平成12年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要



1.研究機関名 東京工業大学
 
2.研究領域 理工
 
3.研究分野 次世代人工物質・材料の探査的研究
 
4.研究期間 平成8年度〜平成12年度
 
5.研究プロジェクト番号 96P00101
 
6.研究プロジェクト名 超ヘテロ構造によるフォトニクス材料の探索

7.プロジェクト・リーダー
プロジェクト・リーダー名 フリガナ 所属部局名 職名
荒井 滋久 アライ シゲヒサ 量子効果エレクトロニクス研究センター 教授

8.コア・メンバー

コア・メンバー名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
浅田 雅洋 アサダ マサヒロ 東京工業大学・大学院総合理工学研究科 教授
山田 実 ヤマダ ミノル 金沢大学・工学部 教授
渡辺 正裕 ワタナベ マサヒロ 東京工業大学・大学院総合理工学研究科 助教授

9.研究協力者

研究協力者名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
筒井 一生 ツツイ カズオ 東京工業大学・大学院総合理工学研究科 助教授
宮本 智之 ミヤモト トモユキ 東京工業大学・マイクロシステム研究センター 助教授
宮本 恭幸 ミヤモト ヤスユキ 東京工業大学・工学部 助教授

10.研究成果の概要

本研究では、従来のヘテロ接合よりも大きなエネルギー不連続接合を可能とする金属/絶縁体および半導体をも包含する異種材料間の人工超へテロ構造、ならびにデバイス応用可能なナノ構造の形成技術を創成することにより、次世代フォトニクス材料の実現と学問的基礎を確立することを目的とした。
 大きなバンド不連続性を有する材料については、(1)Si基板上のCaF2-CdF2超格子構造、(2)GaAs基板上のGaInNAs系混晶、(3)InP基板上のInAlAs/GaInAs超格子構造の研究を、ナノ構造の高精度形成法として、(4)低損傷ドライエッチング法および(5)有機金属気相成長法による極微構造上への埋め込み再成長法の研究を行った。
 (1)のCaF2-CdF2超格子については、二重障壁トンネル接合ダイオード(RTD)の室温におけるピーク対バレー電流(P/V)比が106という世界最高値(従来の半導体超格子で実現可能な値の10000倍程度)を実現すると共に、原子層厚程度で再現性よく作製するための基本技術を開発した。
 (2)については、1.25-1.28μm波長帯GaInNAs/GaAs半導体レーザにおいて、世界最高水準の低しきい値電流密度動作を達成すると共に、1.18μm波長GaInNAs/GaAs面発光レーザの低電流室温連続動作に成功した。
 (3)では、ヘテロ障壁差0.5eVのInAlAs/GaInAs三重障壁共鳴トンネルダイオードを作製し、1.4THzの電磁波に対する光応答を観測すると共に、その基礎特性からテラヘルツ帯での線形利得係数を初めて見積もった。
 (4)および(5)においては、GaInAsP/InP材料を極めて低損傷で極微加工・埋め込み再成長する技術を開拓し、光ファイバ通信用波長帯の高性能単一波長レーザ(世界最小の低しきい値電流0.7mA)を実現した。さらに、実用デバイスに要求される温度85℃まで、従来の量子井戸レーザよりも低しきい値電流かつ高微分量子効率で動作する5層細線レーザを実現し、量子細線・量子箱等の極微構造光デバイス実現への有効性を実証した。
 (5)として、極微細金属(タングステン)パターン上に良質のGaInAs/InP結晶を成長する技術を開拓し、埋め込み金属コレクタ構造のヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)を実現した。

11.キーワード

(1)ヘテロ構造、(2)超格子構造、(3)弗化物超格子
(4)GaInNAs系混晶、(5)GaInAsP混晶、(6)ナノ構造
(7)半導体レーザ、(8)単一波長レーザ、(9)低損傷ドライエッチング

12.研究発表(印刷中も含む)

[雑誌論文]
著者名 論文標題
T. Arai, H. Tobita, Y. Miyamoto and K. Furuya GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 221 2000 212-219

著者名 論文標題
B. Y. Zhang, Y. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya and N. Kikegawa A versatile hot electron emitter of InGaAs/AlAs heterostructure with wide energy range at high current density
雑誌名 発行年 ページ
Physica E 7 2000 851-854

