平成13年度日本学術振興会未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要



研究推進分野名 原子スケール表面・界面ダイナミクス
 
研究プロジェクト名 成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション
 
(英文名) Dynamic Behavior of Grown Surface and Interface, and Atomic Scale Simulation
 
研究期間 平成9年度 〜 平成13年度

プロジェクト・リーダー名 研究経費 481,059千円
氏名・所属研究機関
所属部局・職名
入澤寿美 ・学習院大学 ・計算機センター ・教授 内訳 平成 9年度105,038千円
平成10年度87,010千円
平成11年度91,011千円
平成12年度97,000千円
平成13年度101,000千円

1.研究組織

氏名 所属機関・部局・職 研究プロジェクトでの役割分担
有馬 義康 愛知学院大学・教養部・助教授 C.ヘテロエピタキシーと核形成過程
名取 晃子 電気通信大学・電気通信学部・教授 B.ステップの運動と成長形態制御 D.表面反応過程と成長制御
村山美佐緒 日本学術振興会研究員(平成11年4月1日〜平成12年3月31日まで) B.ステップの運動と成長形態制御 D.表面反応過程と成長制御
横山 悦郎 山口大学工学部・助教授(平成10年4月1日〜平成14年3月31日まで) C.ヘテロエピタキシーと核形成過程
寒川 義裕 日本学術振興会研究員(平成12年4月1日〜平成14年3月31日まで) C.ヘテロエピタキシーと核形成過程 D.表面反応過程と成長制御
上羽 牧夫 名古屋大学・大学院理学研究科・助教授 B.ステップの運動と成長形態制御
佐藤 正英 金沢大学・理学部・助手 B.ステップの運動と成長形態制御
齋藤 幸夫 慶応義塾大学・理工学部・教授(平成10年4月1日〜平成14年3月31日まで) B.ステップの運動と成長形態制御 C.ヘテロエピタキシーと核形成過程
故 西岡一水 徳島大学・工学部・教授(平成9年4月1日〜平成10年5月20日まで) C.ヘテロエピタキシーと核形成過程
森 篤史 徳島大学・工学部・講師 C.ヘテロエピタキシーと核形成過程 E.濃厚環境相界面の反応
阿久津典子 大阪電気通信大学・工学部・教授 A.表面構造形成の統計力学的基礎理論
阿久津泰弘 大阪大学・大学院理学研究科・教授 A.表面構造形成の統計力学的基礎理論
日永田泰啓 日本学術振興会研究員(平成11年4月1日〜平成12年3月31日まで) A.表面構造形成の統計力学的基礎理論
伊藤 信 日本学術振興会研究員(平成12年4月1日〜平成14年3月31日まで) D.表面反応過程と成長制御
山本 隆夫 群馬大学・工学部・助教授 A.表面構造形成の統計力学的基礎理論
纐纈 明伯 東京農工大学・工学部・教授 C.ヘテロエピタキシーと核形成過程 D.表面反応過程と成長制御
中山 弘 大阪市立大学・工学部・教授 D.表面反応過程と成長制御
大鉢 忠 同志社大学・工学部・教授(平成10年4月1日〜平成14年3月31日まで) D.表面反応過程と成長制御
馮 潔明 日本学術振興会研究員(平成11年4月1日〜平成12年3月31日まで) D.表面反応過程と成長制御
Jon T. Nelson 学習院大学・計算機センター・助手(平成12年4月1日〜平成14年3月31日まで) D.表面反応過程と成長制御
井上 直久 大阪府立大学・先端科学研究所・教授 E.濃厚環境相界面の反応
三箇山 毅 日本学術振興会研究員(平成12年4月1日〜平成14年3月31日まで) E.濃厚環境相界面の反応
梅野 正隆 大阪大学・大学院工学研究科・教授(平成9年4月1日〜平成12年3月31日まで) E.濃厚環境相界面の反応
小川 智哉 学習院大学・計算機センター・客員教授 E.濃厚環境相界面の反応
田島 道夫 宇宙科学研究所・衛星応用工学研究系・教授 E.濃厚環境相界面の反応
馬 敏雅 学習院大学・計算機センター・助手(平成10年1月1日〜平成14年10月31日) E.濃厚環境相界面の反応

2.研究計画の概要

物質(材料)は原子・分子レベルでその構造が制御されることにより、従来から利用されているバルク的性質から量子効果が加わった新機能・高機能な新しい物性を発揮するようになる。この機能を有する物質の創製のためには、成長フロントである結晶表面・界面での原子のダイナミクスを明らかにし制御することが不可欠である。
量子力学の第一原理に立脚した計算だけでは、現状の計算機能力では取り扱う原子数が少なすぎ、表面・界面での構造形成という多数の原子・分子同士による協力現象を理解するのは困難である。そこで、本プロジェクトでは、現象論的手法ならびに統計力学的手法で結晶成長過程を研究する理論グループを中心に、量子化学計算も行うエピタキシャル成長関係を研究する実験グループと固液界面での諸現象を解析するための実験グループとから構成するのが最適と考えた。
結晶成長における協力現象を理解するためには、現実の現象の本質を失うことなしに、第一原理計算から得られた情報や実験結果から、現象の妥当なモデル化を行い、また、理論を検証するという立場からは、高度に制御された実験による詳細な実験結果が必要となる。すなわち、「実験事実から理論構築」と「理論予想の実験への適用」、「具体的問題の一般化」と「一般化された方程式の具体的問題への適用」を絶えずフィードバックしつつ研究を進展させる必要がある。そのために理論家は、理論の適応範囲の拡大と精密化、ならびに、新たな理論構築を目的とし、大規模なシミュレーションの助けを得て研究を進める。また、実験家は、計測と評価技術の高度化を目指して計測装置の新たな開発や改良に努め、精度の良い実験結果を得ると共に、新たな現象の発見・発明を目的として研究を推し進める。理論と実験の接点としては、工業的に重要な物質であるIV族SiとIII−V族化合物半導体に焦点を当て、協調研究を推進し、そこで得られた知見を個々の分野にフィードバックする。

3.研究目的
A.表面構造形成の統計力学的基礎理論を確立するために、@微斜面における吸着子を用いたナノ構造制御、A高精度統計力学計算法の開発とその理論のSiへの応用、Bステップのメゾスコピック描像の理解を目指す。
B.ステップの運動と成長パターン制御を解明するために、@ステップの蛇行とバンチング機構の解明、A微斜面の緩和現象や定常成長下でのステップのゆらぎに対する統一的理解、Bファセットを持つ微小結晶の平衡への緩和過程の解析を行う。
C.ヘテロエピタキシーと核生成過程については、@原子スケールの結晶成長における弾性歪みの効果の解析、A低温GaNバッファー層/GaAsの核生成と基板結晶の原子構造との関係の解明、B2成分系の核生成のダイナミクスの確立を目的とした。
D.表面反応過程と成長制御では、特に気相−固相界面における固相最表面での反応を取り上げ、@GaAs基板上へのGaN成長過程の解明およびGaNの厚膜成長条件の解明、 AInGaN三元混晶の不安定組成領域の解明、BGaAs表面への水素吸着過程の解明および表面再構成構造の解析、C気相分子の光熱励起による表面反応の制御およびGaNの分子線エピタキシー表面反応の解析、D高As圧MBE成長におけるAs吸着層の形成とGa原子のGaAs表面からの再蒸発に関しての知見を得る。
E.濃厚環境相界面の反応過程の解析では、LSI用シリコン結晶の成長と成長時に導入される欠陥形成を微視的に研究することとし、@欠陥などの評価技術の改良と開発、A欠陥などの評価の精密化、B固液界面の動的挙動として、界面での熱的挙動に対する点欠陥の挙動との関係や不純物の偏析過程を実験ならびに理論的見地から解明する。

4.研究成果の概要
4−1 研究計画、目的に対する成果
A.
@Langmuir吸着子と結晶微斜面との相互作用を飾りつき制限solid-on-solid (RSOS)模型を用いて調べた結果、温度と吸着子輸送を制御することで、結晶表面のステップ列を制御できることを示し、微細構造自動作成への道を開いた。
Aステップ張力、ステップ・スティフネスを精度良く計算する複素経路重み法を開発し、Si表面、微斜面系へ適用した。その結果誤差5% 以下の精度で求めることができた。
B定量性の高いメゾスコピックなステップ描像として結晶微斜面のHarmonically Interacting Step(HIS)描像を提案し、ステップ変形幅、ステップの位置分布等から、ステップ間相互作用というミクロな情報を導出できることを示した。

B.
@微斜面でのステップの蛇行やバンチングによるパターン形成については、Si通電加熱等の実験との対比により、全体的な展望を得ることができた。
AHIS描像に基づくGinzburg-Landau-Langevin(GLL)方程式により、非平衡緩和現象が定量的に記述可能となり、原子レベルからマクロな振る舞いまでの理解という統一的理解が可能となった。
Bステップの運動による結晶形の変化の理論を確立し、実験との比較の結果、記述がマイクロメーターからナノメーターまでの広い範囲で有効であることを示した。

C.
@連続弾性論やバネモデルを用いた2次元格子模型で吸着原子やステップ間の弾性相互作用を調べた結果、単純な弾性理論を用いて相互作用の強さの評価や相互作用ポテンシャルのベキを求めるとまったく誤る場合があることを見出した。
AGaN/GaAs格子不整合系のヘテロエピタキシャル成長の初期過程では、GaAs上の残留AsがGaNの成長を妨げることを明らにし、As脱離過程の活性化エネルギーを第一原理計算より求め、基板としてGaAs(111)A面を用いる有効性を示した。
B一般化された運動論的ポテンシャルを導入して3次元核生成過程を調べた結果、核生成が熱力学ポテンシャルの鞍点を通らずにおきる条件を明らかにした。また、2次元核生成過程をシミュレーションで調べた結果、組成や表面拡散という運動学的な要素を考慮する必要があることが明らかになった。

D.
@GaAs上のAs脱離過程がその後のGaN低温バッファー層の成長に大きな影響を与えることが明らかになり、GaAs(111)A面基板結晶を用いたGaNの厚膜成長に成功した。
A熱力学解析により気相−固相関係を調べ不均一組成領域の存在を明らかにし、シミュレーションによりその運動学的解釈を与えた。
BGaAs(001) GaおよびGaAs(111)A Ga面上へはLangmuir型の解離吸着であり、GaAs(111)B Ga面へはLangmuir型であるが、水素分圧により2段階の吸着が起こることが分かった。第一原理計算により、吸着過程も明らかになった。
CSiCl2H2(ジクロルシラン)を原料とした光熱励起分子線源を用いたSiへの10%レベルのMnの非平衡ドーピングが実現できた。また、10%以上のMnを含むGaNのエピタキシー成長に成功した。
D高As圧条件下でのGaAsMBE成長においては,GaAs基板表面にAs吸着層が存在する事と,その吸着層を考慮した結晶成長機構を考える必要があることを示した。

E.
@光散乱トモグラフィー法では、多波長光散乱法を開発し、欠陥の検出限界を従来の数10 nmから10 nmへと向上させた。また、シリコン/酸化膜界面の紫外線励起フォトルミネッセンス評価技術を開発した。
Aas-grown結晶中の窒素の存在状態が問題であり、光吸収法による吸収ピークの解析に分子軌道法等の理論計算結果を用いた新たな解析法を考案し、窒素対に付着する酸素の個数と構造を明らかにした。
B成長速度と固体側の温度勾配の比により導入点欠陥の種別(空孔型、格子間型)が異なるが、実験結果に対し熱バランス式を用いて解析した。熱バランス式の正当性についても、非平衡分子動力学法を開発して確認した。また、固液界面における不純物の偏析挙動について解析した。偏析係数と固溶度の関係に着目するとドーパント(III,V族)、IV族、軽元素に分かれるが、その関係は添加物による融液の凝固点効果と同じ原因であることが、熱力学的解析から明らかになった。

4−2 研究計画、目的外の成果
 チョコラスキー法で引き上げられたSi結晶は、CPUやメモリー素子に使われその微細化が進んだため、結晶中の欠陥のさらなる低減化が望まれている。1995年に空洞欠陥が発見され、1997年には窒素ドープすることによる欠陥の減少が有望視されだした。この分野は、工業的にも重要な分野であり、当初計画には入っていなかったが、社会の要望するところにより本プロジェクトでも研究対象にすることとした。
空洞欠陥に関しては、その成因を探求する必要があり、また、空洞壁面は酸化膜であることも分かったので、その構造を明らかにすることにした。結晶表面と垂直な方向の周期構造に敏感な評価法であるX線トランケイションロッド法で評価し表面と垂直方向に約2倍の長周期構造が存在することを明らかにした。また、多量にイオン注入した酸素が構成する酸化膜(SIMOXの埋め込み酸化膜)の場合には、膜面に平行に√2倍の長周期構造があることを明らかにした。この研究は、シリコン結晶に含まれる数少ない微小欠陥の検出・計測・評価技術(学振産学協力委員会で標準化準備中)に大いに貢献する。
窒素ドープに関しては、本プロジェクトのメンバーが以前に実験研究したこともあったため、取り掛かりも早く、世界に先駆けて成果を上げている。その一つに、窒素濃度の測定法がある。窒素を含む試料と窒素を含まない参照試料の差スペクトルを求めるという方法で、窒素濃度の赤外吸収法による測定法を確立した。なお、含有窒素濃度の定量的測定技術に関しては、電子協で世界の全ての有力シリコンメーカなどにより標準化が推進中であり、それに対して本プロジェクトでその測定法を確立した意義は非常に大きい。

