平成12年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要



1.研究機関名 名古屋大学
 
2.委員会名 薄膜第131委員会
 
3.研究期間 平成8年度〜平成12年度
 
4.研究プロジェクト番号 96R13101
 
5.研究プロジェクト名 次世代ULSI用薄膜材料の開発とナノスケール プロセスインテグレーション

6.プロジェクト・リーダー
プロジェクト・リーダー名 フリガナ 所属部局名 職名
安田 幸夫 ヤスダ ユキオ 大学院工学研究科 教授

7.コア・メンバー

コア・メンバー名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
財満 鎭明 ザイマ シゲアキ 名古屋大学・先端技術共同研究センター 教授
田中 信夫 タナカ ノブオ 名古屋大学・大学院工学研究科 教授
堀 勝 ホリ マサル 名古屋大学・大学院工学研究科 助教授

8.研究協力者

研究協力者名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
奥山 雅則 オクヤマ マサノリ 大阪大学・大学院基礎工学研究科 教授
室田 淳一 ムロタ ジュンイチ 東北大学・電気通信研究科 教授
岩井 洋 イワイ ヒロシ 東京工業大学・大学院総合理工学研究科 教授

9.研究成果の概要

本研究は、次世代ULSIの薄膜材料、プロセス、ナノスケールデバイス構造を、統一的な集積化技術の構築(プロセスインテグレーション)を視野に総合的に検討し且つ提案することを目的としている。以下に各薄膜材料・プロセス技術について得られた成果を記す。
 1.超低抵抗コンタクト材料の形成技術を界面固相反応機構について検討し、接合界面におけるSiGe層の活用とCoSi2エピタキシャルシリサイドの有用性を提案した。
 2.ゲート電極の低抵抗化と、従来のpoly-Siゲートの空乏化の問題を解決する、メタルゲートおよびそのダマシンゲートプロセスの採用を提案した。
 3.極薄SiO2ゲート絶縁膜の絶縁性劣化メカニズムの解明と窒素による抑制法を確立し、次世代ゲート絶縁膜としての高誘電率薄膜の物性・形成プロセスについて検討した。
 4.SiGe(C)系薄膜の超高速電子デバイス応用にあたり、原子精度での積層・エッチング及びドーピング制御技術を確立した。また、歪緩和SiGe層の新規作製プロセスを提案した。
 5.SBT、STNを用いたMFIS構造メモリデバイスを提案し、材料や成膜条件の最適化による特性向上を図った。また、電気的特性の理論解析による確証を得た。
 6.DMAHを用いたAl-CVDの堆積特性の改善、装置の実用化を検討した。また、Cuイオンドリフト効果を評価し、130-nmノードにおけるdamascene Cu/low-kプロセスを実証した。
 7.SiO2及び有機低誘電率膜のエッチング反応機構の解明を基に、超微細加工技術のための環境調和型プラズマエッチングプロセスを開発した。
 8.成膜過程における半導体表面の水素のその場定量場観測技術、及び原子直視を満足する、薄膜界面・内部の原子レベル構造や組成分布の評価技術を確立した。
 9.超低誘電率(1.5以下)と非PFCエッチングという2つの課題をクリアするために、有機材料を対象とした材料設計を行った。

10.キーワード

(1)ナノスケールデバイス、(2)プロセスインテグレーション、(3)コンタクト材料
(4)ゲート絶縁膜、(5)高誘電率薄膜、(6)SiGe(C)系薄膜
(7)MFIS構造、(8)エッチング反応機構、(9)低誘電率

11.研究発表(印刷中も含む)

[雑誌論文]
著者名 論文標題
Y. Hayashi Application of a two-step growth to the formation of epitaxial CoSi2 films on Si(001) surfaces: Comparative study using reactive deposition epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 40 2001 269-275

著者名 論文標題
K. Ohmori Trap generation in ultrathin SiO2 films due to electron injection studied by scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 162-163 2000 395-400

著者名 論文標題
M. Wasekura A study on initial oxidation of Si(100)-2x 1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy (CAICISS)
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 159-160 2000 35-40

著者名 論文標題
O. Nakatsuka Dependence of contact resistivity on impurity concentration in Co/Si systems
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 159-160 2000 149-153

著者名 論文標題
H. Kageshima Selectivity for O adsorption position on dihydride Si(100) surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 159-160 2000 14-18

著者名 論文標題
H. Fujita Orientation dependence of ferroelectric properties of Pb(Zrx Ti1-x)O3 thin films on Pt/SiO2/Si substrates
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 159-160 2000 134-137

著者名 論文標題
S. Zaima Low resistivity contact materials for ULSI applictions and metal/silicon interfaces
雑誌名 発行年 ページ
Ext. Abst. 19th Electronic Symp. Izu-Nagaoka2   2000 3-6

著者名 論文標題
安田幸夫 シリコン表面の初期酸化と水素
雑誌名 発行年 ページ
真空 43 2000 440

著者名 論文標題
H. Fujita Control of crystal structure and ferroelectric properties of Pb(Zrx Ti1-x)O3 films formed by pulsed laser deposition
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 7035-7039

著者名 論文標題
K. Ohmori, The origin and the creation mechanism of positive charges in silicon oxide films
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Int. Symp. on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 interface   2000 345-352

著者名 論文標題
Y. Yasuda Interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts with rapid thermal annealing
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 373 2000 73-78

著者名 論文標題
D. Matsushita Scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy of initial nitridation process of Si(100)-2x1 surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 369 2000 293-296

著者名 論文標題
K. Sato, A study on the local bonding structures of oxidized Si(111) surfaces by HREELS
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 369 2000 277-280

著者名 論文標題
M. Okada Epitaxial growth of heavily B-doped SiGe films and interfacial reaciton of Ti/B-doped SiGe bilayer structure using rapid thermal processing
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 369 2000 130-133

著者名 論文標題
I. Suzumura Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 369 2000 116-120

著者名 論文標題
安田幸夫 収束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会信学技報 ED99-291 2000 7-11

著者名 論文標題
H. Iwano Effect of Ge atoms on interfacial reactions of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts
雑誌名 発行年 ページ
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998   1999 599-604

