平成12年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要



1.研究機関名 帝京科学大学
 
2.委員会名 短波長光デバイス第162委員会
 
3.研究期間 平成8年度〜平成12年度
 
4.研究プロジェクト番号 96R16201
 
5.研究プロジェクト名 超高密度・超高速情報処理用短波長半導体光デバイスの研究開発

6.プロジェクト・リーダー
プロジェクト・リーダー名 フリガナ 所属部局名 職名
高橋 清 タカハシ キヨシ 理工学部 教授

7.コア・メンバー

コア・メンバー名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
吉川 明彦 ヨシカワ アキヒコ 千葉大学・工学部 教授
長谷川 文夫 ハセガワ フミオ 筑波大学・物理工学系 教授
藤田 茂夫 フジタ シゲオ 京都大学・大学院工学研究科 教授

8.研究協力者

研究協力者名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
木村 龍平 キムラ リュウヘイ 帝京科学大学・理工学部 助教授
賈 岸偉 カ ガンイ 千葉大学・工学部 助手

9.研究成果の概要

本研究プロジェクトでは、「超高密度・超高速情報処理用短波長半導体光デバイスの研究開発」を全体の研究課題とし、帝京科学大学を研究主拠点とした「短波長光デバイス用材料の評価と超高密度・超高速情報処理用光デバイス・システムの開発研究」を、また、千葉大学グループを研究副拠点として「ワイドギャップ半導体のエピタキシ制御と短波長半導体レーザの設計・作製・評価の研究」を、それぞれの研究プロジェクトの副題目として研究を進めてきた。
各研究分担者はそれぞれの研究分担課題の下に更に具体的な研究課題を設定して検討を進め、顕著な研究成果を得た。主な研究課題および成果を得られ研究項目は以下のとおりである。
(1)ワイドギャップ半導体(窒化物系およびII-VI族系両材料)におけるエピタキシおよび物性制御・評価:(1)立方晶系窒化物結晶成長制御、(2)六方晶系窒化物結晶成長制御(主としてMOVPE、HVPE)、(3)六方晶系窒化物結晶成長制御(主としてMBE)、(4)新規六方晶系II-VI族化合物半導体の設計・作製・評価、(5)結晶極性制御・評価
(2)量子井戸および量子ドット構造の設計・作製・評価:(1)InGaN/GaN量子井戸中のIn組成の揺らぎと量子ドット構造の自然形成、(2)II-VI族化合物系量子井戸および量子ドット構造の作製・評価、
(3)短波長光デバイス・システム(レーザダイオード、および変調器など)の設計と評価:(1)窒化物系面発光レーザ構造の設計・作製・評価、(2)励起子効果・量子効果を利用した超高速光変調器の研究開発、(3)窒化物系紫色レーザダイオードの特性解明

10.キーワード

(1)ワイドップ半導体、(2)短波長光デバイス、(3)III-V族窒化物
(4)II-VI族化合物、(5)エピタキシー、(6)紫外レーザダイオード
(7)面発光レーザ、(8)低次元量子構造、(9)超高速光変調器

11.研究発表(印刷中も含む)

[雑誌論文]
著者名 論文標題
K. Yamaguchi, Z. X. Qin, H. Nagano, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, and K. Takahashi Atomically Flat GaAs(001) Surface Obtained by High Temperature Treatment with Atomic Hydrogen Irradiation
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 L1367_L1369

著者名 論文標題
A. Yoshikawa, H. Nagano, Z. Qin, Y. Sugure, A. W. Jia, M. Kobayashi, M. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi Effect of Atomic-Hydrogen treatment of (001)GaAs Substrate at "High Temperatures" on RF Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of Cubic GaN
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482 1997 227_232

著者名 論文標題
A. Yoshikawa, Z. Qin, H. Nagano, Y. Sugure, A. W. Jia, M. Kobayashi, M. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi High-Resolution X-Ray Diffraction Analysis of "Device-Quality" Cubic GaN Grown on (001)GaAs SUBSTRATE PREPARED BY Atomic-Hydrogen treatment at "High Temperatures"
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482 1997 465_470

著者名 論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Nagai, Y. Uchida, T. Matsuzawa, K. Takahashi and G. C. Schulz A Study of Initial Growth Mechanism of c-GaN on GaAs(100) by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 406_410

著者名 論文標題
M. Kobayashi, S. Nakamura, K. Wakao, A. Yoshikawa and K. Takahashi Molecular beam epitaxy of CdS Self-Assembled Quantum Dots on ZnSe
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B16 1998 1316_1320

著者名 論文標題
M. Kobayashi, C. Setiagung, K. Wakao, S. Nakamura, A. Yoshikawa and K. Takahashi MBE growth and characterization of ZnSTe and ZnMgSTe alloys
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 184/185 1998 66_69

著者名 論文標題
A. Yoshikawa, Z. Qin, H. Nagano, Y. Sugure, A. W. Jia, M. Kobayashi, Y. Kato and K. Takahashi MBE Growth of Device-Quality Cubic GaN on Atomically Flat (001)GaAs Prepared by Atomic-Hydrogen Treatment at High-Temperatures
雑誌名 発行年 ページ
Slicon Carbide III-nitrides and Related Materials-Part 2, Materials Science Forum 264-268 1998 1221_1224

著者名 論文標題
Z. Qin, N. Nagano, Y. Sugure, A. W. Jia,, M. Kobayashi, Y. Kato, A. Yoshikawa, and K. Takahashi High-Resolution X-ray Diffraction Anylysis of Cubic GaN Grown on (001) GaAs by RF-Radical Source Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 425_429

著者名 論文標題
H. Nagano, Z. Qin, A. W. Jia, M. Kobayashi, Y. Kato, A. Yoshikawa, and K. Takahashi Atomically Flat (001)GaAs Surface Prepared by Two-Step Atomic-Hydrogen Treatment and Its Application to Hereroepitaxy of GaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 265_269

著者名 論文標題
Y. Taniyasu, R. Ito, N. Shimoyama, M. Kurihara, A. W. Jia, M. Kobayashi, Y. Kato, A. Yoshikawa, and K. Takahashi In-Situ Monitoring of Initial Growth Stages of GaN Films on GaAs(001) in Low-Pressure MOVPE by Spectroscopic Ellipsonmetry
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth (to be published) 189/190 1998 305_309

著者名 論文標題
M. Murayama and T. Nakayama Reflectance Difference Spectra Calculations of GaAs (001) As- and Ga-rich Reconstruction Surface Structures
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 4110_4114

著者名 論文標題
M. Ishikawa and T. Nakayama Stacking and Optical Properties of Layered In2<・SUB>Se3<・SUB>
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 L1125_L1127

著者名 論文標題
S. Nakamura, K. Kitamura, H. Umeya, A. W. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, S. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi Bright electroluminescence from CdS quantum dot LED structures
雑誌名 発行年 ページ
Electronics Letters 34 1998 2435_2436

著者名 論文標題
S. Nakamura, K. Kitamura, H. Umeya, A. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, S. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi Bright electroluminescence from CdS quantum Dot LED structures
雑誌名 発行年 ページ
Electro. Lett. 34 1998 2435_2435

著者名 論文標題
秦 志新、賈 岸偉、小林 正和、吉川 明彦 原子状水素によるGaAs(001)基板表面の超平坦化と純立方晶層GaNのMBE成長
雑誌名 発行年 ページ
真空 41 1998 950-954

著者名 論文標題
M. Shimotomai and A. Yoshikawa Simultaneous phase separation and basal-plane atomic ordering in Inx<・SUB> Ga1-x<・SUB>N
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 73 1998 3256_3258

著者名 論文標題
K. Wakao, S. Nakamura, A. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato and K. Takahashi Citric Acid Etching of ZnSe Surface and Application to the Homoepitaxy by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 37 1998 L749_L751

