未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要

平成１２年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要

１．研究機関名		帝京科学大学

２．委員会名		短波長光デバイス第162委員会

３．研究期間		平成8年度～平成12年度

４．研究プロジェクト番号		96R16201

５．研究プロジェクト名		超高密度・超高速情報処理用短波長半導体光デバイスの研究開発

６．プロジェクト・リーダー

プロジェクト・リーダー名	フリガナ	所属部局名	職名
高橋　清	タカハシ　キヨシ	理工学部	教授

７．コア・メンバー

コア・メンバー名	フリガナ	所属研究機関名・所属部局名	職名
吉川　明彦	ヨシカワ　アキヒコ	千葉大学・工学部	教授
長谷川　文夫	ハセガワ　フミオ	筑波大学・物理工学系	教授
藤田　茂夫	フジタ　シゲオ	京都大学・大学院工学研究科	教授

８．研究協力者

研究協力者名	フリガナ	所属研究機関名・所属部局名	職名
木村　龍平	キムラ　リュウヘイ	帝京科学大学・理工学部	助教授
賈　岸偉	カ　ガンイ	千葉大学・工学部	助手

９．研究成果の概要

本研究プロジェクトでは、「超高密度・超高速情報処理用短波長半導体光デバイスの研究開発」を全体の研究課題とし、帝京科学大学を研究主拠点とした「短波長光デバイス用材料の評価と超高密度・超高速情報処理用光デバイス・システムの開発研究」を、また、千葉大学グループを研究副拠点として「ワイドギャップ半導体のエピタキシ制御と短波長半導体レーザの設計・作製・評価の研究」を、それぞれの研究プロジェクトの副題目として研究を進めてきた。
各研究分担者はそれぞれの研究分担課題の下に更に具体的な研究課題を設定して検討を進め、顕著な研究成果を得た。主な研究課題および成果を得られ研究項目は以下のとおりである。
(1)ワイドギャップ半導体（窒化物系およびII-VI族系両材料）におけるエピタキシおよび物性制御・評価：(1)立方晶系窒化物結晶成長制御、(2)六方晶系窒化物結晶成長制御（主としてMOVPE、HVPE）、(3)六方晶系窒化物結晶成長制御（主としてMBE）、(4)新規六方晶系II-VI族化合物半導体の設計・作製・評価、(5)結晶極性制御・評価
(2)量子井戸および量子ドット構造の設計・作製・評価：(1)InGaN/GaN量子井戸中のIn組成の揺らぎと量子ドット構造の自然形成、(2)II-VI族化合物系量子井戸および量子ドット構造の作製・評価、
(3)短波長光デバイス・システム（レーザダイオード、および変調器など）の設計と評価：(1)窒化物系面発光レーザ構造の設計・作製・評価、(2)励起子効果・量子効果を利用した超高速光変調器の研究開発、(3)窒化物系紫色レーザダイオードの特性解明

１０．キーワード

(1)ワイドップ半導体、(2)短波長光デバイス、(3)III-V族窒化物
(4)II-VI族化合物、(5)エピタキシー、(6)紫外レーザダイオード
(7)面発光レーザ、(8)低次元量子構造、(9)超高速光変調器

１１．研究発表（印刷中も含む）

[雑誌論文]

著者名	論文標題
K. Yamaguchi, Z. X. Qin, H. Nagano, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, and K. Takahashi	Atomically Flat GaAs(001) Surface Obtained by High Temperature Treatment with Atomic Hydrogen Irradiation
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	L1367_L1369

著者名	論文標題
A. Yoshikawa, H. Nagano, Z. Qin, Y. Sugure, A. W. Jia, M. Kobayashi, M. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi	Effect of Atomic-Hydrogen treatment of (001)GaAs Substrate at "High Temperatures" on RF Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of Cubic GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		482	1997	227_232

著者名	論文標題
A. Yoshikawa, Z. Qin, H. Nagano, Y. Sugure, A. W. Jia, M. Kobayashi, M. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi	High-Resolution X-Ray Diffraction Analysis of "Device-Quality" Cubic GaN Grown on (001)GaAs SUBSTRATE PREPARED BY Atomic-Hydrogen treatment at "High Temperatures"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		482	1997	465_470

著者名	論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Nagai, Y. Uchida, T. Matsuzawa, K. Takahashi and G. C. Schulz	A Study of Initial Growth Mechanism of c-GaN on GaAs(100) by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	406_410

著者名	論文標題
M. Kobayashi, S. Nakamura, K. Wakao, A. Yoshikawa and K. Takahashi	Molecular beam epitaxy of CdS Self-Assembled Quantum Dots on ZnSe
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B16	1998	1316_1320

著者名	論文標題
M. Kobayashi, C. Setiagung, K. Wakao, S. Nakamura, A. Yoshikawa and K. Takahashi	MBE growth and characterization of ZnSTe and ZnMgSTe alloys
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		184/185	1998	66_69

著者名	論文標題
A. Yoshikawa, Z. Qin, H. Nagano, Y. Sugure, A. W. Jia, M. Kobayashi, Y. Kato and K. Takahashi	MBE Growth of Device-Quality Cubic GaN on Atomically Flat (001)GaAs Prepared by Atomic-Hydrogen Treatment at High-Temperatures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Slicon Carbide III-nitrides and Related Materials-Part 2, Materials Science Forum		264-268	1998	1221_1224

著者名	論文標題
Z. Qin, N. Nagano, Y. Sugure, A. W. Jia,, M. Kobayashi, Y. Kato, A. Yoshikawa, and K. Takahashi	High-Resolution X-ray Diffraction Anylysis of Cubic GaN Grown on (001) GaAs by RF-Radical Source Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	425_429

著者名	論文標題
H. Nagano, Z. Qin, A. W. Jia, M. Kobayashi, Y. Kato, A. Yoshikawa, and K. Takahashi	Atomically Flat (001)GaAs Surface Prepared by Two-Step Atomic-Hydrogen Treatment and Its Application to Hereroepitaxy of GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	265_269

著者名	論文標題
Y. Taniyasu, R. Ito, N. Shimoyama, M. Kurihara, A. W. Jia, M. Kobayashi, Y. Kato, A. Yoshikawa, and K. Takahashi	In-Situ Monitoring of Initial Growth Stages of GaN Films on GaAs(001) in Low-Pressure MOVPE by Spectroscopic Ellipsonmetry
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth (to be published)		189/190	1998	305_309

著者名	論文標題
M. Murayama and T. Nakayama	Reflectance Difference Spectra Calculations of GaAs (001) As- and Ga-rich Reconstruction Surface Structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	4110_4114

著者名	論文標題
M. Ishikawa and T. Nakayama	Stacking and Optical Properties of Layered In_{2<・SUB>Se_3<・SUB>}
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	L1125_L1127

著者名	論文標題
S. Nakamura, K. Kitamura, H. Umeya, A. W. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, S. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi	Bright electroluminescence from CdS quantum dot LED structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electronics Letters		34	1998	2435_2436

著者名	論文標題
S. Nakamura, K. Kitamura, H. Umeya, A. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, S. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi	Bright electroluminescence from CdS quantum Dot LED structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electro. Lett.		34	1998	2435_2435

著者名	論文標題
秦　志新、賈　岸偉、小林　正和、吉川　明彦	原子状水素によるGaAs(001)基板表面の超平坦化と純立方晶層GaNのMBE成長
雑誌名		巻	発行年	ページ
真空		41	1998	950-954

