平成13年度日本学術振興会未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要



研究推進分野名 次世代人工物質・材料の探査的研究
 
研究プロジェクト名 広いスペクトルに対応する光デバイス新素材の探索
 
(英文名) Research on Novel Optical Device Materials for the Wide Spectral Region
 
研究期間 平成9年度 〜 平成13年度

プロジェクト・リーダー名 研究経費 384,612千円
氏名・所属研究機関
所属部局・職名
岸野克巳 ・上智大学 ・理工学部 ・教授 内訳 平成 9年度74,204千円
平成10年度72,086千円
平成11年度79,422千円
平成12年度74,400千円
平成13年度84,500千円

1.研究組織

氏名 所属機関・部局・職 研究プロジェクトでの役割分担
朝日 一 大阪大学・産業科学研究所・教授 長波長域から中赤外域材料の探索
川西 英雄 工学院大学・工学部・教授 極短波長、紫外域材料の探索
小山 二三夫 東京工業大学・精密工学研究所・教授 長波長域材料の探索
江馬 一弘 上智大学・理工学部・教授 紫外域から長波長域材料の探索
下村 和彦 上智大学・理工学部・教授 紫外域から長波長域材料の探索
本田 徹 工学院大学・工学部・講師 極短波長、紫外域材料の探索
浅見 久美子 大阪大学・産業科学研究所・助手 長波長域から中赤外域材料の探索
菊池 昭彦 上智大学・理工学部・助手 紫外域から長波長域材料の探索
野村 一郎 上智大学・理工学部・助手 紫外域から長波長域材料の探索
欅田 英之 上智大学・理工学部・助手 紫外域から長波長域材料の探索

2.研究計画の概要

(1) 基板材料を従来のGaAsからInPに変更することで、新たな構成のII-VI族半導体の創製を行い、既存材料では長寿命化が困難であった可視中域(波長500〜600nm)レーザ材料の開発を進めた。分子線エピタキシー成長を用いて、InP基板に格子整合が可能となるMgZnCdSe、MgZnSeTe、BeZnTe、BeZnCdSeなどII-VI族新材料を世界に先駆けて合成し、これらを組み合わせてBeZnTe/MgSe、ZnCdSe/BeZnTe、ZnCdSe/MgSe超格子による物性制御を実現して、可視中域光デバイス新素材の開拓を行なった。これら材料を用いてZnCdSe/BeZnTe系黄緑色発光ダイオードを試作し、2500時間を越える連続動作を示し、従来の材料に比べて格段の高信頼性が得られることを実証した。黄緑色半導体レーザのレーザ発振を達成して半導体レーザへの応用可能性を示した。ZnTe基板上の新しい方向性に基づくデバイス材料の開拓を行い、黄色発光ダイオードの試作を行った。
(2) GaInAs/GaAs系ひずみ量子井戸で、結晶歪の高歪の限界点を究めつつ高品質結晶の成長技術を確立して、従来は困難であった波長域1.2μm帯まで波長域の拡大を行い、同波長域で世界最高性能のレーザ特性(温度安定性と低電流密度動作)を有する半導体レーザの開拓を行った。この材料を用いて8チャンネル(波長間隔0.7μm)の多波長面発光レーザアレイを実現した。さらに、独創的発想に基づき、タリウム系III-V族半導体という新規材料の提案を行い、世界で初めて結晶成長に成功して、物性特性を評価しながらレーザ応用可能性の検証を進めた。タリウム組成比の増加とともに禁制帯幅の温度依存性が減少し、発光波長のゼロ温度係数の実現が予測される。本研究では、TlGaInAs系で禁制帯幅の温度依存性を1/10まで低減させて画期的な材料特性の実証に成功し、TlInGaAsを活性層とする半導体レーザの初期的発振にも成功してレーザへの応用可能性を示した。また、窒化物半導体を利用して、光通信波長帯における量子準位間遷移(ISBT)光デバイス新材料の開拓を進めた。分子線エピタキシーによる高品質なGaN、AlN結晶の成長技術を開拓して、原子レベルの層厚・界面急峻化を実現して、GaN/AlN超格子ISBT材料の開拓を行った。世界最短ISBT波長1.07μm、最も狭いISBT半値幅61meV(@ISBT波長1.54μm)を検証し、光通信全波長域(1.1〜1.6μm)でISBT吸収を実現した。
(3) 紫外域に対応する光デバイス新素材の開発を目指して、ボロンを含む窒化物半導体を中心に研究を進め、350nmから230nmの紫外域発光デバイスへの発展の材料基盤の確立を目指して研究した。さらに、GaNP(As)などの新しい窒化物材料の探索を進めた。


3.研究目的
 紫外から赤外域の広いスペクトル域で材料探索を行い、「未開拓波長域材料の開拓と既存材料の限界を打破しうる光デバイス新素材の開発」を行なう。短期的な緊急性に惑わされずに、未来に向けた産業のシーズを追求して、長期的な視野に立った新規材料の開拓を進める。赤外から紫外域までの広いスペクトル域をみわたすと、可視中域(500〜620nm)および紫外域が未開拓波長域である。光通信域では温度安定化材料の開拓が求められている。
そこで、本研究では(1)可視中域(500〜620nm)半導体レーザ材料、(2)温度安定性1μm帯半導体レーザ材料、(3)短波長窒化物半導体の3つの領域で材料開拓を行なう。
(1) 緑色〜橙色の可視中域材料を狙ってInP基板上のII-VI族新半導体(MgZnCdSe(Te)、BeZnCdSe、BeZnTeなど)の開発を進める。ここでは、従来のGaAs基板上のII-VI族では得られない波長域がカバーでき、Be系材料は格子が強固であり欠陥増殖が抑えられるためレーザの長寿命化が期待される。
(2) TlInGaAs(P)という新規材料の創製を世界で初めて行なう。これは半金属(TlP、TlAs)と半導体(GaInP、InGaAs)の混晶で新機能発現(バンドギャップのゼロ温度係数)が得られる期待が高い。波長の温度無依存特性を有する1μm半導体レーザ用材料が得られれば、大規模WDMシステムなどの構築にも寄与しうる。また、GaInAs/GaAs系ひずみ量子井戸により、1.2μm帯域へのスペクトル拡大を図って、しきい値の温度安定性の高いレーザや多波長光源への発展を模索する。さらに窒化物系による超格子を構成して、サブバンド間遷移など新しい物性現象に基づいて新規材料の探索を行なう。
(3) ホウ素(B)を含む新しい窒化物半導体(BAlGaN、BGaNPなど)による完全格子整合系の研究を行い、紫外〜青色域材料の開発を進める。BAlGaN系における最短波長230nmを視野に、深紫外発光デバイス用材料を開拓する。またGaNP(As)による新しい材料探索を進める。

4.研究成果の概要
4−1 研究計画、目的に対する成果
課題1 研究の目的は十分に達成された。InP基板上II-VI族材料では世界で初めてのレーザ発振を達成しこの材料系の有効性を実証した。InP基板上MgZnCdSe、MgZnSeTe、BeZnTe、BeZnCdSeの成長条件及び格子整合条件を明らかにし、発光特性や屈折率などの光学特性について調べた。これら材料を用いて発光ダイオードを作製し、黄緑色から赤色までの広い可視光域で良好な発光を得た。素子の寿命試験を行ったところ2500時間以上連続動作が得られ、発光特性の劣化もないことから、本研究で開発した材料が高い信頼性を有していることが示された。また、ZnCdSeを活性層に用いたレーザを作製し、560nm帯黄緑色レーザ発振を得た。さらに、BeZnTeバッファーによる結晶の高品質化に成功した。ZnTe基板上のII-VI族半導体の開拓を進め、黄色発光ダイオードの試作に成功した。
課題2 ガスソースMBE法によりInP基板上にTlInGaP, TlInGaAsの結晶成長を検討し、ある組成域でその成長が可能であることを示した。Tl組成を増加させるに従い、PLピークエネルギーの温度依存性は小さくなり、既存材料の1/10まで低減化されることを明らかとした。TlInGaAs/InP DH構造において、ELピークエネルギーの温度依存性も小さくなることを確認した。続いて、レーザダイオードでの室温レーザ発振を達成し、温度無依存波長のレーザ実現の可能性を示した。
大きな歪みを有するGaInAs量子井戸構造の成長を制限する要因としては,成長モードが3次元の島状成長へ移行であることを指摘して,拡散長を適切に制御することにより高歪量子井戸の成長が可能になることを見い出し、この材料系では最長波長である1.2μmまで波長域を拡大することに成功した。 GaInAs/GaAs歪量子井戸の高歪化により、GaAs基板上で発光波長を1.2μmまで長波長化した高歪量子井戸レーザを実現し、特性温度200K以上の優れた温度特性を示しとともに、この高歪量子井戸を用いた低しきい面発光レーザとその多波長レーザアレイの開発に成功した。
さらに、RF-MBE法によるサファイア基板上への極性制御GaN結晶成長法を開発した。高温成長AlNバッファ層を用いたGa極性GaN膜は極めて平坦な表面モホロジーを有し、超薄膜へテロ構造の成長に有効であることを示した。また、数nm厚のAlN多重中間層の挿入により、貫通転位が効果的に低減できることを見出し、MOCVD成長GaNテンプレート上にAlN多重中間層を用いてGaNを成長することによりステップフロー成長が実現された。RF-MBE法による高品質へテロ構造成長技術を確立し、窒化物材料で初めて共振型紫外線受光素子および共鳴トンネルダイオードを作製した。GaN/AlN超格子構造による光通信波長帯でのISBT吸収の観測に成功し、窒化物系では最短波長である1.07μmのISBT吸収と最も狭い吸収ピークの半値幅61meV(波長1.54μm)を実現した。
課題3 最大13%のボロンを含むBGaNが有機金属気相エピタキシャル成長法によって成長できることを、世界に先駆けて実証した。完全格子整合系窒化物半導体によるダブルへテロ構造の実現が達成できることとなった。2-3%のボロンを含むBAlGaN四元混晶半導体による(B AlGaN/AlN)多重量子井戸ダブルへテロ構造結晶を試作し、室温におけるPL発光を世界で初めて確認した。発光波長の最短波長は250nmで深紫外域発光が得られた。副次的成果としてGaN/AlN多重バッファー層の導入が基板結晶からのひずみ軽減に有効であることが分かった。また、GaN-rich GaNP(As)では、低温成長により青紫波長域バンドギャップのGaNPの作製を実現した。ガラス、金属、磁性酸化物の各種基板に、強いPL発光、p形n形の多結晶GaNの成長に成功し、新機能・複合機能の光デバイスの可能性を示した。

