未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要

平成１２年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要

１．研究機関名		名古屋大学

２．委員会名		薄膜第131委員会

３．研究期間		平成8年度～平成12年度

４．研究プロジェクト番号		96R13101

５．研究プロジェクト名		次世代ULSI用薄膜材料の開発とナノスケール　プロセスインテグレーション

６．プロジェクト・リーダー

プロジェクト・リーダー名	フリガナ	所属部局名	職名
安田　幸夫	ヤスダ　ユキオ	大学院工学研究科	教授

７．コア・メンバー

コア・メンバー名	フリガナ	所属研究機関名・所属部局名	職名
財満　鎭明	ザイマ　シゲアキ	名古屋大学・先端技術共同研究センター	教授
田中　信夫	タナカ　ノブオ	名古屋大学・大学院工学研究科	教授
堀　勝	ホリ　マサル	名古屋大学・大学院工学研究科	助教授

８．研究協力者

研究協力者名	フリガナ	所属研究機関名・所属部局名	職名
奥山　雅則	オクヤマ　マサノリ	大阪大学・大学院基礎工学研究科	教授
室田　淳一	ムロタ　ジュンイチ	東北大学・電気通信研究科	教授
岩井　洋	イワイ　ヒロシ	東京工業大学・大学院総合理工学研究科	教授

９．研究成果の概要

本研究は、次世代ULSIの薄膜材料、プロセス、ナノスケールデバイス構造を、統一的な集積化技術の構築（プロセスインテグレーション）を視野に総合的に検討し且つ提案することを目的としている。以下に各薄膜材料・プロセス技術について得られた成果を記す。
　1．超低抵抗コンタクト材料の形成技術を界面固相反応機構について検討し、接合界面におけるSiGe層の活用とCoSi2エピタキシャルシリサイドの有用性を提案した。
　2．ゲート電極の低抵抗化と、従来のpoly-Siゲートの空乏化の問題を解決する、メタルゲートおよびそのダマシンゲートプロセスの採用を提案した。
　3．極薄SiO2ゲート絶縁膜の絶縁性劣化メカニズムの解明と窒素による抑制法を確立し、次世代ゲート絶縁膜としての高誘電率薄膜の物性・形成プロセスについて検討した。
　4．SiGe(C)系薄膜の超高速電子デバイス応用にあたり、原子精度での積層・エッチング及びドーピング制御技術を確立した。また、歪緩和SiGe層の新規作製プロセスを提案した。
　5．SBT、STNを用いたMFIS構造メモリデバイスを提案し、材料や成膜条件の最適化による特性向上を図った。また、電気的特性の理論解析による確証を得た。
　6．DMAHを用いたAl-CVDの堆積特性の改善、装置の実用化を検討した。また、Cuイオンドリフト効果を評価し、130-nmノードにおけるdamascene Cu/low-kプロセスを実証した。
　7．SiO2及び有機低誘電率膜のエッチング反応機構の解明を基に、超微細加工技術のための環境調和型プラズマエッチングプロセスを開発した。
　8．成膜過程における半導体表面の水素のその場定量場観測技術、及び原子直視を満足する、薄膜界面・内部の原子レベル構造や組成分布の評価技術を確立した。
　9．超低誘電率（1.5以下）と非PFCエッチングという2つの課題をクリアするために、有機材料を対象とした材料設計を行った。

１０．キーワード

(1)ナノスケールデバイス、(2)プロセスインテグレーション、(3)コンタクト材料
(4)ゲート絶縁膜、(5)高誘電率薄膜、(6)SiGe(C)系薄膜
(7)MFIS構造、(8)エッチング反応機構、(9)低誘電率

１１．研究発表（印刷中も含む）

[雑誌論文]

著者名	論文標題
Y. Hayashi	Application of a two-step growth to the formation of epitaxial CoSi₂ films on Si(001) surfaces: Comparative study using reactive deposition epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		40	2001	269-275

著者名	論文標題
K. Ohmori	Trap generation in ultrathin SiO₂ films due to electron injection studied by scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		162-163	2000	395-400

著者名	論文標題
M. Wasekura	A study on initial oxidation of Si(100)-2x 1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy (CAICISS)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159-160	2000	35-40

著者名	論文標題
O. Nakatsuka	Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co/Si systems
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159-160	2000	149-153

著者名	論文標題
H. Kageshima	Selectivity for O adsorption position on dihydride Si(100) surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159-160	2000	14-18

著者名	論文標題
H. Fujita	Orientation dependence of ferroelectric properties of Pb(Zrx Ti_1-x)O₃ thin films on Pt/SiO₂/Si substrates
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159-160	2000	134-137

著者名	論文標題
S. Zaima	Low resistivity contact materials for ULSI applictions and metal/silicon interfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ext. Abst. 19th Electronic Symp. Izu-Nagaoka2			2000	3-6

著者名	論文標題
安田幸夫	シリコン表面の初期酸化と水素
雑誌名		巻	発行年	ページ
真空		43	2000	440

著者名	論文標題
H. Fujita	Control of crystal structure and ferroelectric properties of Pb(Zrx Ti_1-x)O₃ films formed by pulsed laser deposition
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	7035-7039

著者名	論文標題
K. Ohmori,	The origin and the creation mechanism of positive charges in silicon oxide films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the 4th Int. Symp. on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface			2000	345-352

著者名	論文標題
Y. Yasuda	Interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si_1-xGex/Si contacts with rapid thermal annealing
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		373	2000	73-78

著者名	論文標題
D. Matsushita	Scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy of initial nitridation process of Si(100)-2x1 surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	293-296

著者名	論文標題
K. Sato,	A study on the local bonding structures of oxidized Si(111) surfaces by HREELS
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	277-280

著者名	論文標題
M. Okada	Epitaxial growth of heavily B-doped SiGe films and interfacial reaciton of Ti/B-doped SiGe bilayer structure using rapid thermal processing
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	130-133

著者名	論文標題
I. Suzumura	Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	116-120

著者名	論文標題
安田幸夫	収束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会信学技報		ED99-291	2000	7-11