著者名 論文標題
Z. Qin, M. Kobayashi, A. Yoshikawa and K. Takahashi X-Ray Diffraction Reciprocal Space and Pole Figure Characterization of Cubic GaN Epilayers Grown on (001) GaAs by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Materials Science Materials in Electronics 10 1999 199_202

著者名 論文標題
M. Kobayashi, S. Nakamura, K. Kitamura, H. Umeya, A. Jia, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi Luminescence properities of CdS quantum dots on ZnSe
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B17 1999 2005_2008

著者名 論文標題
M. Kobayashi, K. Wakao, S. Nakamura, Y. Sugure, A. W. Jia, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi Homoepitaxy of ZnSe on the citric acid etched (001) ZnSe Surface
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 201/202 1999 474_476

著者名 論文標題
H. Hayashi, A. Hayashida, A. W. Jia, M. Kobayashi, M. Shimotomai, Y. Kato, A. Yoshikawa, and, K. Takahashi Origin of the tilt of crystalline axis influenced by N-beam incidence direction in rf-MBE of cubic GaN epilayer on (001) GaAs
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. 216 1999 241_245

著者名 論文標題
Y. Taniyasu, Y. Watanabe, D. H. Lim, A. W. Jia, M. Shimotomai, Y. Kato, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, and K. Takahashi Structureal Defects of Cubic InGaN/GaN Heterostructure Grown on GaAs(001) Substrate by MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
phys. stat. sol. (a) 176 1999 397_401

著者名 論文標題
A. Jia, T. Furushima, M. Kobayashi, Y. Kato, M. Shimotomai, A. Yoshikawa and K. Takahashi Design of new UV/blue/green light emitters made of hexagonal-phase ZnMgCdOSSe mixed-crystal system fabricated on GaAs- and InP-(111) substrates
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 214/215 2000 1085_1090

著者名 論文標題
K. Kitamura, H. Umeya, A. W. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi Self-assembled CdS quantum dot structures grown on ZnSe and ZnSSe
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 214/215 2000 680_683

著者名 論文標題
H. Umeya, K. Kitamura, A. W. Jia, M. Kobayashi, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi Growth of hexagonal ZnCdS on GaAs (111)B and (001) substrates by MBE
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 214/215 2000 192_196

著者名 論文標題
M. Kobayashi, K. Kitamura, H. Umeya, A. W. Jia, A. Yoshikawa, M. Shimotomai, Y. Kato, and K. Takahashi Growth of CdS self-organized quantum doots by molecular beam epitaxy and application to light emmiting diode structures
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B18 2000 1684_1687

著者名 論文標題
M. Kobayashi, K. Kitamura, H. Umeya, A. Jia, A. Yoshikawa, Y. Kato, M. Shimotomai, and K. Takahashi CdS based novel light emitting device structures grown by MBE
雑誌名 発行年 ページ
phys. stat. sol. (a) 180 2000  

著者名 論文標題
T. Kazama, F. Yasunaga, Y. Taniyasu, A. Jia, Y. Kato, M. Kobayashi, A. Yoshikawa and K. Takahashi Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy Characterization of Cubic GaN Epilayers Grown on (001) GaAs
雑誌名 発行年 ページ
phys. stat. sol. (a) 180 2000 345_350

著者名 論文標題
Y. Taniyasu, K. Suzuki, D. H. Lim, A. Jia, M. Shimotomai, Y. Kato, M. Kobayashi, A. Yoshikawa and K. Takahashi Cubic InGaN/GaN Double-Heterostructure Light Emitting Diodes Grown on GaAs (001) Substrates by MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
phys. stat. sol. (a) 180 2000 241_246

著者名 論文標題
Z. J. Yang, Y. Z. Tong, G. Y. Zhang, X. L. Du, N. Fujii, A. Jia, A. Yoshikawa Effect of pits in InGaN/GaN multi-quantum well on the strain and In composition segregation
雑誌名 発行年 ページ
phys. stat. sol. (a) 180 2000 81_84

著者名 論文標題
B. L. Liu, D. H. Lim, M. Lachab, A. W. Jia, K. Takahashi, and A. Yoshikawa A new Approach to grow GaN by Low-Pressure MOCVD Using a Three Step Technique
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1   2000 133_136

著者名 論文標題
D. H. Lim, K. Suzuki, S. Arima, Y. Taniyasu, K. Xu, B. L. Liu, G. H. Yu, K. Takahashi, and A. Yoshikawa CAICISS Analysis for the Polarity Conversion of GaN Films Grown on Nireided Sappire Substrates
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1   2000 150_153

著者名 論文標題
X. L. Du, D. H. Lim, K. Xu, Y. Taniyasu, B. L. Liu, G. H. Yu, A. W. Jia, K. Takahashi, and A. Yoshikawa Direct Observation of Defect Structures in Ga-Polar and N-Polar GaN Epilayers by Cross-Sectional Cathodoluminescence
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series 1   2000 502_505

著者名 論文標題
R. Kimura and K. Takahashi High quality epitaxial growth of h-GaN on Al203(0001) and c-GaN on GaAs(100) by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
phys. stat. sol. (a) 180 2000 235_239

著者名 論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi High purity cubic GaN grown on an AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 209 2000 382_386

著者名 論文標題
R. Kimura, K. Takahashi, A. Jia, M. Kobayashi and A. Yoshikawa Molecular beam epitaxial growth of GaN on (0001) Al203 using an ultrathin amorphous buffer layer deposited at low temperature
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 1039_1043

著者名 論文標題
R. Kimura, K. Takahashi and H. T. Grahn A study on the growth of cubic-GaN film using an AlGaAs buffer layer grown on GaAs(100) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Symp. 639 2001 G3.46.1_G3.46.5

著者名 論文標題
X. L. Du, D. H. Lim, K. Xu, B. L. Liu, A. W. Jia, K. Takahashi and A. Yoshikawa Cross-sectional Cathodoluminescence Study in Ga-polar and N-polar GaN Epilayers
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. 639 2001 G6.16.1_G6.16.6

著者名 論文標題
K. Xu, D. H. Lim, B. L. Liu, A. W. Jia, A. Yoshikawa Atomic force microscopy study of GaN grown on Al203 (0001) by LP-MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. 639 2001 G3.28.1_G3.28.5

著者名 論文標題
H. Hayashi, A. Hayashida, A. Jia, K. Takahashi, A. Yoshikawa Experimental investigation of inclusion of hexagonal GaN phase domain by varying nitrogen-beam direction to a <111> axis in MBE growth of cubic GaN
雑誌名 発行年 ページ
Journal of crystal growth, (in press)   2001  

著者名 論文標題
R. Kimura and K. Takahashi Investigation of initial growth stage of cubic-GaN using AlGaAs buffer layer on GaAs (100) by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth (in press)   2001  

著者名 論文標題
K. Xu, N. Yano, A. W. Jia, K. Takahashi, A. Yoshikawa Polarity Control of GaN Grown on Sapphire Substrate by RF-MBE
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth (to be published)   2001  

著者名 論文標題
K. Xu, N. Yano, A. W. Jia, K. Takahashi, A. Yoshikawa In-situ Real-time Analysis on Strain Relaxation Process in GaN Growth on Sapphire by RF-MBE
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth (to be published)   2001  

著者名 論文標題
K. Xu, N. Yano, A. W. Jia, A. Yoshikawa, K. Takahashi Kinetic process in polarity selection of GaN grown by RF-MBE
雑誌名 発行年 ページ
to be published on Phys. Solid Status   2001  

著者名 論文標題
D. H. Lim, K. Xu, S. Arima, A. Yoshikawa and K. Takahashi Polarity conversion of GaN films by the insertion of two monolayers of aluminum
雑誌名 発行年 ページ
Applied Physics Letters (in press)   2001  

