| １．研究機関名 | 東京工業大学 | |
| ２．研究領域 | 理工 | |
| ３．研究分野 | 次世代人工物質・材料の探査的研究 | |
| ４．研究期間 | 平成8年度〜平成12年度 | |
| ５．研究プロジェクト番号 | 96P00101 | |
| ６．研究プロジェクト名 | 超ヘテロ構造によるフォトニクス材料の探索 |
| プロジェクト・リーダー名 | フリガナ | 所属部局名 | 職名 |
| 荒井 滋久 | アライ シゲヒサ | 量子効果エレクトロニクス研究センター | 教授 |
８．コア・メンバー
| コア・メンバー名 | フリガナ | 所属研究機関名・所属部局名 | 職名 |
| 浅田 雅洋 | アサダ マサヒロ | 東京工業大学・大学院総合理工学研究科 | 教授 |
| 山田 実 | ヤマダ ミノル | 金沢大学・工学部 | 教授 |
| 渡辺 正裕 | ワタナベ マサヒロ | 東京工業大学・大学院総合理工学研究科 | 助教授 |
９．研究協力者
| 研究協力者名 | フリガナ | 所属研究機関名・所属部局名 | 職名 |
| 筒井 一生 | ツツイ カズオ | 東京工業大学・大学院総合理工学研究科 | 助教授 |
| 宮本 智之 | ミヤモト トモユキ | 東京工業大学・マイクロシステム研究センター | 助教授 |
| 宮本 恭幸 | ミヤモト ヤスユキ | 東京工業大学・工学部 | 助教授 |
１０．研究成果の概要
|
本研究では、従来のヘテロ接合よりも大きなエネルギー不連続接合を可能とする金属／絶縁体および半導体をも包含する異種材料間の人工超へテロ構造、ならびにデバイス応用可能なナノ構造の形成技術を創成することにより、次世代フォトニクス材料の実現と学問的基礎を確立することを目的とした。 大きなバンド不連続性を有する材料については、(1)Si基板上のCaF2-CdF2超格子構造、(2)GaAs基板上のGaInNAs系混晶、(3)InP基板上のInAlAs/GaInAs超格子構造の研究を、ナノ構造の高精度形成法として、(4)低損傷ドライエッチング法および(5)有機金属気相成長法による極微構造上への埋め込み再成長法の研究を行った。 (1)のCaF2-CdF2超格子については、二重障壁トンネル接合ダイオード（RTD）の室温におけるピーク対バレー電流（P/V）比が106という世界最高値（従来の半導体超格子で実現可能な値の10000倍程度）を実現すると共に、原子層厚程度で再現性よく作製するための基本技術を開発した。 (2)については、1.25-1.28μm波長帯GaInNAs/GaAs半導体レーザにおいて、世界最高水準の低しきい値電流密度動作を達成すると共に、1.18μm波長GaInNAs/GaAs面発光レーザの低電流室温連続動作に成功した。 (3)では、ヘテロ障壁差0.5eVのInAlAs/GaInAs三重障壁共鳴トンネルダイオードを作製し、1.4THzの電磁波に対する光応答を観測すると共に、その基礎特性からテラヘルツ帯での線形利得係数を初めて見積もった。 (4)および(5)においては、GaInAsP/InP材料を極めて低損傷で極微加工・埋め込み再成長する技術を開拓し、光ファイバ通信用波長帯の高性能単一波長レーザ（世界最小の低しきい値電流0.7mA）を実現した。さらに、実用デバイスに要求される温度85℃まで、従来の量子井戸レーザよりも低しきい値電流かつ高微分量子効率で動作する5層細線レーザを実現し、量子細線・量子箱等の極微構造光デバイス実現への有効性を実証した。 (5)として、極微細金属（タングステン）パターン上に良質のGaInAs/InP結晶を成長する技術を開拓し、埋め込み金属コレクタ構造のヘテロバイポーラトランジスタ（HBT）を実現した。 |
１１．キーワード
(1)ヘテロ構造、(2)超格子構造、(3)弗化物超格子
(4)GaInNAs系混晶、(5)GaInAsP混晶、(6)ナノ構造
(7)半導体レーザ、(8)単一波長レーザ、(9)低損傷ドライエッチング
１２．研究発表（印刷中も含む）
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Arai, H. Tobita, Y. Miyamoto and K. Furuya | GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Crystal Growth | 221 | 2000 | 212-219 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| B. Y. Zhang, Y. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya and N. Kikegawa | A versatile hot electron emitter of InGaAs/AlAs heterostructure with wide energy range at high current density | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Physica E | 7 | 2000 | 851-854 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Arai, H. Tobita, Y. Harada, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya | Toward nano-metal buried structure in InP - 20 nm wire and InP buried growth of tungsten | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Physica E | 7 | 2000 | 896-901 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Arai, Y. Harada, S. Yamagami, Y. Miyamoto and K. Furuya | First fabrication of GaInAs/InP buried metal heterojunction bipolar transistor and reduction of base-collector capacitance | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[6A] | 2000 | L503-L505 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Nagase, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya | Peak width analysis of current-voltage characteristics of triple-barrier resonant tunneling diodes | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[6A] | 2000 | 3314-3318 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Y. Miyamoto, A. Kokubo, H. Oguchi, M. Kurahashi and K. Furuya | Fabrication and transport properties of 50-nm-wide Au/Cr/GaInAs electrode for electron wave interference device | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 159-160 | 2000 | 179-185 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Oobo, T. Oobo, R. Takemura, K. Sato, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya | Effect of spacer layer thickness in energy level width narrowing in GaInAs/InP resonant tunneling diodes grown by OMVPE | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[2] | 1998 | 445-449 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Hongo, Y. Miyamoto, J. Suzuki, M. Suhara, and K. Furuya | Wrapped alignment mark for fabrication of interference/diffraction hot electron devices | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | .37[3B] | 1998 | 1518-1521. | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Y. Miyamoto, A. Yamaguchi, K. Oshima, W. Saitoh and M. Asada | Metal-insulator-semiconductor emitter with epitaxial CaF2 layer as insulator | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Vac. Sci. Technol. B | 16[2] | 1998 | 851-854 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Y. Miyamoto, J. Yoshinaga, H. Toda, T. Arai, H. Hongo, T. Hattori, A. Kokubo and K. Furuya | Sub-micron GaInAs/InP hot electron transistors by EBL process and size dependence of current gain | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Sol. Sta. Electron. | 42[7-8] | 1998 | 1467-1470 