著者名	論文標題
H. Iwano	Effect of Ge atoms on interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si_1-xGex/Si contacts
雑誌名		巻	発行年	ページ
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998			1999	599-604

著者名	論文標題
O. Nakatsuka,	Formation and electrical properties of Co/Si contacts by rapid thermal annealing
雑誌名		巻	発行年	ページ
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998			1999	605-611

著者名	論文標題
H. Ikeda	Influences of impurities on oxidation processes of Si(100) substrates
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	2345-2348

著者名	論文標題
H. Ikeda	Initial oxidation processes of H-terminated Si(100) surfaces analyzed using a random sequential adsorption model
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	3422-3425

著者名	論文標題
Y. Hayashi	Solid-phase epitaxial growth of CoSi₂ on clean and oxygen-adsorbed Si(001) surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		438	1999	116-122

著者名	論文標題
Y. Hayashi	Effects of initial surface states on formation porcesses of epitaxial CoSi₂(100) on Si(100)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		343/344	1999	562-566

著者名	論文標題
財満鎭明	水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		20	1999	703-710

著者名	論文標題
財満鎭明	シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
雑誌名		巻	発行年	ページ
真空		42	1999	25-30

著者名	論文標題
H. Ikeda	Influences of deuterium atoms on local bonding structures of SiO₂ studied by HREELS
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		343/344	1999	408-411

著者名	論文標題
M. Okada	Hydrogen Effect on Heteroepitaxial Growth of Ge Films on Si(111) Surfaces by Solid Phase Epitaxy"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys., part 1		37	1998	6970-6973

著者名	論文標題
H. Iwano	Effect of Ge atoms on interfacial reaction of Ti/ and Zr/Si_1-xGex/Si contacts
雑誌名		巻	発行年	ページ
Adv. Metallization Conference in 1998			1999	599-604

著者名	論文標題
O. Nakatsuka	Contact resistivities and electrical characteristics of Co/Si contacts by rapid thermal annealing
雑誌名		巻	発行年	ページ
Adv. Metallization Conference in 1998			1999	605-611

著者名	論文標題
財満鎭明	シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
雑誌名		巻	発行年	ページ
真空		42	1999	25-30

著者名	論文標題
M. Okada	Nucleation and growth of Ge on Si(111) by MBE with additional atomic hydrogen irradiation studied by scanning tunneling microscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		188	1998	119-124

著者名	論文標題
A. Muto	Effects of H-termination on Ge film growth on Si(111) surfacesby solid phase epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		130-132	1998	321-326

著者名	論文標題
Y. Nakagawa	Local bonding structure of SiO₂ Films on H-terminated Si(100)surfaces studied by using high-resolution electron energy lossspectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		130-132	1998	192-196

著者名	論文標題
Y. Yasuda	Effects of atomic hydrogen on growth behavior of Si filmsby Si₂H₆-source molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		317	1998	48-51

著者名	論文標題
H. Iwano	Hopping conduction and localized states in p-Si wiresformed by focused ion beam implantations
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B16	1998	2551-2554

著者名	論文標題
H. Iwano	Surface roughness of strain-relaxed Si_1-xGex layers grown bytwo-step growth method
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		317	1998	17-20

著者名	論文標題
H. Iwano	Electrical properties and interfacial reactions at Co/Si(100) contacts
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.			1998	669-675

著者名	論文標題
Y. Hayashi	A new growth method of epitaxial cobalt disilicide on Si(100)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.			1998	663-668

著者名	論文標題
S. Zaima	Study of reaction and electrical properties at Ti/SiGe/Si(100) contacts for ultralarge scale integrated applications
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B16	1998	2623-2628

著者名	論文標題
K. Sakata	Quantum chemical study of the oxidation sites in hydrogen- and water- terminated Si dimers: Attempt to understand the Si-Si back-bond oxidation on the Si surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys		37	1998	4962-4973

著者名	論文標題
H. Ikegami	Thermal stability of ultra-thin CoSi₂ films on Si(100)-2x 1 surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		117/118	1997	257-279

著者名	論文標題
K. Ohmori,	Initial oxidation of Si(100)-(2x1)H monohydride surfaces studied by scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		117/118	1997	114-118

著者名	論文標題
H. Ikeda	Initial oxidation of H-terminated Si(111) surfaces studied by HREELS
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		117/118	1997	109-113

著者名	論文標題
Y. Yasuda	Efects of H-termination on initial oxidation process
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		113/114	1997	579-584

著者名	論文標題
M. Okada	The influence of additional atomic hydrogen on the monolayer growth of Ge on Si(100) studied by STM
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		113/114	1997	349-353

著者名	論文標題
M. Okada	Hydrogen effects on Si_1-xGe_x/Si heteroepitaxial growth by Si₂H₆- and GeH₄-source molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	7665-7668

著者名	論文標題
H. Kondo	Conductance oscillations in hopping conduction systems fabricated by focused ion beam implantation
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	4046-4048

著者名	論文標題
池田浩也	水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		17	1996	141-147

著者名	論文標題
H. Ikegami	Study on CoSi₂ formation on Si(100)-2x1 surfaces by scanning tunneling microscopy and scanning tunneling spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995			1996	511-516

著者名	論文標題
H. Ikeda	Initial oxidation processes of H-terminated Si(100) surfaces studied by high-resolution electron energy loss spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		35	1996	1069-1072

著者名	論文標題
H. Ikeda	Initial oxidation of Si(311) surfaces studied by HREELS
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		100/101	1996	431-435

著者名	論文標題
H. Iwano	Novel method of strain-relaxed Si_1-xGe_x growth on Si(100) by MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		100/101	1996	487-490

著者名	論文標題
H. Shinoda	Electrical properties of metal/SiGe/Si(100) heterojunctions
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.			1996	526-529

著者名	論文標題
H. Ikegami	Oxide formation on Si(100)-2x1 surfaces studied by scanning tunneling microscopy/ scanning tunneling spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		35	1996	1593-1597

著者名	論文標題
J. Kojima	Formation of defects by silicidation reaction at Ti/Si interfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995			1996	517-522