4−2 研究計画、目的外の成果
○可視中域半導体レーザ材料の開拓では、新しい材料の開発を行ったことで、これまでにない新奇な特性を得た。例えば、BeZnTeは広い禁制帯幅で且つ高い屈折率を有することが示されたが、これは従来の一般的な材料特性とは異なるものであった。
○高歪量子井戸を用いたテーパ構造のスーパルミネッセントダイオードを試作し,1.5Wの高出力インコヒーレント光の生成に成功した.GaInAs/GaAsという既存材料の歪制御により,波長1.2μm帯といういわば従来の光半導体材料の欠損波長域での高出力光源の可能性を示した。
○金属基板上の多結晶GaNにおいて、電界放射の電子放出特性を測定し、しきい値電界が小さく、飽和放出電流密度が実用レベルであることを見出した。電子源デバイスへの応用が期待される。
○サファイア基板上への高品質GaN成長条件探索過程において、直径50nm程度の高密度なGaN微細柱状結晶(ナノコラム)を成長可能であることが見出された。これらの結晶はほぼ無転位と考えられ、高い発光高効率を有しており、新しい発光デバイスや電子源デバイスへの応用が期待される。
○高品質窒化物ヘテロ構造の作製技術開発の初期段階において、AlGaN系高反射率多層膜反射鏡が得られることを確認し、これをデバイスに応用した共振型紫外線受光素子を作製し、優れた波長選択性を有することを検証した。ソーラブラインド紫外線受光素子等への利用が期待される。
○GaN/AlN系の二重障壁共鳴トンネルダイオードの試作に世界で初めて成功して、既存材料に比べて大きなピークバレイ比(>30)を有する微分負性抵抗特性が得られることを示した。
○AlN/GaN多重バッファ層による残留ひずみ軽減層の開拓が行われた。このバッファ層は、ある企業によってSi基板上に高輝度発光ダイオード(LED)を実現するためのキイテクノロジーとして応用され、工業的に輝度の高い青色、緑色LEDが得られることが分かった。

4−3 研究成果の展望
○本研究の成果により、可視中域のレーザ材料として全く新しい材料が開発され、様々な新物性が明らかにされたことは学問的、学術的に大変意義深い。これら物性をさらに深く解明してゆくことは今後の重要研究テーマのひとつになろう。また、可視中域のデバイス、特にハンド帯レーザの実現の可能性が示されたことで産業界にもインパクトを与える。可視光中域を用いたデバイスやシステムの開発が展開され、新分野として発展していくことが期待される。
○従来の光半導体材料の未開拓波長域である波長1.0〜1.2μm帯の材料開拓に成功したが,これは従来の長波長帯半導体レーザに比べて格段に温度特性の優れた半導体レーザの可能性をもたらし、既存の半導体レーザの性能を大幅に凌駕する超高速光ネットワーク用高性能面発光レーザへの展開が期待できる.
○III-V族半導体において温度無依存のバンドギャップが存在する可能性が示されたことは、新しい物性分野の開拓の第一歩になった。温度安定波長レーザの実現は実用上インパクトが大きい。金属基板上多結晶GaNの電界電子放出源デバイスへの応用は有望と考えられる。
○量子サブバンド間遷移(ISBT)による光通信波長帯でのデバイス応用の可能性を示したことにより、可視から紫外域用の光デバイス材料と考えられてきた窒化物半導体の概念が変革された。光通信波長帯ISBT結晶の屈折率、超高速性、非線形感受率など基礎物性の評価や光スイッチなどのデバイス応用といった新分野がここから始まると期待される。
○SiC基板上の完全格子整合系となるBalGaN混晶の開拓によって、深紫外域の発光デバイス材料への発展の基礎が与えられた。今世紀における半導体白色ランプなどの励起源となる高輝度紫外発光ダイオードに向けた積極的な研究が期待される。

4−4 本事業の趣旨に鑑み、果たした役割
○本研究の遂行前には、可視中域光デバイス材料は未開拓であり、発光波長500nm付近のGaAs基板上のII-VI族半導体があったが長寿命化に難点があり、530nm以上の長波長域では著しいレーザ特性の劣化がみられた。本研究では、新しくInP基板上のII-VI族半導体の研究を展開し、500〜620nm域の未開拓波長域で、高信頼性発光デバイス用の新素材の開拓を行なった。従来材料に比べて格段の高信頼性を、発光ダイオードにおいて実証した。最終的には黄緑色半導体レーザの発振を達成し、レーザへの応用可能性を示した。この成果は可視中域半導体レーザの進展に大きく寄与するもので、広い波長域の有機的な利用を目指している将来の光エレクトロニクスの材料的基盤が確立された。
○高歪量子井戸の成長技術を確立し、1.0〜1.2μmの未開拓波長域で高品質半導体材料を開拓し、高性能半導体レーザを実現した。従来利用されていない波長域へ、短距離大容量、光通信システムの展開に向けた材料的な基盤が与えられ、新しい通信システム構築のシーズとなりうる。
○高歪化による高い電子閉じ込めを実現して、温度が変化しても特性がほとんど変わらない温度無依存の半導体レーザの可能性を示した。温度制御無しで動作する安価な通信用半導体レーザの実現に向けた一歩となりうる成果である。 
○半導体混晶にTlを添加することで、発光波長1.5〜1.6μmの組成で著しい禁制帯幅の温度特性の低減化が実証された。システムに利用しうる波長域でゼロ温度係数に向けた第一歩が標された点で、将来の温度安定波長半導体レーザへの発展が考えられ、波長多重光通信分野への大きな貢献が期待される。
○金属基板上多結晶GaNの電界電子放出源デバイスは、大面積・低価格・安定なディスプレイの実現など未来開拓につながる。さらに各種基板上の多結晶GaNによる新機能・複合機能デバイスの期待が大きい。

5.キーワード

(1)II-VI族半導体、(2)高歪量子井戸、(3)窒化物半導体
(4)BAlGaN、(5)タリウム系III-V族半導体、(6)光デバイス
(7)温度無依存波長、(8)半導体レーザ、(9)サブバンド間吸収

6.研究成果発表状況

A.学術雑誌論文(Journal Papers)
全著者名 論文名
S-B. Che, I. Nomura, T. Takada, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino Novel ZnCdSe/BeZnTe type-II superlattice structure grown on InP substrates by MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Korean Physical Society (JKPS) ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
K. Kishino, I. Nomura, Y. Ochiai, and S-B. Che ZnCdTe/ZnTe light emitting diodes with CdSe n-type contact layers grown on ZnTe substrates by molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (a) ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
K. Kusakabe, A. Kikuchi and K. Kishino Overgrowth of GaN layer on GaN nano-columns by RF-molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa and T. Tachibana Intersubband absorption at ?~1.2-1.6?m in GaN/AlN multiple quantum wells grown by rf-plasma molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
physica status solidi ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
M. Yonemaru, A. Kikuchi and K. Kishino Improved responsivity of AlGaN-based resonant cavity-enhanced UV-photodetectors grown on sapphire by RF-MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
physica status solidi ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
H.J. Lee, A. Mizobata, K. Konishi, O, Maeda, K. Asami and H. Asahi First successful growth of TlInGaAs layers on GaAs substrates by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
H.J. Lee, K. Konishi, O. Maeda, A. Mizobata, K. Asami and H. Asahi Temperature-stable wavelength TlInGaAs/InP DH LEDs grown by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
H.J. Lee, A. Mizobata, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami and H. Asahi Gas source MBE growth of TlInGaAs layers on GaAs substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
A. Mizobata, H. J. Lee, O. Maeda, K. Konishi and H. Asahi Annealing effect of TlInGaAs/InP DH and MQW structures
学術雑誌名 ページ 発行年
Inst. Phys. Conf. Ser. ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto and H. Kawanishi Epitaxial growth of high quality BalGaN quaternary lattice matched to AlN on 6H-SiC substrate by LP-MOVPE for deep-UV emission
学術雑誌名 ページ 発行年
Proc. ICCG 13 ??? ??? 2002

全著者名 論文名
H. Kawanishi, T. Takano, M. Kurimoto, Y. Ishihara, M.Horie and J. Yamamoro Improved optical quality of BAlGaN/AlN MQW structure grown on 6H-SiC substrate by controlling residual train using multi-buffer layer
学術雑誌名 ページ 発行年
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. ??? ??? ??? 2002

全著者名 論文名
I. Nomura, S-B. Che, Y. Ochiai, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino Refractive index measurements of BeZnTe and related superlattices on InP and application for waveguide analysis of MgZnCdSe/BeZnTe visible lasers
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (b) ??? 229 987-990 2002

全著者名 論文名
S-B. Che, I. Nomura, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino Visible light emitting diode with ZnCdSe/BeZnTe superlattices as an active layer and MgSe/BeZnTe superlattices as a p-cladding layer
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (b) ??? 229 1001-1004 2002

全著者名 論文名
K. Fukada, I. Nomura, S-B. Che, E. Ogiwara, A. Kikuchi, and K. Kishino Reduction of defect density of ZnCdSe on InP substrates by introducing BeZnTe buffer lyers
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (b) ??? 229 107-110 2002

全著者名 論文名
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino Growth of self-organized GaN nano-structures on Al2O3 (0001) by RF-radical source molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? L459-L462 2002

全著者名 論文名
K. Kishino and A. Kikuchi Improved molecular beam epitaxy for fabricating AlGaN/GaN heterojunction devices
学術雑誌名 ページ 発行年
physica status solidi (a) 190 ??? 23-31 2002

全著者名 論文名
M. Takizawa, I. Nomura, S-B. Che, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino MBE growth of BeZnCdSe quaternaries, MgSe/BeZnCdSe superlattice and quantum well structures on InP substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? 227/228 660-664 2001

全著者名 論文名
S-B. Che, I. Nomura, T. Takada, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino Growth and characterization of ZnCdSe/BeZnTe II-VI compound Type-II superlattices on InP substrates and application for visible light emitting devices
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Physics 40 ??? 6747-6752 2001

全著者名 論文名
K. Kusakabe, A. Kikuchi and K. Kishino Characterization of Overgrown GaN Layers on Nano-Columns Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 ??? L192- L194 2001

全著者名 論文名
K. Kishino and A. Kikuchi Reduction of Threading Dislocations and Residual Strain in GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy Using Rf-Plasma Nitrogen on Sapphire
学術雑誌名 ページ 発行年
V-Nitride Based Semiconductor Electronics And Optical Devices and Thirty-Fourth State-of-The Art Program on Compound Semiconductors ??? ??? 13-18 2001

全著者名 論文名
K. Kusakabe, K. Kishino, A. Kikuchi, T. Yamada, D. Sugihara and S. Nakamura Reduction of Threading Dislocations in Migration Enhanced Epitaxy Grown GaN with N-Polarity by Use of AlN Multiple Interlayer
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? 230 387-391 2001

全著者名 論文名
T. Yamada, S. Nakamura, K. Kusakabe, D. Sugihara and K. Kishino Improvement of Electrical Property and Surface Morphology of GaN Grown by RF-plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy by Introduction of Multiple AlN Intermediate Layer
学術雑誌名 ページ 発行年
Materials Science & Engineering B 82 ??? 12-15 2001

全著者名 論文名
K. Kusakabe, A. Kikuchi and K. Kishino Step Flow Surface Morphology in Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown GaN
学術雑誌名 ページ 発行年
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. ??? 639 G3.33.1-G3.33.6 2001

全著者名 論文名
A. Kikuchi, R. Bannai and K. Kishino AlGaN Resonant Tunneling Diodes Grown by rf-MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (a) ??? 188 18-190 2001

全著者名 論文名
K. Kishino, M. Yonemaru, A. Kikuchi and Y. Toyoura Resonant- Cavity-Enhanced UV Metal-Semiconductor- Metal (MSM) Photodetector Based on AlGaN System
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (a) ??? 188 187-190 2001

全著者名 論文名
H. Asahi, K. Konishi, O. Maeda, A. Ayabe, H.J. Lee, A. Mizobata, K. Asami and S. Gonda Gas source MBE growth of TlInGaAs/InP DH structures for the application to WDM optical fiber communication systems
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? 227-228 307-312 2001