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Kokubo, T. Hattori, H. Hongo, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya | 25 nm pitch GaInAs/InP buried structure by calixarene resist | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[7A] | 1998 | L827-L829 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Y. Miyamoto , A. Kokubo, T. Hattori, H. Hongo, M. Suhara, and K. Furuya | 25 nm pitch GaInAs/InP buried structure : Improvement by calixarene as EB resist and TBP as P-source in OMVPE regrowth | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Vac. Sci. Technol. B | 16[6] | 1998 | 3894-3898 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Hongo, Y. Miyamoto, M. Suhara and K. Furuya | A 40nm pitch double slit experiment of hot electrons in a semiconductor under a magnetic field | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Phys. Lett. | 70[1] | 1997 | 93-95 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| J. M. M. Rios, L. M. Lurardi, S. Chandrasekhar and Y. Miyamoto | A self-consistent method for complete small-signal parameter extraction of InP-based heterojunction bipolar transistors(HBT's) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| IEEE Trans. : Microwave Theory Tech. | 45[1] | 1997 | 39-45 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Hongo, Y. Miyamoto, M. Suhara and K. Furuya | Hot electron interference by 40nm-pitch double slit buried in semiconductor | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Microelectron. Engrg. | 35 | 1997 | 337-340 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Hongo, H. Tanaka, Y. Miyamoto, T. Otake, J. Yoshinaga and K. Furuya | Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs toward hot electron interference/diffraction devices | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Microelectron. Engrg. | 35 | 1997 | 241-244 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Takemura, M. Suhara, T. Oobo, Y. Miyamoto and K. Furuya | High-temperature estimation of phase coherent length of hot electron using GaInAs/InP triple-barrier resonant tunneling diodes grown by OMVPE | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36[3B] | 1997 | 1846-1848 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Suhara, C. Nagao, H. Honji, Y. Miyamoto, K. Furuya and R. Takemura | Atomically flat OMVPE growth of GaInAs and InP observed by AFM for level narrowing in resonant tunneling diodes | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Cryst. Growth | 179[1-2] | 1997 | 18-25 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Oobo, R. Takemura, M. Suhara, Y. Miyamoto and K. Furuya | High peak to valley current ratio GaInAs/GaInP resonant tunneling diodes | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36[8] | 1997 | 5079-5080 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Hongo, Y. Miyamoto, M. Gault and K. Furuya | Influence of a finite energy width in electron distribution to an experiment of hot electron double-slit interference-a design of the emitter structure | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Appl. Phys. | 82[8] | 1997 | 3846-3852 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Hongo, H. Tanaka, Y. Miyamoto, J. Yoshinaga and K. Furuya | Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 35[8A] | 1996 | L964-L967 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| F. Vazquez, D. Kobayashi, I. Kobayashi, Y. Miyamoto, K. Furuya, T. Maruyama, M. Watanabe and M. Asada | Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Phys. Lett. | 68[15] | 1996 | 2196-2198 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| R. Takemura, M. Suhara, Y. Miyamoto, K. Furuya and Y. Nakamura | Current-voltage characteristics of triple-barrier resonant tunneling diodes including coherent and incoherent tunneling process | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| IEICE of Jpn. | E-79C[11] | 1996 | 1525-1529 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Hongo, T. Hattori, Y. Miyamoto, K. Furuya, K. Matsunuma, M. Watanabe and M. Asada | Seventy nm pitch patterning on CaF2 by e-beam exposure An inorganic resist and a contamination resist | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 35[12A] | 1996 | 6342-6343 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. M. Raj, J. Wiedmann, S. Toyoshima, Y. Saka, K. Ebihara and S. Arai | High-reflectivity semiconductor/ benzocyclobutene Bragg reflector mirrors for GaInAsP/InP lasers" | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| to be published in Jpn. J. Appl. Phys. | 40[4A] | 2001 | ||
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Nunoya, M. Nakamura, M. Morshed, S. Tamura and S. Arai | High-performance 1.55 μm wavelength GaInAsP/InP distributed feedback lasers with wirelike active regions | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| to be published in IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. | 7[3] | 2001 | ||