著者名	論文標題
池田浩也	水素終端シリコン表面の初期酸化過程
雑誌名		巻	発行年	ページ
固体物理		31	1996	696-702

著者名	論文標題
H. Ikeda	Influences of hydrogen on initial oxidation processes of H-terminated Si(100) surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		104/105	1996	354-358

著者名	論文標題
S. Zaima	Studies on the suppression of Ge segregation during Si overgrowth on Ge(n ML)/Si(100) substrates by gas-source MBE
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		163	1996	105-112

著者名	論文標題
財満鎭明	水素終端シリコン(100)表面の初期酸化過程
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		65	1996	1237-1242

著者名	論文標題
J. J. Hu	Beam alignment and related problems of spherical aberration corrected high-resolution TEM images
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Electron Microscopy		49	2000	651-656

著者名	論文標題
N. Tanaka	Time-resolved HRTEM and HAADF-STEM of metal-mediated crystallization of amorphous germanium films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Material Science Eng.		A	2001	in press

著者名	論文標題
N. Tanaka	Formation of defects by silicidation reaction at Ti/Si interfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Physique, IV, France		10	2000	85-90

著者名	論文標題
N. Baba	An auto-tuning method of focusing and astigmatism correction for the HAADF-STEM based on image-contrast transfer function
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Electron Microscopy, (in print)		50	2000

著者名	論文標題
M. Koguchi	Three-dimensional STEM for observing Nano-structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Electron Microscopy, (in print)		50	2000

著者名	論文標題
田中信夫	透過電子顕微鏡の構造と見えるもの
雑誌名		巻	発行年	ページ
セラミックス		35	2000	368-375

著者名	論文標題
田中信夫	STEMのレンズ伝達関数
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子顕微鏡		35	2000	印刷中

著者名	論文標題
N. Tanaka	STM/STS studies of tungsten clusters on Si(111) surfaces using a newly developed deposition apparatus
雑誌名		巻	発行年	ページ
Micron		30	1999	135-139

著者名	論文標題
N. Tanaka	An on-line correction method of defocus and astigmatism in HAADF- STEM
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ultramicrosc.		78	1999	103-110

著者名	論文標題
N. Tanaka	Time-resolved HREM of Metal-mediated crystallization of amorphous Ge films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of Int. Conf. on Solid-Solid Phase Transformations'99

著者名	論文標題
J. J. Hu	A study of the validity of the image deconvolution method on the basis of channeling theory for thicker crystals
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ultramicrosc		80	1999	1-5

著者名	論文標題
田中信夫	ナノビーム電子線を用いた極微構造解析とイメージング(1)
雑誌名		巻	発行年	ページ
ナノ電子回折電子顕微鏡		34	1999	135-140

著者名	論文標題
田中信夫	ナノビーム電子線を用いた極微構造解析とイメージング(2)
雑誌名		巻	発行年	ページ
走査透過電子顕微鏡電子顕微鏡		34	1999	221-216

著者名	論文標題
J. J. Hu	Direct atomic observation of Ge/Si(001) interfaces by image processing methods in high-resolution electron microscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Electron Microscopy		47	1998	581

著者名	論文標題
N. Tanaka	Theoretical basis of image-deconvolution methods for structure images of thin crystals
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Electron Micoroscopy		47	1998	217

著者名	論文標題
J. J. Hu	An approximate multi-beam form of the ellipse in high-resolution transmission electron microscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ultramicroscopy		74	1998	105

著者名	論文標題
K. Nakamura	Position dependence of the visibility of a single gold atom in silicon crystals in HAADFSTEM image simulation
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Electron Microscopy		1	1997	33-43

著者名	論文標題
N. Tanaka	HREM and measurement of magnetic properties of Fe- clusters embedded in MgO Films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Sci. and Eng.		A217/218	1996	311-318

著者名	論文標題
K. Fuijita	Amorphous silicon and tungsten etching employing environmentally benign plasma process
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys		40	2001	832-836

著者名	論文標題
H. Ohta	Formation of silicon nitride gate dielectric films at 300℃ employing radical chemical vapor deposition
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B18	2000	2486-2490

著者名	論文標題
H. Ohta	Effect ofions and radicals on formation of silicon nitride gate dielectric film using plasma chemical vapor deposition
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys., (in press)		89	2001

著者名	論文標題
M. Nakamura	Behaviors of gas species in low global warming potential gas plasmas for low dielectric constant film formation
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol., (submitted)		B19	2001

著者名	論文標題
K. Fujita	Novel process for SiO₂/Si selective etching using a novel gas source for preventing global warming
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B17	1999	957-960

著者名	論文標題
K. Fujita	Silicon oxide selective etching process keeping harmony with environment by using radical injection technique
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A17	1999	3260-3264

著者名	論文標題
K. Fujita	Environmentally harmonious etching process for cleaning amorphous silicon and tungsten in chemical vapor deposition chamber
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Science in Semiconductor Processing		2	1999	219-223

著者名	論文標題
K. Teii	Study on polymeric neutral species in high-density fluorocarbon plasmas
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A18	2000	1-9

著者名	論文標題
M. Inayoshi	Surface reaction of CF2 radicals for fluorocarbon film formation in SiO2/Si selective etching process
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A16	1998	233-238

著者名	論文標題
A. A. Saranin	Composition and surface structure of quantum chains on a In/Si(111) surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L306-L308

著者名	論文標題
T. Fujino	Ge thin film growth on Si(111) using hydrogen surfactant
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	25-28

著者名	論文標題
T. Fujino	Structural analysis of the 6H-SiC(0001)-√3x√3 reconstructed surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	6410-6412

著者名	論文標題
T. Fujino	Ion scattering and recoiling spectroscopy for real time monitoring of surface processes in a Gas phase atomosphere
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Rev. Lett.		7	2000	657-659

著者名	論文標題
M. Katayama	Coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy and time-of-flight elastic recoil detection analysis for in-situ monitoring of surface processes in Gas phase atmoshere
雑誌名		巻	発行年	ページ
submitted to Jpn. J. Appl. Phys.