著者名 論文標題
O. Nakatsuka, Formation and electrical properties of Co/Si contacts by rapid thermal annealing
雑誌名 発行年 ページ
Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998   1999 605-611

著者名 論文標題
H. Ikeda Influences of impurities on oxidation processes of Si(100) substrates
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 2345-2348

著者名 論文標題
H. Ikeda Initial oxidation processes of H-terminated Si(100) surfaces analyzed using a random sequential adsorption model
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 3422-3425

著者名 論文標題
Y. Hayashi Solid-phase epitaxial growth of CoSi2 on clean and oxygen-adsorbed Si(001) surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 438 1999 116-122

著者名 論文標題
Y. Hayashi Effects of initial surface states on formation porcesses of epitaxial CoSi2(100) on Si(100)
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 343/344 1999 562-566

著者名 論文標題
財満鎭明 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割
雑誌名 発行年 ページ
表面科学 20 1999 703-710

著者名 論文標題
財満鎭明 シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
雑誌名 発行年 ページ
真空 42 1999 25-30

著者名 論文標題
H. Ikeda Influences of deuterium atoms on local bonding structures of SiO2 studied by HREELS
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 343/344 1999 408-411

著者名 論文標題
M. Okada Hydrogen Effect on Heteroepitaxial Growth of Ge Films on Si(111) Surfaces by Solid Phase Epitaxy"
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys., part 1 37 1998 6970-6973

著者名 論文標題
H. Iwano Effect of Ge atoms on interfacial reaction of Ti/ and Zr/Si1-xGex/Si contacts
雑誌名 発行年 ページ
Adv. Metallization Conference in 1998   1999 599-604

著者名 論文標題
O. Nakatsuka Contact resistivities and electrical characteristics of Co/Si contacts by rapid thermal annealing
雑誌名 発行年 ページ
Adv. Metallization Conference in 1998   1999 605-611

著者名 論文標題
財満鎭明 シリコン酸化膜の局所構造緩和過程の研究
雑誌名 発行年 ページ
真空 42 1999 25-30

著者名 論文標題
M. Okada Nucleation and growth of Ge on Si(111) by MBE with additional atomic hydrogen irradiation studied by scanning tunneling microscopy
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 188 1998 119-124

著者名 論文標題
A. Muto Effects of H-termination on Ge film growth on Si(111) surfacesby solid phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 130-132 1998 321-326

著者名 論文標題
Y. Nakagawa Local bonding structure of SiO2 Films on H-terminated Si(100)surfaces studied by using high-resolution electron energy lossspectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 130-132 1998 192-196

著者名 論文標題
Y. Yasuda Effects of atomic hydrogen on growth behavior of Si filmsby Si2H6-source molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 317 1998 48-51

著者名 論文標題
H. Iwano Hopping conduction and localized states in p-Si wiresformed by focused ion beam implantations
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B16 1998 2551-2554

著者名 論文標題
H. Iwano Surface roughness of strain-relaxed Si1-xGex layers grown bytwo-step growth method
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 317 1998 17-20

著者名 論文標題
H. Iwano Electrical properties and interfacial reactions at Co/Si(100) contacts
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1998 669-675

著者名 論文標題
Y. Hayashi A new growth method of epitaxial cobalt disilicide on Si(100)
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.   1998 663-668

著者名 論文標題
S. Zaima Study of reaction and electrical properties at Ti/SiGe/Si(100) contacts for ultralarge scale integrated applications
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B16 1998 2623-2628

著者名 論文標題
K. Sakata Quantum chemical study of the oxidation sites in hydrogen- and water- terminated Si dimers: Attempt to understand the Si-Si back-bond oxidation on the Si surface
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 37 1998 4962-4973

著者名 論文標題
H. Ikegami Thermal stability of ultra-thin CoSi2 films on Si(100)-2x 1 surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 257-279

著者名 論文標題
K. Ohmori, Initial oxidation of Si(100)-(2x1)H monohydride surfaces studied by scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 114-118

著者名 論文標題
H. Ikeda Initial oxidation of H-terminated Si(111) surfaces studied by HREELS
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 109-113

著者名 論文標題
Y. Yasuda Efects of H-termination on initial oxidation process
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 113/114 1997 579-584

著者名 論文標題
M. Okada The influence of additional atomic hydrogen on the monolayer growth of Ge on Si(100) studied by STM
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 113/114 1997 349-353

著者名 論文標題
M. Okada Hydrogen effects on Si1-xGex/Si heteroepitaxial growth by Si2H6- and GeH4-source molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 7665-7668

著者名 論文標題
H. Kondo Conductance oscillations in hopping conduction systems fabricated by focused ion beam implantation
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 4046-4048

著者名 論文標題
池田浩也 水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造
雑誌名 発行年 ページ
表面科学 17 1996 141-147

著者名 論文標題
H. Ikegami Study on CoSi2 formation on Si(100)-2x1 surfaces by scanning tunneling microscopy and scanning tunneling spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995   1996 511-516

著者名 論文標題
H. Ikeda Initial oxidation processes of H-terminated Si(100) surfaces studied by high-resolution electron energy loss spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 1069-1072

著者名 論文標題
H. Ikeda Initial oxidation of Si(311) surfaces studied by HREELS
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 100/101 1996 431-435

著者名 論文標題
H. Iwano Novel method of strain-relaxed Si1-xGex growth on Si(100) by MBE
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 100/101 1996 487-490

著者名 論文標題
H. Shinoda Electrical properties of metal/SiGe/Si(100) heterojunctions
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci.   1996 526-529

著者名 論文標題
H. Ikegami Oxide formation on Si(100)-2x1 surfaces studied by scanning tunneling microscopy/ scanning tunneling spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 1593-1597

著者名 論文標題
J. Kojima Formation of defects by silicidation reaction at Ti/Si interfaces
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995   1996 517-522

著者名 論文標題
池田浩也 水素終端シリコン表面の初期酸化過程
雑誌名 発行年 ページ
固体物理 31 1996 696-702

著者名 論文標題
H. Ikeda Influences of hydrogen on initial oxidation processes of H-terminated Si(100) surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 104/105 1996 354-358