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. M. Raj, J. Wiedmann, Y. Saka, K. Ebihara and S. Arai | Highly uniform 1.5 μm wavelength deeply etched semiconductor/bcnzocyclobutene distributed Bragg reflector lasers | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[12B] | 2000 | L1297-L1299 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Nunoya, H. Yasumoto, H. Midorikawa, S. Tamura and S. Arai | Low threshold current density operation of GaInAsP/InP lasers with strain-compensated multi-layered wirelike active regions | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[10B] | 2000 | L1042-L1045 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. M. Raj, N. Serizawa and S. Arai | Theoretical analysis of GaInAsP/InP multiple micro-cavity laser | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[10A] | 2000 | 5847-5854 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| J. Wiedmann, M. M. Raj, Y. Saka, S. Tamura and S. Arai | Singlemode operation of deeply etched coupled cavity laser with DBR facet | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Electron. Lett. | 36[14] | 2000 | 1211-1212 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, M. Morshed, K. Fukuda, S. Tamura and S. Arai | Sub-milliampere operation of 1.5 μm wavelength high index-coupled buried heterostructure distributed feedback lasers | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Electron. Lett. | 36[14] | 2000 | 1213-1214 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Nakamura, N. Nunoya, H. Yasumoto, M. Morshed, K. Fukuda, S. Tamura and S. Arai | Very low threshold current density operation of 1.5 μm DFB lasers with wire-like active regions | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Electron. Lett. | 36[7] | 2000 | 639-640 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai | GaInAsP/InP multiple-layered quantum-wire lasers | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[6A] | 2000 | 3410-3415 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Madhan Raj, Y. Saka, J. Wiedmann, H. Yasumoto and S. Arai | Continuous wave operation of 1.55 μm GaInAsP/InP laser with semiconductor/benzocyclobutene distributed Bragg reflector | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[11A] | 1999 | L1240-L1242 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Nunoya, M. Nakamura, M. Tamura and S. Arai | Characterization of etching damage in C12/H2-reactive-ion-etching of GaInAsP/InP heterostructure | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[12A] | 1999 | 6942-6946 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Nunoya, M. Nakamura, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai | Low threshold GaInAsP/InP distributed feedback lasers with periodic wire active regions | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[11B] | 1999 | L1323-L1326 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kojima, S. Tanaka, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai | Evaluation of optical gain properties of GaInAsP/InP compressively strained quantum-wire lasers | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[11A] | 1999 | 6327-6334 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| D. Lubbert, B. Jenichen, T. Baumbach, H. T. Grahn, G. Paris, A. Mazuelas, T. Kojima and S. Arai | Elastic stress relaxation in GaInAsP quantum wire on InP | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Phys. D:Appl. Phys. | 32 | 1999 | A21-A25 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Madhan Raj, S. Toyoshima, and S. Arai | Multiple micro-cavity laser with benzocyclobutene/ semiconductor high reflective mirrors fabricated by CH4/H2-reactive ion etching | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[7B] | 1999 | L811-L814 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Madhan Raj, J. Wiedmann, Y. Saka, H. Yasumoto and S. Arai | 1.5 μm wavelength DBR lasers consisting of 31/4-semiconductor and 31/4-groove buried with benzocyclobutene | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Electron. Lett. | 35[16] | 1999 | 1335-1337 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kojima, H. Nakaya, S. Tanaka, H. Yasumoto, S. Tamura and S. Arai | Temperature dependence of internal quantum efficiency of 20nm-wide GaInAsP/InP compressively strained quantum-wire lasers | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[1B] | 1999 | 585-588 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Madhan Raj, K. Numata, S. Toyoshima, and S. Arai | GaInAsP/InP multiple short cavity laser with 1/4-air gap/ semiconductor Bragg reflectors | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[12A] | 1998 | L1461-L1464 