著者名 論文標題
T. Arai, H. Tobita, Y. Harada, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya Toward nano-metal buried structure in InP - 20 nm wire and InP buried growth of tungsten
雑誌名 発行年 ページ
Physica E 7 2000 896-901

著者名 論文標題
T. Arai, Y. Harada, S. Yamagami, Y. Miyamoto and K. Furuya First fabrication of GaInAs/InP buried metal heterojunction bipolar transistor and reduction of base-collector capacitance
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[6A] 2000 L503-L505

著者名 論文標題
M. Nagase, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya Peak width analysis of current-voltage characteristics of triple-barrier resonant tunneling diodes
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[6A] 2000 3314-3318

著者名 論文標題
Y. Miyamoto, A. Kokubo, H. Oguchi, M. Kurahashi and K. Furuya Fabrication and transport properties of 50-nm-wide Au/Cr/GaInAs electrode for electron wave interference device
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 159-160 2000 179-185

著者名 論文標題
T. Oobo, T. Oobo, R. Takemura, K. Sato, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya Effect of spacer layer thickness in energy level width narrowing in GaInAs/InP resonant tunneling diodes grown by OMVPE
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[2] 1998 445-449

著者名 論文標題
H. Hongo, Y. Miyamoto, J. Suzuki, M. Suhara, and K. Furuya Wrapped alignment mark for fabrication of interference/diffraction hot electron devices
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. .37[3B] 1998 1518-1521.

著者名 論文標題
Y. Miyamoto, A. Yamaguchi, K. Oshima, W. Saitoh and M. Asada Metal-insulator-semiconductor emitter with epitaxial CaF2 layer as insulator
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B 16[2] 1998 851-854

著者名 論文標題
Y. Miyamoto, J. Yoshinaga, H. Toda, T. Arai, H. Hongo, T. Hattori, A. Kokubo and K. Furuya Sub-micron GaInAs/InP hot electron transistors by EBL process and size dependence of current gain
雑誌名 発行年 ページ
Sol. Sta. Electron. 42[7-8] 1998 1467-1470

著者名 論文標題
Kokubo, T. Hattori, H. Hongo, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya 25 nm pitch GaInAs/InP buried structure by calixarene resist
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[7A] 1998 L827-L829

著者名 論文標題
Y. Miyamoto , A. Kokubo, T. Hattori, H. Hongo, M. Suhara, and K. Furuya 25 nm pitch GaInAs/InP buried structure : Improvement by calixarene as EB resist and TBP as P-source in OMVPE regrowth
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B 16[6] 1998 3894-3898

著者名 論文標題
H. Hongo, Y. Miyamoto, M. Suhara and K. Furuya A 40nm pitch double slit experiment of hot electrons in a semiconductor under a magnetic field
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 70[1] 1997 93-95

著者名 論文標題
J. M. M. Rios, L. M. Lurardi, S. Chandrasekhar and Y. Miyamoto A self-consistent method for complete small-signal parameter extraction of InP-based heterojunction bipolar transistors(HBT's)
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Trans. : Microwave Theory Tech. 45[1] 1997 39-45

著者名 論文標題
H. Hongo, Y. Miyamoto, M. Suhara and K. Furuya Hot electron interference by 40nm-pitch double slit buried in semiconductor
雑誌名 発行年 ページ
Microelectron. Engrg. 35 1997 337-340

著者名 論文標題
H. Hongo, H. Tanaka, Y. Miyamoto, T. Otake, J. Yoshinaga and K. Furuya Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs toward hot electron interference/diffraction devices
雑誌名 発行年 ページ
Microelectron. Engrg. 35 1997 241-244

著者名 論文標題
Takemura, M. Suhara, T. Oobo, Y. Miyamoto and K. Furuya High-temperature estimation of phase coherent length of hot electron using GaInAs/InP triple-barrier resonant tunneling diodes grown by OMVPE
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36[3B] 1997 1846-1848

著者名 論文標題
M. Suhara, C. Nagao, H. Honji, Y. Miyamoto, K. Furuya and R. Takemura Atomically flat OMVPE growth of GaInAs and InP observed by AFM for level narrowing in resonant tunneling diodes
雑誌名 発行年 ページ
J. Cryst. Growth 179[1-2] 1997 18-25

著者名 論文標題
Oobo, R. Takemura, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya High peak to valley current ratio GaInAs/GaInP resonant tunneling diodes
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36[8] 1997 5079-5080