著者名 論文標題
S. Zaima Studies on the suppression of Ge segregation during Si overgrowth on Ge(n ML)/Si(100) substrates by gas-source MBE
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 163 1996 105-112

著者名 論文標題
財満鎭明 水素終端シリコン(100)表面の初期酸化過程
雑誌名 発行年 ページ
応用物理 65 1996 1237-1242

著者名 論文標題
J. J. Hu Beam alignment and related problems of spherical aberration corrected high-resolution TEM images
雑誌名 発行年 ページ
J. Electron Microscopy 49 2000 651-656

著者名 論文標題
N. Tanaka Time-resolved HRTEM and HAADF-STEM of metal-mediated crystallization of amorphous germanium films
雑誌名 発行年 ページ
Material Science Eng. A 2001 in press

著者名 論文標題
N. Tanaka Formation of defects by silicidation reaction at Ti/Si interfaces
雑誌名 発行年 ページ
J. Physique, IV, France 10 2000 85-90

著者名 論文標題
N. Baba An auto-tuning method of focusing and astigmatism correction for the HAADF-STEM based on image-contrast transfer function
雑誌名 発行年 ページ
J. Electron Microscopy, (in print) 50 2000  

著者名 論文標題
M. Koguchi Three-dimensional STEM for observing Nano-structures
雑誌名 発行年 ページ
J. Electron Microscopy, (in print) 50 2000  

著者名 論文標題
田中信夫 透過電子顕微鏡の構造と見えるもの
雑誌名 発行年 ページ
セラミックス 35 2000 368-375

著者名 論文標題
田中信夫 STEMのレンズ伝達関数
雑誌名 発行年 ページ
電子顕微鏡 35 2000 印刷中

著者名 論文標題
N. Tanaka STM/STS studies of tungsten clusters on Si(111) surfaces using a newly developed deposition apparatus
雑誌名 発行年 ページ
Micron 30 1999 135-139

著者名 論文標題
N. Tanaka An on-line correction method of defocus and astigmatism in HAADF- STEM
雑誌名 発行年 ページ
Ultramicrosc. 78 1999 103-110

著者名 論文標題
N. Tanaka Time-resolved HREM of Metal-mediated crystallization of amorphous Ge films
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of Int. Conf. on Solid-Solid Phase Transformations'99      

著者名 論文標題
J. J. Hu A study of the validity of the image deconvolution method on the basis of channeling theory for thicker crystals
雑誌名 発行年 ページ
Ultramicrosc 80 1999 1-5

著者名 論文標題
田中信夫 ナノビーム電子線を用いた極微構造解析とイメージング(1)
雑誌名 発行年 ページ
ナノ電子回折電子顕微鏡 34 1999 135-140

著者名 論文標題
田中信夫 ナノビーム電子線を用いた極微構造解析とイメージング(2)
雑誌名 発行年 ページ
走査透過電子顕微鏡電子顕微鏡 34 1999 221-216

著者名 論文標題
J. J. Hu Direct atomic observation of Ge/Si(001) interfaces by image processing methods in high-resolution electron microscopy
雑誌名 発行年 ページ
J. Electron Microscopy 47 1998 581

著者名 論文標題
N. Tanaka Theoretical basis of image-deconvolution methods for structure images of thin crystals
雑誌名 発行年 ページ
J. Electron Micoroscopy 47 1998 217

著者名 論文標題
J. J. Hu An approximate multi-beam form of the ellipse in high-resolution transmission electron microscopy
雑誌名 発行年 ページ
Ultramicroscopy 74 1998 105

著者名 論文標題
K. Nakamura Position dependence of the visibility of a single gold atom in silicon crystals in HAADFSTEM image simulation
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Electron Microscopy 1 1997 33-43

著者名 論文標題
N. Tanaka HREM and measurement of magnetic properties of Fe- clusters embedded in MgO Films
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Sci. and Eng. A217/218 1996 311-318

著者名 論文標題
K. Fuijita Amorphous silicon and tungsten etching employing environmentally benign plasma process
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 40 2001 832-836

著者名 論文標題
H. Ohta Formation of silicon nitride gate dielectric films at 300℃ employing radical chemical vapor deposition
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B18 2000 2486-2490

著者名 論文標題
H. Ohta Effect ofions and radicals on formation of silicon nitride gate dielectric film using plasma chemical vapor deposition
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys., (in press) 89 2001  

著者名 論文標題
M. Nakamura Behaviors of gas species in low global warming potential gas plasmas for low dielectric constant film formation
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol., (submitted) B19 2001  

著者名 論文標題
K. Fujita Novel process for SiO2/Si selective etching using a novel gas source for preventing global warming
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B17 1999 957-960

著者名 論文標題
K. Fujita Silicon oxide selective etching process keeping harmony with environment by using radical injection technique
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A17 1999 3260-3264

著者名 論文標題
K. Fujita Environmentally harmonious etching process for cleaning amorphous silicon and tungsten in chemical vapor deposition chamber
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science in Semiconductor Processing 2 1999 219-223

著者名 論文標題
K. Teii Study on polymeric neutral species in high-density fluorocarbon plasmas
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A18 2000 1-9

著者名 論文標題
M. Inayoshi Surface reaction of CF2 radicals for fluorocarbon film formation in SiO2/Si selective etching process
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A16 1998 233-238

著者名 論文標題
A. A. Saranin Composition and surface structure of quantum chains on a In/Si(111) surface
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 L306-L308

著者名 論文標題
T. Fujino Ge thin film growth on Si(111) using hydrogen surfactant
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 369 2000 25-28

著者名 論文標題
T. Fujino Structural analysis of the 6H-SiC(0001)-√3x√3 reconstructed surface
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 6410-6412

著者名 論文標題
T. Fujino Ion scattering and recoiling spectroscopy for real time monitoring of surface processes in a Gas phase atomosphere
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Rev. Lett. 7 2000 657-659

著者名 論文標題
M. Katayama Coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy and time-of-flight elastic recoil detection analysis for in-situ monitoring of surface processes in Gas phase atmoshere
雑誌名 発行年 ページ
submitted to Jpn. J. Appl. Phys.      