著者名 論文標題
R. Kimura and K. Takahashi A study on initial nucliation using an ultra thin amorphous buffer layer for the growth of GaN on Al2O3(0001) by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 402_406

著者名 論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen and T. Goto Optically pumped lasinh of ZnO at room temperature
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 70 1997 2230_2232

著者名 論文標題
M. W. Cho, K. W. Koh, K. Morikawa, K. Arai, H. D. Jung, Z. Q. Zhu, T. Yao and Y. Okada Surface treatment of ZnSe substrate and homoepitaxy of ZnSe
雑誌名 発行年 ページ
J. Electron. Mater. 26 1997 423_428

著者名 論文標題
Z. Q. Zhu, E. Kurtz, K. Arai, Y. F. Chen, D. M. Bagnall, P. Tomashini, F. Lu, T. Sekiguchi, T. Yao, T. Yasuda and Y. Segawa Self-organized growth of II-VI wide bandgap quantum dot structures
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (b) 202 1997 827_833

著者名 論文標題
S. Q. Wang, F. Lu, H. D. Jung, C. D. Song, Z. Q. Zhu, H. Okushi, B. C. Cavenett and T. Yao Electronic states in ZnSe/ZnTe type-II superlattice studied by capacitance transient spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 82 1997 3402_3407

著者名 論文標題
Y. F. Chen, D. M. Bagnall, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, K. T. Park, K. Hiraga, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen and T Goto Growth of ZnO single crystal thin films on c - plane(0001)sapphire by plasma enhanced molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 181 1997 165_169

著者名 論文標題
Y. F. Chen, D. M. Bagnall, Z. Q. Zhu, T. Sekiguchi, K. T. Park, K. Hiraga and T. Yao Observation of zinc oxide quantum pyramids grown by plasma enhanced molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Nonlinear Optics 18 1997 107_110

著者名 論文標題
5. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen and T. Goto High temperature stimulated emission of ZnO grown by plasma assisited molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Nonlinear Optics 18 1997 243_246

著者名 論文標題
Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, D. M. Bagnall, T. Sekiguchi and T. Yao ZnO quantum pyramids grown on c-plane sapphire by plasma-assisted molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 184/185 1998 269_273

著者名 論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, M. Y. Shen, Z. Q. Zhu, T. Goto and T. Yao Room temperature excitonic stmuated emission from zinc oxide epilayers grown by plasma-assisted MBE
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 184/185 1998 605_609

著者名 論文標題
Y. F. Chen, D. M. Bagnall, H. J. Koh, K. T. Park, K. Hiraga, Z. Q. Zhu and T. Yao Plasma assisted molecular beam epitaxy of ZnO on c-plane sapphire: Growth and characterzation
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 84 1998 3912_3918

著者名 論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Zhu, J. M. Ko, T. Fukuda and T. Yao Electron beam exposure and epitaxy of ZnO films on (111)CaF2
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 2th Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes   1998 500_503

著者名 論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, H. J. Ko, Z. Q. Zhu, M. Y. Shen, T. Goto and T. Yao ZnO excitonic Lasers- the future of short wavelength emission?
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 2th Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes   1998 536_539

著者名 論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu and T. Yao High temperature excitonic stimulated emission from ZnO epitaxial layers
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 73 1998 1038_1040

著者名 論文標題
T. Yao, Y. F. Chen and D. M. Bagnall ZnO as a novel photonic material for the UV region
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 2nd International Warkshop on Optoelectronics   1998 80_86

著者名 論文標題
A. Yamamoto, T. Kido, T. Goto, Y. F. Chen, T. Yao and A. Kasuya Pump-probe measurement of ZnO epitaxial thin films
雑誌名 発行年 ページ
J. Korean Phys. Soc. 34 1999 58_60

著者名 論文標題
M. W. Cho, J. H. Chang, D. M. Bagnall, K. W. Koh, S. Saeki, K. T. Park, Z. Zhu, K. Hiraga and T. Yao Growth and characterization of beryllium-based II-VI compounds
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 85 1999 512_517

著者名 論文標題
M. W. Cho, S. Saeki, S. K. Hong, J. H. Chang, N. Nakajima, T. Yao, T. H. Yoon and J. H. Lee Non-alloyed Au/p-ZnSe/p-BeTe ohmic contact layers for ZnSe-based blue-green laser diodes
雑誌名 発行年 ページ
Electr. Lett. 35 1999 1740_1742

著者名 論文標題
A. Yamamoto, T. Kido, T. Goto, Y. F. Chen, T. Yao and A. Kasuya Dynamics of photoexcited carriers in ZnO epitaxial thin films
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 75 1999 469_471

著者名 論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, J. M. Ko, T. Hanada, Z. Zhu, T. Fukuda and T. Yao Two-step MBE growth of ZnO layers on electron beam exposed(111)CaF2
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 207 1999 87_94

著者名 論文標題
D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen and T. Goto Plasma assisted molecular beam epitaxy of ZnO for optoelectronic applications
雑誌名 発行年 ページ
Recent Res. Devel. Crystal Growth Res.   1999 1257_1273

著者名 論文標題
Y. F. Chen, S. K. Hong, H. J. Ko, M. Nakajima, T. Yao and T. Segawa Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of ZnO epilayers on atomically flat MgA1204(111) substrates
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 76 2000 245_247

著者名 論文標題
Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong and T. Yao Layer-by-layer growth of ZnO epilayer on Al2O3(0001)by using a MgO buffer layer
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 76 2000 559_561

著者名 論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, Z, Zhu, T. Hanada and T. Yao Effects of a low-temperature buffer layer on structural properties of ZnO epilayers grown on(111)CaF2 by two-step MBE
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 208 2000 389_394

著者名 論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen and T. Yao Defect characterization in epitaxial ZnO/epi-GaN/Al2O3 hetero-structures: transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 209 2000 537_541

著者名 論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen and T. Yao Defect characterization in epitaxial ZnO/epi-GaN/A1203 heterostructures: transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 209 2000 537_541

著者名 論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, S. K. Hong and T. Yao MBE growth of high-quality ZnO Films on epi-GaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 209 2000 816_821

著者名 論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Q. Zhu, T. Yao, I. Kobayashi and H. Uchiki Photoluminescence properties of ZnO epilayers grown on CaF2(111)by plasma assisted molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 76 2000 1905_1907

著者名 論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Hanada and T. Yao Evolution of initial layers of plasma-assisted MBE grown ZnO in (0001)GaN/sapphire
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 214/215 2000 81_86

著者名 論文標題
Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong, T. Yao and Y. Segawa Two dimensional growth of ZnO films on sapphire (0001) with buffer layers
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 214/215 2000 87_91

著者名 論文標題
A. Yamamoto, T. Kido, T. Goto, Y. F. Chen, T. Yao and A. Kasuya Time-resolved photoluminescence in ZnO epitaxial thin films studied by up-conversion method
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 214/215 2000 308_311

著者名 論文標題
S. K. Hong, T. Yao, B. J. Kim, S. Y. Yoon and T. I. Kim Origin of hexagonal-shaped etch pits formed in (0001) GaN films
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 77 2000 82_84

著者名 論文標題
Y. F. Chen, D. M. Bagnall and T. Yao ZnO as a novel photonic material for the UV region
雑誌名 発行年 ページ
Mater. Sci. Eng. B75 2000 190_198

著者名 論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Yao, M. Miyajima, A. Yamamoto and T. Goto Biexciton emission from high-quality ZnO films grown on epitaxial GaN by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 77 (4)(2000) 537 - 539 77 2000 537_539

著者名 論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Hanada and T. Yao Control and characterization of ZnO/GaN heterointerfaces in plasma-assisted MBE-grown ZnO films on GaN/A12O3
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 159/160 2000 441_448