著者名	論文標題
T. Fuse	Total cross-section of electron stimulated desorption of hydrogen from hydrogen-terminated Ge/Si(001) as observed by time-of-flight elastic recoil detection analysis
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	2878-2880

著者名	論文標題
J. -T. Ryu	Adsorption of atomic hydrogen on the Si(001)4x3-In surface studied by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy and scanning tunneling microscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		B17	1999	983-988

著者名	論文標題
T. Fuse	In situ observation of Ge δ -layer in Si(001) using quasi medium energy ion scattering spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Science in Semiconductor Processing		2	1999	159-164

著者名	論文標題
J. -T. Ryu	The growth of indium thin films on clean and H-terminated Si(100) surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		433-435	1999	575-580

著者名	論文標題
T. Fuse	Quasi-medium energy ion scattering spectroscopy observation of a Ge δ -doped layer fabricated by hydrogen mediated epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	2625-2628

著者名	論文標題
J. -T. Ryu	The effect of hydrogen termination on in growth on Si(100) surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		401	1998	L425-L431

著者名	論文標題
T. Fuse	Observation of behavior of Ge δ -doped layer in Si(001)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Nucl. Instrum. & Methods Phys. Res.		B136-138	1998	1080-1085

著者名	論文標題
J. -T. Ryu	CAICISS studies of atomic-hydrogen-induced structural changes of the Sb terminated Si surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Nucl. Instrum. & Methods Phys. Res.		B136-138	1998	1102-1107

著者名	論文標題
J. -T. Ryu	Atomic hydrogen interaction with the Si(100)4x3-In surface studied by scanning tunneling microscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	3774-3777

著者名	論文標題
M. Katayama	Atomic-hydrogen-induced self-organization processes of the In/Si(111) surface phases studied by scanning tunneling microscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		130-132	1998	765-770

著者名	論文標題
T. Fuse	Electron stimulated desorption of hydrogen from H/Si(001)-1x1 surface studied by TOF-ERDA
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		420	1999	81-86

著者名	論文標題
J. -T. Ryu	Adsorption of atomic hydrogen on the Si(100)-(2xl)-Sb surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	4435-4439

著者名	論文標題
J. -T. Ryu	Atomic-hydrogen-induced structural change of the Si(100)-(2xl)-Sb surface studied by TOF-ICISS
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		121/122	1997	223-227

著者名	論文標題
T. Fuse	Quasi-medium energy ion scattering spectroscopy study of Ge δ-layer on Si(001)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		121/122	1997	218-222

著者名	論文標題
A. Saranin	Structural transformations of the Si(111)2x2-In surface induced by STM tip and thermal annealing
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		121/122	1997	183-186

著者名	論文標題
A. Saranin	STM observation of the atomic hydrogen adsoprption on the Si(111)4x1-In surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		113/114	1997	354-359

著者名	論文標題
A. Saranin	STM tip-induced diffusion of In atoms on the Si(111)√3x√3-In surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev.		B56	1997	7449-7454

著者名	論文標題
A. Saranin	Structural model for the Si(111)-4x1-In reconstruction
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev.		B56	1997	1017-1020

著者名	論文標題
T. Fus	Quasimedium energy ion scattering spectroscopy observation of surface segregation of Ge δ-doped layer during Si molecular beam epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		393	1997	L93-L98

著者名	論文標題
A. Saranin	Structural transformation at room temperature adsorption of In on Si(111)√3x√3-In surface: LEED-AES-STM study
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		388	1997	299-307

著者名	論文標題
K. Oura	Atomic-hydrogen-induced Ag cluster formation on Si(111)-√3x√3-Ag surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Technol.		B14	1996	988-991

著者名	論文標題
Y. Tanaka	Thin-film growth mode analysis by low energy ion scattering
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		363	1996	161-165

著者名	論文標題
K. Kawamoto	Observation of the diffusion of Ag atoms through an a-Si layer on Si(111)by low energy ion scattering
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		363	1996	156-160

著者名	論文標題
H. Sugiyama	An improvement in C-V characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure for ferroelectric gate FET memory using a silicon nitride bufferlayer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	2131

著者名	論文標題
M. Okuyama	Low-temperature preparation of SrBi₂Ta₂O₉ ferroelectric thin film by pulsed laser deposition and its application to metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		154-155	2000	411

著者名	論文標題
Z. Wei	Low-temperature crystallization of metal organic decomposition BaTiO3 thin film by hydrothermal annealing
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39,	2000	4217

著者名	論文標題
T. Nakaiso	Low-temperature preparation of Sr₂(Ta_1-x, Nb_x)₂O₇ thin films by pulsed laser deposition and its electrical properties
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	5517

著者名	論文標題
M. Noda	Low temperature preparation of Sr₂(Ta_1-x, Nb_x)₂O₇ ferroelectric thin film by pulsed laser depositio
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ferroelectric Thin Films VIII		596	2000	185-

著者名	論文標題
T. Nakaiso	Low-temperature preparation of ferroelectric Sr₂(Ta_1-x, Nb_x)₂O₇ thin films by pulsed laser deposition and their application to metal-ferroelectric- insulator- semiconductor-FET
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys., (in press)

著者名	論文標題
M. Takahashi	Analysis and improvement of retention time of memorized state of metal-ferroelectric-insulator semiconductor structure for ferroelectric Gate FET memory
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys., (in press)

著者名	論文標題
K. Hashimoto	Detector pixel in dielectric bolometer mode based on ferroelectric thin film capacitors for uncooled infrared image sensor
雑誌名		巻	発行年	ページ
Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan		120-E	2000	15-19

著者名	論文標題
M. Noda	A low temperature preparation of Sr_0.7Bi_2+xTa₂O₉ thin films on SiO₂/Si by pulsed laser deposition for application of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ferroelectric Letters.		26	1999	17-28

著者名	論文標題
M. Noda	A fatigue-tolerant metal-ferroelectric-oxide-semiconductor structure with large memory window using Sr-deficient and Bi-excess Sr_0.7Bi_2+yTa₂O₉ ferroelectric films prepared on SiO_0.7Bi_2+xTa₂O₉ /Si at low temperature by pulsed laser deposition method
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	2275-2280