著者名 論文標題
T. Fuse Total cross-section of electron stimulated desorption of hydrogen from hydrogen-terminated Ge/Si(001) as observed by time-of-flight elastic recoil detection analysis
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 2878-2880

著者名 論文標題
J. -T. Ryu Adsorption of atomic hydrogen on the Si(001)4x3-In surface studied by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy and scanning tunneling microscopy
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B17 1999 983-988

著者名 論文標題
T. Fuse In situ observation of Ge δ -layer in Si(001) using quasi medium energy ion scattering spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science in Semiconductor Processing 2 1999 159-164

著者名 論文標題
J. -T. Ryu The growth of indium thin films on clean and H-terminated Si(100) surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 433-435 1999 575-580

著者名 論文標題
T. Fuse Quasi-medium energy ion scattering spectroscopy observation of a Ge δ -doped layer fabricated by hydrogen mediated epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 2625-2628

著者名 論文標題
J. -T. Ryu The effect of hydrogen termination on in growth on Si(100) surface
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 401 1998 L425-L431

著者名 論文標題
T. Fuse Observation of behavior of Ge δ -doped layer in Si(001)
雑誌名 発行年 ページ
Nucl. Instrum. & Methods Phys. Res. B136-138 1998 1080-1085

著者名 論文標題
J. -T. Ryu CAICISS studies of atomic-hydrogen-induced structural changes of the Sb terminated Si surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Nucl. Instrum. & Methods Phys. Res. B136-138 1998 1102-1107

著者名 論文標題
J. -T. Ryu Atomic hydrogen interaction with the Si(100)4x3-In surface studied by scanning tunneling microscopy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 3774-3777

著者名 論文標題
M. Katayama Atomic-hydrogen-induced self-organization processes of the In/Si(111) surface phases studied by scanning tunneling microscopy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 130-132 1998 765-770

著者名 論文標題
T. Fuse Electron stimulated desorption of hydrogen from H/Si(001)-1x1 surface studied by TOF-ERDA
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 420 1999 81-86

著者名 論文標題
J. -T. Ryu Adsorption of atomic hydrogen on the Si(100)-(2xl)-Sb surface
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 4435-4439

著者名 論文標題
J. -T. Ryu Atomic-hydrogen-induced structural change of the Si(100)-(2xl)-Sb surface studied by TOF-ICISS
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 121/122 1997 223-227

著者名 論文標題
T. Fuse Quasi-medium energy ion scattering spectroscopy study of Ge δ-layer on Si(001)
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 121/122 1997 218-222

著者名 論文標題
A. Saranin Structural transformations of the Si(111)2x2-In surface induced by STM tip and thermal annealing
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 121/122 1997 183-186

著者名 論文標題
A. Saranin STM observation of the atomic hydrogen adsoprption on the Si(111)4x1-In surface
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 113/114 1997 354-359

著者名 論文標題
A. Saranin STM tip-induced diffusion of In atoms on the Si(111)√3x√3-In surface
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B56 1997 7449-7454

著者名 論文標題
A. Saranin Structural model for the Si(111)-4x1-In reconstruction
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B56 1997 1017-1020

著者名 論文標題
T. Fus Quasimedium energy ion scattering spectroscopy observation of surface segregation of Ge δ-doped layer during Si molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 393 1997 L93-L98

著者名 論文標題
A. Saranin Structural transformation at room temperature adsorption of In on Si(111)√3x√3-In surface: LEED-AES-STM study
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 388 1997 299-307

著者名 論文標題
K. Oura Atomic-hydrogen-induced Ag cluster formation on Si(111)-√3x√3-Ag surface
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Technol. B14 1996 988-991

著者名 論文標題
Y. Tanaka Thin-film growth mode analysis by low energy ion scattering
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 363 1996 161-165

著者名 論文標題
K. Kawamoto Observation of the diffusion of Ag atoms through an a-Si layer on Si(111)by low energy ion scattering
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 363 1996 156-160

著者名 論文標題
H. Sugiyama An improvement in C-V characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure for ferroelectric gate FET memory using a silicon nitride bufferlayer
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 2131

著者名 論文標題
M. Okuyama Low-temperature preparation of SrBi2Ta2O9 ferroelectric thin film by pulsed laser deposition and its application to metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 154-155 2000 411

著者名 論文標題
Z. Wei Low-temperature crystallization of metal organic decomposition BaTiO3 thin film by hydrothermal annealing
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39, 2000 4217

著者名 論文標題
T. Nakaiso Low-temperature preparation of Sr2(Ta1-x, Nbx)2O7 thin films by pulsed laser deposition and its electrical properties
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 5517

著者名 論文標題
M. Noda Low temperature preparation of Sr2(Ta1-x, Nbx)2O7 ferroelectric thin film by pulsed laser depositio
雑誌名 発行年 ページ
Ferroelectric Thin Films VIII 596 2000 185-

著者名 論文標題
T. Nakaiso Low-temperature preparation of ferroelectric Sr2(Ta1-x, Nbx)2O7 thin films by pulsed laser deposition and their application to metal-ferroelectric- insulator- semiconductor-FET
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys., (in press)      

著者名 論文標題
M. Takahashi Analysis and improvement of retention time of memorized state of metal-ferroelectric-insulator semiconductor structure for ferroelectric Gate FET memory
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys., (in press)      

著者名 論文標題
K. Hashimoto Detector pixel in dielectric bolometer mode based on ferroelectric thin film capacitors for uncooled infrared image sensor
雑誌名 発行年 ページ
Transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan 120-E 2000 15-19

著者名 論文標題
M. Noda A low temperature preparation of Sr0.7Bi2+xTa2O9 thin films on SiO2/Si by pulsed laser deposition for application of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure
雑誌名 発行年 ページ
Ferroelectric Letters. 26 1999 17-28

著者名 論文標題
M. Noda A fatigue-tolerant metal-ferroelectric-oxide-semiconductor structure with large memory window using Sr-deficient and Bi-excess Sr0.7Bi2+yTa2O9 ferroelectric films prepared on SiO0.7Bi2+xTa2O9 /Si at low temperature by pulsed laser deposition method
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 2275-2280