著者名 論文標題
Y. F. Chen, S. K. Hong, H. J. Ko, M. Nakajima, T. Yao and T. Segawa Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of ZnO epilayers on atomically flat MgA12O4(111) substrates
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett 76 2000 245_247

著者名 論文標題
S. K. Hong, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Hanada and T. Yao ZnO/GaN heterointerfaces and ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/A12O3
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B18 2000 2313_2321

著者名 論文標題
S. K. Hong, T. Hanada, H. J. Ko, Y. F. Chen, T. Yao, D. Imai, K. Araki and M. Shinohara Control of polarity of ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Zn-and O-polar ZnO films on Ga-polar GaN templated
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 77 2000 3571_3573

著者名 論文標題
Y. F. Chen, H. J. Ko, S. K. Hong, T. Sekiguchi, T. Yao and Y. Segawa Plasma-assisted molecular beam epitaxy for ZnO based II-VI semiconductor oxides and their heterostructures
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B18 2000 1514_1517

著者名 論文標題
H. J. Ko, Y. F. Chen, S. K. Hong, H. Wenisch, T. Yao and D. C. Look Ga-doped ZnO films grown on GaN templates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 77 2000 3761_3763

著者名 論文標題
A. Takeuchi, Y. Kumagai, H. Tsuchiya, M. Kawabe, M. Kurihara and F. Hasegawa Initial Stage of Cubic GaN Film Growth on (001) GaAs by MOMBE using MMHyand TEG
雑誌名 発行年 ページ
Institute of Physics Conference Series 142 1996 843_846

著者名 論文標題
M. Akamatsu, H. Tsuchiya, M. Ishida and F. Hasegawa Atomic Layer Epitaxy of GaN using GaC13 and NH3 its Analysis by Surface Photo-Absorption Method
雑誌名 発行年 ページ
Proceeding of International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes   1996 98_101

著者名 論文標題
H. Tsuchiya, M. Akamatsu, M. Ishida and F. Hasegawa Layer by Layer Growth of GaN on GaAs Substrate using GaCl3 and NH3
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 L748_L750

著者名 論文標題
H. Tsuchiya, A. Takeuchi, A. Matsuo and F. Hasegawa Dependence of the HVPE GaN Epilayer on GaN Buffer layer for GaN Direct Growth on (001) GaAs Substrate
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Electronics 41 1997 333_338

著者名 論文標題
H. Tsuchiya, K. Sunaba, S. Yonemura, T. Suemasu and F. Hasegawa Cubic Dominant GaN Growth on (001) GaAs Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 L1_L3

著者名 論文標題
A. Takeuchi, H. Tsuchiya, M. Kurihara and F. Hasegawa Azimuth Dependence of The Crystal Quality of GaN Grown on (100) GaAs by MOMBE and Its Improvement by Annealing
雑誌名 発行年 ページ
Institute of Physics Conference Series Proceeding of 23rd Int. Symp. on Compound Semiconductors 155 1997 183_186

著者名 論文標題
H. Tsuchiya, K. Sunaba, M. Minami, T. Suemasu and F. Hasegawa Influence of As Autodoping from GaAs Substrates on Thick Cubic GaN Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Japanese Journal of Applied Physics 37 1998 L568_L570

著者名 論文標題
S. Yonemura, T. Yaguchi, H. Tsuchiya, N. Shimoyama, T. Suemasu and F. Hasegawa Comparison between Monomethyl-hydrazine and ECR Plasma Activated Nitrogen as a Nitrogen Source for CBE Growth of GaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 188 1998 81_85

著者名 論文標題
S. Yonemura, T. Yaguchi, H. Tsuchiya, N. Shimoyama, T. Suemasu and F. Hasegawa Comparison between Monomethyl-hydrazine and ECR Plasma Activated Nitrogen as a Nitrogen Source for CBE Growth of GaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 188 1998 81_85

著者名 論文標題
7. F. Hasegawa, M. Minami, K. Sunaba and T. Suemasu Thick GaN growth on GaAs (111) substrates at 1000oC with HVPE
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 178 1999 421_424

著者名 論文標題
F. Hasegawa, M. Minami, K. Sunaba and T. Suemasu Thick GaN growth on GaAs (111) substrates at 1000℃ with HVPE
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 178 1999 421_424

著者名 論文標題
T. Suemasu, M. Sakai and F. Hasegawa Optimum thermal-cleaning condition of GaAs surface with a superior arsenic source: Trisdimethylamino-arsine
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 209 2000 267_271

著者名 論文標題
M. Sasaki, S. Yonemura, T. Nakayama, N. Shimoyama, T. Suemasu and F. Hasegawa CBE Growth of GaN on GaAs(001) and (111)B Substrates UsingMonomethylhydrazine
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 209 2000 373_377

著者名 論文標題
F. Hasegawa, M. Minami, K. Sunaba and T. Suemasu One possibility of obtaining bulk GaN: halide VPE growth at 1000oC on GaAs (111) substrates
雑誌名 発行年 ページ
IEICE Trans. Electron. E83-C 2000 633_638

著者名 論文標題
M. Sasaki, T. Nakayama, N. Shimoyama, T. Suemasu and F. Hasegawa Superiority of an AIN Intermediate Layer for Heteroepitaxy of Hexagonal GaN
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 4869_4874

著者名 論文標題
T. Nakayama, M. Namerikawa, O. Takahashi, T. Suemasu and F. Hasegawa HVPE/MOMBE Hybrid Growth of High Quality Hexagonal GaN on SiO2 Substrates with an AIN Buffer Layer
雑誌名 発行年 ページ
Proceedings of Int. Workshop on Nitride Semiconductors, 2000 Nagoya, Japan. IPAP Conference Series 1   2000 7_10

著者名 論文標題
O. Takahashi, M. Namerikawa, H. Tanaka, R. Souda, T. Suemasu and F. Hasegawa Polarity of Hexagonal GaN Grown on GaAs (111)A and (111)B Substrates by HVPE and MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of MRS 2000 Fall Meetings (in press)   2001  

著者名 論文標題
Y. Luo, R. Pu, C. Sun, J. Peng, T. Hirata, T. Eguchi, Y. Nakano and K. Tada A Novel Monolithically Integrated Device Composed of MQW GaAlAs/GaAs Gain-Coupled DFB Laser and Electroabsorption Modulator
雑誌名 発行年 ページ
Chinese J. Semiconductors 17 1996 347_352

著者名 論文標題
M. Kato, K. Tada and Y. Nakano Wide-Wavelength Polarization-Independent Optical Modulator Based on Tensile-Strained Quantum Well with Mass-Dependent Width
雑誌名 発行年 ページ
IIEEE Photon. Tech. Lett. 8 1996 785_787

著者名 論文標題
H. Feng, J. Pang, K. Tada and Y. Nakano Large Field-Induced Refractive Index Change without Red Shift of Absorption Edge in Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Wells with Modified Potential
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Photon. Tech. Lett. 9 1997 639_641

著者名 論文標題
M. Sugiyama, K. Kusunoki, Y. Shimogaki, S. Sudo, Y. Nakano, H. Nagamoto, K. Sugawara, K. Tada, and H. Komiyama Kinetic studies on thermal decomposition of MOVPE sources using Fourier transform infrared spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science 117/118 1997 746_752

著者名 論文標題
T. K. Sudoh, M. Kumano, Y. Nakano, and K. Tada Wavelength trimming by photo-absoprtion induced disordering for multiple-wavelength distributed-feedback laser arrays
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Photonics Technology Letters 9 1997 887_891

著者名 論文標題
N. Chen, Y. Nakano, K. Okamoto, and K. Tada Geert Morthier, and Roel Baets, "Analysis, fabrication, and characterization of tunable DFB lasers with chirped gratings
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 3 1997 541_546