著者名 論文標題
H. Hongo, Y. Miyamoto, M. Gault and K. Furuya Influence of a finite energy width in electron distribution to an experiment of hot electron double-slit interference-a design of the emitter structure
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 82[8] 1997 3846-3852

著者名 論文標題
H. Hongo, H. Tanaka, Y. Miyamoto, J. Yoshinaga and K. Furuya Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35[8A] 1996 L964-L967

著者名 論文標題
F. Vazquez, D. Kobayashi, I. Kobayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya, T. Maruyama, M. Watanabe and M. Asada Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 68[15] 1996 2196-2198

著者名 論文標題
R. Takemura, M. Suhara, Y. Miyamoto, K. Furuya and Y. Nakamura Current-voltage characteristics of triple-barrier resonant tunneling diodes including coherent and incoherent tunneling process
雑誌名 発行年 ページ
IEICE of Jpn. E-79C[11] 1996 1525-1529

著者名 論文標題
H. Hongo, T. Hattori, Y. Miyamoto, K. Furuya, K. Matsunuma, M. Watanabe and M. Asada Seventy nm pitch patterning on CaF2 by e-beam exposure An inorganic resist and a contamination resist
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35[12A] 1996 6342-6343

著者名 論文標題
M. M. Raj, J. Wiedmann, S. Toyoshima, Y. Saka, K. Ebihara and S. Arai High-reflectivity semiconductor/ benzocyclobutene Bragg reflector mirrors for GaInAsP/InP lasers"
雑誌名 発行年 ページ
to be published in Jpn. J. Appl. Phys. 40[4A] 2001  

著者名 論文標題
N. Nunoya, M. Nakamura, M. Morshed, S. Tamura and S. Arai High-performance 1.55 μm wavelength GaInAsP/InP distributed feedback lasers with wirelike active regions
雑誌名 発行年 ページ
to be published in IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 7[3] 2001  

著者名 論文標題
M. M. Raj, J. Wiedmann, Y. Saka, K. Ebihara and S. Arai Highly uniform 1.5 μm wavelength deeply etched semiconductor/bcnzocyclobutene distributed Bragg reflector lasers
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[12B] 2000 L1297-L1299

著者名 論文標題
N. Nunoya, H. Yasumoto, H. Midorikawa, S. Tamura and S. Arai Low threshold current density operation of GaInAsP/InP lasers with strain-compensated multi-layered wirelike active regions
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[10B] 2000 L1042-L1045

著者名 論文標題
M. M. Raj, N. Serizawa and S. Arai Theoretical analysis of GaInAsP/InP multiple micro-cavity laser
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[10A] 2000 5847-5854

著者名 論文標題
J. Wiedmann, M. M. Raj, Y. Saka, S. Tamura and S. Arai Singlemode operation of deeply etched coupled cavity laser with DBR facet
雑誌名 発行年 ページ
Electron. Lett. 36[14] 2000 1211-1212

著者名 論文標題
N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, M. Morshed, K. Fukuda, S. Tamura and S. Arai Sub-milliampere operation of 1.5 μm wavelength high index-coupled buried heterostructure distributed feedback lasers
雑誌名 発行年 ページ
Electron. Lett. 36[14] 2000 1213-1214

著者名 論文標題
M. Nakamura, N. Nunoya, H. Yasumoto, M. Morshed, K. Fukuda, S. Tamura and S. Arai Very low threshold current density operation of 1.5 μm DFB lasers with wire-like active regions
雑誌名 発行年 ページ
Electron. Lett. 36[7] 2000 639-640

著者名 論文標題
N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai GaInAsP/InP multiple-layered quantum-wire lasers
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[6A] 2000 3410-3415

著者名 論文標題
M. Madhan Raj, Y. Saka, J. Wiedmann, H. Yasumoto and S. Arai Continuous wave operation of 1.55 μm GaInAsP/InP laser with semiconductor/benzocyclobutene distributed Bragg reflector
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[11A] 1999 L1240-L1242

著者名 論文標題
N. Nunoya, M. Nakamura, M. Tamura and S. Arai Characterization of etching damage in C12/H2-reactive-ion-etching of GaInAsP/InP heterostructure
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[12A] 1999 6942-6946