著者名 論文標題
M. Noda "A new type of dielectric bolometer mode of detector pixel using ferroelectric thin film capacitors for infrared image sensor
雑誌名 発行年 ページ
Sensors and Actuators A77 1999 39-44

著者名 論文標題
M. Noda "A new type of dielectric bolometer mode of infrared detector using ferroelectric thin film capacitors for uncooled focal plane arrays
雑誌名 発行年 ページ
SPIE Opto-Electronics Review, Special Issues on Infrared Focal Plane Arrays 7 1999 313-320

著者名 論文標題
M. Okuyama A low temperature preparation of ferroelectric SrxBi2+yTa2O9 thin film and its application to metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science in Semiconductor Processing 2 1999 239-245

著者名 論文標題
M. Noda A study on metal-ferroelectric-oxide-semiconductor structure with thin silicon oxide film using SrBi2Ta2O9 ferroelectric films prepared by pulsed laser deposition
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 5432-5436

著者名 論文標題
M. Okuyama Preparation of Sr0.7Bi2+xTa2O9 thin films on SiO2/Si at low temperature by pulsed laser deposition and fatigue-tolerant C-V characteristics with large memory window
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 541 1999 299-304

著者名 論文標題
Z. Song Variation of the microstructure and morphology with oxygen pressure in Ba0.51Sr0.48La0.01Nb2O6 thin films prepared by pulsed laser deposition
雑誌名 発行年 ページ
Materials Letters 40 1999 83-90

著者名 論文標題
D. Ricinschi Theoretical analysis of fatigue in PZT ceramics on the basis of landau theory
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Korean Physical Society 35 1999 S1313-S1317

著者名 論文標題
T. Kanashima Analyses of high frequency capacitance-voltage characteristics of metal-ferroelectrics-insulator-silicon structure
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 2044-2048

著者名 論文標題
M. Okuyama Stabilization of electron emission from PZT by MgO coatings
雑誌名 発行年 ページ
Journal of the Korean Physical Society 35 1999 S1525-S1528

著者名 論文標題
中磯俊幸 レーザーアブレーション法によるSr2(Ta1-XNbx)2O7薄膜の低温作製と電気的特性
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会 ED99-326 2000 1-6

著者名 論文標題
D. Ricinschi Analysis of ferroelectric switching in finite media as a landau-type phase transition
雑誌名 発行年 ページ
J. of Phys. : Condensed Matter 10 1998 477-492

著者名 論文標題
D. Ricinschi Grain size-dependent switching in barium titanate ferroelectric ceramics analyzed by means of their landau coefficient
雑誌名 発行年 ページ
6th Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity   1998  

著者名 論文標題
V. Tura Investigation of grain-size influence on the ferroelectric- to-paraelectric phase transition in BaTiO3 ceramics by means of AC calorimetry
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 1950-1954

著者名 論文標題
M. Okuyama Basic characteristics of SrBi2Ta2O9/SiO2/Si structure
雑誌名 発行年 ページ
J. Korean Phys. Soc. 32 1998 S1357-1360

著者名 論文標題
Y. Matsumuro Low-temperature preparation of PMN-PT films with high-dielectric constant by laser ablation
雑誌名 発行年 ページ
J. Korean Phys. Soc. 32 1998 S1625-1628

著者名 論文標題
Y. Oishi Crystalline and electrical properties of SrBi2Ta2O9 thin films prepared by laser ablation
雑誌名 発行年 ページ
6th Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity 3175 1998 290-294

著者名 論文標題
H. Xu Oriented Sr0.48Ba0.51La0.001Nb2O6 thin films prepared on Pt/Ti/SiO2/Si(100) substrate by pulsed laser deposition
雑誌名 発行年 ページ
6th Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity   1998  

著者名 論文標題
H. Xu Hydrothermal transformation of gel PZT thin films into perovskite phase at low temperature of 160 ℃
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys.   2001 submitted

著者名 論文標題
W. Xu Mild hydrothermal synthesis of titanate films: from polycrystalline BaTiO3 to epitaxial PbTiO3
雑誌名 発行年 ページ
Philosophical Magazine B77 1998 177-185

著者名 論文標題
奥山雅則 SrBi2Ta2O9膜とPZT膜の低温作製と機能性デバイス
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会 ED97-211 1998 47-54

著者名 論文標題
M. Okuyama Dielectric property of ferroelectric-insulator-semiconductor junction
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 406-412

著者名 論文標題
Y. Oishi Preparation and basic properties of SrBi2Ta2O9 films
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 5896-5899

著者名 論文標題
山下 馨 PZT薄膜の圧電性評価
雑誌名 発行年 ページ
電気学会センサ材料・プロセス技術研究会資料 SMP-97-13 1997 15-20

著者名 論文標題
V. Tura Simulation of switching properties of ferrodlectrics on the basis of dipole lattice model
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 2183-2191

著者名 論文標題
L. Zheng Leakage behavior and distortion of the hysteresis loop in ferroelectric thin films
雑誌名 発行年 ページ
Science in China (Series E) 40 1997 126-134

著者名 論文標題
D. Ricinschi Analysis of ferroelectric switching in finite media as a landau-type phase transition
雑誌名 発行年 ページ
J. Phys. Condense Matter 10 1998 477-492

著者名 論文標題
T. Kanashima Analysis of Si-H, Si-O-H and Si-O-O-H defects in SiO2 thin films by molecular orbital method
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 1448-1452

著者名 論文標題
T. Kanashima Characterization of F2 treatment effects on Si(100) surface and Si(100)/SiO2 interface
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 2460-2463

著者名 論文標題
H. Yamamoto Surface treatment effects on microscopic Si surface structure and Si-SiO2 interface state
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 113/114, 1997 664-669

著者名 論文標題
T. Imai Surface characterization using infrared reflection absorption spectroscopy on Si(100) processed by wet cleaning and gas treatment
雑誌名 発行年 ページ
Appl, Surf. Sci. 113/114 1997 398-402