著者名	論文標題
M. Shimotomai and A. Yoshikawa	Simultaneous phase separation and basal-plane atomic ordering in In_{ｘ<・SUB> Ga_{1-ｘ<・SUB>N}}
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		73	1998	3256_3258

著者名	論文標題
K. Wakao, S. Nakamura, A. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi	Citric Acid Etching of ZnSe Surface and Application to the Homoepitaxy by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys		37	1998	L749_L751

著者名	論文標題
Z. Qin, M. Kobayashi, A. Yoshikawa and K. Takahashi	X-Ray Diffraction Reciprocal Space and Pole Figure Characterization of Cubic GaN Epilayers Grown on (001) GaAs by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Materials Science Materials in Electronics		10	1999	199_202

著者名	論文標題
M. Kobayashi, S. Nakamura, K. Kitamura, H. Umeya, A. Jia, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi	Luminescence properities of CdS quantum dots on ZnSe
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B17	1999	2005_2008

著者名	論文標題
M. Kobayashi, K. Wakao, S. Nakamura, Y. Sugure, A. W. Jia, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi	Homoepitaxy of ZnSe on the citric acid etched (001) ZnSe Surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		201/202	1999	474_476

著者名	論文標題
H. Hayashi, A. Hayashida, A. W. Jia, M. Kobayashi, M. Shimotomai, Y. Kato, A. Yoshikawa, and, K. Takahashi	Origin of the tilt of crystalline axis influenced by N-beam incidence direction in rf-MBE of cubic GaN epilayer on (001) GaAs
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol.		216	1999	241_245

著者名	論文標題
Y. Taniyasu, Y. Watanabe, D. H. Lim, A. W. Jia, M. Shimotomai, Y. Kato, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, and K. Takahashi	Structureal Defects of Cubic InGaN/GaN Heterostructure Grown on GaAs(001) Substrate by MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. stat. sol. (a)		176	1999	397_401

著者名	論文標題
A. Jia, T. Furushima, M. Kobayashi, Y. Kato, M. Shimotomai, A. Yoshikawa and K. Takahashi	Design of new UV/blue/green light emitters made of hexagonal-phase ZnMgCdOSSe mixed-crystal system fabricated on GaAs- and InP-(111) substrates
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		214/215	2000	1085_1090

著者名	論文標題
K. Kitamura, H. Umeya, A. W. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi	Self-assembled CdS quantum dot structures grown on ZnSe and ZnSSe
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		214/215	2000	680_683

著者名	論文標題
H. Umeya, K. Kitamura, A. W. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi	Growth of hexagonal ZnCdS on GaAs (111)B and (001) substrates by MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		214/215	2000	192_196

著者名	論文標題
M. Kobayashi, K. Kitamura, H. Umeya, A. W. Jia, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi	Growth of CdS self-organized quantum doots by molecular beam epitaxy and application to light emmiting diode structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B18	2000	1684_1687

著者名	論文標題
M. Kobayashi, K. Kitamura, H. Umeya, A. Jia, A. Yoshikawa, Y. Kato, M. Shimotomai, and K. Takahashi	CdS based novel light emitting device structures grown by MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. stat. sol. (a)		180	2000

著者名	論文標題
T. Kazama, F. Yasunaga, Y. Taniyasu, A. Jia, Y. Kato, M. Kobayashi, A. Yoshikawa and K. Takahashi	Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy Characterization of Cubic GaN Epilayers Grown on (001) GaAs
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. stat. sol. (a)		180	2000	345_350

著者名	論文標題
Y. Taniyasu, K. Suzuki, D. H. Lim, A. Jia, M. Shimotomai, Y. Kato, M. Kobayashi, A. Yoshikawa and K. Takahashi	Cubic InGaN/GaN Double-Heterostructure Light Emitting Diodes Grown on GaAs (001) Substrates by MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. stat. sol. (a)		180	2000	241_246

著者名	論文標題
Z. J. Yang, Y. Z. Tong, G. Y. Zhang, X. L. Du, N. Fujii, A. Jia, A. Yoshikawa	Effect of pits in InGaN/GaN multi-quantum well on the strain and In composition segregation
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. stat. sol. (a)		180	2000	81_84

著者名	論文標題
B. L. Liu, D. H. Lim, M. Lachab, A. W. Jia, K. Takahashi, and A. Yoshikawa	A new Approach to grow GaN by Low-Pressure MOCVD Using a Three Step Technique
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1			2000	133_136

著者名	論文標題
D. H. Lim, K. Suzuki, S. Arima, Y. Taniyasu, K. Xu, B. L. Liu, G. H. Yu, K. Takahashi, and A. Yoshikawa	CAICISS Analysis for the Polarity Conversion of GaN Films Grown on Nireided Sappire Substrates
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1			2000	150_153

著者名	論文標題
X. L. Du, D. H. Lim, K. Xu, Y. Taniyasu, B. L. Liu, G. H. Yu, A. W. Jia, K. Takahashi, and A. Yoshikawa	Direct Observation of Defect Structures in Ga-Polar and N-Polar GaN Epilayers by Cross-Sectional Cathodoluminescence
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1			2000	502_505

著者名	論文標題
R. Kimura and K. Takahashi	High quality epitaxial growth of h-GaN on Al203(0001) and c-GaN on GaAs(100) by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. stat. sol. (a)		180	2000	235_239

著者名	論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi	High purity cubic GaN grown on an AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		209	2000	382_386

著者名	論文標題
R. Kimura, K. Takahashi, A. Jia, M. Kobayashi and A. Yoshikawa	Molecular beam epitaxial growth of GaN on (0001) Al203 using an ultrathin amorphous buffer layer deposited at low temperature
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	1039_1043

著者名	論文標題
R. Kimura, K. Takahashi and H. T. Grahn	A study on the growth of cubic-GaN film using an AlGaAs buffer layer grown on GaAs(100) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Symp.		639	2001	G3.46.1_G3.46.5

著者名	論文標題
X. L. Du, D. H. Lim, K. Xu, B. L. Liu, A. W. Jia, K. Takahashi and A. Yoshikawa	Cross-sectional Cathodoluminescence Study in Ga-polar and N-polar GaN Epilayers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp.		639	2001	G6.16.1_G6.16.6

著者名	論文標題
K. Xu, D. H. Lim, B. L. Liu, A. W. Jia, A. Yoshikawa	Atomic force microscopy study of GaN grown on Al203 (0001) by LP-MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp.		639	2001	G3.28.1_G3.28.5

著者名	論文標題
H. Hayashi, A. Hayashida, A. Jia, K. Takahashi, A. Yoshikawa	Experimental investigation of inclusion of hexagonal GaN phase domain by varying nitrogen-beam direction to a <111> axis in MBE growth of cubic GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of crystal growth, (in press)			2001

著者名	論文標題
R. Kimura and K. Takahashi	Investigation of initial growth stage of cubic-GaN using AlGaAs buffer layer on GaAs (100) by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth (in press)			2001

著者名	論文標題
K. Xu, N. Yano, A. W. Jia, K. Takahashi, A. Yoshikawa	Polarity Control of GaN Grown on Sapphire Substrate by RF-MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth (to be published)			2001

著者名	論文標題
K. Xu, N. Yano, A. W. Jia, K. Takahashi, A. Yoshikawa	In-situ Real-time Analysis on Strain Relaxation Process in GaN Growth on Sapphire by RF-MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth (to be published)			2001

著者名	論文標題
K. Xu, N. Yano, A. W. Jia, A. Yoshikawa, K. Takahashi	Kinetic process in polarity selection of GaN grown by RF-MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
to be published on Phys. Solid Status			2001