4−3 研究成果の展望
統計力学や現象論に立脚した理論研究では、統計力学による原子レベルのモデルから各種の平衡状態の物性量を正確に求めるいくつかの手法を確立し、また、ステップの蛇行やバンチングによる表面パターン形成については全体的な展望をうることができた。これらの理論をSi(111)面のSiのエレクトロマイグレーション等に適用し、よく制御された実験の理論付けとなった。工業的見地からは、この成果はSi(100)面上での金属のエレクトロマイグレーションの理解に適用されることが望まれる。というのは、昨今のCPUチップは3年前の0.18ミクロン・プロセス技術から現在の0.13ミクロン、将来の0.1ミクロン・プロセス技術に移行することがほぼ確実であり、吸着子としての金属原子の振る舞いが素子表面構造に及ぼす影響を理論的に解明できていれば、チップの歩留まりをよくするための多大なる労力を払う必要が無くなるからである。
GaAs基板上でのヘテロエピタキシャル成長によるGaN厚膜作成においては、基板の面方位や成長条件等を第一原理計算の結果を吟味して決められ、実際に商業化されるまでにいたっている。また、今後においては、InGaN三元混晶のIn含有量を制御でき良質の結晶が作成できれば、広範囲にわたる発光材料として求められる物質である。本プロジェクトにおいて始めてInGaNの組成不安定性について、熱力学的計算、モンテカルロシミュレーション、第一原理計算を総合的に行い成長法への知見を得ている。
シリコン結晶成長時の固液界面ダイナミックス、酸化膜形成時の固相/固相界面における原子的挙動などを解明するため、計測と評価技術の高度化を目指して計測装置の新たな開発を行い、精度のよい実験データが得られるようになった。このようにして得られた結果から、理論的解析を通じて点欠陥や不純物導入時の界面における原子レベルでの挙動に迫った。また、界面の原子的・熱的挙動を理論的に解析することも並行して行った。この研究により得られたアカデミックな成果はシリコン科学の発展に寄与し、なお、シリコン結晶に含まれる数少ない微小欠陥の検出・計測・評価技術、シリコン酸化薄膜の評価技術と含有窒素濃度の定量的測定技術を確立し、国際標準化を推進・準備していることは、わが国のシリコン産業の国際競争力の向上に貢献したといえる。

4−4 本事業の趣旨に鑑み、果たした役割
本プロジェクトの理論的研究は、現象論ならびに統計力学的手法に立脚したものであり、物質によらない一般的原理の探求にあった。一方実験的研究は、工業的に重要な物質であるW族、V−X族半導体物質の成長法、観察技術、評価法の開発で、物質による特異性に依存せざる得ないものである。このように一見かけ離れているように思われる研究者(解析的に解を求めたがる理論家、計算機シミュレーション“実験”を道具とする理論家、計算機上実験“第一原理計算、分子化学計算”を行う理論家寄りの実験家と純粋な実験家)を一つのまとまったプロジェクトとして構成するのも未来開拓につながる一つの英断といえよう。実際プロジェクト発足当初、毎年行った2泊3日の研究会での議論も各研究者の意識の不一致からかみ合わないことが多かった。しかしながら、研究会の回を増すごとに、また、各研究者同士の議論の場が増すごとに、各研究者の意識は変化し、ターゲットを絞ることで協調研究が積極的に行われた。その結果が4−1、4−2で示した成果であり、4−3で説明した未来への展望を開くことができた。
理論家は、物質によらない一般的原理を具体的な物質に当てはめることの有用性を認識した。また、実験家は、理論的視点で各自が行っている実験を再確認することにより、新たな発想が得られることを体験した。これは、本プロジェクトの目的である「実験事実から理論構築」と「理論予想の実験への適用」、「具体的問題の一般化」と「一般化された方程式の具体的問題への適用」をフィードバックしつつ研究を進めることが、物質(材料)によらない一般性と物質による特殊性の両方が結晶成長にどのように関わるかを解明する上で重要な研究体制であったことを示している。
このように理論と実験の協調研究により、半導体として重要な物質に対する新たな成長法(特に成長法の難しい物質に対するもの)や評価技術・評価法の開発ができたことと、新たな指針を与えたことは大きな成果である。

5.キーワード

(1)結晶成長、(2)統計力学、(3)シミュレーション
(4)ステップの運動、(5)第一原理計算、(6)ヘテロエピタキシャル成長
(7)表面反応過程、(8)固液界面、(9)成長時導入欠陥

6.研究成果発表状況

A.学術雑誌論文(Journal Papers)
全著者名 論文名
Noriko Akutsu, Yasuhiro Akutsu ,and Takao Yamamoto Statistical Mechanics of Vicinal Surface with Adsorption (Invited)
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? ??? ??? in press

全著者名 論文名
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi, and Tadashi Ohachi Empirical interatomic potential calculations for relative stability of Ga adatom on GaAs(001) and (n11)A surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? ??? ??? in press

全著者名 論文名
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi, Toshiharu Irisawa, and Tadashi Ohachi Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(001)
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. ??? ??? ??? in press

全著者名 論文名
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Yoshiko S. Hiraoka, Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi, and Tadashi Ohachi Theoretical approach to influence of As2 pressure on GaAs growth kinetics
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. ??? ??? ??? in press

全著者名 論文名
Tomonori Ito, and Yoshihiro Kangawa Theoretical investigations of thermodynamic stability for Si1-x-yGexCy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? ??? ??? in press

全著者名 論文名
Hiroshi Nakayama, Erkin Kulatov Growth and properties of super-doped semiconductors: Si:Mn and GaN:Mn
学術雑誌名 ページ 発行年
6th Int. Symposium on Advanced Physical Fields ??? ??? 28-32 in press

全著者名 論文名
阿久津 典子, 阿久津 泰弘, 山本 隆夫 吸着子のある微斜面の統計力学
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 29 1 50-56 2002

全著者名 論文名
Noriko Akutsu, Yasuhiro Akutsu and Takao Yamamoto Statistical Mechanics of Vicinal Surface with Adsorption
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 29 1 50-56 2002

全著者名 論文名
伊藤 信 (111)B方向に微傾斜したGaAs(001)表面上における表面再構成構造とテラス端の形状との関係
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 29 1 65-68 2002

全著者名 論文名
Makoto Itoh Relation between Surface Reconstruction and the Shapes of the Terrace Edges on GaAs(001) Vicinal to (111)B
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 29 1 65-68 2002

全著者名 論文名
Tomonori Ito, and Yoshihiro Kangawa An empirical potential approach to wurtzite-zinc blende structural stability of semiconductors
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 235 1-4 149-153 2002

全著者名 論文名
寒川義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 平岡佳子, 入澤寿美, 大鉢 忠 GaAsエピタキシャル成長における吸着-離脱現象への理論的アプローチ
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 29 1 57-64 2002

全著者名 論文名
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi, Yoshiko S. Hiraoka, Toshiharu Irisawa, and Tadashi Ohachi Ab initio-based Approach to Adsorption-Desorption Behavior during GaAs Epitaxial Growth
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 29 1 57-64 2002

全著者名 論文名
森 篤史, 白澤 太志, 井上 直久 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 29 1 69-73 2002

全著者名 論文名
Atsushi Mori, Futoshi Shirazawa and Naohisa Inoue Non-equilibrium Molecular Dynamics Simulation of Crystal-Melt Interface
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 29 1 69-73 2002

全著者名 論文名
A. Natori, N. Suga In-phase step wandering on vicinal Si(111) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl.Surf.Sci. ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
A. Natori, S. Ohnuma, N. H. Quang Photoluminescence of charged magneto-excitons in InAs single quantum dots
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl.Surf.Sci. ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
名取 晃子, 菅 信朗 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造転移
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 29 1 44-49 2002

全著者名 論文名
Akiko Natori and Nobuo Suga Surface-electromigration-induced Step Structure Transition on Si(111) Vicinal Surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 29 1 44-49 2002

全著者名 論文名
M. Sato, M. Uwaha and Y. Saito Step Bunching Induced by Drift of Adatoms with Anisotropic Surface Diffusion
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 237 ??? ??? 2002

全著者名 論文名
H. Uemura, M. Uwaha and Y. Saito Equilibrium Shape of a Heteroepitaxial Island
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
齋藤幸夫,上村英明, 上羽牧夫 歪を考慮した二次元弾性格子模型
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 29 1 ??? 2002

全著者名 論文名
Yukio Saito, Hideaki Uemura and Makio Uwaha Two-Dimensional Elastic Lattice Model with Strain
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 29 1 ??? 2002

全著者名 論文名
佐藤正英, 上羽牧夫,齋藤幸夫 表面拡散の異方性と吸着原子のドリフトによるステップバンチング平面界面の不安定化への結晶の異方性の効果
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 29 1 ??? 2002

全著者名 論文名
Masahide Sato, Makio Uwaha and Yukio Saito Effect of Crystal Anisotropy on Instabilities of Flat Interfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 29 1 ??? 2002

全著者名 論文名
上羽牧夫,佐藤正英 吸着原子の流れによるステップのバンチングと蛇行の理論について
学術雑誌名 ページ 発行年
真空(日本真空協会機関誌) 45 ??? ??? 2002

全著者名 論文名
Makio Uwaha and Masahide Sato Step bunching Induced by the Drift of Adatoms
学術雑誌名 ページ 発行年
Vacuum (Journal of The Vacuum Society of Japan) 45 ??? ??? 2002

全著者名 論文名
上羽牧夫 微結晶形の緩和のダイナミクス--平衡形の実現と島の崩壊
学術雑誌名 ページ 発行年
表面科学(日本表面科学会誌) 23 2 88-94 2002

全著者名 論文名
Makio Uwaha Step bunching Induced by the Drift of Adatoms
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of The Surface Science Society of Japan 23 2 88-94 2002

全著者名 論文名
A. Miyagawa, T.Yamamoto, J.T.Nelson,and T.Ohachi Silicon Doping into MBE Grown GaAs at High Arsenic Vapor Pressures
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 237-239 ??? 1434-1439 2002

全著者名 論文名
R. Flauta, T. Kasuya, T. Ohachi and M. Wada Plasma characteristics of a multi cusp plasma sputter type ion source for thin film formation of gallium nitride
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 237-239 ??? 2116-2120 2002

全著者名 論文名
N. Harima, J.T. Nelson, and T. Ohachi Characterization of MBE Grown GaAs/AlGaAs Heterointerfaces with Photo Luminescence from Quantum Wells
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 237-239 ??? 274-277 2002

全著者名 論文名
好田伸一,大鉢忠 GaAs系MBE成長での高As圧条件における基板上As 吸着層の計測
学術雑誌名 ページ 発行年
同志社大学理工学研究報告 43 1 53-58 2002

全著者名 論文名
S. Kohda and T. Ohachi Measurement of an Adsorbed As Overlayer an a GaAs Substrby MBE Growth unde High As Pressure
学術雑誌名 ページ 発行年
The Sci. Eng. Rev. Doshisha Univ. 43 1 53-58 2002

全著者名 論文名
Y.Yamanaka, H.Harada, K.Tanahasi, T.Mikayama, and N.Inoue Infrared absorption analysis of nitrogen in Czochralski silicon
学術雑誌名 ページ 発行年
Solid State Phenomena 82-84 ??? 63-68 2002

全著者名 論文名
Minya Ma, Toshihirau Irisawa, Tomoya Ogawa, Xinming Huang, Toshinori Taishi, and Keigo Hoshikawa Relationship between characteristics of defects in CZ-Si crystals and V/G ratios by multi-chroic infrared light scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal. Growth 234 2-3 296-304 2002

全著者名 論文名
S. Ibuka and M. Tajima Temporal decay measurement of condensate luminescence and its application to characterization of silicon-on-insulator wafers
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 91 9 ??? 2002

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Kazunori Fukuda, Masataka Umeno, and Atsushi Ogura Formation of Epitaxially Ordered SiO2 in Oxygen-implanted Silicon during Thermal Annealing
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 236 ??? 37-40 2002

全著者名 論文名
Tetsuya Ikuta, Yoshifumi Yoshioka, Satoshi Kamei, Hiroyuki Hayashi, Takayoshi Shimura, and Masataka Umeno In situ Ellipsometric Measurement during Growth of Ge on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 41 4A ??? 2002

全著者名 論文名
Noriko Akutsu, Yasuhiro Akutsu ,and Takao Yamamoto Vicinal surface with Langmuir adsorption: A decorated restricted solid-on-solid model
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 64 8 085415-(1)-08415-(9) 2001

全著者名 論文名
K. Okunishi, Y. Akutsu, N. Akutsu, and T. Yamamoto Universal relation between the dispersion curve and the ground-state correlation length in one-dimensional antiferromagnetic quantum spin systems
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 64 10 104432-(1)-104432-(5 2001

全著者名 論文名
N. Akutsu and Y. Akutsu Trimer-Monomer Mixture Problem on (111) 1x1 Surface of Diamond Structure
学術雑誌名 ページ 発行年
Prog. Theor. Phys. 105 1 123-130 2001

全著者名 論文名
K. Tanahashi, N. Inoue, and N. Akutsu Equilibrium point defect concentration in a growing silicon crystal
学術雑誌名 ページ 発行年
Microelectronic Engineering 56 ??? 133-137 2001

全著者名 論文名
Noriko Akutsu, Yasuhiro Akutsu ,and Takao Yamamoto Stiffening Transition in Vicinal Surfaces with Adsorption
学術雑誌名 ページ 発行年
Prog. Theor. Phys. 105 2 361-366 2001