著者名 論文標題
和田 秀夫 プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin-situ評価
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会、信学技報 SDM97-169 1997 35-40

著者名 論文標題
W. Xu Formation of BaTiO3 and PbTiO3 thin films under mild hydrothermal conditions
雑誌名 発行年 ページ
J. Mater. Res.   1996  

著者名 論文標題
W. Wu Bismuth titanate thin films on Si with buffer layers prepared by laser ablation and their electrical properties
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 1560-1563

著者名 論文標題
奥山雅則 酸化物強誘電体薄膜とデバイス応用
雑誌名 発行年 ページ
表面科学 17 1996 648-653

著者名 論文標題
M. Okuyama Electron emission from ferroelectric ceramic thin plate by pulsed electric field
雑誌名 発行年 ページ
Journal of the Korean Physical Society 29 1996 S607-S611

著者名 論文標題
Y. Kuratani Field-Excited electron emission from (1-y)Pb (Mg1/3Nb2/3)O3-yPbTiO3 ceramic
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 5185-5187

著者名 論文標題
T. Kanashima Theoretical analysis of oxygen-excess defects in SiO2 thin film by molecular orbital method
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 1445-1449

著者名 論文標題
T. Imai Surface characterization using infrared reflection absorption spectroscopy on Si(100) processed by wet cleaning and gas treatment
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 3981 1996  

著者名 論文標題
H. Yamamoto Surface treatment effects on microscopic Si surface structure and Si-SiO2 interface state
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci.   1996 4049-

著者名 論文標題
T. Imai Characterization of surface potential and strain at ultrathin oxide/silicon interface by photoreflectance spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 1073-1076

著者名 論文標題
C. -H. Lee Crystallographic structures and parasitic resistances of self-aligned silicide TiSi2/self-aligned nitrided barrier layer/selective chemical vapor deposited aluminum in fully self-aligned metallization metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 5835-5838

著者名 論文標題
H. Matsuhashi Self-aligned 10-nm barrier layer formation technology for fully self-aligned metallization metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 3264-3267

著者名 論文標題
松橋秀樹 AL CVDにおけるアルミ有機金属ソースガスの比較
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会、信学技報 SDM97-91 1997 67-71

著者名 論文標題
横山道央 FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会、信学技報 SDM97-96 1997 27-31

著者名 論文標題
H. Matsuhashi Mirror-like surface mor-phology of CVD-A1 on TiN by CIF3 pretreatment
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995   1996 667-673

著者名 論文標題
Y. Shimamune Atomic-layer adsorption of P on Si(100) and Ge(100) by PH3 using an ultraclean low-pressure chemical vapor deposition
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 162-163 2000 390-394

著者名 論文標題
A. Ichikawa Epitaxial growth of Si1-x-yGexCy film on Si(100) in a SiH4-GeH4-CH3SiH3 reaction
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 369 2000 167-170

著者名 論文標題
S. Kobayashi Segregation and diffusion of impurities from doped Si1-xGex films into silicon
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 369 2000 222-225

著者名 論文標題
T. Tsuchiya Drain leakage current and instability of drain current in Si/Si1-xGex MOSFETs
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 369 2000 379-382

著者名 論文標題
T. Noda Doping and electrical characteristics of in-situ heavily B-doped Si1-x-yGexCy films epitaxially grown using ultraclean LPCVD
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 380 2000 57-60

著者名 論文標題
室田淳一 CVD Si1-XGeXエピタキシャル成長とドーピング制御
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 27 2000 171-178

著者名 論文標題
D. Lee Phosphorus doping in Si1-x-y GexCy Epitaxial Growth by low-pressure chemical vapor deposition using a SiH4-GeH4-CH3SiH3-PH3-H2 Gas system
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys., (in press) 40    

著者名 論文標題
T. Matsuura Atomic-order layer-by-layer role-share etching of silicon nitride using an electron cyclotron resonance plasma
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 74 1999 3573-3575

著者名 論文標題
J. Murota Process technology for sub-0.1 μ m silicon devices", in "Future Trends in Microelectronics
雑誌名 発行年 ページ
"Future Trends in Microelectronics"(John Wiley & Sons, Inc. 1999)   1999 79-90

著者名 論文標題
A. Izena Low-temperature reaction of CH4 on Si(100) surface
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 188 1998 131-136

著者名 論文標題
Y. Yamamoto Surface reaction of alternately supplied WF6 and SiH4 gases
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 408 1998 190-194

著者名 論文標題
T. Watanabe Separation between surface adsorption and reaction of NH3 on Si(100) by flash heating
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 515-517

著者名 論文標題
T. Sugiyama Atomic-layer etching of Ge using an ultraclean ECR plasma
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 112 1997 187-190

著者名 論文標題
S. Kobayashi Initial growth characteristics of germanium on silicon in LPCVD using germane gas
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 174, 1997 686-690

著者名 論文標題
T. Watanabe Atomic-layer surface reaction of SiH4 on Ge(100)
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 4042-4045

著者名 論文標題
D. K. Nayak High-mobility strained-Si PMOS FET's
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Trans. Electron Devices 43 1996 1709-1716

著者名 論文標題
S. Miyazaki Influence of Nitrogen Incorporation in Ultrathin SiO2 on the Structure and Electronic States of the SiO2/Si(100) Interface
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 159-160 2000 75-82

著者名 論文標題
W. Mizubayashi Soft breakdown mechanism in ultrathin gate oxides
雑誌名 発行年 ページ
The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 4, 2000 409-417

著者名 論文標題
S. Miyazaki Influence of boron and fluorine incorporation on the network strucutre of ultathin SiO2
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Phenomena 76-77 2001 149-152

著者名 論文標題
Khairurrijal, Calculation of subband states in a metal-oxide-semiconductor inversion layer with a realistic potential profile
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 1352-1355

著者名 論文標題
S. Miyazaki Photoelectron yield spectroscopy of electronic states at ultrathin SiO2/Si interfaces
雑誌名 発行年 ページ
Microelectronic Engineering 48 1999 63-66

著者名 論文標題
S. Miyazaki Electronic defect states at ultrathin SiO2/Si interfaces from photoelectron yield spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science in Semiconductor Processing 2 1999 185-190