著者名	論文標題
D. H. Lim, K. Xu, S. Arima, A. Yoshikawa and K. Takahashi	Polarity conversion of GaN films by the insertion of two monolayers of aluminum
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Physics Letters (in press)			2001

著者名	論文標題
R. Kimura and K. Takahashi	A study on initial nucliation using an ultra thin amorphous buffer layer for the growth of GaN on Al₂O₃(0001) by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	402_406

著者名	論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen and T. Goto	Optically pumped lasinh of ZnO at room temperature
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		70	1997	2230_2232

著者名	論文標題
M. W. Cho, K. W. Koh, K. Morikawa, K. Arai, H. D. Jung, Z. Q. Zhu, T. Yao and Y. Okada	Surface treatment of ZnSe substrate and homoepitaxy of ZnSe
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Electron. Mater.		26	1997	423_428

著者名	論文標題
Z. Q. Zhu, E. Kurtz, K. Arai, Y. F. Chen, D. M. Bagnall, P. Tomashini, F. Lu, T. Sekiguchi, T. Yao, T. Yasuda and Y. Segawa	Self-organized growth of II-VI wide bandgap quantum dot structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (b)		202	1997	827_833

著者名	論文標題
S. Q. Wang, F. Lu, H. D. Jung, C. D. Song, Z. Q. Zhu, H. Okushi, B. C. Cavenett and T. Yao	Electronic states in ZnSe/ZnTe type-II superlattice studied by capacitance transient spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		82	1997	3402_3407

著者名	論文標題
Y. F. Chen, D. M. Bagnall, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, K. T. Park, K. Hiraga, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen and T Goto	Growth of ZnO single crystal thin films on c - plane(0001)sapphire by plasma enhanced molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		181	1997	165_169

著者名	論文標題
Y. F. Chen, D. M. Bagnall, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, K. T. Park, K. Hiraga and T. Yao	Observation of zinc oxide quantum pyramids grown by plasma enhanced molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Nonlinear Optics		18	1997	107_110

著者名	論文標題
5. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen and T. Goto	High temperature stimulated emission of ZnO grown by plasma assisited molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Nonlinear Optics		18	1997	243_246

著者名	論文標題
Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, D. M. Bagnall, T. Sekiguchi and T. Yao	ZnO quantum pyramids grown on c-plane sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		184/185	1998	269_273

著者名	論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, M. Y. Shen, Z. Q. Zhu, T. Goto and T. Yao	Room temperature excitonic stmuated emission from zinc oxide epilayers grown by plasma-assisted MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		184/185	1998	605_609

著者名	論文標題
Y. F. Chen, D. M. Bagnall, H. J. Koh, K. T. Park, K. Hiraga, Z. Q. Zhu and T. Yao	Plasma assisted molecular beam epitaxy of ZnO on c-plane sapphire: Growth and characterzation
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		84	1998	3912_3918

著者名	論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Zhu, J. M. Ko, T. Fukuda and T. Yao	Electron beam exposure and epitaxy of ZnO films on (111)CaF2
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 2th Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes			1998	500_503

著者名	論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, H. J. Ko, Z. Q. Zhu, M. Y. Shen, T. Goto and T. Yao	ZnO excitonic Lasers- the future of short wavelength emission?
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 2th Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes			1998	536_539

著者名	論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu and T. Yao	High temperature excitonic stimulated emission from ZnO epitaxial layers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		73	1998	1038_1040

著者名	論文標題
T. Yao, Y. F. Chen and D. M. Bagnall	ZnO as a novel photonic material for the UV region
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 2nd International Warkshop on Optoelectronics			1998	80_86

著者名	論文標題
A. Yamamoto, T. Kido, T. Goto, Y. F. Chen, T. Yao and A. Kasuya	Pump-probe measurement of ZnO epitaxial thin films
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Korean Phys. Soc.		34	1999	58_60

著者名	論文標題
M. W. Cho, J. H. Chang, D. M. Bagnall, K. W. Koh, S. Saeki, K. T. Park, Z. Zhu, K. Hiraga and T. Yao	Growth and characterization of beryllium-based II-VI compounds
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		85	1999	512_517

著者名	論文標題
M. W. Cho, S. Saeki, S. K. Hong, J. H. Chang, N. Nakajima, T. Yao, T. H. Yoon and J. H. Lee	Non-alloyed Au/p-ZnSe/p-BeTe ohmic contact layers for ZnSe-based blue-green laser diodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electr. Lett.		35	1999	1740_1742

著者名	論文標題
A. Yamamoto, T. Kido, T. Goto, Y. F. Chen, T. Yao and A. Kasuya	Dynamics of photoexcited carriers in ZnO epitaxial thin films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		75	1999	469_471

著者名	論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, J. M. Ko, T. Hanada, Z. Zhu, T. Fukuda and T. Yao	Two-step MBE growth of ZnO layers on electron beam exposed(111)CaF2
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		207	1999	87_94

著者名	論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen and T. Goto	Plasma assisted molecular beam epitaxy of ZnO for optoelectronic applications
雑誌名		巻	発行年	ページ
Recent Res. Devel. Crystal Growth Res.			1999	1257_1273

著者名	論文標題
Y. F. Chen, S. K. Hong, H. J. Ko, M. Nakajima, T. Yao and T. Segawa	Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of ZnO epilayers on atomically flat MgA1204(111) substrates
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		76	2000	245_247

著者名	論文標題
Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong and T. Yao	Layer-by-layer growth of ZnO epilayer on Al₂O₃(0001)by using a MgO buffer layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		76	2000	559_561

著者名	論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, Z, Zhu, T. Hanada and T. Yao	Effects of a low-temperature buffer layer on structural properties of ZnO epilayers grown on(111)CaF2 by two-step MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		208	2000	389_394

著者名	論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen and T. Yao	Defect characterization in epitaxial ZnO/epi-GaN/Al₂O₃ hetero-structures: transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		209	2000	537_541

著者名	論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen and T. Yao	Defect characterization in epitaxial ZnO/epi-GaN/A1203 heterostructures: transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		209	2000	537_541

著者名	論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, S. K. Hong and T. Yao	MBE growth of high-quality ZnO Films on epi-GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		209	2000	816_821

著者名	論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, T. Yao, I. Kobayashi and H. Uchiki	Photoluminescence properties of ZnO epilayers grown on CaF2(111)by plasma assisted molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		76	2000	1905_1907

著者名	論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Hanada and T. Yao	Evolution of initial layers of plasma-assisted MBE grown ZnO in (0001)GaN/sapphire
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		214/215	2000	81_86

著者名	論文標題
Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong, T. Yao and Y. Segawa	Two dimensional growth of ZnO films on sapphire (0001) with buffer layers
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		214/215	2000	87_91

著者名	論文標題
A. Yamamoto, T. Kido, T. Goto, Y. F. Chen, T. Yao and A. Kasuya	Time-resolved photoluminescence in ZnO epitaxial thin films studied by up-conversion method
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		214/215	2000	308_311

著者名	論文標題
S. K. Hong, T. Yao, B. J. Kim, S. Y. Yoon and T. I. Kim	Origin of hexagonal-shaped etch pits formed in (0001) GaN films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		77	2000	82_84

著者名	論文標題
Y. F. Chen, D. M. Bagnall and T. Yao	ZnO as a novel photonic material for the UV region
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mater. Sci. Eng.		B75	2000	190_198