著者名 論文標題
M. Bouda, Y. Nakano and K. Tada Wide-Angle Coupling to Multi-Mode Interference Devices -A Novel Concept for Compacting Photonic Integrated Circuits-
雑誌名 発行年 ページ
Trans. Inst. Electron. Inform. Commun. Engrs. E80-C 1997 640_645

著者名 論文標題
H. Feng, M. Sugiyama, J. Pang, K. Tada and Y. Nakano Strong Exciton Absorption Peak Enhancement without Redshift of Absorption Edge in Al0.3Ga0.7As/GaAs Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Well with Modified Potential
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 L855_L856

著者名 論文標題
H. Feng, E. H. Li and K. Tada Analysis of X-Intersecting Waveguide Switches with a Large Branching Angles Ranging from 2° to 12°
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 5136_5142

著者名 論文標題
K. Nishioka, M. Sugiyama, M. Nezuka, Y. Shimogaki, Y. Nakano, K. Tada, and H. Komiyama Optimization of electron cyclotron resonance reactive ion beam etching reactors for dry etching of GaAs with C12
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Electrochemical Society 144 1997 3191_3197

著者名 論文標題
Hao Feng, Kunio Tada and Yoshiaki Nakano Polarization-independent large field-induced retractive index change in a strained five-step GaAs asymmetric coupled quantum well
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 71 1997 2674_2675

著者名 論文標題
H. Feng, J. P. Pang, M. Sugiyama, K. Tada and Y. Nakano Field-Induced Optical Effect in a Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Well with Modified Potential
雑誌名 発行年 ページ
IEEE J. Quantum Electron. 34 1998 1197_1208

著者名 論文標題
多田 邦雄 ポテンシャル制御量子井戸と高性能光変調デパイス
雑誌名 発行年 ページ
応用物理 69 2000 1292-1298

著者名 論文標題
Taro Arakawa, Kunio Tada, Naoki Kurosawa, Joo-Hyong Noh Anomalous Sharp Dip of Large Field-Induced Refractive Index Change in GaAs/AlGaAs Five- Layer Asymmetric Coupled Quantum Well
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 6329_6333

著者名 論文標題
Kunio Tada, Taro Arakawa, Kensuke Kazuma, Naoki Kurosawa, and Joo-Hyong Noh Influence of One Monolayer Thickness Variation in GaAs/AlGaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well upon Electrorefractive Index Change
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 40 2001 656_661

著者名 論文標題
T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama, K. Iga, K. Inoue, H. Munekata and H. Kukimoto Design and Fabrication of ZnSe-based Blue/Green Surface Emitting Lasers
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 159 1996 595_599

著者名 論文標題
T. Honda, F. Koyama, and K. Iga Design consideration of GaN-Based surface emitting lasers
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449 1997 1151_1159

著者名 論文標題
T. Shirasawa, T. Honda, F. Koyama, and K. Iga ZnO buffer layer formed on Si and Sapphire substrate for GaN MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449 1997 373_377

著者名 論文標題
K. Saotome, A. Matsutani, T. Shirasawa, M. Mori, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama, and K. Iga Reactive ion beam etching of GaN grown by MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449 1997 1029_1033

著者名 論文標題
T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Interface Control of GaN/AlGaN Quantum Well Structures in MOVPE Growth
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 180/190 1998 124_127

著者名 論文標題
T. Honda, T. Miyamoto, T. Sakaguchi, H. Kawanishi, F. Koyama, and K. Iga Effect of piezo electric field on emission characteristics GaN/AlGaN quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 180/190 1998 644_648

著者名 論文標題
N. Mochida, T. Honda, T. Shirasawa, A. Inoue, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Crystal orientation dependence of p-type contact resistance of GaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 180/190 1998 716_719

著者名 論文標題
Y. Moriguchi, T. Miyamoto, T. Sakaguchi, M. Iwata, Y. Uchida, F. Koyama and K. Iga GaN polycrystal Growth on Silica Substrate by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)
雑誌名 発行年 ページ
3rd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Berlin WeP19 2000  

著者名 論文標題
T. Honda, H. Kawanishi, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Characteristic Temperature Estimation for GaN-Based Lasers
雑誌名 発行年 ページ
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 1999 G6.2

著者名 論文標題
T. Miyamoto, T. Kageyama, S. Makino, D. Schlenker, F. Koyama and K. Iga CBE and MOCVD growth of GaInNAs
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 209 2000 339_344

著者名 論文標題
T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama and K. Iga Optical quality of GaNAs and GaInNAs and its dependence on RF cell condition in chemical beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 209 2000 350_354

著者名 論文標題
K. Iga Surface emitting laser-its birth and generation of new optoelectronics field
雑誌名 発行年 ページ
IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. 6 2000 1201_1205

著者名 論文標題
Y. Kawakami, T. Onishi, S. Yamaguchi, H. Kurusu, Sz. Fujita and Sg. Fujita Time-resolved Luminescence Spectroscopy of Recombination Dynamics in a ZnSSe Doping Superlattice
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 159 1996 429_433

著者名 論文標題
Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, Y. Yamada, T. Mishina and Y. Masumoto Effects of High Excitation on Localized Excitons in Cubic ZnCdS Lattice Matched to GaAs
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 159 1996 830_834

著者名 論文標題
Y. Yamada, T. Mishina and Y. Masumoto, Y. Kawakami, J. Suda, Sz. Fujita and Sg. Fujita Dynamics of Dense Excitonic Systems in ZnSe-based Single Quantum Wells
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 159 1996 814_817

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Recombination Dynamics of Localized Excitons in a CdSe/ZnSe/ZnS_{x}Se_{1-x} Single-Quantum-well Structure
雑誌名 発行年 ページ
Physical Review B B15 1996 2629_2634

著者名 論文標題
Hyun-Chul Ko, Doo-Cheol Park, YcKawakami, Sz. Fujita, and Sg. Fujita Fabrication and optical properties of ZnCdSe/ZnSe Single Quantum Well on GaAs(110) Surface Cleaved in UHV by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Semicond. Sci. & Tech. 11 1996 1873_1877

著者名 論文標題
J. Tang, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Photocurrent Spectrum of p-i-n Znl-xCdxSe/ZnSe Multiple Quantum Well Heterostructures
雑誌名 発行年 ページ
Electro-Optic and Second Harmonic Generation Materials, Devices, and Applications 2897 1996 95_103

著者名 論文標題
J. Tang, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Znl-xCdxSe/ZnSe Multiple Quantum Well Photomodulators
雑誌名 発行年 ページ
Electro-Optic and Second Harmonic Generation Materials, Devices, and Applications 2897 1996 389_395

著者名 論文標題
Hyun-Chul Ko, S. Yamaguchi, H. Kurusu, Y. Kawakami, Sz. Fujita, and Sg. Fujita Reflection High energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during the Growth of ZnSe on Cleaved GaAs(110) Surface by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 L366_L368

著者名 論文標題
Y. Kawakami, Z. Peng, Y. Narukawa, Sz. Fujita, Sg. Fujita and Shuji Nakamura Recombination dynamics of excitons and biexcitons in a hexagonal GaN epitaxial layer
雑誌名 発行年 ページ
Applied Physics Letters 69 1996 1414_1416

著者名 論文標題
川上 養一 II-VI族半導体量子井戸の励起子物性とレーザー発振機構
雑誌名 発行年 ページ
応用物理 65 1996 13-23

著者名 論文標題
H. -C. Ko, D. -C. Park, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Self-Aligning Phenomena of ZnCdSe Islands Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (110) Surface Cleaved in Ultra High Vacuum
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science 117/118 1997 484_488

著者名 論文標題
H. -C. Ko, D. -C. Park, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Optimization of ZnSe Growth on the Cleavage-Induced GaAs (110) Surface by Molecular-Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Crystal Growth - The Special Issue for the 2nd ICNS'97 - (to be published) 178 1997 246_251