全著者名 論文名
K. Konishi, H. Asahi, O. Maeda, Y.K. Zhou, H.J. Lee, A. Mizobata and K. Asami TlInGaAs/InP DH LEDs with small temperature variation of EL peak energy
学術雑誌名 ページ 発行年
Elect. Lett. 37 ??? 49-50 2001

全著者名 論文名
H. Tampo, H. Asahi, Y. Imanishi, M. Hiroki, K. Ohnishi, K. Yamada, K. Asami and S. Gonda Growth of high quality polycrystalline GaN on glass substrates by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? ??? 227-228 . 442-446 2001

全著者名 論文名
K. Yamada, H. Asahi, H. Tampo, Y. Imanishi, K. Ohnishi and K. Asami Strong photoluminescence emission from polycrystalline GaN layers grown on W, Mo, Ta and Nb metal substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Phys. Lett. 78 ??? 2849-2851 2001

全著者名 論文名
H. Asahi, H. Tampo, K. Yamada, K. Ohnishi, Y. Imanishi and K. Asami Strong photoluminescence emission from polycrystalline GaN grown on metal substrate by NH3 source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (b) ??? 188 601-604 2001

全著者名 論文名
H. Tampo, K. Yamada, K. Ohnishi, Y. Imanishi, K. Asami and H. Asahi Ammonia source MBE growth of polycrystalline GaN pn junction
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (b) ??? 188 605-610 2001

全著者名 論文名
T. Kondo, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, M. Kawaguchi, E. Gouardes, F. Koyama, and K. Iga Lasing characteristics of 1.2 ?m highly strained GaInAs/GaAs quantum well lasers
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 40 ??? 467-471 2001

全著者名 論文名
N. Nishiyama, M. Arai, S. Shinada, M. Azuchi, T. Miyamoto, F. Koyama, and K. Iga Highly strained GaInAs/GaAs quantum well vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (311)B substrate for stable polarization operation
学術雑誌名 ページ 発行年
IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. 7 ??? 242-248 2001

全著者名 論文名
T. Takano, H. Kawanishi, M. Kurimoto, Y. Ishihara, M. Horie and J. Yamamoto Improved optical quality of BAlGaN/AlN MQW structure grown on 6H-SiC substrate by controlling residual strain using multi-buffer layer
学術雑誌名 ページ 発行年
Mat. Res. Symp. Proc. ??? 639 G12.9.1-G12.9.6 2001

全著者名 論文名
T. Honda, K. Sato, T. Hashimoto, M. Shinohara and H. Kawanishi GaN Growth by Compound Source MBE Using GaN Powder
学術雑誌名 ページ 発行年
Phys. Stat. Sol. (a) ??? 188 587 - 590 2001

全著者名 論文名
T. Honda, H. Kawanishi Emission Characteristics of GaN-Based EL Device with AC Operation
学術雑誌名 ページ 発行年
Mat. Res. Symp. Proc. ??? 639 G11.13.1 - G11.13.6 2001

全著者名 論文名
S-B. Che, I Nomura, W. Shinozaki, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino Wide bandgap over 3eV and high p-doping BeZnTe grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? 214/215 321-324 2000

全著者名 論文名
T. Takada, S-B. Che, I. Nomura, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino Novel II-VI light emitting diodes fabricated on InP substrates applying wide-gap and high p-dopable BeZnTe for p-cladding layers
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. solidi (a) ??? 180 37-43 2000

全著者名 論文名
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino High-Quality GaN on AlN Multiple Intermediate Layer with Migration Enhanced Epitaxy by RF-Molecular Beam Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ??? L197-L199 2000

全著者名 論文名
A. Kikuchi, T. Yamada, S. Nakamura, K. Kusakabe, D. Sugihara and K. Kishino Improvement of Crystal Quality of RF-Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown Ga-Polarity GaN by High-Temperature Grown AlN Multiple Intermediate layers
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ??? L330-L333 2000

全著者名 論文名
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino Suppression of Inversion Domains and Decrease of Threading Dislocations in Migration Enhanced Epitaxial GaN by RF-Molecular Beam Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (a) ??? 180 65-71 2000

全著者名 論文名
Y. K. Zhou, H. Asahi, K. Takenaka, A. Ayabe, M. Fushida, K. Asami and S. Gonda Gas source MBE growth of Tl-based III-V semiconductors and their Raman scattering characterization
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? 209 547-551 2000

全著者名 論文名
A. Ayabe, H. Asahi, H.J. Lee, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami and S. Gonda Very small temperature-dependent bandgap energy in TlInGaAs/InP double heterostructures grown by gas-source molecular-beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Phys. Lett. 77 ??? 2148-2150 2000

全著者名 論文名
H. Asahi, H. Tampo, M. Hiroki, K. Asami and S. Gonda Gas Source MBE Growth of GaN-related Novel Semiconductors
学術雑誌名 ページ 発行年
Materials Science and Engineering B ??? 75 199-203 2000

全著者名 論文名
M. Hiroki, H. Asahi, H. Tampo, K. Asami and S. Gonda Improved properties of polycrystalline GaN grown on silica glass substrate
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth ??? 209 387-391 2000

全著者名 論文名
H. Tampo, H. Asahi, M. Hiroki, Y. Imanishi, K. Asami and S. Gonda Electrical and optical properties of Si- and Mg-doped polycrystalline GaN on quartz glass substrate
学術雑誌名 ページ 発行年
Inst. Pure. Appl. Phys. Conf. Series 1 ??? 633-636 2000

全著者名 論文名
K. Yamada, H. Asahi, H. Tampo, Y. Imanishi, K. Ohnishi and K. Asami Gas source MBE growth of polycrystalline GaN on metal substrates and the observation of strong photoluminescence emission
学術雑誌名 ページ 発行年
Inst. Pure. Appl. Phys. Conf. Series 1 ??? 556-559 2000

全著者名 論文名
D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, F. Koyama, and K. Iga Growth of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells for 1.2?m wavelength lasers
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth ??? 209 27-36 2000

全著者名 論文名
F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, A. Matsutani, T. Sakaguchi and K. Iga Data transmission over single mode fiber by using 1.2?m uncooled GaInAs/GaAs laser for Gbit/s local area network
学術雑誌名 ページ 発行年
IEEE Photon. Technol. Lett. 12 ??? 125-127 2000

全著者名 論文名
M. Arai, N. Nishiyama, S. Shinada, A. Matsutani, F. Koyama, and K. Iga Vertical-cavity surface-emitting laser array on GaAs (311) B substrate exhibiting single-transverse mode and stable-polarization operation
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ??? L588-L590 2000

全著者名 論文名
N. Nishiyama, M. Arai, S. Shinada, K. Suzuki, F. Koyama, and K. Iga Multi-oxide layer structure for single-mode operation in vertical-cavity surface-emitting lasers
学術雑誌名 ページ 発行年
IEEE Photon. Technol. Lett. 12 ??? 606-608 2000

全著者名 論文名
M. Arai, N. Nishiyama, S. Shinada, A. Matsutani, F. Koyama, and K. Iga Highly stable single polarization operation of GaInAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser on GaAs (311)B substrate under high-speed modulation
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ??? L858-L860 2000

全著者名 論文名
T. Yamatoya, F. Koyama, and K. Iga Noise suppression and intensity modulation in gain-saturated semiconductor optical amplifiers and its application to spectrum-sliced light sources
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ??? L861-L863 2000

全著者名 論文名
D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, M. Kawaguchi, T. Kondo, E. Gouardes, J. Gemmer, C. Gemmer, F. Koyama, and K. Iga Inclusion of strain effect in miscibility gap calculations for III-V semiconductors
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ??? 5751-5757 2000

全著者名 論文名
N. Nishiyama, M. Arai, S. Shinada, T. Miyamoto, F. Koyama, and K. Iga 1.15(m lasing operation of highly strained GaInAs/GaAs on GaAs (311)B substrate with high characteristic temperature (T0=210 K)
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ??? L1046-L1047 2000

全著者名 論文名
D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, M. Kawaguchi, T. Kondo, E. Gouardes, F. Koyama, and K. Iga Critical layer thickness of 1.2(m highly strained GaInAs/GaAs quantum wells
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 221 ??? 503-508 2000

全著者名 論文名
N. Nishiyama, M. Arai, S. Shinada, T. Miyamoto, F. Koyama, and K. Iga Growth and optical properties of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on (311) B GaAs by MOCVD
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 221 ??? 530-534 2000

全著者名 論文名
T. Honda, M. Shibata, M. Kurimoto, M. Tsubamoto, J. Yamamoto and H. Kawanishi Band-Gap Energy and Effective Mass of BgaN
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 39 ??? L2389-2393 2000

全著者名 論文名
T. Honda, M. Kurimoto, M. Shibata, and H. Kawanishi Excitonic emission of BGaN grown on (0001) 6H-SiC by metal-organic vapor-phase epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Luminescence 87-89 ??? 1274-1276 2000

全著者名 論文名
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, M. Shibata, Y. Ishihara M. Tsubamoto, T. Honda and H. Kawanishi Room Temperature Photoluminescence from BAlGaN-Based Double or Single Heterostructures for UV Laser Diode
学術雑誌名 ページ 発行年
Physica status Solidi Rapid Research Note (a) 180 ??? 231-234 2000

全著者名 論文名
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, Y. Ishihara, M. Horie and H. Kawanishi Improved 250nm UV PL Spectra from BAlGaN/AlN MQW on 6H-SiC Substrate by MOVPE Using TEB
学術雑誌名 ページ 発行年
IPAP Conf. Series 1 ??? 147- 149 2000

全著者名 論文名
M. Kurimoto, T. Takano, J. Yamamoto, Y. Ishihara, M. Horie, M. Tsubamoto and H. Kawanishi Growth of BGaN/AlGaN multi-quantum-well structure by metalorganic vapor phase epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 221 ??? 378-381 2000

全著者名 論文名
T. Honda, N. Fujita, K. Maki, Y. Yamamoto and H. Kawanishi Initial growth monitoring of GaN epitaxy on 6H-SiC by metal-organic molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 209 ??? 392-395 2000

全著者名 論文名
I. Nomura, W. Shinozaki, H. Hattori, T. Sano, S-B. Che, H. Shimbo, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino MBE growth of novel MgSe/ZnSeTe:N II-VI compound superlattice quasi-quaternaries on InP substrates and application to light emitting diodes
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 201/202 ??? 954-956 1999

全著者名 論文名
W. Shinozaki, , H. Shimbo, H. Hattori, T. Sano, S-B. Che, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino Growth and characterization of nitrogen doped MgSe/ZnSeTe superlattice quasi-quaternary on InP substrates and fabrication of light emitting diodes
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. of Appl. Phys. 38 ??? 2598-2602 1999

全著者名 論文名
K. Kushi, H. Sasamoto, D. Sugihara, S. Nakamura, A. Kikuchi and K. Kishino High speed growth of device quality GaN and InGaN by RF-MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
Materials Science and Engineering B 59 ??? 65-68 1999

全著者名 論文名
S. Nakamura, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Daisuke, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino InGaN/GaN MQW and Mg-doped GaN growth using a shutter control method by RF-molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (a) ??? 176 273-277 1999