著者名	論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Yao, M. Miyajima, A. Yamamoto and T. Goto	Biexciton emission from high-quality ZnO films grown on epitaxial GaN by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett. 77 (4)(2000) 537 - 539		77	2000	537_539

著者名	論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Hanada and T. Yao	Control and characterization of ZnO/GaN heterointerfaces in plasma-assisted MBE-grown ZnO films on GaN/A12O3
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159/160	2000	441_448

著者名	論文標題
Y. F. Chen, S. K. Hong, H. J. Ko, M. Nakajima, T. Yao and T. Segawa	Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of ZnO epilayers on atomically flat MgA12O4(111) substrates
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett		76	2000	245_247

著者名	論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Hanada and T. Yao	ZnO/GaN heterointerfaces and ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/A12O3
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B18	2000	2313_2321

著者名	論文標題
S. K. Hong, T. Hanada, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Yao, D. Imai, K. Araki and M. Shinohara	Control of polarity of ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Zn-and O-polar ZnO films on Ga-polar GaN templated
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		77	2000	3571_3573

著者名	論文標題
Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong, T. Sekiguchi, T. Yao and Y. Segawa	Plasma-assisted molecular beam epitaxy for ZnO based II-VI semiconductor oxides and their heterostructures
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B18	2000	1514_1517

著者名	論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, S. K. Hong, H. Wenisch, T. Yao and D. C. Look	Ga-doped ZnO films grown on GaN templates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		77	2000	3761_3763

著者名	論文標題
A. Takeuchi, Y. Kumagai, H. Tsuchiya, M. Kawabe, M. Kurihara and F. Hasegawa	Initial Stage of Cubic GaN Film Growth on (001) GaAs by MOMBE using MMHyand TEG
雑誌名		巻	発行年	ページ
Institute of Physics Conference Series		142	1996	843_846

著者名	論文標題
M. Akamatsu, H. Tsuchiya, M. Ishida and F. Hasegawa	Atomic Layer Epitaxy of GaN using GaC13 and NH3 its Analysis by Surface Photo-Absorption Method
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceeding of International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes			1996	98_101

著者名	論文標題
H. Tsuchiya, M. Akamatsu, M. Ishida and F. Hasegawa	Layer by Layer Growth of GaN on GaAs Substrate using GaCl₃ and NH₃
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		35	1996	L748_L750

著者名	論文標題
H. Tsuchiya, A. Takeuchi, A. Matsuo and F. Hasegawa	Dependence of the HVPE GaN Epilayer on GaN Buffer layer for GaN Direct Growth on (001) GaAs Substrate
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid State Electronics		41	1997	333_338

著者名	論文標題
H. Tsuchiya, K. Sunaba, S. Yonemura, T. Suemasu and F. Hasegawa	Cubic Dominant GaN Growth on (001) GaAs Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	L1_L3

著者名	論文標題
A. Takeuchi, H. Tsuchiya, M. Kurihara and F. Hasegawa	Azimuth Dependence of The Crystal Quality of GaN Grown on (100) GaAs by MOMBE and Its Improvement by Annealing
雑誌名		巻	発行年	ページ
Institute of Physics Conference Series Proceeding of 23rd Int. Symp. on Compound Semiconductors		155	1997	183_186

著者名	論文標題
H. Tsuchiya, K. Sunaba, M. Minami, T. Suemasu and F. Hasegawa	Influence of As Autodoping from GaAs Substrates on Thick Cubic GaN Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese Journal of Applied Physics		37	1998	L568_L570

著者名	論文標題
S. Yonemura, T. Yaguchi, H. Tsuchiya, N. Shimoyama, T. Suemasu and F. Hasegawa	Comparison between Monomethyl-hydrazine and ECR Plasma Activated Nitrogen as a Nitrogen Source for CBE Growth of GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		188	1998	81_85

著者名	論文標題
S. Yonemura, T. Yaguchi, H. Tsuchiya, N. Shimoyama, T. Suemasu and F. Hasegawa	Comparison between Monomethyl-hydrazine and ECR Plasma Activated Nitrogen as a Nitrogen Source for CBE Growth of GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		188	1998	81_85

著者名	論文標題
7. F. Hasegawa, M. Minami, K. Sunaba and T. Suemasu	Thick GaN growth on GaAs (111) substrates at 1000oC with HVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		178	1999	421_424

著者名	論文標題
F. Hasegawa, M. Minami, K. Sunaba and T. Suemasu	Thick GaN growth on GaAs (111) substrates at 1000℃ with HVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		178	1999	421_424

著者名	論文標題
T. Suemasu, M. Sakai and F. Hasegawa	Optimum thermal-cleaning condition of GaAs surface with a superior arsenic source: Trisdimethylamino-arsine
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		209	2000	267_271

著者名	論文標題
M. Sasaki, S. Yonemura, T. Nakayama, N. Shimoyama, T. Suemasu and F. Hasegawa	CBE Growth of GaN on GaAs(001) and (111)B Substrates UsingMonomethylhydrazine
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		209	2000	373_377

著者名	論文標題
F. Hasegawa, M. Minami, K. Sunaba and T. Suemasu	One possibility of obtaining bulk GaN: halide VPE growth at 1000oC on GaAs (111) substrates
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEICE Trans. Electron.		E83-C	2000	633_638

著者名	論文標題
M. Sasaki, T. Nakayama, N. Shimoyama, T. Suemasu and F. Hasegawa	Superiority of an AIN Intermediate Layer for Heteroepitaxy of Hexagonal GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	4869_4874

著者名	論文標題
T. Nakayama, M. Namerikawa, O. Takahashi, T. Suemasu and F. Hasegawa	HVPE/MOMBE Hybrid Growth of High Quality Hexagonal GaN on SiO2 Substrates with an AIN Buffer Layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of Int. Workshop on Nitride Semiconductors, 2000 Nagoya, Japan. IPAP Conference Series 1			2000	7_10

著者名	論文標題
O. Takahashi, M. Namerikawa, H. Tanaka, R. Souda, T. Suemasu and F. Hasegawa	Polarity of Hexagonal GaN Grown on GaAs (111)A and (111)B Substrates by HVPE and MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of MRS 2000 Fall Meetings (in press)			2001

著者名	論文標題
Y. Luo, R. Pu, C. Sun, J. Peng, T. Hirata, T. Eguchi, Y. Nakano and K. Tada	A Novel Monolithically Integrated Device Composed of MQW GaAlAs/GaAs Gain-Coupled DFB Laser and Electroabsorption Modulator
雑誌名		巻	発行年	ページ
Chinese J. Semiconductors		17	1996	347_352

著者名	論文標題
M. Kato, K. Tada and Y. Nakano	Wide-Wavelength Polarization-Independent Optical Modulator Based on Tensile-Strained Quantum Well with Mass-Dependent Width
雑誌名		巻	発行年	ページ
IIEEE Photon. Tech. Lett.		8	1996	785_787

著者名	論文標題
H. Feng, J. Pang, K. Tada and Y. Nakano	Large Field-Induced Refractive Index Change without Red Shift of Absorption Edge in Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Wells with Modified Potential
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Photon. Tech. Lett.		9	1997	639_641

著者名	論文標題
M. Sugiyama, K. Kusunoki, Y. Shimogaki, S. Sudo, Y. Nakano, H. Nagamoto, K. Sugawara, K. Tada, and H. Komiyama	Kinetic studies on thermal decomposition of MOVPE sources using Fourier transform infrared spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		117/118	1997	746_752