著者名 論文標題
H. -C. Ko, D. -C. Park, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Microscopic Photoluminescence Spectroscopy of Self-Organized CdSe-ZnSe Quantum Dots Grown on the GaAs (110) Cleaved Surface
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Joumal of Selected Topics in Quantum Electronics 3 1997 831_835

著者名 論文標題
H. -C. Ko and Sg. Fujita Cleaved Edge Overgrowth of ZnSe on GaAs (110) by Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Korean Physical Society 30 1997 62_64

著者名 論文標題
Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura Recombination dynamics of localized excitons in In0.20Ga0.80N- In0.05Ga0.95N multiple quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 55 1997 R1938_R1941

著者名 論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura Excitonic Properties in InGaN/GaN MQW Structures
雑誌名 発行年 ページ
Nonlinear Optics 18 1997 277_284

著者名 論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura Excitonic Properties in InGaN/GaN MQW Structures
雑誌名 発行年 ページ
Nonlinear Optics 18 1997 277_284

著者名 論文標題
Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura Role of self-formed InGaN quantum dots for exciton localization in the purple laser diode Emitting at 420 nm
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 70 1997 981_983

著者名 論文標題
S. Tanaka, H. Hirayama, Y. Aoyagi, Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Stimulated Emission from Optically Pumped GaN Quantum Dots
雑誌名 発行年 ページ
Applied Physics Letters 71 1997 1299_1301

著者名 論文標題
Y.Kawakami,Y.Narukawa,K.Sawada,S.Saijo,Sz.Fujita,Sg.Fujita and S.Nakamura The mechanism of radiative recombination in light emitting devices composed of InGaN quantum well
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会論文誌C-II J81-C-ii 1998 78-88

著者名 論文標題
Y. Narukawa, S. Saijou, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura Time-Resolved Electroluminescence Spectroscopy of InGaN Single Quantum Well LEDs
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 593_596

著者名 論文標題
Y. Narukawa, K. Sawada, K. Omae, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura Emission Mechanism of Localized Excitons in InGaN Single Quantum Wells
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 606_610

著者名 論文標題
T. Onishi, H. Adachi, I. Kidoguchi, M. Mannoh, A. Takamori, Y. Narukawa, Y. Kawakami and Sg. Fujita Doping level and type of GaInP saturable absorbing layers for realizing pulsating 650-nm-band AlGaInP laser diodes
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Photonics Technology Letters 10 1998 1368_1370

著者名 論文標題
I. S. Hauksson, Y. Kawakami, Sz. Fujita, Sg. Fujita, I. Galbraith, K. A. Prior and B. C. Cavenett Biexciton emission from thick ZnSe epilayer grown by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 83 1998 2035_2040

著者名 論文標題
H. C. Ko, D. C. Park, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Localized excitonic emissions of ZnCdSe/ZnSe quantum wells grown on a GaAs(110) cleaved surface
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 73 1998 1388_1390

著者名 論文標題
D. C. Park, H. C. Ko, Sz. Fujita and Sg. Fujita Growth of GaN on indium tin oxide/glass substrates by RF plasma-enhanced chemical vapor deposition method
雑誌名 発行年 ページ
Japanese Journal of Applied Physics 37 1998 L294_L296

著者名 論文標題
J. Suda, M. Ogawa, K. Sakurai, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Optical properties of light-hole excitons in ZnSSe/ZnMgSSe tensile-strained quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 184/185 1998 863_866

著者名 論文標題
H. C. Ko, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita New approach to the fabrication of CdSe/ZnSe quantum dots using a cleaved-edge overgrowth technique
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 184/185 1998 283_287

著者名 論文標題
M. Funato, Sz. Fujita and Sg. Fujita A comparative study on deep levels in p-ZnSe grown by MBE, MOMBE and MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 184/185 1998 495_499

著者名 論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, K. Sawada, S. Saijyo, Sz. Fujita, Sg. Fujita and S. Nakamura Recombination dynamics of localized excitons in self-formed InGaN quantum dots
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science and Engineering B50 1998 256_263

著者名 論文標題
H. C. Ko, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Atomic force microscopy study of self-organized ZnCdSe nanostructures fabricated on the cleavage-induced GaAs(110) surface
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science 130/132 1998 719_723

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, H. Kurusu, Y. Kawakami, Sz. Fujita and Sg. Fujita Role of localized excitons in the stimulated emission in ultra-thin CdSe/ZnSe/ZnSSe single quantum-well structures
雑誌名 発行年 ページ
Superlattices and Microstructures 23 1998 1189_1195

著者名 論文標題
Y. Narukawa, S. Saijou, Y. Kawakami, Sg. Fujita and S. Nakamura Radiative and nonradiative recombination processes in ultraviolet light-emitting diode composed of an In0.02Ga0.98N active layer
雑誌名 発行年 ページ
Applied Physics Letters 74 1999 558_560

著者名 論文標題
Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sg. Fujita and S. Nakamura Dimensionality of excitons in lesar-diode structures composed of InxGal-xN multiple quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
Physical Review B 59 1999 10283_10288

著者名 論文標題
Y. Narukawa, Y. Kawakami, Sg. Fujita and S. Nakamura Recombination dynamics in InxGal-xN multiple-quantum-well based laser diodes under high photoexcitation
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176 1999 39_43

著者名 論文標題
M. Fudeta, H. Asahi, K. Asami, Y. Narukawa, Y. Kawakami, J. -H. Noh, J. Mori, D. Watanabe, Sg. Fujita and S. -I. Gonda Time-resolved photoluminescence study of strain-induced quantum dots self-formed in GaP/InP short-period superlattice
雑誌名 発行年 ページ
Japanese Journal of Applied Physics 38 1999 L1006_L1008

著者名 論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, K. Omae, Sg. Fujita and S. Nakamura Dimensionality of excitons in InGaN-based light emitting devices
雑誌名 発行年 ページ
physica state solid (a), 178 2000 331_336

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, H. Kurusu, Y. Kawakami, Sh. Fujita and Sg. Fujita Effect of degree of localization and confinement dimensionality of exitons on their recombination process in CdSe/ZnSe/ZnSxSel-x single quantum well structures
雑誌名 発行年 ページ
Physical Review B, 61 2000 10303_10313

著者名 論文標題
T. Izumi, Y. Narukawa, K. Okamoto, Y. Kawakami, Sg. Fujita and S. Nakamura Time-resolved photoluminescence spectroscopy in GaN-based semiconductors with micron spatial resolution
雑誌名 発行年 ページ
J. Luminescence 87/89 2000 1196_1198

著者名 論文標題
K. Okamoto, H. -C. Ko, Y. Kawakami and Sg. Fujita Time-space resolved photoluminescence from (Zn, Cd)Se-based quantum structures
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 214/215 2000 639_645

著者名 論文標題
Y. Kawakami, Y. Narukawa, K. Omae, Sg. Fujita and S. Nakamura Dynamics of optical gain in InxGal-xN multi-quantum-well-based laser diodes
雑誌名 発行年 ページ
App. Phys. Lett. 77 2000 2151_2153

著者名 論文標題
A. Kaneta, T. Izumi, K. Okamoto, Y. Kawakami, Sg. Fujita, Y. Narita, T. Inoue and T. Mukai Spatial Inhomogeneity of Photoluminescence in an InGaN-Based Light-Emitting Diode Structure Probed by Near-Field optical Microscopy Under Illumination-Collection Mode
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. App. Phys. 40 2001 110_111

著者名 論文標題
Y. Kawakami, K. Omae, A. Kaneta, K. Okamoto, T. Izumi, S. Sajou, K. Inoue, Y. Narukawa, T. Mukai and Sg. Fujita Radiative and Nonradiative Recombination Processes in GaN-Based Semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
physica status solidi (a), 183 2001 41_50