全著者名 論文名
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino 2.6?m/h high speed growth of GaN by RF-molecular beam epitaxy and improvement of crystal quality by migration enhanced epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (a) ??? 176 323-328 1999

全著者名 論文名
K. Takenaka, H. Asahi, H. Koh, K. Asami, S. Gonda and K. Oe Growth of TlInGaAs on InP by gas source molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ??? 1026-1028 1999

全著者名 論文名
H. Asahi, H. Koh, K. Takenaka, K. Asami, K. Oe and S. Gonda source MBE growth and characterization of TlInGaP and TlInGaAs layers for long wavelength applications
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 201/202 ??? 1069-1072 1999

全著者名 論文名
H. Asahi, K. Takenaka, H. Koh, K. Oe, K. Asami and S. Gonda Growth of TlInGaP and TlInGaAs for temperature-independent bandgap energy III-V semiconductors
学術雑誌名 ページ 発行年
Inst. Phys. Conf. ??? 162 541-545 1999

全著者名 論文名
H. Asahi, K. Iwata, H. Tampo, R. Kuroiwa, K. Asami, S. Nakamura and S. Gonda Very strong photoluminescence emission from GaN grown on amorphous silica substrate by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 201/202 ??? 371-375 1999

全著者名 論文名
R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Iwata, H. Tampo, K. Asami and S. Gonda Observation of quantum dot-like properties in the phase-separated GaN-rich GaNP
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (b) 216 ??? 461-464 1999

全著者名 論文名
H. Tampo, H. Asahi, M. Hiroki, K. Asami, S. Gonda Strong photoluminescence emission from GaN on SrTiO3 substrate
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (b) ??? 216 113-116 1999

全著者名 論文名
D. Schlemker, Z. Pan, T. Miyamoto, F. Koyama and K. Iga Effect of surface Quality on overgrowth of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells and improvement by a strained buffer layer
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ??? 5023-5027 1999

全著者名 論文名
D. Schlemker, T. Miyamoto, Z. Chen, F. Koyama and K. Iga 1.17?m highly strained GaInAs-GaAs quantum-well laser
学術雑誌名 ページ 発行年
IEEE Photon. Technol. Lett. 11 ??? 946-948 1999

全著者名 論文名
Z. Pan, T. Miyamoto, D. Schlenker, F. Koyama and K. Iga Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum well growth by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ??? 1012-1014 1999

全著者名 論文名
Z. Chen, D. Schlenker, T. Miyamoto, T. Kondo, M. Kawaguchi, F. Koyama and K. Iga High temperature characteristics of nearly 1.2?m InGaAs/AlGaAs lasers
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ??? L1178-L1179 1999

全著者名 論文名
F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z.B. Chen, A. Matsutani, T. Sakaguchi and K. Iga 1.2?m highly strained GaInAs/GaAs quantum well lasers for singlemode fiber datalink
学術雑誌名 ページ 発行年
Electron.Lett. 35 ??? 1079-1080 1999

全著者名 論文名
T. Yamatoya, S. Mori, F. Koyama and K. Iga High Power GaInAsP/InP Strained Quantum Well Superluminescent Diode with Tapered Active Region
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ??? 5121-5122 1999

全著者名 論文名
T. Honda, T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, A. Matsutani, T. Sakaguchi, F. Koyama, H. Kawanishi and K. Iga Design and Fabrication Process Consideration of GaN-Based Surface Emitting Lasers
学術雑誌名 ページ 発行年
Electronics & Communications in Japan 82 ??? 97-104 1999

全著者名 論文名
T. Honda, Y. Yamamoto and H. Kawanishi Direct Growth of GaN on (0001) 6H-SiC
学術雑誌名 ページ 発行年
Blue Laser and Light Emitting Diodes II ??? ??? 150-153 1999

全著者名 論文名
T. Honda, H. Kawanishi, T. Sakaguchi, F. Koyama, and K. Iga Characteristic Temperature Estimation for GaN-Based Lasers
学術雑誌名 ページ 発行年
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S-1 G6.2 ??? 1999

全著者名 論文名
M. Kurimoto, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Honda and H. Kawanishi Tensile Strain Introduced in AlN Layer Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ??? L551-L553 1999

全著者名 論文名
Y. Ishihara, J. Yamamoto, M. Kurimoto, T. Takano, T. Honda and H. Kawanishi Dependence of Crystal Quality on Residual Strain in Strain-Controlled Thin AlN Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 38 ??? L1296-L1298 1999

全著者名 論文名
M. Kurimoto, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Takano, J. Yamamoto, T. Honda and H. Kawanishi Possibility of Strain Control in AlN Layer Grown by MOVPE on (0001) 6H-SiC with GaN/AlN Buffer
学術雑誌名 ページ 発行年
phys. stat. sol. (a) ??? 176 665-669 1999

全著者名 論文名
H. Shimbo, I. Nomura, T. Nagano, W. Shinozaki, H. Hattori, A. Kikuchi, and K. Kishino Growth and characterization of novel MgSe/ZnCdSe superlattice quasi-quaternaries on InP substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 184/185 ??? 16-20 1998

全著者名 論文名
T. Nagano, I. Nomura, M. Haraguchi, M. Arai, H. Hattori, H. Shimbo, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino Quantum confined stark effects in ZnCdSe/MgZnCdSe multiple quantum wells grown on InP substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 184/185 ??? 732-736 1998

全著者名 論文名
H. Hattori, I. Nomura, H. Shimbo, T. Nagano, M. Haraguchi, T. Morita, A. Kikuchi, and K. Kishino Absorption coefficient measurements of MgZnCdSe II-VI compounds on InP substrates and quantum confined stark effect in ZnCdSe/MgZnCdSe multiple quantum wells
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 37 ??? 1465-1469 1998

全著者名 論文名
A. Kikuchi, M. Yoshizawa, M. Mori, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto and K. Kishino Shutter control method for control of Al contents in AlGaN quasi-ternary compounds grown by RF-MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 189/190 ??? 109-113 1998

全著者名 論文名
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto and K. Kishino Self-organization of GaN/Al0.18Ga0.82N multi-layer nano-columns on (0001)Al2O3 by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 189-190 ??? 138-141 1998

全著者名 論文名
N. Fujita, M. Yoshizawa, K. Kushi, H. Sasamoto, A. Kikuchi and K. Kishino Epitaxial growth of GaN with a high growth rate of 1.4?m/h by RF-radical source molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 189/190 ??? 385-389 1998

全著者名 論文名
Katsumi Kishino, Akihiko Kikuchi, Masaki Yoshizawa, Nobuhiko Fujita, Kouichi Kushi and Hajime Sasamoto High-speed GaN growth and compositional control of GaN-AlGaN superlattice quasi-ternary compounds by RF-radical source molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
IEEE. J. Selected Topics in Quantum Electronics 4 3 550-556 1998

全著者名 論文名
H. Koh, H. Asahi, M. Fushida, K. Yamamoto, K. Asami, S. Gonda and K. Oe Photoconductance measurement on TlInGaP grown by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 188 ??? 107-112 1998

全著者名 論文名
K. Iwata, H. Asahi, R. Kuroiwa, K. Asami and S. Gonda Strong photoluminescence emission from GaN grown on amorphous silica substrate by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 188 ??? 98-102 1998

全著者名 論文名
K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda GaN-rich side of GaNAs grown by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 37 3B 1436-1439 1998

全著者名 論文名
K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, A. Ishida, R. Kuroiwa, H. Tampo and S. Gonda Promising characteristics of GaN layers grown on amorphous silica substrates by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 189/190 ??? 218-222 1998

全著者名 論文名
R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Asami, S.-J. Kim, K. Iwata and S. Gonda Optical properties of GaN-rich side of GaNP and GaNAs alloys grown by gas source molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Appl. Phys. Lett. 73 ??? 2630-2632 1998

全著者名 論文名
本田 徹, 白澤 智恵, 持田 宣晃, 井上 彰, 松谷 晃宏, 坂口 孝浩, 小山 二三夫, 川西 英雄, 伊賀 健一 GaN系面発光レーザの設計と製作技術に関する基礎検討
学術雑誌名 ページ 発行年
電子通信情報学会論文誌 C-U J81-C-U 97-104 1998

全著者名 論文名
T.Honda, Tie.Shirosawa, N.Motida,A.Inoue, A.Matutani, T.Sakaguti, H.Koyama, H.Kawanisi, K.Iga Fundamental discussion on design and fabrication processing of the GaN based VCSEL
学術雑誌名 ページ 発行年
Trans. IEICE C-U J81-C-U 97-104 1998

全著者名 論文名
T. Honda, M. Tsubamoto, Y. Kuga and H. Kawanishi Optical Gain in BGaN Lattice-Matched to (0001) 6H-SiC
学術雑誌名 ページ 発行年
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. ??? 482 1125-1129 1998

全著者名 論文名
T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Interface Control of GaN/AlGaN Quantum Well Structures in MOVPE Growth
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 189/190 ??? 124-127 1998

全著者名 論文名
N. Mochida, T. Honda, T. Shirasawa, A. Inoue, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Crystal Orientation Dependence of P-Type Contact Resistance of GaN
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 189/190 ??? 716-719 1998

全著者名 論文名
T. Honda, T. Miyamoto, T. Sakaguchi, H. Kawanishi, F Effect of Piezo Electronic Field on Emission Characteristics in GaN/AlGaN Quantum Wells
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 189/190 ??? 644-647 1998

全著者名 論文名
M. Shibata, M. Kurimoto, J. Yamamoto, T. Honda and H. Kawanishi GaN/BAlN Heterostructure Grown on a (0001) 6H-SiC substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 189/190 ??? 445-447 1998

全著者名 論文名
J. Yamamoto, M. Kurimoto, M. Shibata, T. Honda and H. Kawanishi Origin of cracks in GaN/AlGaN DH structure grown on 6H-SiC by metalorganic vapor phase epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 189/190 ??? 193-196 1998

全著者名 論文名
M. Kurimoto, M. Shibata, J. Yamamoto, M. Tsubamoto, T. Honda and H. Kawanishi Direct growth of GaN on (0001)6H-SiC by low-pressure MOVPE with a flow Channel
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 189/190 ??? 189-192 1998

全著者名 論文名
T. Honda, A. Inoue, M. Mori, T. Shirasawa, N. Mochida, K. Saotome, T. Sakaguchi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma, F. Koyama and K. Iga GaN Growth on Ozonized Sapphire (0001) substrates by MOVPE
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Crystal Growth 195 ??? 319-322 1998

全著者名 論文名
T. Morita, H. Shinbo, T. Nagano, I. Nomura, A. Kikuchi, and K. Kishino Refractive index measurements of MgZnCdSe II-VI compound semiconductors grown on InP substrates and fabrications of 500-600 nm range MgZnCdSe distributed Bragg reflectors
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 81 ??? 7575-7579 1997

全著者名 論文名
I. Nomura, T. Morita, M. Haraguchi, T. Nagano, H. Shinbo, A. Kikuchi, and K. Kishino Quantum effects of ZnCdSe/ MgZnCdSe quantum wells on InP substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
Nonlinear Optics 18 ??? 223-226 1997

全著者名 論文名
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino Self-organization of GaN nano-structures on c-Al2O3 by RF-radical gas source molecular beam epitaxy
学術雑誌名 ページ 発行年
Institute of Physics Conference Series 155 ??? 187-190 1997