全著者名 論文名
Noriko Akutsu, Yasuhiro Akutsu ,and Takao Yamamoto Statistical Mechanics of the Vicinal Surfaces with Adsorption
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 493 1-3 475-479 2001

全著者名 論文名
Makoto Itoh Kinetic Monte Carlo study of step asymmetry and stable step orientations on GaAs(001)
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 64 ??? 045301(1)-045301(6) 2001

全著者名 論文名
Makoto Itoh and Takahisa Ohno Atomic-scale Monte Carlo study of step-flow growth modes on GaAs(001)-(2x4)
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 63 ??? 125301(1)-125301(11) 2001

全著者名 論文名
Makoto Itoh and Takahisa Ohno Atomic-scale Monte Carlo study of GaAs(001)-(2x4) growth on vicinal surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci 493 ??? 430-437 2001

全著者名 論文名
Makoto Itoh Atomic-scale homoepitaxial growth simulations of reconstructed III-V surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Prog. Surf. Sci. 66 ??? 53-153 2001

全著者名 論文名
伊藤 信 GaAs(001)エピタキシャル成長の原子スケール・シミュレーション
学術雑誌名 ページ 発行年
固体物理 36 ??? 420-434 2001

全著者名 論文名
Makoto Itoh Atomic-scale simulation of epitaxial growth on GaAs(001)
学術雑誌名 ページ 発行年
Kotai Butsuri 36 ??? 420-434 2001

全著者名 論文名
Yoshihiro Kangawa, Koji Wakizono, Noriyuki Kuwano, Kensuke Oki, and Tomonori Ito Formation mechanism of Al-segregated region in InAlAs/(110)InP
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 229 1-4 164-168 2001

全著者名 論文名
Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi, Tomonori Ito, and Yoshihiro Kangawa Theoretical investigations of adatom adsorption on the As-stabilized GaAs(111)A surface
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 493 1-3 173-177 2001

全著者名 論文名
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi, and Tadashi Ohachi A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surface
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 493 1-3 178-181 2001

全著者名 論文名
A.Natori, S.Ohnuma, N.H.Quang Charged magnetoexcitons in parabolic quantum dots II
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn.J.Appl.Phys. 40 ??? 1951-1954 2001

全著者名 論文名
A.Natori, H.Harada, Nan-Jian Wu, H.Yasunaga Strain effect on surface melting of Si(111)
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf.Sci. 169-170 ??? 20-24 2001

全著者名 論文名
M. Osanai, H. Yasunaga, A.Natori Dimer buckling dynamics in the vicinity of missing dimers on Si(100) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf.Sci. 493 ??? 319-324 2001

全著者名 論文名
M. Murayama, T. Nakayama, A. Natori Au-Si bonding on Si(111) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn.J.Appl.Phys. 40 12 6976-6979 2001

全著者名 論文名
M. Murayama, T. Nakayama, A. Natori Electronic structure of √3×√3-Au/Si(111) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf.Sci. 493 ??? 626-632 2001

全著者名 論文名
Y. Saito, H. Uemura and M. Uwaha Two-Dimensional Elastic Lattice Model with Spontaneous Stress
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 63 1 045422-1-045422-9 2001

全著者名 論文名
Y. Homma, P. Finnie and M. Uwaha Morphological Instability of Atomic Steps Observed on Si(111) Surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 492 1-2 125-136 2001

全著者名 論文名
K. Thuermer, J. E. Reutt-Robey, E. D. Williams, M. Uwaha, A. Emundts and H. P. Bonzel Step Dynamics in 3D Crystal Shape Relaxation
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. Lett. 87 18 186102-1-186102-4 2001

全著者名 論文名
A. Ichimiya, K. Hayashi, E. D. Williams, T. L. Einstein, M. Uwaha and K. Watanabe Decay of Silicon Mounds: Scaling Laws and Description with Continuum Step Parameters
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 175/176 ??? 33-35 2001

全著者名 論文名
M. Sato, M. Uwaha and Y. Saito Growth of Permeable Step Bunches Formed by Drift of Adatoms
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 493 1-3 480-486 2001

全著者名 論文名
M. Sato and M. Uwaha Growth Law of Step Bunches Induced by the Ehrlich-Schwoebel Effect in Growth
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 493 1-3 494-498 2001

全著者名 論文名
H. Uemura, Y. Saito and M. Uwaha Elastic Interaction in a Two-Dimensional Discrete Lattice Model
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 70 3 743-752 2001

全著者名 論文名
Takao Yamamoto Harmonically-Interacting Step Approach to the Relaxation Prosess of Vicinal Surface. III. Universal Relations
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 70 9 2542-2549 2001

全著者名 論文名
T. Yamamoto, Y. Akutsu and N. Akutsu Position Distribution of Steps on Vicinal Surface and Surface Stiffness
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 229 ??? 619-624 2001

全著者名 論文名
Yoshinori Furukawa, Etsuro Yokoyama Ice crystal pattern formation under gravity and microgravity conditions
学術雑誌名 ページ 発行年
Proceedings of the first international Symposium o Microgravity Research & Applications in Physical Science & Biotechnology ??? ??? 465-471 2001

全著者名 論文名
Y. Kumagai, K. Takemoto, A. Koukitu and H. Seki Thermodynamics on halide vapor-phase epitaxy of InN using InCl and InCl3
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 222 ??? 118-124 2001

全著者名 論文名
M. Mayumi, F. Satoh, Y. Kumagai, K. Takemoto and A. Koukitu Influence of Polarity on Surface Reaction between GaN{0001} and Hydrogen
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Stat. Sol. (b) 228 2 537-541 2001

全著者名 論文名
Y. Kumagai, H. Murakami, H. Seki and A. Koukitu Comparison of GaN Buffer Layers Grown on GaAs (111)A and (111)B Surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Stat. Sol. (a) 188 2 549-552 2001

全著者名 論文名
T. Mitate, Y. Sonoda, K. Oki, N. Kuwano, Y. Kumagai, H. Murakami and A. Koukitu Transmission Electron Microscope Analysis of Microstructures in GaN Grown on (111)A and (111)B of GaAs by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor-Phase Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Stat. Sol. (a) 188 2 553-556 2001

全著者名 論文名
Y. Matsuo, Y. Kumagai, T. Irisawa and A. Koukitu Ab initio Calculations of GaN Initial Growth Processes on GaAs(111)A and GaAs(111)B Surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Stat. Sol. (a) 188 2 553-560 2001

全著者名 論文名
Y. Kumagai, K. Takemoto, T. Hasegawa, A. Koukitu and H. Seki Thermodynamics on tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN and InxGa1-xN using GaCl3 and InCl3
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 231 ??? 57-67 2001

全著者名 論文名
A. Koukitu and Y. Kumagai Thermodynamic analysis of group III nitrides grown by metal-organic vapour-phase epitaxy (MOVPE), hydride (or halide) vapour-phase epitaxy (HVPE) and molecular beam epitaxy (MBE)
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys.: Condens. Matter 13 ??? 6907-6934 2001

全著者名 論文名
K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, M. Matsushima, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, T. Hirano, M. Nakayama, S. Nakahata, M. Ueno, D. Hara, Y. Kumagai, A. Koukitu and H. Seki Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using GaAs as a Starting Substrate
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 2B L140-L143 2001

全著者名 論文名
M. Mayumi, F. Satoh, Y. Kumagai and A. Koukitu In Situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate from GaN (0001) and (000-1) Surfaces Using Freestanding GaN
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 7A L654-L656 2001

全著者名 論文名
E. Kulatov, H. Nakayama and H. Ohta Electronic and Optical Properties of α-,β-, and γ-FeSi2
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Japan 70 7 2199-2204 2001

全著者名 論文名
H. Nakayama, H. Ohta and E. Kulatov Photo-Thermal Excitation Gas-Source MBE Growth of Super-Doped Si:Mn for Spin-Photonics Applications
学術雑誌名 ページ 発行年
Thin Solid Films 395 ??? 230-234 2001

全著者名 論文名
H. Nakayama, H. Ohta and E. Kulatov Growth and Properties of Super-Doped Si:Mn for Spin-Photonics
学術雑誌名 ページ 発行年
Physica B ??? 302-303 419-424 2001

全著者名 論文名
H. Ohta, S. Ohkubo, J. Yoshikawa, Y. Nakashima, C. Urakawa, H. Nakayama and T. Nishino High Field Cyclotron Resonance Measurements of Heavily Doped Si:Mn
学術雑誌名 ページ 発行年
Physica B 298 ??? 449-452 2001

全著者名 論文名
T. Ohachi,M.Inada, K. Asai, and J. M. Feng Arsenic pressure dependence of Hillock morphology on GaAs(n11)A substrates grown using MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 227/227 ??? 67-71 2001

全著者名 論文名
A.Natsume,K..Tanahasi,N.Inoue Relation between temperature gradient at growth interface and growth rate in Czochralski silicon examined by heat balance equation
学術雑誌名 ページ 発行年
Microelectronic Engineering 56 ??? 129-132 2001

全著者名 論文名
A.Natume, N.Inoue, K.Tanahasi, A.Mori Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of Crystal Growth 225 ??? 221-224 2001

全著者名 論文名
H. Harada , I.Ohkubo, T. Mikayama Y.Yamanaka, N. Inoue Valence force field analysis on nitrogen in silicon
学術雑誌名 ページ 発行年
Physica B 308-310 ??? 224-247 2001

全著者名 論文名
K. Tanahasi, H. Harada, A. Koukitsu and N. Inoue Modeling of point defect behavior by the stress due to impurity doping in growing silicon
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of Crystal Growth 225 ??? 294-298 2001

全著者名 論文名
H.Harada, Y.Matsuo, K.Tanahasi,A.Koukitsu, N.Inoue, K.Wada Effect of stress by dopants and nitrogen on grown-in defects in silicon
学術雑誌名 ページ 発行年
Physica B 302-303 ??? 386-392 2001

全著者名 論文名
K.Tanahasi, N.Inoue, Y.Mizokawa Equilibrium concentration of vacancies under the anisotropic stress field around impurity
学術雑誌名 ページ 発行年
Physica B 308-310 ??? 502-505 2001

全著者名 論文名
Minya Ma, Toshiharu Irisawa, Tomoya Ogawa, and Cesare Frigeri Study of the characteristics of defects in the oxidation-induced stacking fault-ring area in Czochralski silicon crystals by multi-chroic infrared scattering tomography and transmission electron microscopy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 1-6A 4149-4152 2001

全著者名 論文名
Minya Ma, Toshiharu Irisawa, Tomoya Ogawa, and Cesare Frigeri Study of inhomogeneous radial distribution of defects in as-grown and annealed Czochralski silicon crystals by multi chroic infrared light scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 1-6A 4153-4159 2001

全著者名 論文名
K. Sakai and T. Ogawa, Determination of tiny scatterer's shape by light scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
Opt. Rev. 8 ??? 148-151 2001

全著者名 論文名
C. Frigeri, M. Ma, T. Irisawa and T. Ogawa, MC-IR-LST and TEM combined analysis of defects in the OSF ring of Cz-silicon crystals,
学術雑誌名 ページ 発行年
Solid State Phenomena 78-79 ??? 211-216 2001

全著者名 論文名
Junyong Kang and Tomoya Ogawa, Threading dislocations with edge component in GaN epilayers grown on Al2O3 substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Mater. Res. 16 ??? 2550-2555 2001

全著者名 論文名
J. Takiguchi, M. Tajima, A. Ogura, S. Ibuka, and Y. Tokumaru Photoluminescence analysis of {311} Interstitial defects in wafers synthesized by separation by Implanted oxygen
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 6A L567-L569 2001

全著者名 論文名
Yoshifumi Yoshioka, Tetsuya Ikuta, Toshiya Taji, Kozoh Mizobata, Takayoshi Shimura, and Masataka Umeno Monitoring of Si Molecular-Beam Epitaxial Growth by an Ellipsometric Method
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 1 371-375 2001

全著者名 論文名
入澤寿美、松本喜以子、有馬義康 結晶成長表面の動的挙動と原子スケールシミュレーション
学術雑誌名 ページ 発行年
応用物理 69 10 1181-1186 2000

全著者名 論文名
T.Irisawa, K.Matsumoto,Y.Arima Dynamic behavior of grown Crystal Surface and atomic scale simulation
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japan Society of Applied Physics 69 10 1181-1186 2000

全著者名 論文名
Makoto Itoh Comment on "Local dimer-adatom stacking fault structures from 3x3 to 13x13 along Si(111)-7x7 domain boundaries"
学術雑誌名 ページ 発行年
??? 62 ??? 2236 2000

全著者名 論文名
Makot Itoh and Takahisa Ohno Absence of a step-edge barrier on a polar semiconductor surface with reconstruction
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 62 ??? 1889-1896 2000

全著者名 論文名
Makot Itoh and Takahisa Ohno Relevance of surface reconstruction to specular RHEED intensity on GaAs(001)
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 62 ??? 7219-7228 2000

全著者名 論文名
伊藤 信 Si(111)表面7x7構造の形成過程
学術雑誌名 ページ 発行年
物理学会誌 55 ??? 951-955 2000

全著者名 論文名
Makoto Itoh Formation process of the 7x7 structure on Si(111)
学術雑誌名 ページ 発行年
??? 55 ??? 951-955 2000

全著者名 論文名
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Atsushi Mori, and Akinori Koukitu Anomalous behavior of excess energy curves of InxGa1-xN grown on GaN and InN
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 220 4 401-404 2000