著者名	論文標題
T. K. Sudoh, M. Kumano, Y. Nakano, and K. Tada	Wavelength trimming by photo-absoprtion induced disordering for multiple-wavelength distributed-feedback laser arrays
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Photonics Technology Letters		9	1997	887_891

著者名	論文標題
N. Chen, Y. Nakano, K. Okamoto, and K. Tada	Geert Morthier, and Roel Baets, "Analysis, fabrication, and characterization of tunable DFB lasers with chirped gratings
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics		3	1997	541_546

著者名	論文標題
M. Bouda, Y. Nakano and K. Tada	Wide-Angle Coupling to Multi-Mode Interference Devices -A Novel Concept for Compacting Photonic Integrated Circuits-
雑誌名		巻	発行年	ページ
Trans. Inst. Electron. Inform. Commun. Engrs.		E80-C	1997	640_645

著者名	論文標題
H. Feng, M. Sugiyama, J. Pang, K. Tada and Y. Nakano	Strong Exciton Absorption Peak Enhancement without Redshift of Absorption Edge in Al0.3Ga0.7As/GaAs Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Well with Modified Potential
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	L855_L856

著者名	論文標題
H. Feng, E. H. Li and K. Tada	Analysis of X-Intersecting Waveguide Switches with a Large Branching Angles Ranging from 2° to 12°
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	5136_5142

著者名	論文標題
K. Nishioka, M. Sugiyama, M. Nezuka, Y. Shimogaki, Y. Nakano, K. Tada, and H. Komiyama	Optimization of electron cyclotron resonance reactive ion beam etching reactors for dry etching of GaAs with C12
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Electrochemical Society		144	1997	3191_3197

著者名	論文標題
Hao Feng, Kunio Tada and Yoshiaki Nakano	Polarization-independent large field-induced retractive index change in a strained five-step GaAs asymmetric coupled quantum well
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		71	1997	2674_2675

著者名	論文標題
H. Feng, J. P. Pang, M. Sugiyama, K. Tada and Y. Nakano	Field-Induced Optical Effect in a Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Well with Modified Potential
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE J. Quantum Electron.		34	1998	1197_1208

著者名	論文標題
多田　邦雄	ポテンシャル制御量子井戸と高性能光変調デパイス
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		69	2000	1292-1298

著者名	論文標題
Taro Arakawa, Kunio Tada, Naoki Kurosawa, Joo-Hyong Noh	Anomalous Sharp Dip of Large Field-Induced Refractive Index Change in GaAs/AlGaAs Five- Layer Asymmetric Coupled Quantum Well
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	6329_6333

著者名	論文標題
Kunio Tada, Taro Arakawa, Kensuke Kazuma, Naoki Kurosawa, and Joo-Hyong Noh	Influence of One Monolayer Thickness Variation in GaAs/AlGaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well upon Electrorefractive Index Change
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		40	2001	656_661

著者名	論文標題
T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama, K. Iga, K. Inoue, H. Munekata and H. Kukimoto	Design and Fabrication of ZnSe-based Blue/Green Surface Emitting Lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		159	1996	595_599

著者名	論文標題
T. Honda, F. Koyama, and K. Iga	Design consideration of GaN-Based surface emitting lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		449	1997	1151_1159

著者名	論文標題
T. Shirasawa, T. Honda, F. Koyama, and K. Iga	ZnO buffer layer formed on Si and Sapphire substrate for GaN MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		449	1997	373_377

著者名	論文標題
K. Saotome, A. Matsutani, T. Shirasawa, M. Mori, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama, and K. Iga	Reactive ion beam etching of GaN grown by MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		449	1997	1029_1033

著者名	論文標題
T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga	Interface Control of GaN/AlGaN Quantum Well Structures in MOVPE Growth
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		180/190	1998	124_127

著者名	論文標題
T. Honda, T. Miyamoto, T. Sakaguchi, H. Kawanishi, F. Koyama, and K. Iga	Effect of piezo electric field on emission characteristics GaN/AlGaN quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		180/190	1998	644_648

著者名	論文標題
N. Mochida, T. Honda, T. Shirasawa, A. Inoue, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga	Crystal orientation dependence of p-type contact resistance of GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		180/190	1998	716_719

著者名	論文標題
Y. Moriguchi, T. Miyamoto, T. Sakaguchi, M. Iwata, Y. Uchida, F. Koyama and K. Iga	GaN polycrystal Growth on Silica Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)
雑誌名		巻	発行年	ページ
3rd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Berlin		WeP19	2000

著者名	論文標題
T. Honda, H. Kawanishi, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga	Characteristic Temperature Estimation for GaN-Based Lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.		4S1	1999	G6.2

著者名	論文標題
T. Miyamoto, T. Kageyama, S. Makino, D. Schlenker, F. Koyama and K. Iga	CBE and MOCVD growth of GaInNAs
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		209	2000	339_344

著者名	論文標題
T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama and K. Iga	Optical quality of GaNAs and GaInNAs and its dependence on RF cell condition in chemical beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		209	2000	350_354

著者名	論文標題
K. Iga	Surface emitting laser-its birth and generation of new optoelectronics field
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE J. Select. Top. Quantum Electron.		6	2000	1201_1205

著者名	論文標題
Y. Kawakami, T. Onishi, S. Yamaguchi, H. Kurusu, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Time-resolved Luminescence Spectroscopy of Recombination Dynamics in a ZnSSe Doping Superlattice
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		159	1996	429_433

著者名	論文標題
Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, Y. Yamada, T. Mishina and Y. Masumoto	Effects of High Excitation on Localized Excitons in Cubic ZnCdS Lattice Matched to GaAs
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		159	1996	830_834

著者名	論文標題
Y. Yamada, T. Mishina and Y. Masumoto, Y. Kawakami, J. Suda, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Dynamics of Dense Excitonic Systems in ZnSe-based Single Quantum Wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		159	1996	814_817

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Recombination Dynamics of Localized Excitons in a CdSe/ZnSe/ZnS_{x}Se_{1-x} Single-Quantum-well Structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		B15	1996	2629_2634

著者名	論文標題
Hyun-Chul Ko, Doo-Cheol Park, YcKawakami, Sz. Fujita, and Sg. Fujita	Fabrication and optical properties of ZnCdSe/ZnSe Single Quantum Well on GaAs(110) Surface Cleaved in UHV by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Semicond. Sci. & Tech.		11	1996	1873_1877

著者名	論文標題
J. Tang, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Photocurrent Spectrum of p-i-n Znl-xCdxSe/ZnSe Multiple Quantum Well Heterostructures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electro-Optic and Second Harmonic Generation Materials, Devices, and Applications		2897	1996	95_103

著者名	論文標題
J. Tang, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Znl-xCdxSe/ZnSe Multiple Quantum Well Photomodulators
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electro-Optic and Second Harmonic Generation Materials, Devices, and Applications		2897	1996	389_395

著者名	論文標題
Hyun-Chul Ko, S. Yamaguchi, H. Kurusu, Y. Kawakami, Sz. Fujita, and Sg. Fujita	Reflection High energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during the Growth of ZnSe on Cleaved GaAs(110) Surface by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		35	1996	L366_L368

著者名	論文標題
Y. Kawakami, Z. Peng, Y. Narukawa, Sz. Fujita, Sg. Fujita and Shuji Nakamura	Recombination dynamics of excitons and biexcitons in a hexagonal GaN epitaxial layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Physics Letters		69	1996	1414_1416

著者名	論文標題
川上　養一	II-VI族半導体量子井戸の励起子物性とレーザー発振機構
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		65	1996	13-23