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kojima, S. Arai and G. U. Bacher | Anisotropic polarization properties of photoluminescence from GaInAsP/InP quantum-wire structures fabricated by two-step organometallic vapor phase epitaxy growth | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[1A/B] | 1998 | L46-L49 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Tamura, T. Ando, N. Nunoya, S. Tamura, S. Arai and G. U. Bacher | Estimation of sidewall recombination in GaInAsP/InP wire structures fabricated by low energy electron-cyclotron-resonance reactive-ion-beam-etching | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[6A] | 1998 | 3576-3584 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| B. Jenichen, H. T. Grahn, T. Kojima and S. Arai | Lateral periodicity and elastic stress relaxation in GaInAsP quantum wires on InP investigated by X-ray diffractometry | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Appl. Phys. | 83[11] | 1998 | 5810-5813 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kojima, M. Tamura, H. Nakaya, S. Tanaka, S. Tamura and S. Arai | GaInAsP/InP compressively strained quantum-wire lasers fabricated by electron beam lithography and 2-step organometallic vapor phase epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[9A] | 1998 | 4792-4800 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kojima, X. Y. Jia, Y. Hayafune, S. Tamura, M. Watanabe and S. Arai | Size fluctuation of 50nm periodic GaInAsP/InP wire structure by electron beam lithography and wet chemical etching | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[11A] | 1998 | 5961-5962 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kojima, S. Tanaka, H. Yasumoto, H. Nakaya, S. Tamura and S. Arai | Gain spectrum measurement of GaInAsP/InP compressively-strained quantum-wire lasers | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[11B] | 1998 | L1386-L1389 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Tamura, T. Kojima, T. Ando, N. Nunoya, S. Tamura, S. Arai | Sidewall recombination velocity in GaInAsP/InP quantum-well lasers with wire-like active region fabricated by wet-chemical etching and organo-metallic vapor-phase-epitaxial growth | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[12A] | 1998 | 6569-6574 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Madhan Raj, S. Arai and M. Tamura | Photon recycling effect in semiconductor lasers low using dimensional structures | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36[10A] | 1997 | 6368-6375 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. C. Shin, N. Serizawa, M. Madhan Raj, and S. Arai | Drive current and design consideration of an ultra-low threshold current laser for optical parallel data communication | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| IEEE Lightwave Technol. | 15[5] | 1997 | 845-851 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Takizawa, A. Uchino, and S. Arai | Proposal of semiconductor directional-coupler-type all-optical switch with tapered-waveguide structure | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36[3A] | 1997 | 1060-1067 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Takizawa, A. Uchino, and S. Arai | Switching operation of GaInAs/InP multiple-quantum-well directional-coupler-type all-optical switch | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36[2A] | 1997 | L110-L113 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. C. Shin, M. Tamura, N. Serizawa, S. Kurihashi, S. Tamura, and S. Arai | Fabrication and low threshold current density operation of GaInAsP/InP multiple-reflector microcavity laser | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Optical and Quantum Electron. | 28 | 1996 | 487-493 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Tamura, K. C. Shin, N. Serizawa, and S. Arai | Stripe direction dependence of mesa angle formed on (100) InP by selective etching using HCl solution | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 35[4A] | 1996 | 2383-2384 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Takizawa, M. Nakahara, E. Kikuno, and S. Arai | Fabrication of 60nm pitch ordered InP pillars by EB-lithography and anodization | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Electron. Materials | 25[4] | 1996 | 657-660 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, Y. Ikenaga, N. Nishiyama, A. Matsutani, F. Koyama and K. Iga | Room temperature continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs VCSELs grown by chemical beam epitaxy with output power exceeding 1mW | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Electron. Lett. | 37 | 2001 | 225-226 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| S. Makino, T. Miyamoto, T. Kageyama, N. Nishiyama, F. Koyama and K. Iga | GaInNAs/GaAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Crystal Growth | 221 | 2000 | 561-565 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama and K. Iga | Optical quality of GaNAs and GaInNAs and its dependence on RF cell condition in chemical beam epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Crystal Growth | 209 | 2000 | 350-354 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Miyamoto, T. Kageyama, S. Makino, D. Schlenker, F. Koyama and K. Iga | CBE and MOCVD growth of GaInNAs | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Crystal Growth | 209 | 2000 | 339-344 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama and K. Iga | High-temperature operation up to 170 C of GaInNAs-GaAs quantum-well lasers grown by chemical beam epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| IEEE Photon. Technol. Lett. | 12[1] | 2000 | 10-12 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama and K. Iga | Chemical beam epitaxy of GaInNAs/GaAs quantum wells and its optical absorption property | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Crystal Growth | 197 | 1999 | 67-72 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kageyama, T. Miyamoto, S. Makino, F. Koyama and K. Iga | Thermal annealing of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by chemical beam epitaxy and its effect upon photoluminescence | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[3B] | 1999 | L298-L300 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Takeuchi, T. Miyamoto, T. Kageyama, F. Koyama and K. Iga | Chemical beam epitaxy growth and characterization of GaNAs/GaAs | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[3B] | 1998 | 1603-1607 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Miyamoto, K. Takeuchi, T. Kageyama, F. Koyama and K. Iga | GaInNAs/GaAs quantum well growth by chemical beam epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[1] | 1998 | 90-91 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Miyamoto, K. Takeuchi, F. Koyama and K. Iga | Novel GaInNAs/GaAs quantum well structure for long wavelength semiconductor lasers | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| IEEE Photon. Technol. Lett. | 9[11] | 1997 | 1448-1450 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Kobori and K. Tsutsui | Molecular-beam epitaxy of conductive CdF2 films on Si substrates by simultaneous Cd exposure | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Phys. Lett. | 78[10] | 2001 | 1406-1408 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Gotoh, H. Kambayashi and K. Tsutsui | Epitaxial growth of CaxCd1-xF2 mixed crystal films on Si substrates | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[5B] | 2000 | L476-L478 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Tsutsui, K. Kawasaki, M. Mochizuki and T. Matsubara | Site controlled metal and semiconductor quantum dots on epitaxial fluoride films | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Microelectronic Engineering | 47 | 1999 | 135-137 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Kawasaki and K. Tsutsui | Surface free energy modification of CaF2 by atomic-height island formation on heteroepitaxy of GaAs on CaF2 | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 130-132 | 1998 | 464-468 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Kawasaki, M. Mochizuki, J. Takeshita and K. Tsutsui | Multitunneling junction of metal droplets formed on CaF2 step edges in a self-assembling manner | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[3B] | 1998 | 1508-1513 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Izumi, K. Tsutsui and N. S. Sokolov | Heteroepitaxial growth of CdF2 layers on CaF2/Si(111)by molecular beam epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[1A] | 1998 | 295-296 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Uejima, J. Takeshita, K. Kawasaki and K. Tsutsui | Artificial control of dot sites for Ga droplet arrays on CaF2 films by surface steps and electron beam modifications | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36[6B] | 1997 | 4088-4091 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida, K. Tsutsui and N. S. Sokolov | CdF2/CaF2 resonant tunneling diode fabricated on Si(111) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36[3B] | 1997 | 1849-1852 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Tsutsui, K. Uejima and K. Kawasaki | Fabrication of site-controlled metal dot array by electron beam surface modification | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Microelectronic Engineering | 35 | 1997 | 245-248 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Izumi, K. Kawabata, K. Tsutsui, N. S. Sokolov, S. V. Novikov and A. Yu. Khilko | Growth of CdF/CaF2/Si(111) heterostructure with abrupt