstitial and Substitutional 57Mn/57Fe Jumps in Si
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
Proc. of 3rd. International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, JSPS Kona, Hawaii ??? 169-174 2000

全著者名 論文名
Xungang Diao, Yutaka Yoshida, Kazuo Hayakawa, Fumio Shimura, et al. Lattice Defects produced by GeV-Ion Irradiations in Si
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
Proc. of 3rd. International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, JSPS Kona, Hawaii ??? 175-180 2000

全著者名 論文名
Yutaka Yoshida, Shigeru. Ogawa, Sonoko Endou, Tadayoshi Shimura and Masataka Umeno Direct Observation of the Gettering Processes of Fe atoms in SOI wafers by Mossbauer Spectroscopy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発表年
Proc. of 3rd. International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, JSPS Kona, Hawaii ??? 630-635 2000

D.特許等取得状況
特許等名称 発明者名
半導体ウエハの特性評価装置及びその使用方法 岸野正剛、吉田晴彦
権利者名 種類 出願番号 出願年月日 設定登録年月日
兵庫県、日本学術振興会 発明 特願2001−188231 平成13年6月21日 平成15年7月4日

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