著者名 論文標題
N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai Low threshold GaInAsP/InP distributed feedback lasers with periodic wire active regions
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[11B] 1999 L1323-L1326

著者名 論文標題
T. Kojima, S. Tanaka, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai Evaluation of optical gain properties of GaInAsP/InP compressively strained quantum-wire lasers
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[11A] 1999 6327-6334

著者名 論文標題
D. Lubbert, B. Jenichen, T. Baumbach, H. T. Grahn, G. Paris, A. Mazuelas, T. Kojima and S. Arai Elastic stress relaxation in GaInAsP quantum wire on InP
雑誌名 発行年 ページ
J. Phys. D:Appl. Phys. 32 1999 A21-A25

著者名 論文標題
M. Madhan Raj, S. Toyoshima, and S. Arai Multiple micro-cavity laser with benzocyclobutene/ semiconductor high reflective mirrors fabricated by CH4/H2-reactive ion etching
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[7B] 1999 L811-L814

著者名 論文標題
M. Madhan Raj, J. Wiedmann, Y. Saka, H. Yasumoto and S. Arai 1.5 μm wavelength DBR lasers consisting of 31/4-semiconductor and 31/4-groove buried with benzocyclobutene
雑誌名 発行年 ページ
Electron. Lett. 35[16] 1999 1335-1337

著者名 論文標題
T. Kojima, H. Nakaya, S. Tanaka, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai Temperature dependence of internal quantum efficiency of 20nm-wide GaInAsP/InP compressively strained quantum-wire lasers
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[1B] 1999 585-588

著者名 論文標題
M. Madhan Raj, K. Numata, S. Toyoshima, and S. Arai GaInAsP/InP multiple short cavity laser with 1/4-air gap/ semiconductor Bragg reflectors
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[12A] 1998 L1461-L1464

著者名 論文標題
T. Kojima, S. Arai and G. U. Bacher Anisotropic polarization properties of photoluminescence from GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by two-step organometallic vapor phase epitaxy growth
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[1A/B] 1998 L46-L49

著者名 論文標題
M. Tamura, T. Ando, N. Nunoya, S. Tamura, S. Arai and G. U. Bacher Estimation of sidewall recombination in GaInAsP/InP wire structures fabricated by low energy electron-cyclotron-resonance reactive-ion-beam-etching
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[6A] 1998 3576-3584

著者名 論文標題
B. Jenichen, H. T. Grahn, T. Kojima and S. Arai Lateral periodicity and elastic stress relaxation in GaInAsP quantum wires on InP investigated by X-ray diffractometry
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 83[11] 1998 5810-5813

著者名 論文標題
T. Kojima, M. Tamura, H. Nakaya, S. Tanaka, S. Tamura and S. Arai GaInAsP/InP compressively strained quantum-wire lasers fabricated by electron beam lithography and 2-step organometallic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[9A] 1998 4792-4800

著者名 論文標題
T. Kojima, X. Y. Jia, Y. Hayafune, S. Tamura, M. Watanabe and S. Arai Size fluctuation of 50nm periodic GaInAsP/InP wire structure by electron beam lithography and wet chemical etching
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[11A] 1998 5961-5962

著者名 論文標題
T. Kojima, S. Tanaka, H. Yasumoto, H. Nakaya, S. Tamura and S. Arai Gain spectrum measurement of GaInAsP/InP compressively-strained quantum-wire lasers
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[11B] 1998 L1386-L1389

著者名 論文標題
M. Tamura, T. Kojima, T. Ando, N. Nunoya, S. Tamura, S. Arai Sidewall recombination velocity in GaInAsP/InP quantum-well lasers with wire-like active region fabricated by wet-chemical etching and organo-metallic vapor-phase-epitaxial growth
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[12A] 1998 6569-6574

著者名 論文標題
M. Madhan Raj, S. Arai and M. Tamura Photon recycling effect in semiconductor lasers low using dimensional structures
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36[10A] 1997 6368-6375

著者名 論文標題
K. C. Shin, N. Serizawa, M. Madhan Raj, and S. Arai Drive current and design consideration of an ultra-low threshold current laser for optical parallel data communication
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Lightwave Technol. 15[5] 1997 845-851

著者名 論文標題
T. Takizawa, A. Uchino, and S. Arai Proposal of semiconductor directional-coupler-type all-optical switch with tapered-waveguide structure
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36[3A] 1997 1060-1067