全著者名 論文名
Igor L. Maksimov, Masaki Sanada, and Kazumi Nishioka Energy barrier effect on the transient nucleation kinetics: nucleation flux and lag-time calculation
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Chem. Phys. 113 8 3323-3331 2000

全著者名 論文名
N.H.Quang, S.Ohnuma, A.Natori Charged magnetoexcitons in parabolic quantum dots
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 62 ??? 12955-12962 2000

全著者名 論文名
Y.Ishimaru, Nan-Jian Wu, H.Yasunaga, A.Natori Frustrated nanodomains on O/Cu(100)
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn.J.Appl.Phys. 39 ??? 4417-4420 2000

全著者名 論文名
M.Murayama, T.Nakayama, A.Natori Electronic structures and the charge transfer of Au overlayer on Si(111) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl.Surf.Sci. 159-160 ??? 45-49 2000

全著者名 論文名
T.Kawabe, A.Natori Ordering dynamics of anisotropic missing dimer clusters on Si(001) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf.Sci. 462 ??? 181-186 2000

全著者名 論文名
N.Suga, J.Kinpara, Nan-Jian Wu, H.Yasunaga, A.Natori Novel transition mechanism of surface electromigration induced step structure on vicinal Si(111) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn.J.Appl.Phys. 39 ??? 4412-4416 2000

全著者名 論文名
A. Ichimiya, K. Hayashi, E. D. Williams, T. L. Einstein, M. Uwaha and K. Watanabe Decay of Silicon Mounds: Scaling Laws and Description with Continuum Step Parameters
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. Lett. 84 16 3662-3665 2000

全著者名 論文名
M. Uwaha and K. Watanabe Decay of an Island on a Facet via Surface Diffusion
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 69 2 497-503 2000

全著者名 論文名
M. Sato, M. Uwaha and Y. Saito Instabilities of Permeable Steps Induced by the Drift of Adatoms
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Rev. Lett. 7 5-6 607-611 2000

全著者名 論文名
Y. Saito Harmonic Solid-on-Solid Model of Heteroepitaxial Growth
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 69 3 734-743 2000

全著者名 論文名
M. Sato, M. Uwaha and Y. Saito Instabilities of Steps Induced by the Drift of Adatoms and Effect of the Step Permeability
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 62 12 8452-8472 2000

全著者名 論文名
Takao Yamamoto and Yo-ich Kawashima Non-Crossing Effect on Long Wave-Length Fluctuation of Multilayer Membrane System
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 69 9 2715-2718 2000

全著者名 論文名
Norikazu Ishimura and Takao Yamamoto A Surface Effect on a One-Dimensional Competitive System: Free Domain-Wall Structures Induced by a Free-Surface
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 69 2 489-496 2000

全著者名 論文名
Yo-ich Kawashima and Takao Yamamoto Entropy Loss Induced by the Non-Crossing Nature in Multilayer-Membrane System
学術雑誌名 ページ 発行年
Transactions of the Materials Research Society of Japan 25 3 759-761 2000

全著者名 論文名
Etsuro Yokoyama, Robert F. Sekerka and Yoshinori Furukawa Growth trajectories of disk crystals of ice growing from supercooled water
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Chem. B 104 ??? 65-67 2000

全著者名 論文名
A. Koukitu, Y. Kumagai and H. Seki Thermodynamic Analysis of the MOVPE Growth of InAlN
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Stat. Sol.(a) 180 ??? 115-120 2000

全著者名 論文名
Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori and A. Koukitu Anomalous Behavior of Excess Energy Curves of InxGa1-xN Grown on GaN and InN
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 220 ??? 401-405 2000

全著者名 論文名
Y. Kumagai, M. Mayumi, A. Koukitu and H. Seki In situ gravimetric monitoring of halogen transport atomic layer epitaxy of cubic-GaN
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 159/160 ??? 427-431 2000

全著者名 論文名
Y. Matsuo, M. Nimura, A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Seki, S. Takami, M. Kubo and A. Miyamoto Investigation of Hydrogen Chemisorption on GaAs (111)A Ga Surface by In Situ Monitoring Method and Ab Initio Calculation
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 11 6174-6179 2000

全著者名 論文名
Y. Kumagai, H. Murakami, A. Koukitu, K. Takemoto and H. Seki Growth of Thick Hexagonal GaN Layer on GaAs (111)A Surfaces for Freestanding GaN by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 7B 703-706 2000

全著者名 論文名
M. Mayumi, F. Satoh, Y. Kumagai, K. Takemoto and A. Koukitu In Situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate from GaN Epitaxial Surface
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys 39 7B 707-709 2000

全著者名 論文名
A. Koukitu, Y. Kumagai and H. Seki Thermodynamic analysis of the MOVPE growth of InGaAlN quaternary alloy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 221 ??? 743-750 2000

全著者名 論文名
Y. Kumagai, A. Koukitu and H. Seki Investigation of Substrate Orientation Dependence for the Growth of GaN on GaAs (111)A and (111)B Surfaces by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor-Phase Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2B L149-L151 2000

全著者名 論文名
S. Abe, H. Nakayama, T. Nishino, H. Ohta and S. Iida Subtracted Auger Electron Spectra of Heavily Doped Transition Metal Impurities in Si
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth. 210 ??? 137-142 2000

全著者名 論文名
H. Yanagi, D. Schlettwein, H. Nakayama and T. Nishino Site-specific physisorption and chemical reaction of subphthalocyanine molecules on Si(111)-(7x7)
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 61 3 1959-1964 2000

全著者名 論文名
H. Nakayama, T. Morishita, T. Ekaitsu and T. Nishino Monte-Carlo Master Equation Mehtod for a Simulation of Epitaxial Growth Dynamics
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 159-160 ??? 380-386 2000

全著者名 論文名
A. Shimizu, S. Abe, H. Nakayama, T. Nishino and S. Iida Structural Evolution and Valence Electron States Change during Ultra Thin Silicon Oxide Growth
学術雑誌名 ページ 発行年
App. Surf. Sci. 159-160 ??? 89-97 2000

全著者名 論文名
K. Asai, J. M. Feng , P.O. Vacaro, K.Fujita and T. Ohachi Possibility of Quasi Liquid Layer of As on GaAs Substrate Grown by MBE Observed by Enhancement of Ga Desorption at High As Pressure,
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 159-160 ??? 301-307 2000

全著者名 論文名
T. Ohachi, J. M. Feng and K. Asai Arsenic Pressure Dependence of Ga Desorption from MBE High Index GaAs Substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 211 ??? 405-410 2000

全著者名 論文名
J. M. Feng , K. Asai, Y. Narukawa, Y. Kawakami, S.Fujita and T. Ohachi Orientation Effect on Intersubband Tunneling of Quantum Wells Grown on High Index GaAs (N11)A(N>=4) Substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 159-160 ??? 532-539 2000

全著者名 論文名
K.Tanahashi ,M.Kikuchi, T.Higashino, N.Inoue and Y.Mizokawa Concentration of point defects changed by thermal stress in growing CZ silicon crystal: effect of the growth rate
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of Crystal Growth 210 ??? 45-48 2000

全著者名 論文名
N. Inoue Grown-in defects in Czochralski silicon (Invited)
学術雑誌名 ページ 発行年
Recent Res. Devel. Crystal Growth 2 ??? 83-122 2000

全著者名 論文名
東野徒士之, 棚橋克人, 井上直久,森篤史 シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス
学術雑誌名 ページ 発行年
真空 42 3 349-352 2000

全著者名 論文名
T.Higashino, K.Tanahashi, N.Inoue, A.Mori Dependence of temperature gradient and heat balance in CZ silicon
学術雑誌名 ページ 発行年
Vacuum (Journal of The Vacuum Society of Japan) 42 3 349-352 2000

全著者名 論文名
Minya Ma, Toshiharu Irisawa, Toshihide Tsuru, Tomoya Ogawa, Masahito Watanabe, and Minoru Eguchi Study on defects in CZ-Si crystals grown by normal, cusp magnetic field and electromagnetic field techniques using multi-chroic infrared light scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 218 2-4 232-238 2000

全著者名 論文名
Minya Ma, Nobuhide Nango, Tomoya Ogawa, Masahito Watanabe, and Minoru Eguchi Study on defects in EMCZ-Si crystal by infrared light scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 208 1-4 282-288 2000

全著者名 論文名
Toshihide Tsuru, Kazufumi Sakai, Minya Ma, and Tomoya Ogawa Measurement of stress near dislocation walls in a ZnSe single crystal by Raman scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 1-10 5977-5980 2000

全著者名 論文名
J. Kang and T. Ogawa, Lattice images of dislocations with edge components in GaN epilayers grown on Al2O3 substrates,
学術雑誌名 ページ 発行年
J. of Crystal Growth 210 ??? 157-161 2000

全著者名 論文名
Y. Yukawa, T. Tsuru. K. Sakai and T. Ogawa, Relation between light scattered intensity and Raman shift in neighborhood of dislocation walls in ZnSe crystals
学術雑誌名 ページ 発行年
J. of Crystal Growth 210 ??? 234-237 2000

全著者名 論文名
T. Tsuru and T. Ogawa Defects in flux and Czochralski grown BaB2O4 crystals observed by light scattering tomography,
学術雑誌名 ページ 発行年
J. of Crystal Growth 216 ??? 352-358 2000

全著者名 論文名
T. Tsuru, K. Sakai, M. Ma and T. Ogawa, Measurement of stress near dislocation walls in a ZnSe single crystal by Raman scattering tomography,
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys., 39 ??? 5977-5980 2000

全著者名 論文名
S. Ibuka and M. Tajima Characterization of silicon-on-insulator wafers by photoluminescence decay lifetime measurement
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. (Express Letter) 39 11B L1124-L1126 2000

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, and Masataka Umeno Characterization of SOI Wafers by X-ray CTR Scattering
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 210 ??? 98-101 2000

全著者名 論文名
Noriko Akutsu and Yasuhiro Akutsu Statistical mechanical calculation of anisotropic step stiffness of a two-dimensional hexagonal lattice-gas model with next-nearest-neighbour interactions: application to Si(111) surface
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys.: Condens. Matter 11 ??? 6635-6652 1999

全著者名 論文名
入澤寿美、松本喜以子、有馬義康 2成分系A-B型結晶の2次元核形成過程シミュレーション
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 26 1 24-30 1999

全著者名 論文名
T. Irisawa, K. Matsumoto, Y. Arima Monte Carlo simulation of two-dimensional nucleation process of stoichiometric A-B crystal
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese association for crystal growth 26 1 24-30 1999

全著者名 論文名
Atsushi Mori Molecular Theoretical Study of Crystal-Melt Interface: Interfacial Tension and Boundary between Activation- and Activationless-Growth Regimes
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 68 8 2642-2647 1999

全著者名 論文名
Jin-Song Li and Kazumi Nishioka Generalized kinetic potential and mechanism of the ridge crossing in binary nucleation
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 198/199 ??? 27-31 1999

全著者名 論文名
Atsushi Mori and Igor L. Maksimov On the Temkin model of solid-liquid interface
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 200 1-2 297-304 1999

全著者名 論文名
Lev N. Balykov, Masao Kitamura, Igor L. Maksimov, and Kazumi Nishioka Growth and dissolution kinetics of step structure
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 198/199 ??? 32-37 1999

全著者名 論文名
Atsushi Mori Erratum: Hydrodynamics consideration on the steady-state motion of a solid/liquid interface
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Chem. Phys. 111 7 3313-3313 1999

全著者名 論文名
Masaaki Sanada, Nobuyuki Donkai, and Kazumi Nishioka Numerical Analysis of the Nucleation Process for Metallic Clusters in the Ionized Cluster Beam Technique
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 6A-1 3742-3746 1999

全著者名 論文名
Igor. L. Maksimov and Kazumi Nishioka Kinetical runaway in nucleation
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Lett. A 264 ??? 51-56 1999

全著者名 論文名
Jin-Song Li, Kazumi Nishioka Direction of the steady state nucleation flux in the whole size space for binary systems
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Chem. Phys. 110 12 5866-5872 1999

全著者名 論文名
Kazumi Nishioka, Atsushi Mori, Kaoru J. Takano, Yoshihito Kaishita, and Shingo Narimatsu Pressure-dependence of the interface tension of a critical nucleus in the binary-ideal solution
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 200 3-4 592-598 1999

全著者名 論文名
Masaaki Sanada, Igor L. Maksimov, and Kazumi Nishioka Transient kinetics of the runaway nucleation
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 198/199 ??? 67-70 1999

全著者名 論文名
Atsushi Mori Hydrothermodynamics consideration on the steady-state motion of a solid/liquid interface
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Chem. Phys. 4-19 16 8679-8686 1999

全著者名 論文名
Atsushi Mori Steady-State Interface Motion: Formulation Extended to the Isothermal Case
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 68 3 876-880 1999

全著者名 論文名
真田昌昭, Igor L. Maksimov 核生成理論における臨界核の概念
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 26 1 2-6 1999

全著者名 論文名
Masaaki Sanada Concept of the Critical Nucleus in Nucleation Theory
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Jpn. Assoc. Cryst. Growth 26 1 2-6 1999

全著者名 論文名
森 篤史 固液界面の分子論
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 26 1 16-23 1999

全著者名 論文名
Atsushi Mori On the Molecular Theoretical Study of the Solid-Liquid Interface
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Jpn. Assoc. Cryst. Growth 26 1 16-23 1999

全著者名 論文名
A.Natori, D.Nakamura Magnetic-Field Induced Transitions of Many-Electron States in Quantum Dots
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn.J.Appl.Phys. 38 ??? 380-383 1999