著者名	論文標題
H. -C. Ko, D. -C. Park, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Self-Aligning Phenomena of ZnCdSe Islands Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (110) Surface Cleaved in Ultra High Vacuum
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		117/118	1997	484_488

著者名	論文標題
H. -C. Ko, D. -C. Park, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Optimization of ZnSe Growth on the Cleavage-Induced GaAs (110) Surface by Molecular-Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Crystal Growth - The Special Issue for the 2nd ICNS'97 - (to be published)		178	1997	246_251

著者名	論文標題
H. -C. Ko, D. -C. Park, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Microscopic Photoluminescence Spectroscopy of Self-Organized CdSe-ZnSe Quantum Dots Grown on the GaAs (110) Cleaved Surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Joumal of Selected Topics in Quantum Electronics		3	1997	831_835

著者名	論文標題
H. -C. Ko and Sg. Fujita	Cleaved Edge Overgrowth of ZnSe on GaAs (110) by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Korean Physical Society		30	1997	62_64

著者名	論文標題
Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura	Recombination dynamics of localized excitons in In_0.20Ga_0.80N- In_0.05Ga_0.95N multiple quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		55	1997	R1938_R1941

著者名	論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura	Excitonic Properties in InGaN/GaN MQW Structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Nonlinear Optics		18	1997	277_284

著者名	論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura	Excitonic Properties in InGaN/GaN MQW Structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Nonlinear Optics		18	1997	277_284

著者名	論文標題
Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura	Role of self-formed InGaN quantum dots for exciton localization in the purple laser diode Emitting at 420 nm
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		70	1997	981_983

著者名	論文標題
S. Tanaka, H. Hirayama, Y. Aoyagi, Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Stimulated Emission from Optically Pumped GaN Quantum Dots
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Physics Letters		71	1997	1299_1301

著者名	論文標題
Y.Kawakami,Y.Narukawa,K.Sawada,S.Saijo,Sz.Fujita,Sg.Fujita and S.Nakamura	The mechanism of radiative recombination in light emitting devices composed of InGaN quantum well
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会論文誌C-II		J81-C-ii	1998	78-88

著者名	論文標題
Y. Narukawa, S. Saijou, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura	Time-Resolved Electroluminescence Spectroscopy of InGaN Single Quantum Well LEDs
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	593_596

著者名	論文標題
Y. Narukawa, K. Sawada, K. Omae, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura	Emission Mechanism of Localized Excitons in InGaN Single Quantum Wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	606_610

著者名	論文標題
T. Onishi, H. Adachi, I. Kidoguchi, M. Mannoh, A. Takamori, Y. Narukawa, Y. Kawakami and Sg. Fujita	Doping level and type of GaInP saturable absorbing layers for realizing pulsating 650-nm-band AlGaInP laser diodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Photonics Technology Letters		10	1998	1368_1370

著者名	論文標題
I. S. Hauksson, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, I. Galbraith, K. A. Prior and B. C. Cavenett	Biexciton emission from thick ZnSe epilayer grown by molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		83	1998	2035_2040

著者名	論文標題
H. C. Ko, D. C. Park, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Localized excitonic emissions of ZnCdSe/ZnSe quantum wells grown on a GaAs(110) cleaved surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		73	1998	1388_1390

著者名	論文標題
D. C. Park, H. C. Ko, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Growth of GaN on indium tin oxide/glass substrates by RF plasma-enhanced chemical vapor deposition method
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese Journal of Applied Physics		37	1998	L294_L296

著者名	論文標題
J. Suda, M. Ogawa, K. Sakurai, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Optical properties of light-hole excitons in ZnSSe/ZnMgSSe tensile-strained quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		184/185	1998	863_866

著者名	論文標題
H. C. Ko, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	New approach to the fabrication of CdSe/ZnSe quantum dots using a cleaved-edge overgrowth technique
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		184/185	1998	283_287

著者名	論文標題
M. Funato, Sz. Fujita and Sg. Fujita	A comparative study on deep levels in p-ZnSe grown by MBE, MOMBE and MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		184/185	1998	495_499

著者名	論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, K. Sawada, S. Saijyo, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura	Recombination dynamics of localized excitons in self-formed InGaN quantum dots
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Science and Engineering		B50	1998	256_263

著者名	論文標題
H. C. Ko, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Atomic force microscopy study of self-organized ZnCdSe nanostructures fabricated on the cleavage-induced GaAs(110) surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		130/132	1998	719_723

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, H. Kurusu, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita	Role of localized excitons in the stimulated emission in ultra-thin CdSe/ZnSe/ZnSSe single quantum-well structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Superlattices and Microstructures		23	1998	1189_1195

著者名	論文標題
Y. Narukawa, S. Saijou, Y. Kawakami, Sg. Fujita and S. Nakamura	Radiative and nonradiative recombination processes in ultraviolet light-emitting diode composed of an In_0.02Ga_0.98N active layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Physics Letters		74	1999	558_560

著者名	論文標題
Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sg. Fujita and S. Nakamura	Dimensionality of excitons in lesar-diode structures composed of InxGal-xN multiple quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		59	1999	10283_10288

著者名	論文標題
Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sg. Fujita and S. Nakamura	Recombination dynamics in InxGal-xN multiple-quantum-well based laser diodes under high photoexcitation
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176	1999	39_43

著者名	論文標題
M. Fudeta, H. Asahi, K. Asami, Y. Narukawa, Y. Kawakami, J. -H. Noh, J. Mori, D. Watanabe, Sg. Fujita and S. -I. Gonda	Time-resolved photoluminescence study of strain-induced quantum dots self-formed in GaP/InP short-period superlattice
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese Journal of Applied Physics		38	1999	L1006_L1008

著者名	論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, K. Omae, Sg. Fujita and S. Nakamura	Dimensionality of excitons in InGaN-based light emitting devices
雑誌名		巻	発行年	ページ
physica state solid (a),		178	2000	331_336

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, H. Kurusu, Y. Kawakami, Sh. Fujita and Sg. Fujita	Effect of degree of localization and confinement dimensionality of exitons on their recombination process in CdSe/ZnSe/ZnSxSel-x single quantum well structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B,		61	2000	10303_10313

著者名	論文標題
T. Izumi, Y. Narukawa, K. Okamoto, Y. Kawakami, Sg. Fujita and S. Nakamura	Time-resolved photoluminescence spectroscopy in GaN-based semiconductors with micron spatial resolution
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Luminescence		87/89	2000	1196_1198

著者名	論文標題
K. Okamoto, H. -C. Ko, Y. Kawakami and Sg. Fujita	Time-space resolved photoluminescence from (Zn, Cd)Se-based quantum structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		214/215	2000	639_645

著者名	論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, K. Omae, Sg. Fujita and S. Nakamura	Dynamics of optical gain in InxGal-xN multi-quantum-well-based laser diodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
App. Phys. Lett.		77	2000	2151_2153

著者名	論文標題
A. Kaneta, T. Izumi, K. Okamoto, Y. Kawakami, Sg. Fujita, Y. Narita, T. Inoue and T. Mukai	Spatial Inhomogeneity of Photoluminescence in an InGaN-Based Light-Emitting Diode Structure Probed by Near-Field optical Microscopy Under Illumination-Collection Mode
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. App. Phys.		40	2001	110_111

著者名	論文標題
Y. Kawakami, K. Omae, A. Kaneta, K. Okamoto, T. Izumi, S. Sajou, K. Inoue, Y. Narukawa, T. Mukai and Sg. Fujita	Radiative and Nonradiative Recombination Processes in GaN-Based Semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
physica status solidi (a),		183	2001	41_50