著者名 論文標題
Y. Kawakami, K. Omae, A. Kaneta, K. Okamoto, T. Izumi, S. Sajou, K. Inoue, Y. Narukawa, T. Mukai and Sg. Fujita Radiative and Nonradiative Recombination Processes in GaN-Based Semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
Physica Status Solidi (a) 183 2001 41_50

著者名 論文標題
川西 英雄、栗本 誠、白井 俊雄、春山 牧子 GaN系紫外発光デバイス
雑誌名 発行年 ページ
Microoptics News 14 1996 1-7

著者名 論文標題
本田 徹、白澤 智恵、持田 宣晃、井上 彰、松谷 晃宏、坂口 孝浩、小山 二三夫、川西 英雄、伊賀 健一 GaN系面発光レーザの設計と(?)作技術に関する基礎検討:電子通信情報学会論文誌C-II
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会論文誌C-II J81-C-II 1998 97-104

著者名 論文標題
T. Honda, M. Tsubamoto, Y. Kuga and H. Kawanishi Optical Gain in BGaN Lattice-Matched to (0001) 6H-SiC
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symroc. 482 1998 1125_1129

著者名 論文標題
T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, T. Honda, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Interface Control of GaN/AlGaN Quantum Well Structures in MOVPE Growth
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 124_127

著者名 論文標題
N. Mochida, T. Honda, T. Shirasawa, A. Inoue, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Crystal Orientation Dependence of P-Type Contact Resistance of GaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 716_719

著者名 論文標題
T. Honda, T. Miyamoto, T. Sakaguchi, H. Kawanishi, F. Koyama, and K. Iga Effect of piezo electric field on emission characteristics GaN/AlGaN quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 180/190 1998 644_648

著者名 論文標題
M. Shibata, M. Kurimoto, J. Yamamoto, T. Honda and H. Kawanishi GaN/BAIN Heterostructure Grown on (0001) 6H-SiC by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy,
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 445_447

著者名 論文標題
J. Yamamoto, M. Shibata, M. Kurimoto, T. Honda and H. Kawanishi Orign of Cracks in GaN/AlGaN DH Structure Grown on 6H-SiC by Metalorganic VApor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Crystal Growth - The Special Issue for the 2nd ICNS'97 - (to be published) 189/190 1998 193_196

著者名 論文標題
M. Kurimoto, M. Shibata, J. Yamamoto, T. Honda and H. Kawanishi Direct Growth of GaN on (0001)6H-SiC by Low Pressure MOVPE with Flow Channel
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 189_192

著者名 論文標題
T. Honda, A. Inoue, M. Mori, T. Shirasawa, N. Mochida, K. Saotome, T. Sakaguchi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. GaN Growth on Ozonized Sahire (0001) substrates by MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 195 1998 319_322

著者名 論文標題
本田 徹、栗本 誠、鍔本 美恵子、久我 雄一、川西 英雄、 BGaN系紫外レーザの基礎検討
雑誌名 発行年 ページ
電気通信情報学会、信学技報、EDS98-146   1998  

著者名 論文標題
M. Watanabe, T. Kobayashi, T. Kawahashi, A. Hino, T. Watanabe, T. Matumoto and M. Suzuki 195Pt NMR spectra and biological activity of platinum(IV) complexes with dipepties"J. Inorganic Biochemistry, vol. 73, 1-5 (1999
雑誌名 発行年 ページ
J. Inorganic Biochemistry 73 199 1_5

著者名 論文標題
T. Honda, T. Shirasawa, N. Mochida, A. Inoue, A. Matsutani, T. Sakaguchi, F. Koyama, H. Kawanishi and K. Iga Design and Fabrication Process Consideration of GaN-Based Surface Emitting Lasers
雑誌名 発行年 ページ
Electronics & Communications in Japan, Part 2 82 1999 97_104

著者名 論文標題
T. Honda, Y. Yamamoto and H. Kawanishi Direct Growth of GaN on (0001) 6H-SiC
雑誌名 発行年 ページ
Blue Laser and Light Emitting Diodes II, Ed. K. Onabe et al., Ohmsha, Tokyo   1999 150_153

著者名 論文標題
T. Honda, H. Kawanishi, T. Sakaguchi, F. Koyama and K. Iga Characteristic Temperature Estimation for GaN-Based Lasers
雑誌名 発行年 ページ
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 1999 G6.2_

著者名 論文標題
M. Kurimoto, T. Nakata, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Honda and H. Kawanishi Tensile Strain Introduced in AlN Layer Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L551_L553

著者名 論文標題
Y. Ishihara, J. Yamamoto, M. Kurimoto, T. Takano, T. Honda, and H. Kawanishi Dependence of Crystal Quality on Residual Strain-Controlled Thin AlN Layer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L1296_L1298

著者名 論文標題
M. Kurimoton, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Takano, J. Yamamoto, T. Honda and H. Kawanishi Possibility of Strain Control in AlN Layer Grown by MOVPE on (0001)6H-SiC with GaN/AlN Buffer
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176 1999 665_669

著者名 論文標題
T. Honda, M. Shibata, M. Kurimoto, M. Tsubamoto, J. Yamamoto and H. Kawanishi Band-Gap Energy and Effective Mass of BGaN
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 L2389_L2393

著者名 論文標題
T. Honda, M. Kurimoto, M. Shibata and H. Kawanishi Excitonic emission of BGaN grown on (0001) 6H-SiC by metal-organic vapor-phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Luminescence 87-89 2000 1274_1276

著者名 論文標題
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, M. Shibata, Y. Ishihara M. Tsubamoto, T. Honda and H. Kawanishi Room Temperature Photoluminescence from BAlGaN-Based Double or Single Heterostructures for UV Laser Diode
雑誌名 発行年 ページ
Physica status Solidi Rapid Research Note (a), 180 2000 231_234

著者名 論文標題
T. Takano, M. Kurimoto, J. Yamamoto, Y. Ishihara, M. Horie and H. Kawanishi Improved 250nm UV PL Spectra from BAlGaN/AlN MQW on 6H-SiC Substrate by MOVPE Using TEB
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Warkshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1   2000 147_149

著者名 論文標題
M. Kurimoto, T. Takano, J. Yamamoto, Y. Ishihara, M. Horie, M. Tsubamoto and H. Kawanishi Growth of BGaN/AlGaN multi-quantum-well structure by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth, 221 2000 378_381

著者名 論文標題
T. Honda, N. Fujita, K. Maki, Y. Yamamotom and H. Kawanishi Initial gowth monitoing of GaN epitaxy on 6H-SiC by metal-organicmolecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 209 2000 392_395

著者名 論文標題
M. Mori, A. Kikuchi, and K. Kishino Characterization of GaN grown with a high growth rate by RF-radical source molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Institute of Physics Conference Series : Chapter 5 (IOP Publishing Ltd) 142 1996 839_842

著者名 論文標題
I. Nomura, K. Kishino, and A. Kikuchi Theoretical analysis of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers
雑誌名 発行年 ページ
Institute of Physics Conference Series : Chapter 6 (IOP Publishing Ltd) 142 1996 1011_1014

著者名 論文標題
I. Nomura, K. Kishino, and A. Kikuchi Theoretical estimation of threshold current of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers
雑誌名 発行年 ページ
Solid-State Electronics 41 1997 283_286

著者名 論文標題
I. Nomura, K. Kishino, and A. Kikuchi Theoretical estimation of threshold current of cubic GaInN/GaN/AlGaN quantum well lasers
雑誌名 発行年 ページ
Solid-State Electronics 41 1997 283_286

著者名 論文標題
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino Growth of self-organized GaN nano-structures on A1203 (0001) by RF-radical source molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 L459_L462

著者名 論文標題
T. Morita, H. Shimbo, T. Nagano, I. Nomura, A. Kikuchi, and K. Kishino Refractive index measurements of MgZnCdSe II-VI compound semiconductors grown on InP substrates and fabrications of 500-600 nm range MgZnCdSe distributed Bragg reflectors
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 81 1997 7575_7579