全著者名 論文名
A.Natori, T.Kawabe Stability of anisotropic missing dimer clusters on Si(001) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf.Sci. 433-435 ??? 600-604 1999

全著者名 論文名
A.Natori, H.Harada Surface melting of vicinal Si(111) surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf.Sci. 438 ??? 162-172 1999

全著者名 論文名
M. Sato and M. Uwaha Growth of Step Bunches Formed by the Drift of Adatoms
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 442 2 318-328 1999

全著者名 論文名
Y. Saito Clustering and Devil's Staircase in a One-Dimensional Adsprbate System
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 68 10 3320-3327 1999

全著者名 論文名
Y. Saito Dynamics of Step Fluctuation Width in a Step Train
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 68 11 3505-3508 1999

全著者名 論文名
M. Sato and M. Uwaha Change of Wandering Pattern with Anisotropy in Step Kinetics
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 198/199 1 38-42 1999

全著者名 論文名
X. Feng, E. Brener, D. Temkin, Y. Saito and H. Mueller-Krumbhaar Creep Motion of a Solidification Front in a Two-Dimensional Binary Alloy
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. E 59 1 512-527 1999

全著者名 論文名
M. Sato and M. Uwaha Pattern Formation in the Instability of a Vicinal Sirface by the Drift of Adatoms
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. E 60 6 7120-7125 1999

全著者名 論文名
佐藤正英, 上羽牧夫 平面界面の不安定化への結晶の異方性の効果
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 26 1 31-39 1999

全著者名 論文名
Masahide Sato and Makio Uwaha Effect of Crystal Anisotropy on Instabilities of Flat Interfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 26 1 31-39 1999

全著者名 論文名
佐藤正英,上羽牧夫 表面原子のドリフトによるステップのバンチング
学術雑誌名 ページ 発行年
表面科学 (日本表面科学会誌) 20 12 824-829 1999

全著者名 論文名
Masahide Sato and Makio Uwaha Step bunching Induced by the Drift of Adatoms
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of The Surface Science Society of Japan 20 12 824-829 1999

全著者名 論文名
Takao Yamamoto Harmonically-Interacting Step Approach to the Relaxation Process of Vicinal Surface. II. The Relaxation Process Induced by the Step-Edge Diffusion
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 68 9 pp.2977-2984 1999

全著者名 論文名
A. Koukitu, T. Taki, K. Narita, H. Seki In situ monitoring of arsenic desorption on GaAs (111)B surface in atomic layer epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 198/199 ??? 1111-1118 1999

全著者名 論文名
A. Koukitu, Y. Kumagai, T. Taki and H. Seki Halogen-Transport Atomic-Layer Epitaxy of Cubic GaN Monitored by In Situ Gravimetric Method
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 9A 4980-4982 1999

全著者名 論文名
A. Koukitu, Y. Kumagai, N. Kubota and H. Seki Thermodynamic Analysis on the MOVPE Growth of Nitride Semiconductors Using Hydrazine
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Stat. Sol. (b) 216 ??? 707-712 1999

全著者名 論文名
A. Koukitu, T. Taki, N. Takahashi, H. Seki Thermodynamic study on the role of hydrogen during the MOVPE growth of group III nitrides
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 197 ??? 99-105 1999

全著者名 論文名
S. Abe, K. Yamashita, Y. Nakashima, S. Ohkubo, T. Kita, H. Nakayama, T. Nishino, H. Yanagi and H. Ohta Auger electron spectroscopy of super-doped Si:Mn thin films
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 142 ??? 537-542 1999

全著者名 論文名
T. Ohachi,J. M. Feng, K. Uwani, M. Uwani, M. Tateuchi, P. O. Vaccaro and K. Fujita MBE growth of AlGaAs/GaAs heterostructure and silicon doping on GaAs (n11)A (n=1-4) substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 201/202 ??? 226-231 1999

全著者名 論文名
K Koizumi, P. O. Vaccaro, K Fujita, M Tateuchi, and T. Ohachi Lateral Wet Oxidation of AlAs Layer in GaAs/AlAs Heterostractures Grown by MBE on GaAs (n11)A Substrate
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 198/199 ??? 1136-1140 1999

全著者名 論文名
P. O. Vaccaro, K. Koizumi,K. Fujita and T. Ohachi AlAs oxidation process in GaAs/AlGaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs(n11)A substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
Microelectronics J. 30 ??? 387-391 1999

全著者名 論文名
J. M. Feng, M. Tateuchi, K. Asai, M. Uwani, P. O. Vaccaro, K. Fujita and T. Ohachi Optical transitions of GaAs/Al0.35Ga0.65 asymmetric double quantum wells grown on GaAs(n11)A (n <= 4 ) substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
Microelectronics J. 30 ??? 433-437 1999

全著者名 論文名
T. Ohachi, J. M. Feng, K. Asai, M. Uwani, M. Tateuchi, P. O. Vaccaro, and K. Fujita Arsenic vapor pressure dependence of surface morphology and silicon doping in molecular beam epitaxial grown GaAs (n11)A (n =1- 4 ) substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
Microelectronics J. 30 ??? 471-477 1999

全著者名 論文名
K.Tanahashi and N.Inoue Nonequilibrium thermodynamic analysis on the behavior of point defects in growing silicon crystals: effects of stress
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of. Materials Science, Materials in Electronics 10 ??? 359-363 1999

全著者名 論文名
棚橋克人, 菊池道真, 井上直久 シリコン結晶中の空洞欠陥の熱処理による消滅機構
学術雑誌名 ページ 発行年
真空 42 3 485-488 1999

全著者名 論文名
K.Tanahashi, M.Kikuchi, N.Inoue Annihilation mechanism by heat-treating void defect in silicon crystal
学術雑誌名 ページ 発行年
Vacuum (Journal of The Vacuum Society of Japan) 42 3 485-488 1999

全著者名 論文名
菊池通真, 井上直久, 棚橋克人 シリコン結晶中の点欠陥形成に対する不純物原子の応力効果
学術雑誌名 ページ 発行年
真空 42 3 349-352 1999

全著者名 論文名
M.Kikuchi, N.Inoue, K.Tanahashi Effect of stress by impurites on grown-in defects in silicon
学術雑誌名 ページ 発行年
Vacuum (Journal of The Vacuum Society of Japan) 42 3 349-352 1999

全著者名 論文名
井上直久、棚橋克人、森篤史 CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動ー応力・不純物の効果、表面と界面、温度の勾配ー
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 26 5 242-249 1999

全著者名 論文名
N. Inoue, K. Tanahashi, A. Mori Point defect behavior in growing silicon crystals
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 26 5 242-249 1999

全著者名 論文名
Minya Ma, Tomoya Ogawa, Masahito Watanabe, and Minoru Eguchi Study on defects in CZ-Si crystals grown under three different cusp magnetic fields by infrared light scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 205 1-2 50-58 1999

全著者名 論文名
Minya Ma, Toshihide Tsuru, Tomoya Ogawa, Zhenhong Mai, Chaoying Wang, Jiangong Guo, Xucun Ma, and E G Wang Observation of defects in a C3N4/diamond/Si structure by infrared light scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Condens. Matter 11 ??? L191-L197 1999

全著者名 論文名
J. Kang and T. Ogawa, Materials in nano-pipes of undoped GaN,
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Mater. Res. 14 ??? 1-3 1999

全著者名 論文名
Y. Yukawa, K. Sakai, T. Ogawa Measurement of stress distribution inside crystals by multi-channel Raman scattering tomography
学術雑誌名 ページ 発行年
Solid State Electronics 43 7 1195-1199 1999

全著者名 論文名
T. Ogawa and M. Ma, Nucleation and growth of vacancy agglomeration in CZ silicon crystals,
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Korean Association of Crystal Growth, 9 ??? 286-288 1999

全著者名 論文名
J. Kang, Q. Huang and T. Ogawa, Evidence of the precipitates in the v-shape defects of undoped GaN,
学術雑誌名 ページ 発行年
Chinese Physics Letters 16 ??? 47-49 1999

全著者名 論文名
N. Nango, S. Iida and T. Ogawa, An optical study on dislocation clusters in a slowly pulled silicon crystal,
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 86 ??? 6000-6004 1999

全著者名 論文名
J. Kang and T. Ogawa: Yellow luminescence from precipitates in GaN epilayers,
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Phys. A 69 ??? 631-635 1999

全著者名 論文名
康俊勇、黄啓聖、小川智哉、 GaN外延層中的欠陥研究、
学術雑誌名 ページ 発行年
物理学報、 48 ??? 1372-1380 1999

全著者名 論文名
Junyoun Kang, Qisheng Huang and Tomoya Ogawa, Defects in GaN epilayers
学術雑誌名 ページ 発行年
Acta Physica Sinica 48 ??? 1372-1380 1999

全著者名 論文名
康俊勇、黄啓聖、小川智哉、 GaN外延層中的欠陥対光学性質影向、
学術雑誌名 ページ 発行年
発光学報、 20 ??? 29-31 1999

全著者名 論文名
Junyong Kang, Qisheng Huang and Tomoya Ogawa, Influence of defects on the optical properties on GaN epilayers
学術雑誌名 ページ 発行年
Chinese Journal of luminescence 20 ??? 29-31 1999

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Riho Ejiri, and Masataka Umeno Ordered Structure in Buried Oxide Layers of SOI Wafers
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 Suppl.38-1 297-300 1999

全著者名 論文名
Noriko Akutsu and Yasuhiro Akutsu Thermal evolution of step stiffness on the Si(001) surface: Temperature-rescaled Ising-model approach
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 57 8 ??? R4233-R4236 1998

全著者名 論文名
Jin-Song Li and Kazumi Nishioka Steady state nucleation-flux profile in binary systems
学術雑誌名 ページ 発行年
Chem. Phys. Lett. 295 ??? 211-216 1998

全著者名 論文名
Lev N. Balykov, Masao Kitamura, Igor L. Maksimov, and Kazumi Nishioka Kinetics of non-equilibrium step structure
学術雑誌名 ページ 発行年
Phil. Mag. Lett. 78 5 411-418 1998

全著者名 論文名
Jin-Song Li, Kazumi Nishioka, and Igor L. Maksimov Generalized kinetic potential in binary nucleation
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. E 58 6-B 7580-7586 1998

全著者名 論文名
A.Natori, Y.Takase and K.Natori Magnetoconductance of a Rectangular Atomic Loop
学術雑誌名 ページ 発行年
Solid State Electronics 42 ??? 1109-1114 1998

全著者名 論文名
A.Natori, M.Murayama, D.Matsumoto and H.Yasunaga Decay Process of a Crater/Hillock and Step Structure Transformation
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf.Sci. 409 ??? 160-170 1998

全著者名 論文名
A.Natori, K.Toda, A.Tanaka and H.Yasunaga Interface Atomic Structures in Alkali Halides Heteroepitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl.Surf.Sci. 130-132 ??? 616-622 1998

全著者名 論文名
A.Natori, R.Nishiyama and H.Yasunaga Stability of Ordered Missing-Dimer Structures and the Ordering Dynamics on Si(001)
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf.Sci. 397 ??? 71-83 1998

全著者名 論文名
Y. Saito and H. Mueller-Krumbhaar Strain Effect on Eden Model
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 67 11 3661-3663 1998

全著者名 論文名
M. Sato and M. Uwaha Hierarchical Bunching of Steps in a Conserved System
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 67 11 3675-3678 1998

全著者名 論文名
M. Uwaha Anisotropy Effect on the Flow-Induced Instability of the Solid-Superfluid Interface
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Low Temp. Phys. 111 1-2 37-48 1998

全著者名 論文名
O. Pierre-Louis, C. Misbah, Y. Saito, P. Politi and J. Krug New Nonlinear Evolution Equation for Steps during MBE on Vicial Surfaces
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. Lett. 80 19 4221-4224 1998

全著者名 論文名
M. Sato M. Uwaha and Y. Saito Control of Chaotic Wandering of an Isolated Step by the Drift of Adatoms
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. Lett. 80 19 4233-4236 1998

全著者名 論文名
X. Feng, E. Brener, D. Temkin, Y. Saito and H. Mueller-Krumbhaar Solidification in a One-Dimensional Model for a Disordered Binary Alloy under Diffusion
学術雑誌名 ページ 発行年
Euro. Phys. J. B 5 3 663-669 1998

全著者名 論文名
M. Uwaha and M. Sato Wandering and Bunching Instabilities of Steps Described by Nonlinear Evolution Equations
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Rev. Lett. 5 3 841-849 1998

全著者名 論文名
上羽牧夫,佐藤正英 原子ステップによるメゾスコピックパターン形成
学術雑誌名 ページ 発行年
日本物理学会誌 53 9 673-680 1998

全著者名 論文名
Masahide Sato and Makio Uwaha Mesoscopic Pattern formation of Atomic Steps
学術雑誌名 ページ 発行年
Butsuri(Bulletin of The Physical Society of Japan) 53 9 673-680 1998

全著者名 論文名
Takao Yamamoto Harmonically-Interacting Step Approach to the Relaxation Process of Vicinal Surface. I. The Relaxation Process Induced by the Attachment-Detachment Mechanism
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys.Soc. Jpn. 67 7 2335-2345 1998

全著者名 論文名
Etsuro Yokoyama, Koichi Okada and Katsuo Tsukamoto Precise visualization of non-steady state concentration field around a growing crystal in solution
学術雑誌名 ページ 発行年
Forma 13 ??? 363-374 1998