全著者名 論文名
K. Yamamoto, H. Asahi, M. Fushida, K. Iwata and S. Gonda Gas source MBEgrowth of TlInP for new infrared optical devices
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Appl. Phys. 81 ??? 1704-1707 1997

全著者名 論文名
H. Asahi, M. Fushida, K. Yamamoto, K. Iwata, H. Koh, K. Asami, S. Gonda and K. Oe New semiconductors TlInGaP and their gas source MBE growth
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 175/176 ??? 1195-1199 1997

全著者名 論文名
M. Fushida, H. Asahi, K. Yamamoto, H. Koh, K. Asami, S. Gonda and K. Oe TlGaP layers grown on GaAs substrates by gas source MBE
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? L665-L667 1997

全著者名 論文名
K. Iwata, H. Asahi, K. Asami and S. Gonda Gas source MBE growth of GaN rich side of GaNxP1-x using ion-removed ECR radical cell
学術雑誌名 ページ 発行年
J. Cryst. Growth 175/176 ??? 150-155 1997

全著者名 論文名
R. Kuroiwa, H. Asahi, K. Iwata, S.J. Kim, J.H. Noh, K. Asami and S. Gonda Gas source MBE growth of GaN-rich side of GaNP alloys and their STM observation
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? 3810-3813 1997

全著者名 論文名
K. Iwata, H. Asahi, K .Asami and S. Gonda Gas source MBE growth of GaN on C-, A-, R-, M-plane sapphire and silica glass substrates
学術雑誌名 ページ 発行年
Jpn. J. Appl. Phys. 36 ??? L661-L664 1997

B.国際会議発表論文(International Conferences)
全著者名 論文名
A. Kikuchi, R. Bannai and K. Kishino Room temperature negative differential resistance in AlN/GaN double barrier resonant tunneling diodes grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Device Research Conference USA ??? ??? ???.

全著者名 論文名
M. Yonemaru, A. Kikuchi and K. Kishino Improved responsivity of AlGaN-based resonant cavity-enhanced UV-photodetectors grown on sapphire by RF-MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International Conference on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-4) Cordoba, Spain FrA3 ??? 2002

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa and T. Tachibana Intersubband absorption at ?~1.15-1.6?m in GaN/AlN multiple quantum wells grown by rf-molecular beam epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International Conference on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-4) Cordoba, Spain, LNP2 (Late News Pap ??? 2002

全著者名 論文名
K.Kishino and A.Kikuchi GaN/AlN Based Quantum Heterojunction Devices Grown by RF-Plasma Molecular Beam Epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th Japan-Spanish-Germany Workshop on Recent Progress in Advanced Materials, Devices, Processing, and Characterisation Cordoba, Spain ??? ??? 2002

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa and T. Tachibana Intersubband absorption observation ranging the whole communication wavelength (?=1.1-1.6?m) with FWHM of 111-61meV in GaN/AlN multiple quantum wells
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Electronic Materials Confernce USA ??? ??? 2002

全著者名 論文名
H. Tampo, T. Yamanaka, K. Yamada, K. Ohnishi, M. Hashimoto and H. Asahi Field emission from polycrystalline GaN on Mo Substrate
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
5th SANKEN International Symposium ‘Frontier Material Science towards Energy Conversion and EcoDesign' Osaka, Japan ??? 182-183 2002

全著者名 論文名
I. Nomura, S-B. Che, Y. Ochiai, A. Kikuchi, K. Shimomura and K. Kishino Refractive index measurements of BeZnTe and ZnCdSe(MgSe)/BeZnTe superlattices on InP and waveguide analysis of MgZnCdSe/BeZnTe visible lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Tenth Int. Conf. on II-VI Compounds Bremen, Germany MO-P53 ??? 2001

全著者名 論文名
S-B. Che, I. Nomura, A. Kikuchi, K. Shimomura and K. Kishiko Crystal growth of ZnCdSe/BeZnTe superlattices on InP and application for visible light emitting devices
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Tenth Int. Conf. on II-VI Compounds Bremen, Germany Th-12 ??? 2001

全著者名 論文名
K. Fukuda, S-B. Che, E. Ogiwara, I. Nomura, A. Kikuchi and K. Kishino Reduction of defect density of ZnCdSe on InP substrates by introducing BeZnTe buffer layers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Tenth Int. Conf. on II-VI Compounds Bremen, Germany Th-P35 ??? 2001

全著者名 論文名
S-B. Che, I. Nomura, K. Fukada, A. Kikuchi and K. Kishino Over 1000h operaion without degraded light output for ZnCdSe/BeZnTe-based green light emitting dioed on InP
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International Conference on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-4) Cordora, Spain ThB3 ??? 2001

全著者名 論文名
Y. Ochiai, S-B. Che, I. Nomura, A. Kikuchi and K. Kishino ZnCdTe/ZnTe light emitting diodes with MgSeTe/ZnTe superlattice layers grown on ZnTe by MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International Conference on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-4) Cordora, Spain ThB4 ??? 2001

全著者名 論文名
K. Kishino and A. Kikuchi Polarity control and threading dislocation reduction in RF-MBE grown GaN on sapphire substrates (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
China-Japan Workshop on Nitride Semiconductor Materials and Devices Shanghai, China ??? 5-8 2001

全著者名 論文名
K. Kishino and A. Kikuchi Reduction of threading dislocations and residual strain in GaN grown by molecular beam epitaxy using RF-plasma nitrogen on sapphire (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
199th Meeting of the Electrochemical Society Washington, U.S.A. ??? ??? 2001

全著者名 論文名
K. Kusakabe, R. Bannai, A. Kikuchi and K. Kishino Overgrowth of GaN layer on GaN nano-columns by RF-molecular beam epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
ICCG-13/ICVGE-11 Kyoto, Japan ??? ??? 2001

全著者名 論文名
A. Kikuchi, R. Bannai, K. Serizawa and K. Kishino AlGaN resonant tunneling diodes grown by RF-MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 4th Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS-4) Denver Colorado, US A8.2 ??? 2001

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, M. Yonemaru and Y. Toyoura Resonant cavity-enhanced UV-MSM-phtodetectors based on AlGaN system
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 4th Int. Conf. on Nitride Semiconductors (ICNS-4) Denver Colorado, US B3.3 ??? 2001

全著者名 論文名
K. Kishino and A. Kikuchi Improved molecular beam epitaxy for fabricating AlGaN/GaN heterojunction devices (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
International Workshop on Physics of Light-Matter Coupling in Nitrides (PLMCN-1) Roma, Itary 30 ??? 2001

全著者名 論文名
K. Kishino and A. Kikuchi AlGaN/GaN heterojunction devices grown by improved RF-plasma molecular beam epitaxy (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2001 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting (Symposium I GaN and Related Alloys) Massachusetts, Bost I1.1 ??? 2001

全著者名 論文名
H. Asahi, H.J. Lee and A. Mizobata Tl-containing new III-V semiconductors for temperature-independent wavelength semiconductor lasers (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd International RIES-Hokudai Symposium -Symposium on Advanced Photonic Science- Sapporo, Japan ??? ??? 2001

全著者名 論文名
H.J. Lee, K. Konishi, O. Maeda, A. Mizobata, K. Asami and H. Asahi Temperature-stable wavelength TlInGaAs/InP DH LEDs grown by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Nara, Japan #WA1-2 105-108 2001

全著者名 論文名
H.J. Lee, A. Mizobata, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami and H. Asahi Gas source MBE growth of TlInGaAs layers on GaAs substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Nara, Japan #WP-57 346-349 2001

全著者名 論文名
H. J. Lee, K. Konishi, O, Maeda, A. Mizobata, K. Asami and H. Asahi First successful growth of TlGaInAs layers on GaAs substrates by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth Kyoto, Japan #04a-SB3-04 528 2001

全著者名 論文名
K. Ohnishi, H. Tampo, Y. Imanishi, K. Yamada, K. Asami and H. Asahi Gas source MBE growth of GaN/GaP superlattices and GaN layers on GaP (111) A substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth Kyoto, Japan #02a-SB2-10 306 2001

全著者名 論文名
K. Yamada, H. Tampo, Y. Imanishi, K. Ohnishi, K. Asami and H. Asahi Growth of strong photoluminescence polycrystalline GaN on metal substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
13th International Conference on Crystal Growth Kyoto, Japan #02a-SB2-19 311 2001

全著者名 論文名
H. Asahi, H. Tampo, K. Yamada, K. Ohnishi, Y. Imanishi and K. Asami Strong photoluminescence emission from polycrystalline GaN grown on metal substrate by NH3 source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International Conference on Nitride Semiconductors Denver, USA #P22-19 84-85 2001

全著者名 論文名
H. Tampo, K. Yamada, K. Ohnishi, Y. Imanishi, K. Asami and H. Asahi Ammonia source MBE growth of polycrystalline GaN pn junction
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International Conference on Nitride Semiconductors Denver, USA #P22-21 85 2001

全著者名 論文名
R.K. Soni, R.S. Katiyar, F. Fernandez and H. Asahi Phase separated quantum-dots in GaNP and InGaN layers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International Conference on Nitride Semiconductors Denver, USA #P8-2 41 2001

全著者名 論文名
H. Asahi, H.J. Lee, A. Mizobata, K. Konishi, O. Maeda and K. Asami Gas source MBE growth and characterization of TlInGaAs/InP DH structures for temperature-independent wavelength LD application
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2001 MRS Fall Meeting Boston, USA #H9.27 ??? 2001

全著者名 論文名
A. Mizobata, H.J. Lee, O. Maeda, K. Konishi and H. Asahi Annealing effect of TlInGaAs/InP DH and MQW structures
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
28th International Symposium on Compound Semiconductors Tokyo, Japan MoP-14 26 2001

全著者名 論文名
A.V. Andrianov, K. Yamada, H. Tampo, H. Asahi, V.Yu. nakrasov, Z.N. Rodionova and N.N. Zinovev Photoluminescence from polycrystaline GaN grown by MBE on metal substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
28th International Symposium on Compound Semiconductors Tokyo TuP-17 95 2001

全著者名 論文名
H. Asahi, H.J. Lee and A. Mizobata Tl-containing new III-V semiconductors for temperature-independent wavelength semiconductor lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd International RIES-Hokudai Symposium -Symposium on Advanced Photonic Science- Sapporo, Japan #S7-1 64-65 2001

全著者名 論文名
K. Yamada, H. Tampo, K. Ohnishi, T. Yamanaka, and H. Asahi Novel properties of GaN grown on glass and metal substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International COE Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials Osaka, Japan 46 ??? 2001

全著者名 論文名
H.J. Lee, A. Mizobata, A. Fujiwara, and H. Asahi Gas source MBE growth of TlInGaAs(N) for temperature-stable semiconductor laser diodes
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th International COE Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials Osaka, Japan 48     ??? 2001

全著者名 論文名
F. Koyama Highly strained GaInAs/GaAs quantum-well lasers beyond 1.2?m wavelength (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Photonic West 2001 (SPIE Symposium) San Jose, USA. ??? ??? 2001

全著者名 論文名
T. Yamatoya, F. Koyama, and K. Iga Novel optical preamplifier with inverted ASE signal of semiconductor optical amplifier
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
27th European Conf. on Optical Communication (ECOC2001) Amsterdam, Netherla TuB2.6 ??? 2001