interfaces by using thin CaF2 buffer layer | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 104/105 | 1996 | 417-421 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Kawasaki, K. Uejima and K. Tsutsui | Site control of Ga droplet array on CaF2 by surface modification using a focused electron beam | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 35[12B] | 1996 | 6689-6695 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Watanabe, Y. Iketani M. Asada | Epitaxial growth and electrical characteristics of CaF2/Si/CaF2 resonant tunneling diode structures grown on Si(111) 1 -off substrate | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[10A] | 2000 | L964-L967 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji and N. Sakamaki | CaF2/CdF2 double-barrier resonant tunneling diode with high room-temperature peak-to-valley ratio | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[7B] | 2000 | L716-L719 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Watanabe, Y. Maeda and S. Okano | Epitaxial growth and ultraviolet photoluminescence of CaF2/ZnO/CaF2 heterostructures on Si(111) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[6A] | 2000 | L500-L502 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Maruyama, N. Nakamura and M. Watanabe | Improvement of the visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in CaF2 on Si(111) substrate prepared by rapid thermal annealling | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[4B] | 2000 | 1996-2000 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Maruyama, N. Nakamura and M. Watanabe | Visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in single-crystalline CaF2/Si(111) with rapid thermal anneal | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[8B] | 1999 | L904-L906 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Tsutsui, M. Watanabe and M. Asada | Resonant tunneling diodes in Si/CaF2 heterostructures grown by molecular beam epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[8B] | 1999 | L920-L922 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Watanabe, T. Maruyama and S. Ikeda | Light emission from Si nanocrystals embedded in CaF2 epilayers on Si(111): effect of rapid thermal annealing | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Luminescence | 80 | 1999 | 253-256 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Watanabe, Y. Aoki, W. Saitoh and M. Tsuganezawa | Negative differential resistance of CdF2/CaF2 resonant tunneling diode on Si(111) grown by partially ionized beam epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[2A] | 1999 | L116-L118 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Watanabe, T. Matsunuma, T. Maruyama and Y. Maeda | Electroluminescence of nanocrystal Si embedded in single-crystal CaF2/Si(111) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[5B] | 1998 | L591-L593 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Watanabe, W. Saitoh, Y. Aoki and J. Nishiyama | Epitaxial growth of nanometer-thick CaF2/CdF2 heterostructures using partially ionized beam epitaxy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Solid State Electron. | 42[7-8] | 1998 | 1627-1630 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| W. Saitoh, K. Mori, H. Sugiura, T. Maruyama, M. Watanabe and M. Asada | Reduction of electriacl resistance of nanometer-thick CoSi2 film on CaF2 by pseudomorphic growth of CaF2 on Si(111) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36[7A] | 1997 | 4470-4471 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| F. Vazquez, D. Kobayashi, I. Kobayashi, Y. Miyamoto, K, Furuya, T. Maruyama, M. Watanebe and M. Asada | Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Phys. Lett. | 69[15] | 1996 | 2196-2198 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Asada and M. Watanabe | Proposal and analysis of very short channel field effect transistor using vertical tunneling with new heterostructures on silicon | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 35[9A] | 1996 | L1104-L1106 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Hongo, T. Hattori, Y. Miyamoto, K. Furuya, T. Matsunuma, M. Watanabe and M. Asada | Seventy nm pitch patternings on CaF2 by e-beam exposure: an inorganic rcsist and a contamination resist | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 35[12A] | 1996 | 6342-6343 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Suemasu, W. Saitoh, Y. Kohno, K. Mori, M. Watanabe and M. Asada | Transfer efficiency of hot electrons in a metal(CoSi2)/ insulator(CaF2) quantum interference transistor | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surface science | 361/362 | 1996 | 209-212 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Watanabe, F. Iizuka and M. Asada | Visible light emission