全著者名 論文名
A. Koukitu and H. Seki Thermodynamic study on phase separation during MOVPE growth of InxGa1-xN
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 189/190 ??? 13-18 1998

全著者名 論文名
N. Takahashi, J. Ogasawara and A. Koukitu Vapor Phase Epitaxy of InN Using InCl and InCl3 Sources
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 172 ??? 298-302 1998

全著者名 論文名
N. Takahashi, N. Matsumoto, A. Koukitu and H. Seki Vapor-phase epitaxy of InxGa1-xN using chloride sources
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 189/190 ??? 37-41 1998

全著者名 論文名
N. Takahashi, N. Takeda, A. Koukitu and H. Seki Growth of a NdBaCuO Superconducting Thin Film on a MgO Substrate by Mist Microwave-Plasma Chemical Vapor Deposition Using a CeO2 Buffer Layer
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 37 ??? 379-381 1998

全著者名 論文名
T. Taki, T. Nakajima, A. Koukitu and H. Seki Substitution reaction of surface adsorbed P atoms to As atoms in the GaP/GaAs atomic layer epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 183 ??? 75-80 1998

全著者名 論文名
A. Koukitu, S. Hama, T. Taki and H. Seki Thermodynamic Analysis of Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 37 ??? 762-765 1998

全著者名 論文名
T. Taki and A. Koukitu In Situ Optical Monitoring of Hydrogen Chemisorption on the GaAs (111) B Ga Surface
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 37 ??? 766-770 1998

全著者名 論文名
N. Takahashi, A. Koukitu and H. Seki Crystallinity and Superconducting Properties of YBaCuO Thin Films on NdGaO3 Substrate Prepared by Mist Microwave-Plasma CVD
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Material Science Letters 17 ??? 877-879 1998

全著者名 論文名
T. Taki, K. Narita, A. Koukitu and H. Seki Investigation of Arsenic Desorption from GaAs(111)B Surface in Atmospheric Pressure Atomic Layer Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 37 ??? L1367-L1369 1998

全著者名 論文名
纐纈 明伯, 関 壽 窒化物半導体気相成長エピタキシーの熱力学
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 25 ??? 81-98 1998

全著者名 論文名
A. Koukitu and H. Seki Thermodynamic Study on Vapor Phase Epitaxy of Nitride Semiconductors
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese association for crystal growth 25 ??? 81-98 1998

全著者名 論文名
S. Abe, H. Nakayama, T. Nishino and S. Iida Valence state analysis of Ca and Si in CaSi2 during CaSi2-H2O reaction
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Mater. Res 13 5 1401-1404 1998

全著者名 論文名
M. Ozawa, P.O. Vaccaro, K. Fujita and T.Ohachi Lateral p-n Jnction Light Emitting Diodes Grown by MBE on GaAs(111)A and (311)A patterned substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
The Science and Engineering Review of Doshisha University 39 ??? 67-71 1998

全著者名 論文名
浜田利和、溝川悠介、応文標、棚橋克人、上浦良友、井上直久 高濃度リンドープシリコンの表面のAFM観察
学術雑誌名 ページ 発行年
表面科学 19 10 624-628 1998

全著者名 論文名
T.Hamada, Y.Mizokawa, W.B.Ying, K.Tanahashi, Y.Kamiura, N.Inoue Observasion of Heavily Phosphorus-Doped Silicon Surfaces by Atomic Force Microscope
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of The Surface Science Society of Japan 19 10 624-628 1998

全著者名 論文名
棚橋克人,井上直久,溝川悠介 シリコン結晶中の成長時導入欠陥の巨視的分布の発生
学術雑誌名 ページ 発行年
真空 41 3 104-107 1998

全著者名 論文名
K.Tanahashi, N.Inoue, Y.Mizokawa Point defect concentration in a growing silicon crystal
学術雑誌名 ページ 発行年
Vacuum (Journal of The Vacuum Society of Japan) 41 3 104-107 1998

全著者名 論文名
J. Kang and T. Ogawa, Precipitates in GaN epilayers grown on sapphire substrates,
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Mater. Res. 13, ??? 2100-2104, 1998

全著者名 論文名
S. Kawai and T. Ogawa, Second-harmonic generation from needlelike ferroelectric domains in Sr0.6Ba0.4Nd2O6 single crystsals
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Phys. Let., 73 ??? 59-61 1998

全著者名 論文名
S. Kawai and T. Ogawa, Second-harmonic generation from needlelike ferroelectric domains in SBN:609 single crystsals,
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Phys. Let., 73 ??? 768-770 1998

全著者名 論文名
S. Ibuka, M. Tajima, M. Saito, J. Jablonski, M. Warashina and K. Nagasaka Photoluminescence due to degenerate electron-hole system in silicon-on-insulator wafers under ultraviolet light excitation
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1 141-145 1998

全著者名 論文名
M. Tajima and S. Ibuka Luminescence due to electron-hole condensation in silicon-on-insulator
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 84 4 2224-2228 1998

全著者名 論文名
M. Tajima, A. Ogura, T. Karasawa and A. Mizoguchi Defect analysis in bonded and H+ split silicon-on-insulator wafers by photoluminescence spectroscopy and transmission electron microscopy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. (Express Letter) 37 10B L1199-L1202 1998

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Hiroo Sensui, and Masataka Umeno Effects of the Substrate Crystals upon the Structure of Thermal Oxide Layers on Si
学術雑誌名 ページ 発行年
Cryst. Res. Technol. 38 4 637-642 1998

全著者名 論文名
Noriko Akutsu and Yasuhiro Akutsu Step stiffness and equilibrium island shape of Si(100) surface: statistical-mechanical calculation by the imaginary path weight random-walk method
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 376 ??? 92-98 1997

全著者名 論文名
A.Natori, Y.Sugimoto and M.Fujito Magnetic Field Effects on Anisotropic Quantum Dots
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn.J.Appl.Phys. 36 ??? 3960-3963 1997

全著者名 論文名
M. Sato and M. Uwaha Kinematical Bound States of Steps Caused by Asymmetry in Step Kinetics
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 66 4 1054-1062 1997

全著者名 論文名
K. Nishino, M. Uwaha and Y. Saito Power Law Behavior of the Step Roughening with Surface Diffusion
学術雑誌名 ページ 発行年
Surf. Sci. 374 ??? 291-297 1997

全著者名 論文名
S. Miyashita, Y. Saito and M. Uwaha Experimental Evidence of Dynamical Scaling in a Two-Dimensional Fractal Growth
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 66 4 929-932 1997

全著者名 論文名
佐藤正英, 上羽牧夫 表面拡散場中での原子ステップの不安定化
学術雑誌名 ページ 発行年
日本結晶成長学会誌 24 1 47-61 1997

全著者名 論文名
Masahide Sato and Makio Uwaha Instabilities of Atomic Steps in a Surface Diffusion Field
学術雑誌名 ページ 発行年
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 24 1 47-61 1997

全著者名 論文名
Hidetoshi Miike, Tatsunari Sakurai, Atsushi Osa and Etsuro Yokoyama Observation of two-dimensional Brownian motion by microscope image sequence processing
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys. Soc. Jpn. 66 ??? 1647-1655 1997

全著者名 論文名
Tatsunari Sakurai, Etsuro Yokoyama and Hidetoshi Miike Propagation of surface deformation coupled with convection waves under the excitation of a chemical wave train
学術雑誌名 ページ 発行年
Phy. Rev. E 56 ??? R2367-R2370 1997

全著者名 論文名
N. Takahashi, R. Matsumoto, A. Koukitu and H. Seki Growth of GaN on GaAs(111)B by Metalorganic Hydrogen Chloride VPE Using Double Buffer Layer
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? 1133-1135 1997

全著者名 論文名
A. Koukitu, N. Takahashi and H. Seki Thermodynamic Study on Metalorganic Vapor-Phase Epitaxial Growth of Group III Nitrides
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? 1136-1138 1997

全著者名 論文名
T. Taki, A. Koukitu Atomic layer epitaxy of GaAs using GaBr and GaI sources
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 112 ??? 127-131 1997

全著者名 論文名
A. Koukitu, N. Takahashi, T. Taki and H. Seki Thermodynamic analysis of the MOVPE growth of InxGa1-xN
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 170 ??? 306-311 1997

全著者名 論文名
N. Takahashi, A. Koukitu and H. Seki Growth of NdBaCuO Superconducting Thin Films using Mist Microwave-Plasma Chemical Vapor Deposition with Dual Sources
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? 553-555 1997

全著者名 論文名
N. Takahashi, R. Matsumoto, A. Koukitu and H. Seki Vapor Phase Epitaxy of InxGa1-xN Using InCl3, GaCl3 and NH3 Sources
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? 601-603 1997

全著者名 論文名
A. Koukitu and T. Taki In situ monitoring of hydrogen adsorption on (001) Ga surface in GaAs atomic layer epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 112 ??? 63-68 1997

全著者名 論文名
N. Takahashi, R. Matsumoto, A. Koukitu and H. Seki Growth of InN at High Temperature by Halide Vapor Phase Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? 743-745 1997

全著者名 論文名
A. Koukitu and H. Seki Thermodynamic Analysis on Molecular Beam Epitaxy of GaN, InN and AlN
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? L750-L753 1997

全著者名 論文名
E. Kulatov, H. Nakayama and H. Ohta The influence of the stacking sequence on the electronic structure and optical properties of CaSi2
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Phys.: Condens. Matter 9 ??? 10159-10171 1997

全著者名 論文名
S. Abe, H. Nakayama, T. Nishino, and S. Iida Auger valence electron spectra in Ca-silicides
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Mat. Res. 12 2 407-411 1997

全著者名 論文名
K. Yamashita, T. Kita, H. Nakayama, and T. Nishino Photoluminescence from metastable states in long-range ordered (Al0.5Ga0.5)0.51In0.49P
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Rev. B 55 7 4411-4416 1997

全著者名 論文名
S. Abe, H. Nakayama, T. Nishino and S. Iida Valence-electron spectral change and charge transfer mechanism on CaSi2 during CaSi2-H2O reaction
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 113/114 ??? 562-566 1997

全著者名 論文名
H. Nakayama, A. Furuichi, T. Kita and T. Nishino Stochastic growth theory of molecular beam epitaxy with atom correlation effects, A Monte-Carlo master equation method
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Surf. Sci. 113/114 ??? 631-637 1997

全著者名 論文名
K. Sakai, T. Ogawa Fourie-transformed light-scattering tomography for determination of scatter shapes
学術雑誌名 ページ 発行年
Meas. Sci. Technol. 8 ??? 1090-1094 1997

全著者名 論文名
J. Kang and T. Ogawa, Misfit dislocations and stresses in GaN epilayers
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Phys. Let. 71 ??? 2304-2306 1997

B.国際会議発表論文(International Conferences)
全著者名 論文名
I. Okubo, H. Harada, T. Mikayama, D. Funao and N. Inoue Analysis of localized vibration of nitrogen complexes in CZ silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
EMRS 2002 Spring Meeting Strasbourg ??? ??? 2002

全著者名 論文名
M. Tajima and S. Ibuka Characterization of SOI wafers by photoluminescence (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
9th Internat. Symp. Silicon Materials Science and Technology Philadelphia ??? ??? 2002

全著者名 論文名
M. Uwaha Shape Relaxation of Islands (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Japan-Netherlands Joint Symposium on Crustal Growth: Theory and In-Situ Measurements Akiu ??? ??? 2002

全著者名 論文名
N. Inoue Quantification of nitrogen concentration in CZ silicon by IR spectroscopy (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Electrochem. Soc. 2002 Fall Meeting Salt Lake City ??? ??? 2002

全著者名 論文名
N. Inoue, H. Harada, S. Uda and I. Ohkubo Thermodynamic analysis on the distribution coefficient of impurities in Czochralski silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
EMRS 2002 Spring Meeting Strasbourg ??? ??? 2002

全著者名 論文名
N.Inoue, K.Shingu and K.Masumoto Measurement of nitrogen concentration in silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
9th Int. Symp. Silicon Materials Sci. & Technol.. May Philadelphia ??? ??? 2002

全著者名 論文名
T. Matsumoto, D. Funao, Y. Yamanaka and N. Inoue Infrared absorption measurement of nitrogen concentration in CZ-Si crystal
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
EMRS 2002 Spring Meeting Strasbourg ??? ??? 2002

全著者名 論文名
A. Ichimiya, K. Hayashi, E. D. Williams, T. L. Einstein and M. Uwaha Formation and Decay Processes of Silicon Mounds on Si(111) Surfaces (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
IUVSTA 15th International Vacuum Congress/AVS 48th International Symposium/11th International Conference on Solid Surfaces San Francisco(USA) ??? ??? 2001

全著者名 論文名
A.Natori, S. Ohnuma, N. H. Quang Charged magnetoexcitons in parabolic quantum dots
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Conf. Phys. of Semicond. Osaka ??? 1297-1298 2001

全著者名 論文名
Futoshi Shirazawa, Atsushi Mori, and Naohisa Inoue Molecular Dynamics Simulation of Crystal/Melt Interface in Temperature Gradient
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 13th Int. Conf. on Crystal Growth (ICCG-13/ICVGE-11) Kyoto, Japan 04a-K32-06 500-500 2001

全著者名 論文名
H. Harada , I.Ohkubo, T. Mikayama Y. Yamanaka. and N. Inoue Valence force field analysis on nitrogen in silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
21st Int. Conf. Defects in Semiconductors Giessen (Germany) PA14 119-119 2001