著者名	論文標題
Y. Kawakami, K. Omae, A. Kaneta, K. Okamoto, T. Izumi, S. Sajou, K. Inoue, Y. Narukawa, T. Mukai and Sg. Fujita	Radiative and Nonradiative Recombination Processes in GaN-Based Semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physica Status Solidi (a)		183	2001	41_50

著者名	論文標題
川西　英雄、栗本　誠、白井　俊雄、春山　牧子	GaN系紫外発光デバイス
雑誌名		巻	発行年	ページ
Microoptics News		14	1996	1-7

著者名	論文標題
本田　徹、白澤　智恵、持田　宣晃、井上　彰、松谷　晃宏、坂口　孝浩、小山　二三夫、川西　英雄、伊賀　健一	GaN系面発光レーザの設計と（？）作技術に関する基礎検討：電子通信情報学会論文誌C-II
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会論文誌C-II		J81-C-II	1998	97-104

著者名	論文標題
T. Honda, M. Tsubamoto, Y. Kuga and H. Kawanishi	Optical Gain in BGaN Lattice-Matched to (0001) 6H-SiC
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symroc.		482	1998	1125_1129

著者名	論文標題
T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga	Interface Control of GaN/AlGaN Quantum Well Structures in MOVPE Growth
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	124_127

著者名	論文標題
N. Mochida, T. Honda, T. Shirasawa, A. Inoue, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga	Crystal Orientation Dependence of P-Type Contact Resistance of GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	716_719

著者名	論文標題
T. Honda, T. Miyamoto, T. Sakaguchi, H. Kawanishi, F. Koyama, and K. Iga	Effect of piezo electric field on emission characteristics GaN/AlGaN quantum wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		180/190	1998	644_648

著者名	論文標題
M. Shibata, M. Kurimoto, J. Yamamoto, T. Honda and H. Kawanishi	GaN/BAIN Heterostructure Grown on (0001) 6H-SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy,
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	445_447

著者名	論文標題
J. Yamamoto, M. Shibata, M. Kurimoto, T. Honda and H. Kawanishi	Orign of Cracks in GaN/AlGaN DH Structure Grown on 6H-SiC by Metalorganic VApor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Crystal Growth - The Special Issue for the 2nd ICNS'97 - (to be published)		189/190	1998	193_196

著者名	論文標題
M. Kurimoto, M. Shibata, J. Yamamoto, T. Honda and H. Kawanishi	Direct Growth of GaN on (0001)6H-SiC by Low Pressure MOVPE with Flow Channel
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	189_192

著者名	論文標題
T. Honda, A. Inoue, M. Mori, T. Shirasawa, N. Mochida, K. Saotome, T. Sakaguchi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H.	GaN Growth on Ozonized Sahire (0001) substrates by MOVPE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		195	1998	319_322

著者名	論文標題
本田　徹、栗本　誠、鍔本　美恵子、久我　雄一、川西　英雄、	BGaN系紫外レーザの基礎検討
雑誌名		巻	発行年	ページ
電気通信情報学会、信学技報、EDS98-146			1998

著者名	論文標題
M. Watanabe, T. Kobayashi, T. Kawahashi, A. Hino, T. Watanabe, T. Matumoto and M. Suzuki	195Pt NMR spectra and biological activity of platinum(IV) complexes with dipepties"J. Inorganic Biochemistry, vol. 73, 1-5 (1999
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Inorganic Biochemistry		73	199	1_5

著者名	論文標題
T. Honda, T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, A. Matsutani, T. Sakaguchi, F. Koyama, H. Kawanishi and K. Iga	Design and Fabrication Process Consideration of GaN-Based Surface Emitting Lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electronics & Communications in Japan, Part 2		82	1999	97_104

著者名	論文標題
T. Honda, Y. Yamamoto and H. Kawanishi	Direct Growth of GaN on (0001) 6H-SiC
雑誌名		巻	発行年	ページ
Blue Laser and Light Emitting Diodes II, Ed. K. Onabe et al., Ohmsha, Tokyo			1999	150_153

著者名	論文標題
T. Honda, H. Kawanishi, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga	Characteristic Temperature Estimation for GaN-Based Lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.		4S1	1999	G6.2_

著者名	論文標題
M. Kurimoto, T. Nakata, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Honda and H. Kawanishi	Tensile Strain Introduced in AlN Layer Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L551_L553

著者名	論文標題
Y. Ishihara, J. Yamamoto, M. Kurimoto, T. Takano, T. Honda, and H. Kawanishi	Dependence of Crystal Quality on Residual Strain-Controlled Thin AlN Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L1296_L1298

著者名	論文標題
M. Kurimoton, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Takano, J. Yamamoto, T. Honda and H. Kawanishi	Possibility of Strain Control in AlN Layer Grown by MOVPE on (0001)6H-SiC with GaN/AlN Buffer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176	1999	665_669

著者名	論文標題
T. Honda, M. Shibata, M. Kurimoto, M. Tsubamoto, J. Yamamoto and H. Kawanishi	Band-Gap Energy and Effective Mass of BGaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L2389_L2393

著者名	論文標題
T. Honda, M. Kurimoto, M. Shibata and H. Kawanishi	Excitonic emission of BGaN grown on (0001) 6H-SiC by metal-organic vapor-phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Luminescence		87-89	2000	1274_1276

著者名	論文標題
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, M. Shibata, Y. Ishihara M. Tsubamoto, T. Honda and H. Kawanishi	Room Temperature Photoluminescence from BAlGaN-Based Double or Single Heterostructures for UV Laser Diode
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physica status Solidi Rapid Research Note (a),		180	2000	231_234

著者名	論文標題
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, Y. Ishihara, M. Horie and H. Kawanishi	Improved 250nm UV PL Spectra from BAlGaN/AlN MQW on 6H-SiC Substrate by MOVPE Using TEB
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Warkshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1			2000	147_149

著者名	論文標題
M. Kurimoto, T. Takano, J. Yamamoto, Y. Ishihara, M. Horie, M. Tsubamoto and H. Kawanishi	Growth of BGaN/AlGaN multi-quantum-well structure by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth,		221	2000	378_381

著者名	論文標題
T. Honda, N. Fujita, K. Maki, Y. Yamamotom and H. Kawanishi	Initial gowth monitoing of GaN epitaxy on 6H-SiC by metal-organicmolecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		209	2000	392_395

著者名	論文標題
M. Mori, A. Kikuchi, and K. Kishino	Characterization of GaN grown with a high growth rate by RF-radical source molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Institute of Physics Conference Series : Chapter 5 (IOP Publishing Ltd)		142	1996	839_842

著者名	論文標題
I. Nomura, K. Kishino, and A. Kikuchi	Theoretical analysis of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Institute of Physics Conference Series : Chapter 6 (IOP Publishing Ltd)		142	1996	1011_1014

著者名	論文標題
I. Nomura, K. Kishino, and A. Kikuchi	Theoretical estimation of threshold current of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid-State Electronics		41	1997	283_286

著者名	論文標題
I. Nomura, K. Kishino, and A. Kikuchi	Theoretical estimation of threshold current of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid-State Electronics		41	1997	283_286

著者名	論文標題
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino	Growth of self-organized GaN nano-structures on A1203 (0001) by RF-radical source molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	L459_L462