著者名 論文標題
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, M. Mori, N. Fujita, and K. Kishino Self-organization of GaN nano-structures on c-A1203 by RF-radical gas source molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Institute of Physics Conference Series (IOP Publishing Ltd)   1997  

著者名 論文標題
A. Kikuchi, M. Yoshizawa, M. Mori, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto and K. Kishino Shutter Control Method for Control of Al Contents in AlGaN Quasi-ternary Compounds grown by RF-MBE
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 109_113

著者名 論文標題
M. Yoshizawa, A. Kikuchi, N. Fujita, K. Kushi, H. Sasamoto and K. Kishino Self-organization of GaN/A10.18Ga0.82N multi-layer nano-columns on (0001)A1203 by RF molecular beam epitaxy for fabricating GaN quantum disks
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 189-190 1998 138_141

著者名 論文標題
N. Fujita, M. Yoshizawa, K. Kushi, H. Sasamoto, A. Kikuchi and K. Kishino Epitaxial Growth of GaN with a High Growth Rate of 1.4mm/hr by RF-radical Source Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 385_389

著者名 論文標題
K. Kishino et al. High speed growth of device quality GaN and InGaN by RF-MBE
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science and Engineering B 59 1999 65_68

著者名 論文標題
K. Kishino et al. InGaN/GaN MQW and Mg-doped GaN growth using a shutter control method by RF-Molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176 1999 273_277

著者名 論文標題
K. Kishino et al. 2.6mm/h high speed growth of GaN by RF-molecular beam epitaxy and improvement of crystal quality by migration enhanced epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176 1999 323_328

著者名 論文標題
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino High-quality GaN on AIN Multiple Intermediate Layer with Migration Enhanced Epitaxy by RF-Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 L197_L199

著者名 論文標題
A. Kikuchi, T. Yamada, S. Nakamura, K. Kusakabe, D. Sugihara and K. Kishino Improvement of Crystal Quality of RF-Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown Ga-Polarity GaN by High-Temperature Grown AIN Multiple Intermediate lavers
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 L330_L333

著者名 論文標題
D. Sugihara, A. Kikuchi, K. Kusakabe, S. Nakamura, Y. Toyoura, T. Yamada and K. Kishino Suppression of Inversion Domains and Decrease of Threading Dislocations in Migration Enhanced Epitaxial GaN by RF-Molecular Beam Epitaxv
雑誌名 発行年 ページ
phys. stat. sol., (a) 180 2000 65_71

著者名 論文標題
A. Kikuchi, T. Yamada, K. Kusakabe, D. Sugihara, S. Nakamura and K. Kishino Reduction of Threading Dislocations in RF-MBE Grown Polarity Controlled GaN by AIN Multiple Interlayers
雑誌名 発行年 ページ
IPAP Conference Series 1 Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors   2000 154_157

著者名 論文標題
Y. Toyoura, K. Kusakabe, T. Yamada, R. Bannai, A. Kikuchi and K. Kishino GaN-Based Resonant Cavity-Enhanced UV-Photodetectors
雑誌名 発行年 ページ
IPAP Conference Series 1 Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors   2000 907_910

著者名 論文標題
K. Kusakabe, K. Kishino, A. Kikuchi, T. Yamada, D. Sugihara and S. Nakamura Reduction of Threading Dislocations in Migration Enhanced Epitaxy Grown GaN with N-Polarity by Use of AIN Multiple Interlayer
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth, (to be published)   2001  

著者名 論文標題
A. Kikuchi, T. Yamada, S. Nakamura, K. Kusakabe, D. Sugihara and K. Kishino Improvement of Electrical Property and Surface Morphology of GaN Grown by RF-plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy by Introduction of Multiple AIN Intermediate Laver
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science & Engineering B, (to be published)   2001  

著者名 論文標題
K. Kusakabe, A. Kikuchi and K. Kishino Characterization of Overgrown GaN Layers on Nano-Columns Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 40 2001 L192_L194

著者名 論文標題
K. Kusakabe, A. Kikuchi and K. Kishino Step Flow Surface Morphology in Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown GaN
雑誌名 発行年 ページ
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research   2001  

著者名 論文標題
K. Kusakabe, T. Yamada, Y. Toyoura, R. Bannai, A. Kikuchi and K. Kishino Quasi-Free Standing GaN Epitaxial Layer Grown on Nano-Columnar GaN by RF-Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Proceedings of International Symposium on Compound Semiconductors 2000, (to be published)   2001  

著者名 論文標題
H. Amano, T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai and I. Akasaki Structural and Optical Properties of Nitride Based Heterostructure and Quantum Well Structure
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 449 1997 1143_1150

著者名 論文標題
T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 L382_L385

著者名 論文標題
S. Chichibu, T. Azuhata, H. Amano and I. Akasaki Optical Properties of Tensile-strained Wurtzite GaN Epitaxial layers
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 70 1997 2085_2087

著者名 論文標題
Y. Kaneko, N. Yamada, T. Takeuchi Melt-back Etching of GaN
雑誌名 発行年 ページ
Solid-State Electron 41 1997 295_298

著者名 論文標題
H.Sakai,T.Takeuchi,H.Amano and I.Akasaki GaNの誘導放出機構と混晶効果
雑誌名 発行年 ページ
レーザ研究 25 1997 510-513

著者名 論文標題
I. Akasaki and H. Amano Progress and prospect of group-III nitride semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 175/176 1997 29_36

著者名 論文標題
I. Akasaki and H. Amano Crystal Growth and Conductivity of Group III Nitride Semiconductors and Thir Application to Short Wavelength Light Emitters
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 5393_5408

著者名 論文標題
I. Akasaki Progress in Crystal Growth and Conductivity Control of III Nitride Semiconductors -Seeking Blue Emission
雑誌名 発行年 ページ
Ext. Abstr. of the Intl. Conf. on Solid State Devices and Mater., Hamamatsu, 2-3,   1997  

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki et. al Observation of photoluminescence from All-xInxN heteroepitaxial films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 73 1998 830_831

著者名 論文標題
H. Kato, H. Amano, I. Akasaki and N. Yamada et al. GaN Based Laser Diode with Focused Ion Beams Etched Mirrors
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 444_446

著者名 論文標題
T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki and N. Yamada et. al Determination of Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells Using the Quantum-confined Stark effect
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 73 1998 1691_1693

著者名 論文標題
T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada Quantum-confined Stark Effect in Strained GaInN Quantum Wells on Sapphire (0001)
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 616_620

著者名 論文標題
T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, and M. Yamaguchi H. Amano and I. Akasaki Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka. Ys. Kaneko and N. Yamada Improvement of far-field pattern in nitride laser diodes
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 75 1999 2960_2962

著者名 論文標題
I. Akasaki, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Takeuchi and H. Amano Growth of Crack-Free Thick AlGaN Layer and its Application to GaN Based Laser Diodes
雑誌名 発行年 ページ
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.,   2000  

著者名 論文標題
M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, I. Akasaki Realization of crack-free and high-quality thick AlxGal-xN for UV optoelectronics using low-temperature interlayer
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science 159/160 2000 405_413

著者名 論文標題
T. Sato, M. Iwaya, K. Isomura, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki Theoretical Analysis of Optical Transverse-Mode Control on GaN-Based Laser Diodes
雑誌名 発行年 ページ
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E SERIES C, 83 2000 573_578

著者名 論文標題
S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki Performance of GaN-Based Semiconductor Laser with Spectral Broadening due to Compositional Inhomogeneity in GaInN Active Layer
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 390_392

著者名 論文標題
N. Hayashi, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko and N. Yamada Electrical conductivity of low temperature deposited Al0.1Ga0.9N interlayer
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 6493_6495


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