全著者名 論文名
H. Murakami, C. Fujiwara, Y. Matsuo, Y. Kumagai, H. Seki, A. Koukitu Influence of Substrate Orientation on the Growth of Low-Temperature GaN Buffer Layers between GaAs (111)A and (111)B Substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13) Kyoto 02a-SB2-06 304 2001

全著者名 論文名
H. Nakayama  and E. Kulatov Growth and Properties of Super-Doped Semiconductors: Si:Mn and GaN:Mn
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. 6th International Symposium on Advanced Physical Fields; Growth of Well-Defined Nanostructures Tsukuba ??? 28-32 2001

全著者名 論文名
H. Uemura, Y. Saito and M. Uwaha Elastic Interaction in 2D Discrete Lattice Models and Equilibrium Crystal Shapes
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 13th International Conference on Crystal Growth Kyoto 31p-K25-12 51 2001

全著者名 論文名
K. Motoki, T. Okahisa, N. Matsumoto, H. Kimura, H. Kasai, K. Takemoto, K. Uematsu, S. Nakahata, M. Ueno, Y. Kumagai, A. Koukitu, and H. Seki Growth and Characterization of Freestanding GaN substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13) Kyoto 02a-SB2-02 302 2001

全著者名 論文名
K. Tanahasi, H. Harada, A. Koukitsu and N. Inoue Modeling of point defect behavior by the stress due to impurity doping in growing silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
21st Int. Conf. Defects in Semiconductors Giessen (Germany) PA88 182-182 2001

全著者名 論文名
M. Mayumi, F. Satoh, Y. Kumagai, K. Takemoto and A. Koukitu Influence of Polarity on Surface Reaction between GaN{0001} and Hydrogen
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) Denver P9.5 42 2001

全著者名 論文名
M. Mayumi, F. Satoh, Y. Kumagai, K. Takemoto and A. Koukitu Influence of Lattice Polarity on Wurzite GaN {0001} Decomposition Studied by in situ Gravimetric Monitoring Method
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13) Kyoto 03a-SB2-25 424 2001

全著者名 論文名
M. Sato, M. Uwaha and Y. Saito Step Bunching Induced by Drift of Adatoms with Anisotropic Surface Diffusion
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 13th International Conference on Crystal Growth Kyoto 04a-K25-02 491 2001

全著者名 論文名
M. Tajima Characterization of silicon-on-insulator wafers by photoluminescence under UV light excitation (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th Internat. Conf. Crystal Growth Kyoto 02a-S21-8 ??? 2001

全著者名 論文名
M. Tajima, S. Ibuka and S. Arai Condensate luminescence under ultraviolet excitation : Application to the study of ultrathin SOI layers (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
9th Internat. Conf. Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors Rimini S2-1 ??? 2001

全著者名 論文名
M. Uwaha Surface Step Dynamics I : Basic Concepts, Theory and Simulation (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 11th International Summer School on Crystal Growth Kitakomatsu L6 ??? 2001

全著者名 論文名
M.Murayama, T. Nakayama, A.Natori Dual Au-Si bonding character and Au surfactant effect on Au/Si(111) surfaces
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Conf. Phys. of Semicond. Osaka ??? 341-342 2001

全著者名 論文名
Makot Itoh and Takahisa Ohno Atomic-scale Monte Carlo study of GaAs(001)-(2x4) growth on vicinal surfaces
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Surf. Sci ??? 493 430-437 2001

全著者名 論文名
N. Inoue Nitrogen in silicon(Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. Forum Sci. & Technol.Silicon Materials Kanagawa Kanagawa B 32-40 2001

全著者名 論文名
N. Kasae, A. Mori, B. B. Laird, Y. Kangawa, T. Ito, and A. Koukitu Monte Calro Simulation Study on Alloy Phase Diagram of InGaN Thin Film on Substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13) Kyoto 03a-SB2-24 423 2001

全著者名 論文名
Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, Brian B. Laird, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, and Akinori Koukitu Monte Carlo Simulation Study on Alloy Phase diagram of InGaN Thin film on Substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 13th Int. Conf. on Crystal Growth (ICCG-13/ICVGE-11) Kyoto, Japan 03a-SB2-24 423-423 2001

全著者名 論文名
Noriko Akutsu, Yasuhiro Akutsu and Takao Yamamoto Statistical Mechanics of Vicinal Surface with Adsorption (Invited )
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Thirteenth International Conference on Crystal Growth Kyoto, Japan 31p-K25-01 ??? 2001

全著者名 論文名
R. Kato, M. Uwaha and Y. Saito Step Wandering due to the Difference in the Diffusion Coefficient on the Upper and Lower Terraces
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 13th International Conference on Crystal Growth Kyoto 02a-SB1-07 295 2001

全著者名 論文名
S. Ibuka and M. Tajima Characterization of SOI wafers by temporal decay measurement of condensate luminescence
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2001 IEEE International SOI Conference Durango P3 37-38 2001

全著者名 論文名
S. Ibuka, M. Tajima and A. Ogura Characterization of optical lifetime in silicon-on-insulator wafers by photoluminescence decay method
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Material Research Society Symp. San Francisco I9.5 I9.6.1-I9.6.6 2001

全著者名 論文名
S. Miyashita, Y. Saito and M. Uwaha Fractal Aggregation Growth and the Surrounding Diffusion Field
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 13th International Conference on Crystal Growth Kyoto 01p-K25-09 174 2001

全著者名 論文名
T. Hasegawa, A. Koukitu, and Y. Kumagai A Quadratic Convergence Method for MOVPE Thermodynamic Analysis
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13) Kyoto 02a-SB3-16 320 2001

全著者名 論文名
T. Matsumoto, Y. Yamanaka and N. Inoue Measurement of Nitrogen in CZ Silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. Forum Sci. & Technol.Silicon Materials Kanagawa Kanagawa B 63-72 2001

全著者名 論文名
T. Mitate, Y. Sonoda, K. Oki, N. Kuwano, Y. Kumagai, H. Murakami and A. Koukitu Transmission Electron Microscope Analysis of Microstructures in GaN Grown on (111)A and (111)B of GaAs by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor-Phase Epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) Denver P20.21 75 2001

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, Kazunori Fukuda, and Masataka Umeno Existence of an Epitaxially Ordered Phase in the Buried Oxide of SIMOX Wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 9th International Meeting of Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology S.Tecla, Italy ??? 485-490 2001

全著者名 論文名
Y. Kumagai, H. Murakami, H. Seki and A. Koukitu Comparison of GaN Buffer Layers Grown on GaAs (111)A and (111)B Surfaces
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) Denver P9.2 41 2001

全著者名 論文名
Y. Kumagai, K. Takemoto, H. Seki, A. Koukitu Thick and high quality GaN growth on GaAs (111)A surfaces for preparation of freestanding GaN substrates(Plenary Paper, Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Frontier Science Research Conference in Science and Technology of Crystal and Epitaxial Growth (FSRC-2001) La Jolla, California ??? 33-37 2001

全著者名 論文名
Y. Matsuo, Y. Kumagai, T. Irisawa and A. Koukitu Ab initio Calculations of GaN Initial Growth Processes on GaAs(111)A and GaAs(111)B Surfaces
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4) Denver P9.4 41 2001

全著者名 論文名
Y. Matsuo, Y. Kumagai, T. Irisawa and A. Koukitu Comparison of GaN Growth Processes on GaAs (111)A and (111)B Substrates Studied by ab initio Calculation
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13) Kyoto 02a-SB2-08 305 2001

全著者名 論文名
Y. Yamanaka, H. Harada, K. Tanahasi, T. Mikayama, and N. Inoue Infrared absorption analysis of nitrogen in Czochralski silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology Rimini (Italy) ??? 63-68 2001

全著者名 論文名
Yoshinori Furukawa and Etsuro Yokoyama Ice crystal pattern formation under gravity and microgravity conditions
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proceedings of the 1st International Symposium on Microgarvity Research and Applications in Physical Sciences and Biotechnology Sorrento ESP SP-454 465-471 2001

全著者名 論文名
A. Koukitu, Y. Kumagai and H. Seki Thermodynamic Analysis of the MOVPE Growth of InAlN
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Third International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED 2000) Berlin, Germany ??? 115-120 2000

全著者名 論文名
A. Koukitu, Y. Kumagai and H. Seki Thermodynamic analysis of the MOVPE growth of InGaAlN quaternary alloy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Tenth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE - X) Sapporo We-P39 271 2000

全著者名 論文名
H. Harada , K. Tanahashi , A. Koukitsu , T. Mikayama and N. Inoue Valence force field analysis of nitrogen in silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. Electrochem. Soc. 2000 Fall Meeting “High Purity Silicon Y” Phoenix No.679 97-102 2000

全著者名 論文名
K.Tanahashi , H.Harada, Y.Matsuo, A.Koukitsu and N. Inoue Effect of stress on nitrogen doping in Silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Int. Symp. Adv. Sci. Technol. Silicon Materials Kona(Hawaii) ??? 592-604 2000

全著者名 論文名
M. Tajima, S. Ibuka, J. Takiguchi, A. Mizoguchi and A. Ogura Photoluminescence analysis of annealing process in low-dose SIMOX wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2000 IEEE International SOI Conference Wakefield P6 44-45 2000

全著者名 論文名
M. Uwaha, M. Sato and Y. Saito Drift-Induced Instabilities of Steps in a Vicinal Face---Effect of Step Permeability (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The International Symposium on Surface and Interface---Properties of Different Symmetry Crossing---2000 Nagoya ??? ??? 2000

全著者名 論文名
M. Uwaha, M. Sato and Y. Saito Instabilities of Permeable Steps Induced by the Drift of Adatoms (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Japan-US Seminar on Mesoscopic Phenomena on Surfaces Park City(United Sta ??? ??? 2000

全著者名 論文名
N. Inoue Characterization of grown-in defects in Si crystals-To understand the behavior of point defects and impurities at the growth interface (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Int. Symp. Adv. Sci. Technol. Silicon Materials Kona(Hawaii) ??? 472-483 2000

全著者名 論文名
Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, Tomoichiro Toyama, and Tomonori Ito Searching the Boundary of Immiscbility Region of InGaN Semiconductor Alloy by Monte Carlo Simulations
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 1st Asian Conf. on Crystal Growth and Crystal Technology(IGCT-13) Sendai, Japan T-P-139 573-574 2000

全著者名 論文名
S. Okubo, H. Ohta, Y. Nakashima, H. Nakayama and T. Nishino Magnetooptical investigation of heavily doped Si:Mn
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. of Frontier in Magnetism 99 ??? ??? ??? 2000

全著者名 論文名
T. Ohachi,J. M. Feng, and K. Asai Orientation and Arsenic Pressure Dependence of Ga Desorption from MBE GaAs Substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proceedings of the 4th Symp. Atomic Scale and Interface DynamicsMarch ??? ??? 361-364 2000

全著者名 論文名
T. Yamamoto, Y. Akutsu and N. Akutsu Position Distribution of Steps on Vicinal Surface and Surface Stiffness
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology Sendai, Japan T-P-136 568-568 2000

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, and Masataka Umeno Epitaxially Ordered Structure in the Buried Oxide Layer of SIMOX Wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 4th International Symposium on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface Toronto, Canada ??? 241-249 2000

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, and Masataka Umeno The 3rd SANKEN International Symposium on Advanced Nanoelectronics: Devices, Materials and Computing
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
??? Osaka, Japan P1-15 128-132 2000

全著者名 論文名
Y. Saito Thermal Fluctuation and Morphological Instabilities on Surfaces (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
CECAM Workshop on Growth, Morphology and Magnetic Properties of Epitaxial Metallic Systems Lyon(France) ??? ??? 2000

全著者名 論文名
Y. Yamanaka, K. Tanahashi, T. Mikayama, N. Inoue and A. Mori Nucleation of void defects in CZ silicon
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. Electrochem. Soc. 2000 Fall Meeting “High Purity Silicon Y” Phoenix No.677 77-85 2000

全著者名 論文名
A. Koukitu Thermodynamic Study and Monte Carlo Simulation on Phase Separation during MOVPE Growth of InGaN(Plenary Paper, Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Symposium on Control of Semiconductor Karuizawa ??? ???-??? 1999

全著者名 論文名
A. Koukitu, Y. Kumagai, N. Kubota and H. Seki Thermodynamic Analysis on the MOVPE Growth of Nitride Semiconductors Using Hydrazine
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Third International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS'99) 216 ??? 707-712 1999

全著者名 論文名
Atsushi Mori, Tomonori Ito, Tomoichiro Toyama, and Nobuhide Kasae Computational study of InGaN phase separation
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 2nd International Conference on Advanced Materials Development & Performance Tokushima, Japan ??? 714-717 1999

全著者名 論文名
Ellen D. Williams, K. Thuermer, D.-J. Liu, T.L. Einstein, J. D. Weeks, H. Iwasaki, K. Sudo, A. Ichimiya, K. Hayashi, M. Uwaha, K. Watanabe From Steps to the Meso-Scale: Experimental Observations on Si(111) and (113) (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
International Workshop on Applications and Morphology of Vicinal Surfaces Hildesheim(Germany) ??? ??? 1999

全著者名 論文名
J. M. Feng, K. Asai, and T.Ohachi The Effect of Substrate Orientations and As Pressures on AlGaAs/GaAs Quantum Wells in Moleculear Beam Epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Extended Abstract of the 18th Electronic Materials Symposium, Kii-Shirahama ??? 45-48 1999