著者名 論文標題
S. Miyazaki Evaluation of gap states in hydrogen-terminated silicon surfaces and ultrathin SiO2/Si interfaces by using photoelectron yield spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 500 1998 81-86

著者名 論文標題
M. Hirose Tunneling transport and reliability evaluation in extremely thin gate oxides
雑誌名 発行年 ページ
fundamental aspects of ultrathin dielectrics on Si-based devices (1998, Kluwer Academic Publishers, Netherlands)   1998 315-324

著者名 論文標題
M. Hirose Characterization of ultrathin gate oxides for advanced MOSFETs
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of 1998 Intern. Conf. on Characterization and Metrology for ULSI Technology   1998 65-69

著者名 論文標題
M. Fukuda Analysis of tunnel current through ultrathin gate oxides
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 L1534-L1536

著者名 論文標題
Khairurrijal Analytical modeling of metal oxide semiconductor inversion-layer capacitance
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L30-L32

著者名 論文標題
K. Morino Phosphorous incorporation in ultrathin gate oxides and its impact to the network structure
雑誌名 発行年 ページ
Extended Abstracts of the 1997 International Conference on Solid State Devices and Materials   1997 18-19

著者名 論文標題
森野航一 リン再分布によるゲート酸化膜の構造緩和
雑誌名 発行年 ページ
信学技報 SDM96-147 1996 33

著者名 論文標題
H. Iwai Overview of the ULSI session and chapter
雑誌名 発行年 ページ
International Journal of High Speed Electronics and Systems 10 2000 171-173

著者名 論文標題
T. Ohguro Thermal stability of CoSi2 film for CMOS salicide
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Transactions on Electron Devices 47 2000 2208-2213

著者名 論文標題
T. Ohguro Power Si-MOSFET operating with high efficiency under low supply voltage
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Transactions on Electron Devices 47 2000 2385-2391

著者名 論文標題
J. -S. Goo An accurate and ef ficient high frequency noise simulation technique for deep submicron MOSFETs
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Transactions on Electron Devices 47 2000 2410-2419

著者名 論文標題
H. S. Momose Hot-carrier reliability of ultra-thin gate oxide CMOS
雑誌名 発行年 ページ
Solid-State Electronics 44 2000 2035-2044

著者名 論文標題
岩井洋 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィイ技術
雑誌名 発行年 ページ
電気学会誌 120 2000 340-343

著者名 論文標題
岩井洋 マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会C論文誌 J83-C 2000 911-919

著者名 論文標題
大見俊一郎 High-kゲートの絶縁膜の動向
雑誌名 発行年 ページ
Break Through 171 2000 7-11

著者名 論文標題
H. Nii An 0.3-mm Si epitaxial base BiCMOS technology with 37-GHz fmax and 10-V BVceo for RF telecommunication
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Trans. Electron Devices 46 1999 712-721

著者名 論文標題
T. Ohguro An 0.18- μ m CMOS for Mixed Digital and Analog Applications with Zero-Volt-Vth Epitaxial-Channel MOSFET's"
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Transactions on Electron Devices 46 1999 1378-1383

著者名 論文標題
H. Iwai Outlook of MOS devices into next century
雑誌名 発行年 ページ
Microelectronic Engineering 48 1999 7-14

著者名 論文標題
T. Yoshitomi A high performance 0.15 μm buried channel pMOSFET with extremely shallow counter doped channel region using solid phase diffusion
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Technology 43 1999 1209-1214

著者名 論文標題
T. Yoshitomi A study of self-aligned doped channel MOSFET structure for low power and low 1/f noise operation
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Electronics 43 1999 1219-1224

著者名 論文標題
T. Ohguro Silicon Epitaxy and Its Application to RFIC's
雑誌名 発行年 ページ
Electrochemical Society Proceedings 99-18 1999 123-141

著者名 論文標題
Y. katsumata CMOS/BiCMOS Technology
雑誌名 発行年 ページ
The VLSI Handbook, Chap. 2   1999  

著者名 論文標題
Y. Unno Future trend in large-scale integrated circuit technologies from an industrial perspective
雑誌名 発行年 ページ
Future Trends in Microelectronics, The Road Ahead (John Wiley & Sons, Inc. 1999)   1999 196-

著者名 論文標題
岩井洋 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
雑誌名 発行年 ページ
応用物理 69 2000 4-14

著者名 論文標題
H. Iwai CMOS - Year 2010 and beyond; from technological side
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the IEEE 1998 Custom Integrated Circuits Conference   1998 141-148

著者名 論文標題
T. Ohguro Ultra-shallow junction and salicide technology for advanced CMOS devices
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Symp. on ULSI Science and Technology   1997 275-295

著者名 論文標題
S. Mukaigawa Measurement of copper drift in methylsilsesquiazane-methylsilsesquioxane dielectric films
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 39 2000 2189-2193

著者名 論文標題
吉川公磨 多層配線技術とスケーリング
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会論文誌C, 電子情報通信学会 J83-C 2000 105-117

著者名 論文標題
尾田智彦 低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるCuイオンドリフト抑制効果
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会技術研究報告 100 2000 187-196

著者名 論文標題
吉川公磨 ULSIの微細化と多層配線技術への課題
雑誌名 発行年 ページ
応用物理 68 1999 1215-1225

著者名 論文標題
T. Ohba Current Status of 300mm/0.25-0.18um Technologies
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 5th Int. Conf. on Solid-State and Integrated Circuit Technol   1998 21-24

著者名 論文標題
A. Tramoto Time-dependent dielectric breakdown of SiO2 films in a wide electric field range
雑誌名 発行年 ページ
Microelectronics Reliability 41 2001 47-52

著者名 論文標題
K. Kobayashi Origin of positive charge generated in thin SiO2 films during high-field electrical stress
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Trans. Electron Devices 46 1999 947-953

著者名 論文標題
A. Nozoe A 256-Mb multilevel flash memory with 2-MB/s program rate for mass storage applications
雑誌名 発行年 ページ
IEEE J. Solid-State Circuits 34 1999 1544-1550