from nanocrystalline silicon embedded in CaF2 layers on Si(111) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| IEICE Trans. | E79-C[11] | 1996 | 1562-1567 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Asada, Y. Oguma and N. Sashinaka | Estimation of interwell terahertz gain by photon-assisted tunneling measurement in triple-barrier resonant tunneling diodes | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Phys. Lett. | 77[5] | 2000 | 618-620 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Sashinaka, Y. Oguma and M. Asada | Observation of terahertz photon-assisted tunneling in triple-barrier resonant tunneling diodes integrated with patch antenna | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[8] | 2000 | 4899-4903 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Itoh, M. Saitoh and M. Asada | A 25-nm-long channel metal-gate p-type Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field effect transitor on separation-by-implanted-oxygen substrate | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39[8] | 2000 | 4757-4758 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| W. Saitoh, A. Itoh, S. Yamagami and M. Asada | Analysis of short-channel Schottky source/drain metal-oxide-semiconductor field-effect transistor on silicon-on-insulator substrate and demonstration of sub-50nm n-type devices with metal gate | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[11] | 1999 | 6226-6231 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| W. Saitoh, S. Yamagami, A. Itoh and M. Asada | 35nm metal gate p-type metal oxide semiconductor field-effect transistor with PtSi Schottky source/drain on separation by implanted oxygen substrate | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[6A] | 1999 | L629-L631 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Y. Oguma, N. Sashinaka and M. Asada | Terahertz response with dradual change from square-law detection to photon-assisted tunneling in tripple-barrier resonant tunneling diodes | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[7A] | 1999 | L717-L719 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Kikegawa, B. Zhang, Y. Ikeda, N. Sakai, K. Furuya, M. Asada, M. Watanabe and W. Saitoh | Detection time shortening for observation of hot electron spatial distribution by scanning hot electron microscope | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38[4A] | 1999 | 2108-2113 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Asada, K. Osada and W. Saitoh | Theoretical analysis and fabrication of small area metal/insulator resonant tunneling diode integrated with patch antenna for terahertz photon assisted tunneling | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Solid State Electron. | 42 | 1998 | 1543-1546 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Tsutsui, W. Saitoh, K. Yamazaki and M. Asada | Proposal and analysis of coupled channel tunneling FET with new heterostructures on silicon | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Solid State Electron. | 42 | 1998 | 1547-1551 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Tsutsui, A. Itoh and M. Asada | Fabrication and characteristics of a field effect transistor using CdF2/CaF2 heterostructures on Si substrate | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[10A] | 1998 | L1138-L1140 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Tsutsui and M. Asada | Analysis of structure dependence of very short channel field effect transistor using vertical tunneling with heterostructures on silicon | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| IEICE Trans. Electron. | E81-C[12] | 1998 | 1918-1925 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| W. Saitoh, K. Yamazaki, M. Tsutsui and M. Asada | Analysis of the influence of carrier scattering in the channel of a metal/insulator tunneling field effect transistor | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37[11] | 1998 | 5921-5925 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Asada | Proposal and analysis of a three-terminal photon-assisted tunneling device operating in the terahertz frequency range | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Trans. Electron. IEICE | E79-C[11] | 1996 | 1537-1542 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Asada | A possible three-terminal amplifier device in the terahertz frequency range using photon-assisted tunneling | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 35[6A] | 1996 | L685-L687 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Y. Kohno and M. Asada | Theoretical base current in metal/insulator resonant tunneling transistors based on electron wave scattered by base port structure | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Physica B | 227 | 1996 | 216-219 | |