著者名 論文標題
T. Takizawa, A. Uchino, and S. Arai Switching operation of GaInAs/InP multiple-quantum-well directional-coupler-type all-optical switch
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36[2A] 1997 L110-L113

著者名 論文標題
K. C. Shin, M. Tamura, N. Serizawa, S. Kurihashi, S. Tamura, and S. Arai Fabrication and low threshold current density operation of GaInAsP/InP multiple-reflector microcavity laser
雑誌名 発行年 ページ
Optical and Quantum Electron. 28 1996 487-493

著者名 論文標題
M. Tamura, K. C. Shin, N. Serizawa, and S. Arai Stripe direction dependence of mesa angle formed on (100) InP by selective etching using HCl solution
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35[4A] 1996 2383-2384

著者名 論文標題
T. Takizawa, M. Nakahara, E. Kikuno, and S. Arai Fabrication of 60nm pitch ordered InP pillars by EB-lithography and anodization
雑誌名 発行年 ページ
J. Electron. Materials 25[4] 1996 657-660

著者名 論文標題
T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, Y. Ikenaga, N. Nishiyama, A. Matsutani, F. Koyama and K. Iga Room temperature continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs VCSELs grown by chemical beam epitaxy with output power exceeding 1mW
雑誌名 発行年 ページ
Electron. Lett. 37 2001 225-226

著者名 論文標題
S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, N. Nishiyama, F. Koyama and K. Iga GaInNAs/GaAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 221 2000 561-565

著者名 論文標題
T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama and K. Iga Optical quality of GaNAs and GaInNAs and its dependence on RF cell condition in chemical beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 209 2000 350-354

著者名 論文標題
T. Miyamoto, T. Kageyama, S. Makino, D. Schlenker, F. Koyama and K. Iga CBE and MOCVD growth of GaInNAs
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 209 2000 339-344

著者名 論文標題
T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama and K. Iga High-temperature operation up to 170 C of GaInNAs-GaAs quantum-well lasers grown by chemical beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Photon. Technol. Lett. 12[1] 2000 10-12

著者名 論文標題
T. Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama and K. Iga Chemical beam epitaxy of GaInNAs/GaAs quantum wells and its optical absorption property
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 197 1999 67-72

著者名 論文標題
T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama and K. Iga Thermal annealing of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by chemical beam epitaxy and its effect upon photoluminescence
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[3B] 1999 L298-L300

著者名 論文標題
K. Takeuchi, T. Miyamoto, T. Kageyama, F. Koyama and K. Iga Chemical beam epitaxy growth and characterization of GaNAs/GaAs
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[3B] 1998 1603-1607

著者名 論文標題
T. Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama and K. Iga GaInNAs/GaAs quantum well growth by chemical beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[1] 1998 90-91

著者名 論文標題
T. Miyamoto, K. Takeuchi, F. Koyama and K. Iga Novel GaInNAs/GaAs quantum well structure for long wavelength semiconductor lasers
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Photon. Technol. Lett. 9[11] 1997 1448-1450

著者名 論文標題
T. Kobori and K. Tsutsui Molecular-beam epitaxy of conductive CdF2 films on Si substrates by simultaneous Cd exposure
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 78[10] 2001 1406-1408

著者名 論文標題
T. Gotoh, H. Kambayashi and K. Tsutsui Epitaxial growth of CaxCd1-xF2 mixed crystal films on Si substrates
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[5B] 2000 L476-L478

著者名 論文標題
K. Tsutsui, K. Kawasaki, M. Mochizuki and T. Matsubara Site controlled metal and semiconductor quantum dots on epitaxial fluoride films
雑誌名 発行年 ページ
Microelectronic Engineering 47 1999 135-137

著者名 論文標題
K. Kawasaki and K. Tsutsui Surface free energy modification of CaF2 by atomic-height island formation on heteroepitaxy of GaAs on CaF2
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 130-132 1998 464-468

著者名 論文標題
K. Kawasaki, M. Mochizuki, J. Takeshita and K. Tsutsui Multitunneling junction of metal droplets formed on CaF2 step edges in a self-assembling manner
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[3B] 1998 1508-1513

著者名 論文標題
Izumi, K. Tsutsui and N. S. Sokolov Heteroepitaxial growth of CdF2 layers on CaF2/Si(111)by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[1A] 1998 295-296

