平成12年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要



1.研究機関名 早稲田大学
 
2.研究領域 理工
 
3.研究分野 次世代プロセス技術
 
4.研究期間 平成8年度〜平成12年度
 
5.研究プロジェクト番号 96P00403
 
6.研究プロジェクト名 量子ドットのウエハスケール形成プロセス

7.プロジェクト・リーダー
プロジェクト・リーダー名 フリガナ 所属部局名 職名
大坂 敏明 オオサカ トシアキ 各務記念材料技術研究所 教授

8.コア・メンバー

コア・メンバー名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
大泊 巌 オオドマリ イワヲ 各務記念材料技術研究所 教授
逢坂 哲彌 オオサカ テツヤ 各務記念材料技術研究所 教授
大島 忠平 オオシマ チュウヘイ 各務記念材料技術研究所 教授

9.研究協力者

10.研究成果の概要

本プロジェクトは、次世代プロセス技術の柱の一つとして、ナノ構造材料を工業規模で生産する技術の確立を意図し、半導体シリコンウエハ全面に、実用時間内でナノメータスケールの構造体(以下、ナノ構造と略記する)を作成することを目的として、平成8年9月にスタートした。
 ナノ構造作製の手段としては、従来から、走査プローブ顕微鏡(SPM)を応用する手法が広く用いられている。しかし、この手法は、長大な操作時間のゆえに本質的に工業技術としての展望を欠く、という確信に基づき、私たちは、ナノ構造をウエハスケールで作製するプロセスの研究に着手した。
 平成13年3月まで、四年半にわたり研究を推進した結果、以下に述べる成果を得ることが出来た。上で述べた意図は、「イオンおよび電子線等の集束粒子ビール照射」によるナノスケール改質、および「電気化学的手法」によるウエハスケール一括処理、を新技術の柱とすることにより、ほぼ達成された。前者については、高精細電子ビーム描画装置を中核として、一辺8nm、周期20nmという世界最高密度のナノピラミッド配列が実現できた。また後者については、固体表面の性状制御を通じて、半導体デバイス特性のゆらぎ抑制や分子認識など、新機能の発現への道を拓いた。具体的な成果としてのナノ構造配列は、情報記録媒体としての活用にとどまらず、表面モフォロジー、表面電位、疎水性/親水性の制御、などを通じて、分子間相互作用の制御という革新的な機能実現への展望を開いたといえる。さらにまた、本研究において行ってきたナノ材料技術の構築を通じて、情報処理はもとより、生体の分子識別、デンドライト成長の抑制による二次電池の超高寿命化、人工触媒の表面制御、ナノトライボロジーなど、はるかに広範な学術/技術分野へも応用可能な新技術の萌芽作りに貢献ができたとわれわれは信じる。

11.キーワード

(1)ナノ構造、(2)ウェハースケールプロセス、(3)表面改質
(4)ビーム照射、(5)ナノエッチピット、(6)分子認識
(7)記録媒体、(8)分子内相互作用、(9)疎水性/親水性

12.研究発表(印刷中も含む)

[雑誌論文]
著者名 論文標題
K. Kumamoto, T. Hoshino, K. Kokubun, T. Ishimaru and I. Ohdomari Dynamic Growth Steps of n×n Dimer-adatom-stacking-fault Domains on the Quenced Si(111) Surface
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 53 1996 12907-12911

著者名 論文標題
T. Hoshino, M. Hata, S. Oikawa, M. Tsuda and I. Ohdomari Origin of Buckling-dimer-row Formation of Si(001) Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 54 1996 11331-11339

著者名 論文標題
M. Koh, K. Horita, B. Shigeta, K. Igarashi, T. Matsukawa, T. Tanii, S. Mori and I. Ohdomari Quantitative Analysis of Radiation Induced Si/SiO2 Interface Defects by Means of He Single Ion Irradiation
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 68 1996 1552-1554

著者名 論文標題
T. Tanii, T. Matsukawa, S. Mori, M. Koh, B. Shigeta, K. Igarashi and I. Ohdomari Nonscalability of Alpha-particle-induced Charge Collection Area
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 35 1996 L688-L690