全著者名 論文名
M. Arai, T. Kondo, N. Nishiyama, M. Azuchi, T. Miyamoto, F. Koyama, and K. Iga Wide wavelength control of highly strained GaInAs/GaAs QWs on patterned substrate for multiwavelength VCSEL array
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
28th Int. Symp. on Compound Semiconductors (ISCS2001) Tokyo, Japaan ??? ??? 2001

全著者名 論文名
M. Arai, T. Kondo, N. Nishiyama, A. Matsutani, T. Miyamoto, F. Koyama, and K. Iga 1.1- 1.2?m multiple-wavelength vertical cavity surface emitting laser array with highly strained GaInAs/GaAs QWs on patterned substrate
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
IEEE Lasers and Electro-Optics Society 2001 Annual Meeting (LEOS2001) San Diego WY 4 ??? 2001

全著者名 論文名
T. Honda, K. Sato, T. Hashimoto, M. Shinohara and H. Kawanishi GaN Growth by Compound Source MBE Using GaN Powder
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors Adam's Mark Hotel, P22.7 ??? 2001

全著者名 論文名
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, M. Horie, S. Watanabe and H. Kawanishi PL Spectrum from BAlGaN (with 13% of Boron) Closely Lattice Matched to AlN
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors Adam's Mark Hotel, P9.9 ??? 2001

全著者名 論文名
T. Honda, K. Sato, T. Hashimoto, M. Shinohara and H. Kawanishi GaN Growth by Compound Source Molecular Beam Epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Thirteenth International Conference on Crystal Growth Doshisha University 03a-SB2-08 ??? 2001

全著者名 論文名
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto and H. Kawanishi Epitaxial Growth of High Quality BAlGaN Quaternary Lattice Matched to an AlN on 6H-SiC Substrate by LP-MOVPE for Deep-UV Emission
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Thirteenth International Conference on Crystal Growth Doshisha University 03a-SB2-16 ??? 2001

全著者名 論文名
T. Honda and H. Kawanishi Application of Amorphas GaN for Electroluminescence Device
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2001 Materials Research Society fall Meeting Massachusetts, USA I6.42 ??? 2001

全著者名 論文名
T. Takada, I. Nomura, S-B. Che, A. Kikuchi, K. Shimomura and K. Kishino Novel II-VI light emitting diodes fabricated on InP substrates applying wide-gap and high p-dopable BeZnTe for p-cladding layers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes Zeuthen/Berlin, Ger TuC ??? 2000

全著者名 論文名
M. Takizawa, I. Nomura, S-B. Che, A. Kikuchi, K. Shimomura and K. Kishino First MBE growth of BeZnCdSe Quaternaries and MgSe/BeZnCdSe superlattices on InP substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
11th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy Beijing, China Tu 7.3 ??? 2000

全著者名 論文名
S-B. Che, I. Nomura, T. Takada, A. Kikuchi, K. Shimomura and K. Kishino Novel ZnCdSe/BeZnTe type-II superlattice structure grown on InP substrates by MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 10th Seoul Int. Symp. on The Physics of Semiconductors and Applications Seoul, Korea A35 ??? 2000

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, D. Sugihara, K. Kusakabe, S. Nakamura, T. Yamada and Y. Toyoura Controlled crystal polarity of high-quality GaN grown by RF-MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Japan-German Workshop Germany 15 ??? 2000

全著者名 論文名
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada, and K. Kishino Suppression of inversion domains and decrease of threading dislocations in migration enhanced epitaxial GaN by RF-molecular beam epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes Zeuthen/Berlin, Ger TuP5 ??? 2000

全著者名 論文名
K. Kishino, D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura and T. Yamada Suppressed inversion domains and decreased threading dislocations in GaN grown with the MEE mode by RF-molecular beam epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 4th Seminar on Science and Technology Tokyo 9 ??? 2000

全著者名 論文名
A. Kikuchi, T. Yamada, S. Nakamura, K. Kusakabe, D. Sugihara and K. Kishino Improvement of electrical property and surface morphology of GaN grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy by introduction of multiple AlN intermediate layer
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Europian Materials Research Society Spring Meeting Strasbourg, France C-X-6 ??? 2000

全著者名 論文名
T. Yamada, K. Kusakabe, D. Sugihara, S. Nakamura, Y. Toyoura, A. Kikuchi and K. Kishino Reduction of the threading dislocation in MEE-grown GaN with N-polarity by use of AlN multiple interlayer
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
4th Europian GaN Workshop Nottingham, United 9B ??? 2000

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, T. Yamada, K. Kusakabe, D. Sugihara and S. Nakamura RF-MBE growth of polarity-controlled GaN with threading dislocation suppressed by AlN multiple-interlayer (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
FSRC Science and Technology of Nitride Materials La Jolla, U.S.A. ??? ??? 2000

全著者名 論文名
T. Yamada, A. Kikuchi, K. Kusakabe, D. Sugihara, S. Nakamura, Y. Toyoura and K. Kishino Reduction of threading dislocations in RF-MBE grown polarity controlled GaN by AlN multiple interlayer
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Workshop on Nitride Semiconductors Nagoya, Japan MM2-4 ??? 2000

全著者名 論文名
Y. Toyoura, K. Kusakabe, T. Yamada, R. Bannai, A. Kikuchi and K. Kishino GaN-based resonant cavity enhanced UV-photodetectors
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Workshop on Nitride Semiconductors Nagoya, Japan WM2-1 ??? 2000

全著者名 論文名
K. Kusakabe, T. Yamada, Y. Toyoura, R. Bannai, A. Kikuchi and K. Kishino Quasi-free standing GaN epitaxial layer grown on nano-columnar GaN by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
27th Int Symp. on Compound Semiconductors Monterey, U.S.A. 129 ??? 2000

全著者名 論文名
K. Kishino, Y. Toyoura, A. Kikuchi, K. Kusakabe, T. Yamada and R. Bannai Fundamental study of GaN-based resonant-cavity-enhanced (RCE) photodetectors
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Korea-Japan Joint Workshop on Short Wavelength Semiconductor Optoelectronic Devices and Materials Cheju, Korea 55 ??? 2000

全著者名 論文名
K. Kusakabe, T. Yamada, A. Kikuchi and K. Kishino Step flow surface morphology in plasma assisted molecular beam epitaxy grown GaN
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Material Research Society 2000 Fall Meeting Boston, U.S.A. G3.33 ??? 2000

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, T. Yamada and K. Kusakabe Suppression of threading dislocations in RF-MBE GaN by AlN-intermediate layers grown at high temperature (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Electron Devices and Materials Symposia Chung-Li, Taiwan 70 ??? 2000

全著者名 論文名
H. Asahi, H. Tampo, H. Hiroki, Y. Imanishi, K. Asami and S. Gonda Gas Source MBE-grown GaN-related Novel Semiconductors for Novel Device Applications (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Sanken International Symposium Osaka, Japan ??? ??? 2000

全著者名 論文名
H. Asahi, A. Ayabe, H.J. Lee, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami and S. Gonda Gas source MBE growth of TlInGaAs/InP DH structures showing very small temperature variation of PL peak energy (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Beijing, China ??? ??? 2000

全著者名 論文名
H. Asahi, A. Ayabe, H.J. Lee, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami and S. Gonda TlInGaAs/InP DH structures with very small temperature-dependent bandgap energy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
12th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Williamsburg, Virgi #ThA1 557-560 2000

全著者名 論文名
H. Asahi, H. Tampo, M. Hiroki, Y. Imanishi, K. Asami and S. Gonda Gas Source MBE-grown GaN-related Novel Semiconductors for Novel Device Applications
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Sanken International Symposium Osaka, Japan ??? 34-41 2000

全著者名 論文名
Y. Imanishi, H. Asahi, H. Tampo, M. Hiroki, K. Asami and S. Gonda Optimazation of growth conditions for polycrystalline GaN on glass substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Sanken International Symposium Osaka, Japan ??? 179-180 2000

全著者名 論文名
O. Maeda, H. Asahi, A. Ayabe, K. Konishi, H.J. Lee, K. Asami and S. Gonda Gas source MBE growth and characterization of TlInGaAs on InP
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Sanken International Symposium Osaka, Japan ??? 300-301 2000

全著者名 論文名
K. Konishi, H. Asahi, A. Ayabe, O. Maeda, H.J. Lee, K. Asami and S. Gonda Observation of almost temperature-independent PL peak energy in TlInGaAs/InP heterostructures
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd Sanken International Symposium Osaka, Japan ??? 302-303 2000

全著者名 論文名
H. Asahi, A. Ayabe, H.J. Lee, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami and S. Gonda Gas source MBE growth of TlInGaAs/InP DH structures showing very small temperature variation of PL peak energy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Beijing, China # We3.1 172-173 2000

全著者名 論文名
H. Tampo, H. Asahi, M. Hiroki, Y. Imanishi, K. Asami and S. Gonda Growth of high quality polycrystalline GaN on glass substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy Beijing, China ??? 184-185 2000

全著者名 論文名
H. Tampo, H. asahi, M. Hiroki, Y. Imanishi, K. Asami and S. Gonda Electrical and optical properties of Si- and Mg-doped polycrystalline GaN on quartz glass substrate
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
International Workshop on Nitride Semiconductors Nagoya, Japan 219 ??? 2000

全著者名 論文名
K. Yamada, H. Asahi, H. Tampo, Y. Imanishi, K. Ohnishi and K. Asami Gas source MBE growth of polycrystalline GaN on metal substrates and the observation of strong photoluminescence emission
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
International Workshop on Nitride Semiconductors Nagoya, Japan 1 ??? 2000

全著者名 論文名
O. Maeda, K. Konishi, H.J. Lee, A. Mizobata, Y.K. Zhou, K. Asami, and H. Asahi Temperature-stable wavelength TlInGaAs/InP LEDs
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd International Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials Osaka, Japan #P23, 50 2000

全著者名 論文名
K. Onishi, K. Yamada, H. Tampo, Y. Imanishi, K. Asami, and H. Asahi Strong PL emission from poltcrystalline GaN grown on metal substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd International Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials Osaka, Japan #P22 49 2000

全著者名 論文名
F. Koyama, T. Yamatoya, and K. Iga Highly gain-saturated GaInAsP/InP SOA modulator for incoherent spectrum-sliced light source
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
12th Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'00) Williamsburg, VA WP2.26 ??? 2000

全著者名 論文名
.N. Nishiyama, S. Shinada, M. Arai, T. Miyamoto, F. Koyama, and K. Iga Optical anisotropy of highly strained GaInAs/GaAs quantum well on GaAs (311)B by MOCVD
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
10th Int. Conf. on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE X) Sapporo, Japan We-P1 ??? 2000

全著者名 論文名
T. Yamatoya, F. Koyama, and K. Iga Noise suppression and intensity modulation using gain-saturated semiconductor optical amplifier
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Topical Meeting on Optical Amplifiers and Their Applications 2000 (OAA2000) Quebec, Canada OMD12 72-74 2000

全著者名 論文名
M. Arai, N. Nishiyama, S. Shinada, A. Matsutani, F. Koyama, and K. Iga Highly controlled AlAs oxidation for single-mode vertical cavity surface emitting laser array fabrication
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
5th Optoelectronics and Communication Conf. (OECC2000) Chiba, Japan 14C1-3 ??? 2000