著者名 論文標題
K. Uejima, J. Takeshita, K. Kawasaki and K. Tsutsui Artificial control of dot sites for Ga droplet arrays on CaF2 films by surface steps and electron beam modifications
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36[6B] 1997 4088-4091

著者名 論文標題
Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida, K. Tsutsui and N. S. Sokolov CdF2/CaF2 resonant tunneling diode fabricated on Si(111)
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36[3B] 1997 1849-1852

著者名 論文標題
K. Tsutsui, K. Uejima and K. Kawasaki Fabrication of site-controlled metal dot array by electron beam surface modification
雑誌名 発行年 ページ
Microelectronic Engineering 35 1997 245-248

著者名 論文標題
Izumi, K. Kawabata, K. Tsutsui, N. S. Sokolov, S. V. Novikov and A. Yu. Khilko Growth of CdF/CaF2/Si(111) heterostructure with abrupt interfaces by using thin CaF2 buffer layer
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 104/105 1996 417-421

著者名 論文標題
K. Kawasaki, K. Uejima and K. Tsutsui Site control of Ga droplet array on CaF2 by surface modification using a focused electron beam
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35[12B] 1996 6689-6695

著者名 論文標題
M. Watanabe, Y. Iketani M. Asada Epitaxial growth and electrical characteristics of CaF2/Si/CaF2 resonant tunneling diode structures grown on Si(111) 1 -off substrate
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[10A] 2000 L964-L967

著者名 論文標題
M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji and N. Sakamaki CaF2/CdF2 double-barrier resonant tunneling diode with high room-temperature peak-to-valley ratio
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[7B] 2000 L716-L719

著者名 論文標題
M. Watanabe, Y. Maeda and S. Okano Epitaxial growth and ultraviolet photoluminescence of CaF2/ZnO/CaF2 heterostructures on Si(111)
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[6A] 2000 L500-L502

著者名 論文標題
T. Maruyama, N. Nakamura and M. Watanabe Improvement of the visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in CaF2 on Si(111) substrate prepared by rapid thermal annealling
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[4B] 2000 1996-2000

著者名 論文標題
T. Maruyama, N. Nakamura and M. Watanabe Visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in single-crystalline CaF2/Si(111) with rapid thermal anneal
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[8B] 1999 L904-L906

著者名 論文標題
M. Tsutsui, M. Watanabe and M. Asada Resonant tunneling diodes in Si/CaF2 heterostructures grown by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[8B] 1999 L920-L922

著者名 論文標題
M. Watanabe, T. Maruyama and S. Ikeda Light emission from Si nanocrystals embedded in CaF2 epilayers on Si(111): effect of rapid thermal annealing
雑誌名 発行年 ページ
J. Luminescence 80 1999 253-256

著者名 論文標題
M. Watanabe, Y. Aoki, W. Saitoh and M. Tsuganezawa Negative differential resistance of CdF2/CaF2 resonant tunneling diode on Si(111) grown by partially ionized beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[2A] 1999 L116-L118

著者名 論文標題
M. Watanabe, T. Matsunuma, T. Maruyama and Y. Maeda Electroluminescence of nanocrystal Si embedded in single-crystal CaF2/Si(111)
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[5B] 1998 L591-L593

著者名 論文標題
M. Watanabe, W. Saitoh, Y. Aoki and J. Nishiyama Epitaxial growth of nanometer-thick CaF2/CdF2 heterostructures using partially ionized beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Electron. 42[7-8] 1998 1627-1630

著者名 論文標題
W. Saitoh, K. Mori, H. Sugiura, T. Maruyama, M. Watanabe and M. Asada Reduction of electriacl resistance of nanometer-thick CoSi2 film on CaF2 by pseudomorphic growth of CaF2 on Si(111)
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36[7A] 1997 4470-4471

著者名 論文標題
F. Vazquez, D. Kobayashi, I. Kobayashi, Y. Miyamoto, K, Furuya, T. Maruyama, M. Watanebe and M. Asada Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 69[15] 1996 2196-2198

著者名 論文標題
W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Asada and M. Watanabe Proposal and analysis of very short channel field effect transistor using vertical tunneling with new heterostructures on silicon
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35[9A] 1996 L1104-L1106