著者名	論文標題
M. Noda	"A new type of dielectric bolometer mode of detector pixel using ferroelectric thin film capacitors for infrared image sensor
雑誌名		巻	発行年	ページ
Sensors and Actuators		A77	1999	39-44

著者名	論文標題
M. Noda	"A new type of dielectric bolometer mode of infrared detector using ferroelectric thin film capacitors for uncooled focal plane arrays
雑誌名		巻	発行年	ページ
SPIE Opto-Electronics Review, Special Issues on Infrared Focal Plane Arrays		7	1999	313-320

著者名	論文標題
M. Okuyama	A low temperature preparation of ferroelectric Sr_xBi_2+yTa₂O₉ thin film and its application to metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Science in Semiconductor Processing		2	1999	239-245

著者名	論文標題
M. Noda	A study on metal-ferroelectric-oxide-semiconductor structure with thin silicon oxide film using SrBi₂Ta₂O₉ ferroelectric films prepared by pulsed laser deposition
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	5432-5436

著者名	論文標題
M. Okuyama	Preparation of Sr_0.7Bi_2+xTa₂O₉ thin films on SiO₂/Si at low temperature by pulsed laser deposition and fatigue-tolerant C-V characteristics with large memory window
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		541	1999	299-304

著者名	論文標題
Z. Song	Variation of the microstructure and morphology with oxygen pressure in Ba_0.51Sr_0.48La_0.01Nb₂O₆ thin films prepared by pulsed laser deposition
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Letters		40	1999	83-90

著者名	論文標題
D. Ricinschi	Theoretical analysis of fatigue in PZT ceramics on the basis of landau theory
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Korean Physical Society		35	1999	S1313-S1317

著者名	論文標題
T. Kanashima	Analyses of high frequency capacitance-voltage characteristics of metal-ferroelectrics-insulator-silicon structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	2044-2048

著者名	論文標題
M. Okuyama	Stabilization of electron emission from PZT by MgO coatings
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of the Korean Physical Society		35	1999	S1525-S1528

著者名	論文標題
中磯俊幸	レーザーアブレーション法によるSr₂(Ta_1-XNb_x)₂O₇薄膜の低温作製と電気的特性
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会		ED99-326	2000	1-6

著者名	論文標題
D. Ricinschi	Analysis of ferroelectric switching in finite media as a landau-type phase transition
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. of Phys. : Condensed Matter		10	1998	477-492

著者名	論文標題
D. Ricinschi	Grain size-dependent switching in barium titanate ferroelectric ceramics analyzed by means of their landau coefficient
雑誌名		巻	発行年	ページ
6th Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity			1998

著者名	論文標題
V. Tura	Investigation of grain-size influence on the ferroelectric- to-paraelectric phase transition in BaTiO₃ ceramics by means of AC calorimetry
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	1950-1954

著者名	論文標題
M. Okuyama	Basic characteristics of SrBi₂Ta₂O₉/SiO₂/Si structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Korean Phys. Soc.		32	1998	S1357-1360

著者名	論文標題
Y. Matsumuro	Low-temperature preparation of PMN-PT films with high-dielectric constant by laser ablation
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Korean Phys. Soc.		32	1998	S1625-1628

著者名	論文標題
Y. Oishi	Crystalline and electrical properties of SrBi₂Ta₂O₉ thin films prepared by laser ablation
雑誌名		巻	発行年	ページ
6th Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity		3175	1998	290-294

著者名	論文標題
H. Xu	Oriented Sr_0.48Ba_0.51La_0.001Nb₂O₆ thin films prepared on Pt/Ti/SiO₂/Si(100) substrate by pulsed laser deposition
雑誌名		巻	発行年	ページ
6th Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity			1998

著者名	論文標題
H. Xu	Hydrothermal transformation of gel PZT thin films into perovskite phase at low temperature of 160 ℃
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.			2001	submitted

著者名	論文標題
W. Xu	Mild hydrothermal synthesis of titanate films: from polycrystalline BaTiO₃ to epitaxial PbTiO₃
雑誌名		巻	発行年	ページ
Philosophical Magazine		B77	1998	177-185

著者名	論文標題
奥山雅則	SrBi₂Ta₂O₉膜とPZT膜の低温作製と機能性デバイス
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会		ED97-211	1998	47-54

著者名	論文標題
M. Okuyama	Dielectric property of ferroelectric-insulator-semiconductor junction
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		117/118	1997	406-412

著者名	論文標題
Y. Oishi	Preparation and basic properties of SrBi₂Ta₂O₉ films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	5896-5899

著者名	論文標題
山下馨	PZT薄膜の圧電性評価
雑誌名		巻	発行年	ページ
電気学会センサ材料・プロセス技術研究会資料		SMP-97-13	1997	15-20

著者名	論文標題
V. Tura	Simulation of switching properties of ferrodlectrics on the basis of dipole lattice model
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	2183-2191

著者名	論文標題
L. Zheng	Leakage behavior and distortion of the hysteresis loop in ferroelectric thin films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Science in China (Series E)		40	1997	126-134

著者名	論文標題
D. Ricinschi	Analysis of ferroelectric switching in finite media as a landau-type phase transition
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Condense Matter		10	1998	477-492

著者名	論文標題
T. Kanashima	Analysis of Si-H, Si-O-H and Si-O-O-H defects in SiO₂ thin films by molecular orbital method
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	1448-1452

著者名	論文標題
T. Kanashima	Characterization of F₂ treatment effects on Si(100) surface and Si(100)/SiO₂interface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	2460-2463

著者名	論文標題
H. Yamamoto	Surface treatment effects on microscopic Si surface structure and Si-SiO₂ interface state
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		113/114,	1997	664-669

著者名	論文標題
T. Imai	Surface characterization using infrared reflection absorption spectroscopy on Si(100) processed by wet cleaning and gas treatment
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl, Surf. Sci.		113/114	1997	398-402

著者名	論文標題
和田秀夫	プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin-situ評価
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会、信学技報		SDM97-169	1997	35-40

著者名	論文標題
W. Xu	Formation of BaTiO₃ and PbTiO₃ thin films under mild hydrothermal conditions
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Mater. Res.			1996