全著者名 論文名
J. Ming Feng, C. Hamaguchi, and T. Ohachi Luminescence of AlGaAs/GaAs asymmetric double quantum wells under intense mid-IR radiations, Proceeding of the SPIE Conference on Terahertz and Gigahertz
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
PhotonicsSPIE 3795 ??? 561-567 1999

全著者名 論文名
K. Tanahasi, M. Kikuchi and N. Inoue Concentration of point defects in growing CZ silicon crystal under the internal stress
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
20th Int. Conf. Defects in Semiconductors Berkley ??? ??? 1999

全著者名 論文名
M. Uwaha Effect of Crystal Anisotropy on Wandering Instabilities of a Step (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Sapporo Symposium on Anisotropic Effects in a Crystal Growth Problem and Its Mathematical Analysis Sapporo ??? ??? 1999

全著者名 論文名
M. Uwaha and M. Sato Effect of Anisotropy on Wandering Instabilities of a Step (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Japan-Netherlands Joint Symposium on Crustal Growth: Theory and In-Situ Measurements Zeist(Netherlands) ??? ??? 1999

全著者名 論文名
M.Kikuchi, N.Inoue and K.Tanahashi Point defect generation by the stress due to impurity doping in Si crystal
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Defects in Silicon III (The Electrochemical Society, Pennington, 1999) . Seattle Ab.356 491-498 1999

全著者名 論文名
N. Akustu, Y. Akustu and T. Yamamoto STATISTICAL MECHANICS OF VICINAL SURFACE WITH ADSORPTION
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 3rd Tohwa University International Conference on Statistical Physics Fukuoka, Japan GMT-P9 347-349 1999

全著者名 論文名
N.Inoue, K.Tanahashi and A.Mori Point defect behavior in growing silicon crystal
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. Kazusa Akademia Park Forum on Sci. and Technol. Silicon Materials Chiba ??? 31-39 1999

全著者名 論文名
T. Ohachi , J. M. Feng, M. Tateuchi, K. Asai, M.Uwani, P.O.Vaccaro, and K.Fujita Arsenic Pressure Dependence of Gs Desorption from MBE High Index GaAs Substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proceeding of the Third Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics ??? ??? 201-203 1999

全著者名 論文名
T. Taki, A. Koukitu, H. Seki Investigation of thichness dependence of hexagonal component in cubic GaN film growth on GaAs (001) by MOVPE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Blue Laser and Light Emitting Diodes II Chiba ??? 113-116 1999

全著者名 論文名
T. Yamamoto TWO UNIVERSAL RELATIONS IN RELAXATION PROCESS OF THE VICINAL SURFACE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 3rd Tohwa University International Conference on Statistical Physics Fukuoka, Japan GMPT-P7 341-343 1999

全著者名 論文名
Takayoshi Shimura, Takuji Hosoi, and Masataka Umeno Analysis of Ordered Structure of Buried Oxide Layers in SIMOX Wafers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 9th International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices Seatle, USA ??? 155-160 1999

全著者名 論文名
Y. Kumagai, M. Mayumi, A. Koukitu and H. Seki In situ gravimetric monitoring of halogen transport atomic layer epitaxy of cubic-GaN
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Third International Symposium on the Control of Semiconductor Interface (ISCSI - 3) Karuizawa ??? 427-431 1999

全著者名 論文名
A. Koukitu, T. Taki, K. Narita, H. Seki In situ monitoring of arsenic desorption on GaAs (111)B surface in atomic layer epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Twelfth International Conference on Crystal Growth (ICCG12) Jerusalem, Israel ??? 1111-1118 1998

全著者名 論文名
A. Ogura and M. Tajima Oxygen precipitates and related defects in SOI substrate fabricated by wafer bonding and H+ splitting
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1998 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Hiroshima B-6-4 300-301 1998

全著者名 論文名
Jin-Song Li and Kazumi Nishioka Steady state nucleation-flux profile in binary systems
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 72th ACS Colloid &Surface Science Symposium Pennsylvania, USA ??? ???-??? 1998

全著者名 論文名
K. Kawai, M. Uwaha and K. Nishino Changes of Growth Velocity and Morphlogy with Increasing Supersaturation
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 12th International Conference on Crystal Growth Jerusalem PSI-3-1 196 1998

全著者名 論文名
K.Tanahashi, and N.Inoue Nonequilibrium thermodynamic analysis on the behavior of point defect in growing silicon crystals
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. 2nd Int. Conf. Materials For Microelectronics, pp. 52 Bordeaux ??? 52-52 1998

全著者名 論文名
Lev N. Balykov, Masao Kitamura, Igor L. Maksimov, and Kazumi Nishioka Dynamics of Non-equilibrium Step Structure
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 12th Int. Conf. On Crystal Growth Jerusalem, Israel ??? 176-176 1998

全著者名 論文名
M. Ozawa, P.O. Vaccaro, K. Fujita and T.Ohachi Light Emission from Lateral p-n Jnction (311) A GaAs-AlGaAs Multi Quantum Well on Patterned Substrate by MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Extended Abstract of the 17th Electronic Materials Symposium, ??? ??? 221-222 1998

全著者名 論文名
M. Sato and M. Uwaha Change of Wandering Pattern with the Anisotropy in Step Kinetics
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 12th International Conference on Crystal Growth Jerusalem M01-4 5 1998

全著者名 論文名
M. Sato and M. Uwaha Growth Law of a Step Band in the Bunching by Electric Current
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 12th International Conference on Crystal Growth Jerusalem M01-5 6 1998

全著者名 論文名
M. Tajima and A. Ogura Defect characterization in Unibond wafers by photoluminescence spectroscopy and transmission electron microscopy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1998 IEEE International SOI Conference Stuart 8.2 139-140 1998

全著者名 論文名
M. Uwaha Effect of Crystal Anisotropy on the Flow-Induced Instability of Solid-Superfluid Interface of 4He
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 12th International Conference on Crystal Growth Jerusalem PSI-3-2 196 1998

全著者名 論文名
Y. Matsui and M. Uwaha Nonlinear Effect on the Flow-Induced Instability of Steps in Solution Growth (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 12th International Conference on Crystal Growth Jerusalem M01-2 4 1998

全著者名 論文名
Y. Nakashima, H. Ohta, S. Okubo, T. Arioka, H. Nakayama and T. Nishino High field ESR measurement of heavily doped Si:Mn
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Proc. of Physical Phenomena at High Magnetic Fields-III ??? ??? 92-95 1998

全著者名 論文名
A. Koukitu and H. Seki Thermodynamic study on phase separation during MOVPE growth of InxGa1-xN
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS2) Tokushima, Japan ??? 13-18 1997

全著者名 論文名
M. Tajima, S. Ibuka and M. Warashina Luminescence due to electron-hole condensation in silicon-on-insulator and it's application to defect and interface characterization
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
19th International Conference on Defects in Semiconductors Averio P2-124 1731-1736 1997

全著者名 論文名
N. Takahashi, R. Matsumoto, A. Koukitu and H. Seki Growth of GaN on GaAs(111)B by Metalorganic Hydrogen Chloride VPE Using Double Buffer Layer
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS2) Tokushima, Japan ??? 37-41 1997

全著者名 論文名
S. Ibuka and M. Tajima Defect recognition in silicon-on-insulator wafers using electron-hole condensation under ultraviolet light excitation
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors (DRIP VII) Templin 2.3 111-114 1997

全著者名 論文名
T. Ogawa, G. Kissinger and N. Nango, Light scattering tomography for characterization of semiconductors (Invited),
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices, Montreal, Canada, The Electro-Chemical 132-146 1997

全著者名 論文名
Takao Yamamoto Capillary Wave Approach to Relaxation Process of the Vicinal Surface and its Application to Analysis of the Surface Stiffness
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2nd Tohwa University International Meeting Fukuoka, Japan GMT-P5 115-115 1997

C.著書(Books)
全著者名 書名
上羽牧夫 シリーズ:結晶成長のダイナミクス 第2巻「結晶成長のしくみを探る」
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
共立出版 東京 ISBN4-320-03411-2 1-180 2002

全著者名 書名
Makio Uwaha Series: Dynamics of Crystal Growth, Vol.2 "Searching for Mechanism of Crystal Growth"
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Kyoritsu Publishing Tokyo ISBN4-320-03411-2 1-180 2002

全著者名 書名
入澤寿美 応用物理ハンドブック(応用物理学会 編)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
丸善 東京 ISBN4-621-04955-0 ??? 2002

全著者名 書名
T.Irisawa Handbook of Applied Physics(ed. By The Japan Society of Applied Physics)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Maruzenn Tokyo ISBN4-621-04955-0 ??? 2002

全著者名 書名
入澤寿美 セラミック工学ハンドブック(日本セラミックス協会 編)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
技報堂 東京 ISBN:4-7655-0032-2 ??? 2002

全著者名 書名
T.Irisawa Handbook of Ceramic(ed. By The Ceramic Society of Japan)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
gihoudou Tokyo ISBN:4-7655-0032-2 ??? 2002

全著者名 書名
纐纈明伯 界面ハンドブック(編者:岩澤康裕)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
エヌ・ティー・エス 東京 ISBN4-900830-87-9 530-540 2001

全著者名 書名
A. Koukitu Handbook of Interfaces : Chemistry and Engineering(Editor : Yasuhiro Iwasawa)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
NTS Inc. ??? ISBN4-900830-87-9 530-540 2001

全著者名 書名
M. Uwaha Fundamentals and applications of crystal growth research and technology (Editor: K. Sato, K. Nakajima and Y. Furukawa)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Elsevier Amsterdam ISBN0-444-50747-7 78-99 2001

全著者名 書名
齋藤幸夫,上羽牧夫,阿久津典子,有馬義康,井上直久,入澤寿美,大鉢忠,小川智哉,纐纈明伯,(故)西岡一水 結晶成長学辞典(砂川一郎他編)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
共立出版 東京 ISBN4-320-03405-8 ??? 2001

全著者名 書名
Yukio Saito, Makio Uwaha, Noriko Akutsu, Yoshiyasu Arima, Naohisa Inoue, Toshiharu Irisawa, Tadashi Ohachi, Tomoya Ogawa, Akinori Koukitsu and Kazumi Nishioka Dictionary of Crystal Growth (Editor: Ichiro Sunagawa et al.)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Kyoritsu Publishing Tokyo ISBN4-320-03405-8 ??? 2001

全著者名 書名
名取晃子(菅野卓雄、川西剛 編) 半導体大辞典
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
工業調査会 Tokyo ISBN4-7693-7082-2 152-158 1999

全著者名 書名
A.Natori(Editor: T.Sugano, T.Kawanishi) Semiconductor large dictionary
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Kogyo Chosakai Publishing Co., Ltd. Tokyo ISBN4-7693-7082-2 152-158 1999

全著者名 書名
纐纈明伯,関壽 アドバンスト・エレクトロニクスシリーズI-21 III族窒化物半導体(編者:赤崎勇)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
培風館 東京 ISBN4-563-03621-8 67-112 1999

全著者名 書名
A. Koukitu,Hisashi Seki ???(Editor:I. Akasaki)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Baifukan Tokyo ISBN4-563-03621-8 67-112 1999

全著者名 書名
関壽,纐纈明伯 生体・環境計測へ向けた近赤外光センシング技術(編者:竹本菊朗,関壽,牧内正男,高橋秀夫)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
サイエンスフォーラム社 東京 ISBN4-916164-24-5 49-52, 60-65 1999

全著者名 書名
A.Koukitu,H. Seki ???(Editor:K. Takemoto, H. Seki, M. Makiuchi, H. Takahashi )
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Science forum Tokyo ISBN4-916164-24-5 49-52, 60-65 1999

全著者名 書名
H. Mueller-Krumbhaar and Y. Saito Computational Methods in Colloid and Interface Science (Editor: M. Borowko)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Marcel Dekker ??? ISBN0-8247-0323-5 851-932 1999

全著者名 書名
小川智哉 結晶工学の基礎(第1版)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
裳華房 東京 ISBN4-7853-2509-7 1-326 1998

全著者名 書名
Tomoya Ogawa Fundamentals on Crystal Technology
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Shoukabou Tokyo ISBN4-7853-2509-7 1-326 1998

全著者名 書名
Ogawa Tomoya Kesshou Buturi Kogaku [小川智哉、結晶物理工学, 裳華房の韓国語 (ハングル) 版]]
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Dae Woog Phb. Co. S Soeul Korea ??? 1- 313 1998

全著者名 書名
Takao Yamamoto STATISTICAL PHYSICS: Experiments, Theories and Computer Simulations. (Editors: M. Tokuyama and I. Oppenheim)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd Singapore, New Jerse ISBN 981-02-3379-5 115-115 1998

全著者名 書名
T.Yamamoto, N.Akutsu, Y.Akutsu, M.Uwaha, Y.Saito, A.Natori, T.irisawa, Y. Arima, A.Kokitsu, H.Nakayama, T.ohachi, M.Umeno,,T.Ogawa (ed. by T. Nishinaga, K. Nishioka, J. Harada, A. Sasaki, H. Takei) Advances in the understanding of crystal growth mechanism
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Elsevier Science Ltd. North-Holland ISBN0-444-82504-5 ??? 1997

全著者名 書名
上羽牧夫,入澤寿美,齋藤幸夫,(故)西岡一水 結晶成長の基礎 (西永頌編)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
培風館 東京 ISBN4-563-03618-8 ??? 1997

全著者名 書名
Makio Uwaha, Toshiharu Irisawa, Yukio Saito, Kazumi, Nishioka Fandamentals of Crystal Growth (Editor: Tatau Nishinaga)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Baifukan Tokyo ISBN4-563-03618-8 ??? 1997


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