著者名 論文標題
H. Hongo, T. Hattori, Y. Miyamoto, K. Furuya, T. Matsunuma, M. Watanabe and M. Asada Seventy nm pitch patternings on CaF2 by e-beam exposure: an inorganic rcsist and a contamination resist
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35[12A] 1996 6342-6343

著者名 論文標題
T. Suemasu, W. Saitoh, Y. Kohno, K. Mori, M. Watanabe and M. Asada Transfer efficiency of hot electrons in a metal(CoSi2)/ insulator(CaF2) quantum interference transistor
雑誌名 発行年 ページ
Surface science 361/362 1996 209-212

著者名 論文標題
M. Watanabe, F. Iizuka and M. Asada Visible light emission from nanocrystalline silicon embedded in CaF2 layers on Si(111)
雑誌名 発行年 ページ
IEICE Trans. E79-C[11] 1996 1562-1567

著者名 論文標題
M. Asada, Y. Oguma and N. Sashinaka Estimation of interwell terahertz gain by photon-assisted tunneling measurement in triple-barrier resonant tunneling diodes
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 77[5] 2000 618-620

著者名 論文標題
N. Sashinaka, Y. Oguma and M. Asada Observation of terahertz photon-assisted tunneling in triple-barrier resonant tunneling diodes integrated with patch antenna
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[8] 2000 4899-4903

著者名 論文標題
Itoh, M. Saitoh and M. Asada A 25-nm-long channel metal-gate p-type Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field effect transitor on separation-by-implanted-oxygen substrate
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39[8] 2000 4757-4758

著者名 論文標題
W. Saitoh, A. Itoh, S. Yamagami and M. Asada Analysis of short-channel Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistor on silicon-on-insulator substrate and demonstration of sub-50nm n-type devices with metal gate
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[11] 1999 6226-6231

著者名 論文標題
W. Saitoh, S. Yamagami, A. Itoh and M. Asada 35nm metal gate p-type metal oxide semiconductor field-effect transistor with PtSi Schottky source/drain on separation by implanted oxygen substrate
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[6A] 1999 L629-L631

著者名 論文標題
Y. Oguma, N. Sashinaka and M. Asada Terahertz response with dradual change from square-law detection to photon-assisted tunneling in tripple-barrier resonant tunneling diodes
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[7A] 1999 L717-L719

著者名 論文標題
N. Kikegawa, B. Zhang, Y. Ikeda, N. Sakai, K. Furuya, M. Asada, M. Watanabe and W. Saitoh Detection time shortening for observation of hot electron spatial distribution by scanning hot electron microscope
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38[4A] 1999 2108-2113

著者名 論文標題
M. Asada, K. Osada and W. Saitoh Theoretical analysis and fabrication of small area metal/insulator resonant tunneling diode integrated with patch antenna for terahertz photon assisted tunneling
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Electron. 42 1998 1543-1546

著者名 論文標題
M. Tsutsui, W. Saitoh, K. Yamazaki and M. Asada Proposal and analysis of coupled channel tunneling FET with new heterostructures on silicon
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Electron. 42 1998 1547-1551

著者名 論文標題
W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Tsutsui, A. Itoh and M. Asada Fabrication and characteristics of a field effect transistor using CdF2/CaF2 heterostructures on Si substrate
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[10A] 1998 L1138-L1140

著者名 論文標題
W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Tsutsui and M. Asada Analysis of structure dependence of very short channel field effect transistor using vertical tunneling with heterostructures on silicon
雑誌名 発行年 ページ
IEICE Trans. Electron. E81-C[12] 1998 1918-1925

著者名 論文標題
W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Tsutsui and M. Asada Analysis of the influence of carrier scattering in the channel of a metal/insulator tunneling field effect transistor
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37[11] 1998 5921-5925

著者名 論文標題
M. Asada Proposal and analysis of a three-terminal photon-assisted tunneling device operating in the terahertz frequency range
雑誌名 発行年 ページ
Trans. Electron. IEICE E79-C[11] 1996 1537-1542

著者名 論文標題
M. Asada A possible three-terminal amplifier device in the terahertz frequency range using photon-assisted tunneling
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35[6A] 1996 L685-L687

著者名 論文標題
Y. Kohno and M. Asada Theoretical base current in metal/insulator resonant tunneling transistors based on electron wave scattered by base port structure
雑誌名 発行年 ページ
Physica B 227 1996 216-219


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