著者名	論文標題
W. Wu	Bismuth titanate thin films on Si with buffer layers prepared by laser ablation and their electrical properties
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		35	1996	1560-1563

著者名	論文標題
奥山雅則	酸化物強誘電体薄膜とデバイス応用
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		17	1996	648-653

著者名	論文標題
M. Okuyama	Electron emission from ferroelectric ceramic thin plate by pulsed electric field
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of the Korean Physical Society		29	1996	S607-S611

著者名	論文標題
Y. Kuratani	Field-Excited electron emission from (1-y)Pb (Mg_1/3Nb_2/3)O_3-yPbTiO₃ ceramic
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		35	1996	5185-5187

著者名	論文標題
T. Kanashima	Theoretical analysis of oxygen-excess defects in SiO₂ thin film by molecular orbital method
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		35	1996	1445-1449

著者名	論文標題
T. Imai	Surface characterization using infrared reflection absorption spectroscopy on Si(100) processed by wet cleaning and gas treatment
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		3981	1996

著者名	論文標題
H. Yamamoto	Surface treatment effects on microscopic Si surface structure and Si-SiO₂ interface state
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.			1996	4049-

著者名	論文標題
T. Imai	Characterization of surface potential and strain at ultrathin oxide/silicon interface by photoreflectance spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		35	1996	1073-1076

著者名	論文標題
C. -H. Lee	Crystallographic structures and parasitic resistances of self-aligned silicide TiSi₂/self-aligned nitrided barrier layer/selective chemical vapor deposited aluminum in fully self-aligned metallization metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	5835-5838

著者名	論文標題
H. Matsuhashi	Self-aligned 10-nm barrier layer formation technology for fully self-aligned metallization metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	3264-3267

著者名	論文標題
松橋秀樹	AL CVDにおけるアルミ有機金属ソースガスの比較
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会、信学技報		SDM97-91	1997	67-71

著者名	論文標題
横山道央	FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会、信学技報		SDM97-96	1997	27-31

著者名	論文標題
H. Matsuhashi	Mirror-like surface mor-phology of CVD-A1 on TiN by CIF₃ pretreatment
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995			1996	667-673

著者名	論文標題
Y. Shimamune	Atomic-layer adsorption of P on Si(100) and Ge(100) by PH₃ using an ultraclean low-pressure chemical vapor deposition
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		162-163	2000	390-394

著者名	論文標題
A. Ichikawa	Epitaxial growth of Si_1-x-yGe_xC_y film on Si(100) in a SiH₄-GeH₄-CH₃SiH₃ reaction
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	167-170

著者名	論文標題
S. Kobayashi	Segregation and diffusion of impurities from doped Si_1-xGex films into silicon
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	222-225

著者名	論文標題
T. Tsuchiya	Drain leakage current and instability of drain current in Si/Si_1-xGe_x MOSFETs
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	379-382

著者名	論文標題
T. Noda	Doping and electrical characteristics of in-situ heavily B-doped Si_1-x-yGe_xC_y films epitaxially grown using ultraclean LPCVD
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		380	2000	57-60

著者名	論文標題
室田淳一	CVD Si_1-XGe_Xエピタキシャル成長とドーピング制御
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本結晶成長学会誌		27	2000	171-178

著者名	論文標題
D. Lee	Phosphorus doping in Si_1-x-y Ge_xC_y Epitaxial Growth by low-pressure chemical vapor deposition using a SiH₄-GeH₄-CH₃SiH₃-PH₃-H₂ Gas system
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys., (in press)		40

著者名	論文標題
T. Matsuura	Atomic-order layer-by-layer role-share etching of silicon nitride using an electron cyclotron resonance plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		74	1999	3573-3575

著者名	論文標題
J. Murota	Process technology for sub-0.1 μ m silicon devices", in "Future Trends in Microelectronics
雑誌名		巻	発行年	ページ
"Future Trends in Microelectronics"(John Wiley & Sons, Inc. 1999)			1999	79-90

著者名	論文標題
A. Izena	Low-temperature reaction of CH₄ on Si(100) surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		188	1998	131-136

著者名	論文標題
Y. Yamamoto	Surface reaction of alternately supplied WF₆ and SiH₄ gases
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		408	1998	190-194

著者名	論文標題
T. Watanabe	Separation between surface adsorption and reaction of NH₃ on Si(100) by flash heating
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	515-517

著者名	論文標題
T. Sugiyama	Atomic-layer etching of Ge using an ultraclean ECR plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		112	1997	187-190

著者名	論文標題
S. Kobayashi	Initial growth characteristics of germanium on silicon in LPCVD using germane gas
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Crystal Growth		174,	1997	686-690

著者名	論文標題
T. Watanabe	Atomic-layer surface reaction of SiH₄ on Ge(100)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	4042-4045

著者名	論文標題
D. K. Nayak	High-mobility strained-Si PMOS FET's
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Trans. Electron Devices		43	1996	1709-1716

著者名	論文標題
S. Miyazaki	Influence of Nitrogen Incorporation in Ultrathin SiO₂ on the Structure and Electronic States of the SiO₂/Si(100) Interface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159-160	2000	75-82

著者名	論文標題
W. Mizubayashi	Soft breakdown mechanism in ultrathin gate oxides
雑誌名		巻	発行年	ページ
The Physics and Chemistry of SiO₂ and the Si-SiO₂ Interface		4,	2000	409-417

著者名	論文標題
S. Miyazaki	Influence of boron and fluorine incorporation on the network strucutre of ultathin SiO₂
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid State Phenomena		76-77	2001	149-152

著者名	論文標題
Khairurrijal,	Calculation of subband states in a metal-oxide-semiconductor inversion layer with a realistic potential profile
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	1352-1355

著者名	論文標題
S. Miyazaki	Photoelectron yield spectroscopy of electronic states at ultrathin SiO₂/Si interfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Microelectronic Engineering		48	1999	63-66

著者名	論文標題
S. Miyazaki	Electronic defect states at ultrathin SiO₂/Si interfaces from photoelectron yield spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Science in Semiconductor Processing		2	1999	185-190