全著者名 論文名
N. Nishiyama, M. Arai, S. Shinada, T. Miyamoto, F. Koyama, and K. Iga A highly strained ((=1.12(m) GaInAs/GaAs VCSEL on GaAs (311) B substrate exhibiting stable polarization
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
17th Int. Semiconductor Laser Conf. (ISLC2000) Monteley, CA MB-3 ??? 2000

全著者名 論文名
F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, T. Yamatoya, T. Kondo, and K. Iga 1.5W operation of superluminescent diode with highly strained GaInAs/GaAs quantum well emitting at 1.2(m band
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
17th Int. Semiconductor Laser Conf. (ISLC2000) Monteley, CA P4 ??? 2000

全著者名 論文名
N. Nishiyama, S. Sato, T. Miyamoto, T. Takahashi, N. Jikutani, M. Arai, A. Matsutani, F. Koyama, and K. Iga First CW operation of 1.26(m electrically pumped MOCVD grown GaInNAs/GaAs VCSEL
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
17th Int. Semiconductor Laser Conf. (ISLC2000) Monteley, CA PD-1 ??? 2000

全著者名 論文名
M. Arai, N. Nishiyama, S. Shinada, A. Matsutani, F. Koyama, and K. Iga Single transverse mode and stable-polarization operation of GaInAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser array on GaAs (311) B
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
IEEE Lasers and Electro-Optics Society 2000 Annual Meeting (LEOS2000) Puerto Rico ThF4 728-729 2000

全著者名 論文名
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, M. Shibata, Y. Ishihara, M. Tsubamoto, T. Honda and H. Kawanishi Room Temperature Photoluminescence from BAlGaN-Based Double or Single Heterostructures for UV Laser Diode
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Third International Symposium on Bleu Laser and Light Emitting Diodes Berlin, Germany WeP13 ??? 2000

全著者名 論文名
M. Kurimoto, T. Takano, J. Yamamoto, Y. Ishihara, M. Horie, M. Tsubamoto and H. Kawanishi Growth of BGaN/AlGaN multi-quantum well Structure by metal-organic vapor phase epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Tenth International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Hokkaido University Tu-P38 ??? 2000

全著者名 論文名
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, Y. Ishihara, M. Horie and H. Kawanishi Improved 250nm UV PL Spectra from BAlGaN/AlN MQW on 6H-SiC Substrate by MOVPE Using TEB
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
International Workshop on Nitride Semiconductors-IWN2000- Nagoya Congress Cen PTD-31 ??? 2000

全著者名 論文名
T. Takano, H. Kawanishi, M. Kurimoto, Y. Ishihara, M. Horie and J. Yamamoto Improved Optical Quality of BAlGaN/AlN MQW Structure Grown on 6H-SiC Substrate by Controlling Residual Strain Using Multi-Buffer Layer
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Material Research Society FallMeeting Hynes Convention Ce G12.9 ??? 2000

全著者名 論文名
S-B. Che, I Nomura, W. Shinozaki, T. Sano, A. Kikuchi, K. Shimomura and K. Kishino First synthesis of wide-gap BeZnTe (~3eV) II-VI compounds on InP substrates with the high p-capability in mid 1018cm-3
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Ninth International Conference on II-VI Compounds Kyoto, Japan Tu-04 ??? 1999

全著者名 論文名
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino 2.6?m/hr high-speed growth of GaN by RF-molecular beam epitaxy and improvement of crystal quality by migration enhanced epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Third Int. Conf. on Nitride Semiconductors Montpellier, France Mo-P015 ??? 1999

全著者名 論文名
S. Nakamura, A. Kikuchi, K. Kushi, H. Sasamoto, D. Sugihara, K. Kusakabe and K. Kishino InGaN/GaN MQW and Mg-doped GaN growth using a shutter control method by RF-molecular beam epitaxy 
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
TheThird Int . Conf. On Nitride Semiconductors. Montpellier, France Tu-P005 ??? 1999

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, D. Sugihara, S. Nakamura and T. Yamada RF-MBE growth of high-quality nitride semiconductors by shutter control method with the controlled crystal polarity
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2nd Japan-Korea Joint Workshop on Short-Wavelength Semiconductor Optelectronic Devices and Materials Chiba, Japan ??? ??? 1999

全著者名 論文名
H.Asahi, H.Tampo, H.Hiroki, K.Asami and S.Gonda Gas source MBE growth of GaN-related novel semiconductors (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
5th IUMRS International Conference on Advanced Materials Beijing, China ??? ??? 1999

全著者名 論文名
H.Asahi, H.Tampo, M.Hiroki, K.Asami and S.Gonda Gas Source MBE Growth of GaN-related Novel Semiconductors
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
5th IUMRS International Conference on Advanced Materials Beijing, China #N32 607 1999

全著者名 論文名
Y.K.Zhou, H.Asahi, K.Takenaka, A.Ayabe, M.Fushida, K.Asami, S.Gonda Gas source MBE growth of Tl-based III-V semiconductors and their Raman scattering characterization
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques Tsukuba, Japan #Fr3-5 179-180 1999

全著者名 論文名
M.Hiroki, H.Asahi, H.Tampo, K.Asami and S.Gonda Improved properties of polycrstalline GaN grown on silica glass substrate
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques Tsukuba, Japan #Th3-4 111-112 July 27-30 $ 1999

全著者名 論文名
R.Kuroiwa, H.Asahi, K.Iwata, H.Tampo, K.Asami and S.Gonda Observation of quantum dot/quantum wire-like properties in the phase-separated GaN-rich GaNP
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd International Conference on Nitride Semiconductors Montpellier, France #TuP029 61 1999

全著者名 論文名
H.Tampo, H.Asahi, M.Hiroki, K.Asami, S.Gonda Strong photoluminescence emission from GaN on SrTiO3 substrate
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd International Conference on Nitride Semiconductors Montpellier, France #TuP075 78 1999

全著者名 論文名
H. Tampo, H. Asahi, M. Hiroki, Y. Imanishi, K. Asami and S. Gonda Optimazation of growth conditions for polycrystalline GaN on silica and SrTiO3
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2nd International Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials Osaka Japan #P47 72 1999

全著者名 論文名
A. Ayabe, H. Asahi, H.J. Lee, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami and S. Gonda Gas source MBE growth of temperature independent bandgap semiconductor TlInGaAs
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2nd International Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials Osaka, Japan #P31 56 1999

全著者名 論文名
D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, F. Koyama and K. Iga Long wavelength GaInas/GaAs quantum well lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
11th Inter. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'99) Davos WeP18 ??? 1999

全著者名 論文名
D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, F. Koyama and K. Iga Growth of highly strained 1.2 μm GaInAs/GaAs quantum wells for long-wavelength lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
9th biennial workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy Ponte Vedra Beach , ??? ??? 1999

全著者名 論文名
F. Koyama, S. Sato, T. Miyamoto, and K. Iga Composition Dependence of Carrier Lifetime and Spontaneous Emission of Highly Strained GaInNAs/GaAs QW Lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
IPRM'99 ??? ThB1-2 ???   1999

全著者名 論文名
F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen and K. Iga Highly Strained GaInAs/GaAs QW for 1.2 μm Surface Emitting Lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
IEEE LEOS Summer Topical Meeting ??? WC2.3 ??? 1999

全著者名 論文名
T. Yamatoya, S. Mori, F. Koyama, and K. Iga Design and fabrication of high power and broad-band GaInAsP/InP strained quantum well superluminescent diodes with tapered active region
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Pacific Rim Conf. on Lasers and Electro-Optics 1999 (CLEO/PR'99) Korea, Seoul FO6 ??? 1999

全著者名 論文名
F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, A. Matsutani, T. Sakaguchi, and K. Iga 2Gbit/s single-mode fiber data transmission using 1.2?m heatsink-free GaInAs/GaAs laser for Gbit/s-LAN
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
ECOC'99 Beijing, China WeB2, II-78 ??? 1999

全著者名 論文名
Z. Chen, D. Schlenker, F. Koyama, T. Miyamoto, A. Matsutani, and K. Iga High temperature characteristics of highly strained 1.2?m InGaAs/GaAs quantum well lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
5th Asia Pacific Conf. on Communications and 4th Optoelectronics and Communications Conf. (APCC/OECC'99) Beijing, China C6S1 1311-1314 1999

全著者名 論文名
F. Koyama, D. Schlenker, T. Miyamoto, Z. Chen, and K. Iga 1.2?m GaInAs/GaAs lasers - Are they useful for high capacity single mode fiber datacom?-
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
SPIE International Symposium on Photonics and Applications Singapole 3899-36 ??? 1999

全著者名 論文名
F. Koyama High characteristic temperature (T0>150K) 1.2?m GaInAs/GaAs lasers (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1999 Annual Meeting (LEOS'99) USA ??? ??? 1999

全著者名 論文名
T. Honda, N. Fujita, K. Maki, Y. Yamamoto and H. Kawanishi Initial Growth Monitoring of GaN Epitaxy on 6H-SiC by MO-MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques Tsukuba, Japan We3-5 ??? 1999

全著者名 論文名
M. Kurimoto, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Takano, J. Yamamoto, T. Honda, and H. Kawanishi Possibility of Strain Control in AlN Layer Grown by MOVPE on (0001) 6H-SiC with GaN/AlN Buffer
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
3rd International Conference on Nitride Semiconductors Montpellier, France Mo_P061 ??? 1999

全著者名 論文名
T. Honda, M. Kurimoto, M. Shibata and H. Kawanishi Photoluminescence Spectra of BGaN Grown on (0001) 6H-SiC by MOVPE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter Osaka, Japan PB2-42 ??? 1999

全著者名 論文名
I. Nomura, H. Shimbo, W. Shinozaki, H. Hattori, T. Sano, S-B. Che, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino MBE growth of novel MgSe/ZnSeTe:N II-VI compound superlattice quasi-quaternaries on InP substrates and application to light emiting diodes
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Tenth Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy Cannes, France PW3.5 ??? 1999

全著者名 論文名
W. Shinozaki, I. Nomura, H. Shimbo, H. Hattori, T. Sano, S-B. Che, A. Kikuchi, K. Shimomura and K. Kishino Crystal growth and characterization of II-VI compound light emitting diodes with novel superlattice quasi-quaternary cladding layers on InP substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1998 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials Hiroshima, Japan ??? ??? 1998

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, K. Kushi, H. Sasamoto, S. Nakamura and D. Sugihara High speed GaN growth and compositional control of III-nitride quantum structures by RF-radical source molecular beam epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
98 Korea-Japan Jont Workshop, Short Wavelength Semiconductor Optoelectronic Devices and Materials Korea III 59-66 1998

全著者名 論文名
K. Kushi, H. Sasamoto, D. Sugihara, S. Nakamura, A. Kikuchi, and K. Kishino High-speed growth of device quality GaN and InGaN by RF-MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Europian Material Research Society (E-MRS) Spring Meeting Strasbourg, France ??? ??? 1998

全著者名 論文名
H. Sasamoto, K. Kushi, S. Nakamura, D. Sugihara, A. Kikuchi, and K. Kishino Effect of initial process in formation of grain structure in GaN growth by MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2nd Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes Chiba, Japan Th-P19 ??? 1998