著者名 論文標題
K. Kobayashi Impact of thermal nitridation on electron and hole trap generation in silicon dioxides
雑誌名 発行年 ページ
Int. Symp. on Advanced ULSI Tech. (ISAUT), Toyo Univ.   1998 31-34

著者名 論文標題
T. Ogata Impact of nitridation engineering on microscopic SILC characteristics of sub-10-nm tunnel dielectrics
雑誌名 発行年 ページ
Int. ELECTRON DEVICES meeting   1998 597-600

著者名 論文標題
K. Kobayashi Electron traps and excess current induced by hot-hole injection into thin SiO2 films
雑誌名 発行年 ページ
J. Electrochem. Soc. 143 1996 3377-3383

著者名 論文標題
T. Nakano Effects of Ar dilution on the optical emission spectra of fluorocarbon ultra-high frequency plasmas
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A17 1999 686-691

著者名 論文標題
S. Samukawa Effects of rare gas dilution on dissociation and ionization in fluorocarbon gas plasma
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A17 1999 500-505

著者名 論文標題
S. Samukawa Degree of Cl2 dissociation and etching characteristics in high-density plasmas
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A17 1999 774-779

著者名 論文標題
A. Yokozawa Simulation for variations in the negative ion density in a pulse time-modulated Cl2 plasma
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 4437-4477

著者名 論文標題
S. Samukawa New radical-control method for high performance SiO2 etching with non-perfluorocarbon gas chemistries
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A17 1999 2551-2556

著者名 論文標題
S. Samukawa New gas chemistries for high-performance and chargeless dielectric etchings
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science in Semiconductor Processing 1.2 1999 203-208

著者名 論文標題
S. Samukawa Differences of radical generation on chemical bonding of gas molecule in high-density fluorocarbon plasma
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A17 1999 2463-2466

著者名 論文標題
B. Mebarki Polycrystalline film formation at low temperature using ultra-high frequency plasma system
雑誌名 発行年 ページ
Materials Letters 41 1999 16-19.

著者名 論文標題
M. V. Malyshev Dynamics of pulsed-power chlorine plasma
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 186 1999 4813-4820

著者名 論文標題
T. Nakano The correlation between an electric field and the metastable chlorine ion density distributions in an UHF plasma
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 2686-

著者名 論文標題
T. Nakano Radial distributions of ion velocity, temperature, and density in UHF, ICP and ECR
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A16 1998 2065-

著者名 論文標題
H. Ohtake Enhancement of reactivity in Au etching by pulse-time-modulated Cl2 plasma
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 2311

著者名 論文標題
S. Samukawa Effects of discharge frequency on plasma characteristics in high density Cl2 plasma
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Trans. Plasma Sci. 26 1998 1621-

著者名 論文標題
Y. Nakagawa Multi-window type UHF plasma source for SiO2 etching
雑誌名 発行年 ページ
  3 1998 125-

著者名 論文標題
S. Samukawa Pulse-time-modulated plasma and its application for advanced plasma processing
雑誌名 発行年 ページ
T. IEE Japan 118-A 1998 916-

著者名 論文標題
M. V. Malyshev Comparison of Cl and Cl2 concentrations and electron temperatures measured by trace rare gases optical emission spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 84 1998 1222-

著者名 論文標題
S. Samukawa Effects of degree of dissociation on Al etching characteristics in high density Cl2 plasma
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1999 L1036-

著者名 論文標題
S. Samukawa New radical injection method for SiO2 etching with non-perfluorocomponud gas chemistries
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 37 1998 L1095-

著者名 論文標題
八木下淳史 ダマシンメタルゲートプロセス, S/D形成後にCMPでゲート形成, W or Al+Ta2O5で低抵抗, 低リークを実現
雑誌名 発行年 ページ
月刊Semiconductor World   1999 67-

著者名 論文標題
須黒恭一 MOSトランジスタの製造方法が「ダマシン・トランジスタ」で一新
雑誌名 発行年 ページ
日経マイクロデバイス   1999 46-

著者名 論文標題
須黒恭一 極微細低抵抗ゲート電極配線技術
雑誌名 発行年 ページ
応用物理 68 1999 1258-

著者名 論文標題
S. Inumiya Sub-1.3nm amorpho us tantalum pentoxide gate dielectrics for damascene metal gate transistors
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys   2000 2087-2093

著者名 論文標題
T. Sait Plasma-damage-free gate process using chemical mechanical polishing for 0.1 μ m MOSFETs
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys.   1999 2227-223

著者名 論文標題
齋藤友博 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術(しきい値ばらつきの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション)
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会技術研究報告(電子デバイス)   2000 99-

著者名 論文標題
A. Yagishita High performance damascene metal gate MOSFETs for 0.1 μ m regime
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Trans. Electron. Devices   2000 1028-1034

著者名 論文標題
K. Nakajima Formation mechanism of ultrathin WSiN barrier layer in a W/WNx/Si system
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 312-316

著者名 論文標題
T. Kijima Preparation of Bi4 Ti3 O12 thin films on Si(100) substrate using Bi2 SiO5 buffer layer and its electrical characterization
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 5171-5173

著者名 論文標題
T. Kijima New low-temperature processing of metalorganic chemical vapor deposition-Bi4 Ti3 O12 thin films using BiOx buffer layer
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 127-130

著者名 論文標題
T. Kijima Low temperature preparation of fatigue free Bi4 Ti3 O12 thin films by MOCVD and their electrical properties
雑誌名 発行年 ページ
Proceeding of the Tenth IEEE, International Symposium on Applications of Ferroelectrics   1996  

著者名 論文標題
K. Ohnishi Improving gate oxide integrity (GOI) of a W/WNx/dual-poly Si stacked-gate by using wet-hydrogen oxidation in 0.14-μ m CMOS devices
雑誌名 発行年 ページ
IEDM98, Technical Digest   1998 397-400

著者名 論文標題
M. Saito W/barrier/poly-Si wordline integration technology with improved wet-hydrogen selective oxidation for gigabit-scale DRAMs
雑誌名 発行年 ページ
Advanced Metallization Conference in 1998   1998 7-8


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