著者名	論文標題
S. Miyazaki	Evaluation of gap states in hydrogen-terminated silicon surfaces and ultrathin SiO₂/Si interfaces by using photoelectron yield spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		500	1998	81-86

著者名	論文標題
M. Hirose	Tunneling transport and reliability evaluation in extremely thin gate oxides
雑誌名		巻	発行年	ページ
fundamental aspects of ultrathin dielectrics on Si-based devices (1998, Kluwer Academic Publishers, Netherlands)			1998	315-324

著者名	論文標題
M. Hirose	Characterization of ultrathin gate oxides for advanced MOSFETs
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of 1998 Intern. Conf. on Characterization and Metrology for ULSI Technology			1998	65-69

著者名	論文標題
M. Fukuda	Analysis of tunnel current through ultrathin gate oxides
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	L1534-L1536

著者名	論文標題
Khairurrijal	Analytical modeling of metal oxide semiconductor inversion-layer capacitance
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L30-L32

著者名	論文標題
K. Morino	Phosphorous incorporation in ultrathin gate oxides and its impact to the network structure
雑誌名		巻	発行年	ページ
Extended Abstracts of the 1997 International Conference on Solid State Devices and Materials			1997	18-19

著者名	論文標題
森野航一	リン再分布によるゲート酸化膜の構造緩和
雑誌名		巻	発行年	ページ
信学技報		SDM96-147	1996	33

著者名	論文標題
H. Iwai	Overview of the ULSI session and chapter
雑誌名		巻	発行年	ページ
International Journal of High Speed Electronics and Systems		10	2000	171-173

著者名	論文標題
T. Ohguro	Thermal stability of CoSi₂ film for CMOS salicide
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Transactions on Electron Devices		47	2000	2208-2213

著者名	論文標題
T. Ohguro	Power Si-MOSFET operating with high efficiency under low supply voltage
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Transactions on Electron Devices		47	2000	2385-2391

著者名	論文標題
J. -S. Goo	An accurate and ef ficient high frequency noise simulation technique for deep submicron MOSFETs
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Transactions on Electron Devices		47	2000	2410-2419

著者名	論文標題
H. S. Momose	Hot-carrier reliability of ultra-thin gate oxide CMOS
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid-State Electronics		44	2000	2035-2044

著者名	論文標題
岩井洋	21世紀の半導体デバイスとリソグラフィイ技術
雑誌名		巻	発行年	ページ
電気学会誌		120	2000	340-343

著者名	論文標題
岩井洋	マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会C論文誌		J83-C	2000	911-919

著者名	論文標題
大見俊一郎	High-kゲートの絶縁膜の動向
雑誌名		巻	発行年	ページ
Break Through		171	2000	7-11

著者名	論文標題
H. Nii	An 0.3-mm Si epitaxial base BiCMOS technology with 37-GHz fmax and 10-V BVceo for RF telecommunication
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Trans. Electron Devices		46	1999	712-721

著者名	論文標題
T. Ohguro	An 0.18- μ m CMOS for Mixed Digital and Analog Applications with Zero-Volt-Vth Epitaxial-Channel MOSFET's"
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Transactions on Electron Devices		46	1999	1378-1383

著者名	論文標題
H. Iwai	Outlook of MOS devices into next century
雑誌名		巻	発行年	ページ
Microelectronic Engineering		48	1999	7-14

著者名	論文標題
T. Yoshitomi	A high performance 0.15 μm buried channel pMOSFET with extremely shallow counter doped channel region using solid phase diffusion
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid State Technology		43	1999	1209-1214

著者名	論文標題
T. Yoshitomi	A study of self-aligned doped channel MOSFET structure for low power and low 1/f noise operation
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid State Electronics		43	1999	1219-1224

著者名	論文標題
T. Ohguro	Silicon Epitaxy and Its Application to RFIC's
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electrochemical Society Proceedings		99-18	1999	123-141

著者名	論文標題
Y. katsumata	CMOS/BiCMOS Technology
雑誌名		巻	発行年	ページ
The VLSI Handbook, Chap. 2			1999

著者名	論文標題
Y. Unno	Future trend in large-scale integrated circuit technologies from an industrial perspective
雑誌名		巻	発行年	ページ
Future Trends in Microelectronics, The Road Ahead (John Wiley & Sons, Inc. 1999)			1999	196-

著者名	論文標題
岩井洋	微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		69	2000	4-14

著者名	論文標題
H. Iwai	CMOS - Year 2010 and beyond; from technological side
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. of the IEEE 1998 Custom Integrated Circuits Conference			1998	141-148

著者名	論文標題
T. Ohguro	Ultra-shallow junction and salicide technology for advanced CMOS devices
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Symp. on ULSI Science and Technology			1997	275-295

著者名	論文標題
S. Mukaigawa	Measurement of copper drift in methylsilsesquiazane-methylsilsesquioxane dielectric films
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys		39	2000	2189-2193

著者名	論文標題
吉川公磨	多層配線技術とスケーリング
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会論文誌C, 電子情報通信学会		J83-C	2000	105-117

著者名	論文標題
尾田智彦	低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるCuイオンドリフト抑制効果
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会技術研究報告		100	2000	187-196

著者名	論文標題
吉川公磨	ULSIの微細化と多層配線技術への課題
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		68	1999	1215-1225

著者名	論文標題
T. Ohba	Current Status of 300mm/0.25-0.18um Technologies
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 5th Int. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technol			1998	21-24

著者名	論文標題
A. Tramoto	Time-dependent dielectric breakdown of SiO₂ films in a wide electric field range
雑誌名		巻	発行年	ページ
Microelectronics Reliability		41	2001	47-52

著者名	論文標題
K. Kobayashi	Origin of positive charge generated in thin SiO₂ films during high-field electrical stress
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Trans. Electron Devices		46	1999	947-953

著者名	論文標題
A. Nozoe	A 256-Mb multilevel flash memory with 2-MB/s program rate for mass storage applications
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE J. Solid-State Circuits		34	1999	1544-1550

著者名	論文標題
K. Kobayashi	Impact of thermal nitridation on electron and hole trap generation in silicon dioxides
雑誌名		巻	発行年	ページ
Int. Symp. on Advanced ULSI Tech. (ISAUT), Toyo Univ.			1998	31-34