全著者名 論文名
K. Kishino, A. Kikuchi, K. Kushi, H. Sasamoto, D. Sugiura and S. Nakamura Micro/Quantum structural control of III-Nitrides by RF-radical source molecular beam epitaxy with high speed growth capability (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Electron. Device and Material Symposium, B: Compound Semiconductor Device, Circuits and Physics Session B1 Taiwan ??? ??? 1998

全著者名 論文名
K. Kishino, A. kikuchi, K. Kushi, H. Sasamoto, D. Sugihara and S. Nakamura High quality GaN growth using MEE-GaN buffers by RF-MBE with high growth rates around 1.4?m/hr
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1998 Japan-German Symposium Chiba, Japan ??? ??? 1998

全著者名 論文名
K.Takenaka, H.Asahi, H.Koh, K.Asami, S.Gonda, K.Oe Growth of TlInGaAs on InP by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Tenth International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Tsukuba, Japan #ThP-22 599-602 1998

全著者名 論文名
H.Asahi, K.Iwata, H.Tampo, R.Kuroiwa, K.Asami, S.Nakamura and S.Gonda Very strong photoluminescence emission from GaN grown on amorphous silica substrate by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Tenth International Conference on Molecular Beam Epitaxy Cannes, France ??? 198-199 1998

全著者名 論文名
H.Asahi, H.Koh, K.Takenaka, K.Asami, K.Oe and S.Gonda Gas source MBE growth and characterization of TlInGaP and TlInGaAs layers for long wavelength applications
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Tenth International Conference on Molecular Beam Epitaxy Cannes, France ??? 273-274 1998

全著者名 論文名
H.Tampo, H.Asahi, K.Iwata, K.Asami and S.Gonda Realization of blue-violet wavelength region GaN-rich GaNP by the growth at low temperatures
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2nd Interantional Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes Chiba, Japan ??? 719-722 1998

全著者名 論文名
H. Asahi, K. Takenaka, H. Koh, K. Asami, S. Gonda and K.Oe Gas source MBE growth of TlInGaP and TlInGaAs for the application to temperature-insensitive wavelength semiconductor lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
16th International Semiconductor Laser Conference Nara, Japan ??? 187-188 1998

全著者名 論文名
H.Asahi, K.Takenaka, H.Koh, K.Oe, K.Asami and S.Gonda Growth of TlInGaP and TlInGaAs for temperature-independent bandgap energy III-V semiconductors
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
25th International Symposium on Compound Semiconductors Nara, Japan Th2A-2 ??? 1998

全著者名 論文名
K. Takenaka, H. Asahi, A. Ayabe, K. Asami, and S. Gonda Growth of TlInGaAs by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1st International Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials Osaka, Japan ??? 62 1998

全著者名 論文名
H. Tampo, H. Asahi, M. Hiroki, K. Asami , H. Tabata, T. Kawai, S. Gonda Strong photoluminescence emission from polycrystalline GaN grown on oxide substrate by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1st International Symposium on Atomic Scale Processing and Novel Properties in Nanoscopic Materials Osaka, Japan ??? 61 1998

全著者名 論文名
Y. Kuga, M. Tsubamoto, T. Honda, H. Kawanishi, A. Koukitsu and H. Seki Thermodynamic Analysis of MOVPE Growth of BalGaN (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Optoelectronics '98, Physics and Simulation of Optoelectric Devices VI San Jose, CA, Unite ??? ??? 1998

全著者名 論文名
T. Honda, Y. Yamamoto and H. Kawanishi MO-MBE Growth of GaN on 6H-SiC without Buffer Layer Using Pre-heated NH3
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
E-MRS'98 Spring Meeting Strasbourg, France ??? Symp. L 1998

全著者名 論文名
T. Honda, Y. Yamamoto and H. Kawanishi Direct Growth of GaN on (0001) 6H-SiC
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes Chiba, Japan Tu-P15 ??? 1998

全著者名 論文名
H. Kawanishi Possible Application of (AlGaB)N Lattice-Matched Quaternary System to UV Light Emission
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1998 Japan-German Joint Workshop Chiba, Japan ??? ??? 1998

全著者名 論文名
T. Honda, H. Kawanishi, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Characteristic Temperature Estimation for GaN-Based Lasers
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1998 MRS Fall Meeting Boston, United Stat ??? ??? . 1998

全著者名 論文名
H. Kawanishi Possible Application of (AlGaB)N Lattice-Matched Quaternary System to UV Light Emission
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1998 Korea-Japan Joint Workshop Short-Wavelength Semiconductor Optoelectronic Devices and Materials Chonbuk National Un ??? ??? 1998

全著者名 論文名
H. Shinbo, W. Shinozaki, T. Nagano, I. Nomura, A. Kikuchi, and K. Kishino Growth and characterization of novel MgSe/ZnCdSe quasi-quaternaries on InP substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
8th Int. Conf. on II-VI Compounds Grenoble France Tu-P01 128 1997

全著者名 論文名
T. Nagano, M. Haraguchi, T. Morita, M. Arai, H. Shinbo, I. Nomura, A. Kikuchi, K. Shimomura, and K. Kishino High-reflectance 500-600-nm range MgZnCdSe distributed Bragg reflectors and quantum confined stark effect in ZnCdSe/MgZnCdSe quantum wells on InP substrates
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
8th Int. Conf. on II-VI Compounds Grenoble, France ??? 315 1997

全著者名 論文名
H. Hattori, I. Nomura, H. Shinbo, T. Nagano, M. Haraguchi, T. Morita, A. Kikuchi, and K. Kishino Absorption coefficient measurements of MgZnCdSe II-VI compounds on InP substrates and quantum confined Stark effect in ZnCdSe/MgZnCdSe multiple quantum wells
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1997 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials Hamamatsu, Japan C-6-7 216 1997

全著者名 論文名
M. Yoshizawa, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto, A. Kikuchi, and K. Kishino Self-organization of GaN/Al0.18Ga0.82N multi-layer nano-columns on (0001) Al2O3 by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Conf. on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan F-24 ??? 1997

全著者名 論文名
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto, and K. Kishino Shutter control method for control of Al contents in AlGaN quasi-ternary compounds grown by RF-MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Conf. on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan P1-1 ??? 1997

全著者名 論文名
N. Fujita, M. Yoshizawa, K. Kushi, H. Sasamoto, A. Kikuchi, and K. Kishino Epitaxial growth of GaN with a high growth rate of 1.2 ?m/hr by RF-radical source molecular beam epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Int. Conf. on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan P2-53 ??? 1997

全著者名 論文名
H.Asahi, K.Yamamoto, M.Fushida, H.Koh, K.Asami, S.Gonda, K.Oe Gas source MBE growth of TlInGaP and TlInGaAs as new materials for long-wavelength applications (invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
9th International Conference on InP and Related Materials Massachusetts, USA ??? ??? 1997

全著者名 論文名
H.Asahi, K.Yamamoto, M.Fushida, H.Koh, K.Asami, S.Gonda and K.Oe Gas source MBE growth of TlInGaP and TlInGaAs as new materials for long-wavelength applications
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
9th International Conference on InP and Related Materials Massachusetts, USA #TuE2 448-451 1997

全著者名 論文名
K.Iwata, H.Asahi, K.Asami, R.Kuroiwa, and S.Gonda Ion-removed ECR-MBE growth of GaN on amorphous silica glass substrate
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
International Workshop on Hard Electronics Tsukuba #S2 Abstracts 43 1997

全著者名 論文名
H.Koh, H.Asahi, M.Fushida, K.Yamamoto, K.Asami, S.Gonda, and K.Oe Photoconductance measurement on TlInGaP grown by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 6th Intern. Conf. on Chemical Beam and Related Growth Techniques Montreux, Switzerla #Mo2.6 ??? 1997

全著者名 論文名
K.Iwata, H.Asahi, R.Kuroiwa, K.Asami, and S.Gonda Strong photoluminescence emission from GaN layers grown on amorphous silica substrates by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The 6th Intern. Conf. on Chemical Beam and Related Growth Techniques Montreux, Switzerla #Mo2.5 ??? 1997

全著者名 論文名
K.Iwata, H.Asahi, K.Asami, R.Kuroiwa and S.Gonda GaN-rich side of GaNAs grown by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
1997 International Conference on Solid State Devices and Materials Hamamatsu, Japan ??? 192-193 1997

全著者名 論文名
K.Iwata, H.Asahi, K.Asami, R.Kuroiwa, H.Tampo and S.Gonda Promising characteristics of GaN layers grown on amorphous silica substrates by gas source MBE
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The second International Conference on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan ??? 196-197 1997

全著者名 論文名
T. Honda, T. Miyamoto, T. Sakaguchi, H. Kawanishi, F. Koyama, and K. Iga Effect of Piezo Electric Field on Emission Characteristics in GaN/AlGaN Quantum Wells
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan P1-21 ??? 1997

全著者名 論文名
N. Mochida, T. Honda, T. Shirakawa, A. Inoue, T. Sakaguchi, F. Koyama, and K. Iga Crystal Orientation Dependence of p-type Contact Resistance of GaN
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan 1-21 ??? 1997

全著者名 論文名
M. Tsubamoto, T. Honda, J. Yamamoto, M. Kurimoto, M. Shibata, M. Haruyama, and H. Kawanishi Basic Consideration of Bx1Aly1Ga(1-x1-y1)N/Bx2Aly2Ga(1-x2-y2)N Double Hetero-Structure Lattice-Matched to (0001) 6H-SiC
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan P2-7 ??? 1997

全著者名 論文名
T. Shirakawa, N. Mochida, A. Inoue, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Interface Control of GaN/AlN Quantum Well Structures in MOVPE Growth
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan P2-8 ??? 1997

全著者名 論文名
M. Shibata, M. Kurimoto, J. Yamamoto, T. Honda, and H. Kawanishi GaN/BAlN Heterostruture Grown on (0001) 6H-SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan, P2-62 ??? 1997

全著者名 論文名
J. Yamamoto, M. Kurimoto, M. Shibata, T. Honda, and H. Kawanishi Origin of Cracks in GaN/AlGaN DH Structure Grown on 6H-SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan P2-63 ??? 1997

全著者名 論文名
M. Kurimoto, M. Shibata, J. Yamamoto, M. Tsubamoto, T. Honda, and H. Kawanishi Direct Growth of GaN on (0001) 6H-SiC by Low-pressure MOVPE with Flow Channel
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
The Second International Conference on Nitride Semiconductors Tokushima, Japan P2-64 ??? 1997

全著者名 論文名
H. Kawanishi, M. Kurimoto, J. Yamamoto, M. Shibata and T. Honda Low Pressure MOCVD Growth of GaAlN and Related Compound for UV Emission (Invited)
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1997 Annual Meeting San Francisco, CA, ThL-1 ??? 1997

全著者名 論文名
T. Honda, M. Tsubamoto, Y. Kuga and H. Kawanishi Optical Gain in BGaN Lattice-Matched to 6H-SiC
会議名 開催場所 論文番号 ページ 発行年
Material Research Society 1997 Fall Meeting Boston, MA, United D15.45 ??? 1997

C.著書(Books)
全著者名 書名
H. Asahi Infrared Detectors and Emitters: Materials and Devices. (Editor: P.Capper and C.T.Elliott)
出版者名 出版場所 ISBN番号 ページ 発行年
Kluwer Academic publishers London ??? 233-249 2001


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