著者名	論文標題
T. Morita, H. Shimbo, T. Nagano, I. Nomura, A. Kikuchi, and K. Kishino	Refractive index measurements of MgZnCdSe II-VI compound semiconductors grown on InP substrates and fabrications of 500-600 nm range MgZnCdSe distributed Bragg reflectors
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		81	1997	7575_7579

著者名	論文標題
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino	Self-organization of GaN nano-structures on c-A1203 by RF-radical gas source molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Institute of Physics Conference Series (IOP Publishing Ltd)			1997

著者名	論文標題
A. Kikuchi, M. Yoshizawa, M. Mori, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto and K. Kishino	Shutter Control Method for Control of Al Contents in AlGaN Quasi-ternary Compounds grown by RF-MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	109_113

著者名	論文標題
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto and K. Kishino	Self-organization of GaN/A10.18Ga0.82N multi-layer nano-columns on (0001)A1203 by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		189-190	1998	138_141

著者名	論文標題
N. Fujita, M. Yoshizawa, K. Kushi, H. Sasamoto, A. Kikuchi and K. Kishino	Epitaxial Growth of GaN with a High Growth Rate of 1.4mm/hr by RF-radical Source Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	385_389

著者名	論文標題
K. Kishino et al.	High speed growth of device quality GaN and InGaN by RF-MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Science and Engineering		B 59	1999	65_68

著者名	論文標題
K. Kishino et al.	InGaN/GaN MQW and Mg-doped GaN growth using a shutter control method by RF-Molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176	1999	273_277

著者名	論文標題
K. Kishino et al.	2.6mm/h high speed growth of GaN by RF-molecular beam epitaxy and improvement of crystal quality by migration enhanced epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol. (a)		176	1999	323_328

著者名	論文標題
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino	High-quality GaN on AIN Multiple Intermediate Layer with Migration Enhanced Epitaxy by RF-Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L197_L199

著者名	論文標題
A. Kikuchi, T. Yamada, S. Nakamura, K. Kusakabe, D. Sugihara and K. Kishino	Improvement of Crystal Quality of RF-Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown Ga-Polarity GaN by High-Temperature Grown AIN Multiple Intermediate lavers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L330_L333

著者名	論文標題
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino	Suppression of Inversion Domains and Decrease of Threading Dislocations in Migration Enhanced Epitaxial GaN by RF-Molecular Beam Epitaxv
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. stat. sol., (a)		180	2000	65_71

著者名	論文標題
A. Kikuchi, T. Yamada, K. Kusakabe, D. Sugihara, S. Nakamura and K. Kishino	Reduction of Threading Dislocations in RF-MBE Grown Polarity Controlled GaN by AIN Multiple Interlayers
雑誌名		巻	発行年	ページ
IPAP Conference Series 1 Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors			2000	154_157

著者名	論文標題
Y. Toyoura, K. Kusakabe, T. Yamada, R. Bannai, A. Kikuchi and K. Kishino	GaN-Based Resonant Cavity-Enhanced UV-Photodetectors
雑誌名		巻	発行年	ページ
IPAP Conference Series 1 Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors			2000	907_910

著者名	論文標題
K. Kusakabe, K. Kishino, A. Kikuchi, T. Yamada, D. Sugihara and S. Nakamura	Reduction of Threading Dislocations in Migration Enhanced Epitaxy Grown GaN with N-Polarity by Use of AIN Multiple Interlayer
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth, (to be published)			2001

著者名	論文標題
A. Kikuchi, T. Yamada, S. Nakamura, K. Kusakabe, D. Sugihara and K. Kishino	Improvement of Electrical Property and Surface Morphology of GaN Grown by RF-plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy by Introduction of Multiple AIN Intermediate Laver
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Science & Engineering B, (to be published)			2001

著者名	論文標題
K. Kusakabe, A. Kikuchi and K. Kishino	Characterization of Overgrown GaN Layers on Nano-Columns Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		40	2001	L192_L194

著者名	論文標題
K. Kusakabe, A. Kikuchi and K. Kishino	Step Flow Surface Morphology in Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research			2001

著者名	論文標題
K. Kusakabe, T. Yamada, Y. Toyoura, R. Bannai, A. Kikuchi and K. Kishino	Quasi-Free Standing GaN Epitaxial Layer Grown on Nano-Columnar GaN by RF-Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of International Symposium on Compound Semiconductors 2000, (to be published)			2001

著者名	論文標題
H. Amano, T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai and I. Akasaki	Structural and Optical Properties of Nitride Based Heterostructure and Quantum Well Structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		449	1997	1143_1150

著者名	論文標題
T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki	Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	L382_L385

著者名	論文標題
S. Chichibu, T. Azuhata, H. Amano and I. Akasaki	Optical Properties of Tensile-strained Wurtzite GaN Epitaxial layers
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		70	1997	2085_2087

著者名	論文標題
Y. Kaneko, N. Yamada, T. Takeuchi	Melt-back Etching of GaN
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid-State Electron		41	1997	295_298

著者名	論文標題
H.Sakai,T.Takeuchi,H.Amano and I.Akasaki	GaNの誘導放出機構と混晶効果
雑誌名		巻	発行年	ページ
レーザ研究		25	1997	510-513

著者名	論文標題
I. Akasaki and H. Amano	Progress and prospect of group-III nitride semiconductors
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		175/176	1997	29_36

著者名	論文標題
I. Akasaki and H. Amano	Crystal Growth and Conductivity of Group III Nitride Semiconductors and Thir Application to Short Wavelength Light Emitters
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	5393_5408

著者名	論文標題
I. Akasaki	Progress in Crystal Growth and Conductivity Control of III Nitride Semiconductors -Seeking Blue Emission
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ext. Abstr. of the Intl. Conf. on Solid State Devices and Mater., Hamamatsu, 2-3,			1997

著者名	論文標題
S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki et. al	Observation of photoluminescence from All-xInxN heteroepitaxial films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		73	1998	830_831

著者名	論文標題
H. Kato, H. Amano, I. Akasaki and N. Yamada et al.	GaN Based Laser Diode with Focused Ion Beams Etched Mirrors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	444_446

著者名	論文標題
T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki and N. Yamada et. al	Determination of Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells Using the Quantum-confined Stark effect
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		73	1998	1691_1693

著者名	論文標題
T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada	Quantum-confined Stark Effect in Strained GaInN Quantum Wells on Sapphire (0001)
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		189/190	1998	616_620

著者名	論文標題
T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, and M. Yamaguchi H. Amano and I. Akasaki Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka. Ys. Kaneko and N. Yamada	Improvement of far-field pattern in nitride laser diodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		75	1999	2960_2962

著者名	論文標題
I. Akasaki, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Takeuchi and H. Amano	Growth of Crack-Free Thick AlGaN Layer and its Application to GaN Based Laser Diodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.,			2000

著者名	論文標題
M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, I. Akasaki	Realization of crack-free and high-quality thick AlxGal-xN for UV optoelectronics using low-temperature interlayer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		159/160	2000	405_413

著者名	論文標題
T. Sato, M. Iwaya, K. Isomura, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki	Theoretical Analysis of Optical Transverse-Mode Control on GaN-Based Laser Diodes
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E SERIES C,		83	2000	573_578

著者名	論文標題
S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki	Performance of GaN-Based Semiconductor Laser with Spectral Broadening due to Compositional Inhomogeneity in GaInN Active Layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	390_392

著者名	論文標題
N. Hayashi, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko and N. Yamada	Electrical conductivity of low temperature deposited Al_0.1Ga_0.9N interlayer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	6493_6495