著者名	論文標題
T. Ogata	Impact of nitridation engineering on microscopic SILC characteristics of sub-10-nm tunnel dielectrics
雑誌名		巻	発行年	ページ
Int. ELECTRON DEVICES meeting			1998	597-600

著者名	論文標題
K. Kobayashi	Electron traps and excess current induced by hot-hole injection into thin SiO₂ films
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Electrochem. Soc.		143	1996	3377-3383

著者名	論文標題
T. Nakano	Effects of Ar dilution on the optical emission spectra of fluorocarbon ultra-high frequency plasmas
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A17	1999	686-691

著者名	論文標題
S. Samukawa	Effects of rare gas dilution on dissociation and ionization in fluorocarbon gas plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A17	1999	500-505

著者名	論文標題
S. Samukawa	Degree of Cl₂ dissociation and etching characteristics in high-density plasmas
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A17	1999	774-779

著者名	論文標題
A. Yokozawa	Simulation for variations in the negative ion density in a pulse time-modulated Cl₂ plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	4437-4477

著者名	論文標題
S. Samukawa	New radical-control method for high performance SiO₂ etching with non-perfluorocarbon gas chemistries
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A17	1999	2551-2556

著者名	論文標題
S. Samukawa	New gas chemistries for high-performance and chargeless dielectric etchings
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Science in Semiconductor Processing		1.2	1999	203-208

著者名	論文標題
S. Samukawa	Differences of radical generation on chemical bonding of gas molecule in high-density fluorocarbon plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A17	1999	2463-2466

著者名	論文標題
B. Mebarki	Polycrystalline film formation at low temperature using ultra-high frequency plasma system
雑誌名		巻	発行年	ページ
Materials Letters		41	1999	16-19.

著者名	論文標題
M. V. Malyshev	Dynamics of pulsed-power chlorine plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		186	1999	4813-4820

著者名	論文標題
T. Nakano	The correlation between an electric field and the metastable chlorine ion density distributions in an UHF plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	2686-

著者名	論文標題
T. Nakano	Radial distributions of ion velocity, temperature, and density in UHF, ICP and ECR
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Sci. Technol.		A16	1998	2065-

著者名	論文標題
H. Ohtake	Enhancement of reactivity in Au etching by pulse-time-modulated Cl₂ plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	2311

著者名	論文標題
S. Samukawa	Effects of discharge frequency on plasma characteristics in high density Cl₂ plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Trans. Plasma Sci.		26	1998	1621-

著者名	論文標題
Y. Nakagawa	Multi-window type UHF plasma source for SiO₂ etching
雑誌名		巻	発行年	ページ
		3	1998	125-

著者名	論文標題
S. Samukawa	Pulse-time-modulated plasma and its application for advanced plasma processing
雑誌名		巻	発行年	ページ
T. IEE Japan		118-A	1998	916-

著者名	論文標題
M. V. Malyshev	Comparison of Cl and Cl₂ concentrations and electron temperatures measured by trace rare gases optical emission spectroscopy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		84	1998	1222-

著者名	論文標題
S. Samukawa	Effects of degree of dissociation on Al etching characteristics in high density Cl₂ plasma
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1999	L1036-

著者名	論文標題
S. Samukawa	New radical injection method for SiO₂ etching with non-perfluorocomponud gas chemistries
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys		37	1998	L1095-

著者名	論文標題
八木下淳史	ダマシンメタルゲートプロセス, S/D形成後にCMPでゲート形成, W or Al+Ta₂O₅で低抵抗, 低リークを実現
雑誌名		巻	発行年	ページ
月刊Semiconductor World			1999	67-

著者名	論文標題
須黒恭一	MOSトランジスタの製造方法が「ダマシン・トランジスタ」で一新
雑誌名		巻	発行年	ページ
日経マイクロデバイス			1999	46-

著者名	論文標題
須黒恭一	極微細低抵抗ゲート電極配線技術
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		68	1999	1258-

著者名	論文標題
S. Inumiya	Sub-1.3nm amorpho us tantalum pentoxide gate dielectrics for damascene metal gate transistors
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys			2000	2087-2093

著者名	論文標題
T. Sait	Plasma-damage-free gate process using chemical mechanical polishing for 0.1 μ m MOSFETs
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.			1999	2227-223

著者名	論文標題
齋藤友博	ダマシンメタルゲートトランジスタ技術(しきい値ばらつきの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション)
雑誌名		巻	発行年	ページ
電子情報通信学会技術研究報告(電子デバイス)			2000	99-

著者名	論文標題
A. Yagishita	High performance damascene metal gate MOSFETs for 0.1 μ m regime
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEEE Trans. Electron. Devices			2000	1028-1034

著者名	論文標題
K. Nakajima	Formation mechanism of ultrathin WSiN barrier layer in a W/WN_x/Si system
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		117/118	1997	312-316

著者名	論文標題
T. Kijima	Preparation of Bi₄ Ti₃ O₁₂ thin films on Si(100) substrate using Bi₂ SiO₅ buffer layer and its electrical characterization
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	5171-5173

著者名	論文標題
T. Kijima	New low-temperature processing of metalorganic chemical vapor deposition-Bi₄ Ti₃ O₁₂ thin films using BiO_x buffer layer
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	127-130

著者名	論文標題
T. Kijima	Low temperature preparation of fatigue free Bi₄ Ti₃ O₁₂ thin films by MOCVD and their electrical properties
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceeding of the Tenth IEEE, International Symposium on Applications of Ferroelectrics			1996

著者名	論文標題
K. Ohnishi	Improving gate oxide integrity (GOI) of a W/WNx/dual-poly Si stacked-gate by using wet-hydrogen oxidation in 0.14-μ m CMOS devices
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEDM98, Technical Digest			1998	397-400

著者名	論文標題
M. Saito	W/barrier/poly-Si wordline integration technology with improved wet-hydrogen selective oxidation for gigabit-scale DRAMs
雑誌名		巻	発行年	ページ
Advanced Metallization Conference in 1998			1998	7-8