著者名 論文標題
M. Koyama, Y. Akita, C. Cheong, M. Koh, T. Matsukawa, K. Horita, B. Shigeta and I. Ohdomari Quantitative Analysis of Degradation in Schottky Diode Characteristics Induced by Single Ion Implantation
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 104/105 1996 253-256

著者名 論文標題
M. Koh, K. Horita, B. Shigeta, T. Matsukawa, A. Kishida, T. Tanii, S. Mori and I. Ohdomari Radiation Immunity of pMOSFETs and nMOSFETs Examined by Means of MeV He Single Ion Microprobe
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 104/105 1996 364-368

著者名 論文標題
T. Hoshino, T. Ishimaru, K. Kumamoto, H. Kawada and I. Ohdomari Dynamic Features in Generation and Disappearance of Si(111)-7×7 Domains
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 107 1996 53-57

著者名 論文標題
T. Matsukawa, S. Suzuki, T. Fukai, T. Tanaka and I. Ohdomari STM Observation of "Craters" on Graphite Surface Induced by Single Ion Implantation
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 107 1996 227-232

著者名 論文標題
T. Matsukawa, S. Mori, T. Tanii, T. Arimura, M. Koh, K. Igarashi, T. Sugimoto and I. Ohdomari Evaluation of Soft-error Hardness of DRAMs under Quasi-heavy Ion Irradiation using He Single Ion Microprobe Technique
雑誌名 発行年 ページ
IEEE Trans. Nucl. Sci. 43 1996 2952-2959

著者名 論文標題
M. Koh, K. Igarashi, T. Sugimoto, T. Matsukawa, S. Mori, T. Arimura and I. Ohdomari Quantitative Estimation of Generation Rates of Si/SiO2 Interface Defects by MeV He Single Ion Irradiation
雑誌名 発行年 ページ
EEE Trans. Nucl. Sci. 43 1996 2952-2959

著者名 論文標題
M. Koyama, C. Cheong, K. Yokoyama and I. Ohdomari Estimation of Spatial Extent of a Defect Cluster in Si Induced by Single Ion Irradiation
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 L708-L710

著者名 論文標題
M. Koyama, C. Cheong, K. Yokoyama and I. Ohdomari Influence of Near-surface Defects in Si Induced by Reactive Ion Etching on the Electrical Properties of the Pt/n-Si Interface
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 6682-6686

著者名 論文標題
T. Watanabe, T. Hoshino and I. Ohdomari Monte Carlo Study on Formation of Periodic Structures on Si(111) Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 389 1997 375-381

著者名 論文標題
T. Hoshino, N. Kamijou, H. Fujiwara, T. Wantanbe and I. Ohdomari Theoretical Investigation on the Formation Process of the Stacking-fault Triangle in the Si(111)-7×7 Structure
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 394 1997 119-128

著者名 論文標題
T. Watanabe, T. Hoshino and I. Ohdomari Mechanism of H2 Desorption from H-terminated Si(001) Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 67-71

著者名 論文標題
M. Koh, K. Igarashi, T. Sugimoto, T. Matsukawa, S. Mori, T. Arimura and I. Ohdomari Quantitative Characterization of Si/SiO2 Interface Traps Induced by Energetic Ions by Means of Single Ion Microprobe and Single Ion Beam Induced Charge Imaging
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 171-175

著者名 論文標題
T. Matsukawa, Y. Fukai, S. Suzuki, K. Hara, M. Koh and I. Ohdomari Development of Single Ion Implantation - Controllability of Implanted Ion Number
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 677-683

著者名 論文標題
T. Shinada, H. Kimura, Y. Kumura and I. Ohdomari Damage and Contamination Free Fabrication of Thin Si Wires with Highly Controlled Feature Size
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 117/118 1997 684-689

著者名 論文標題
I. Ohdomari, T. Watanabe, K. Kumamoto and T. Hoshino Consideration of Atom Movement during Si Surface Reconstruction
雑誌名 発行年 ページ
Phase Transitions 62 1997 245-258

著者名 論文標題
T. Matsukawa, S. Mori, T. Tanii, T. Arimura, M. Koh, K. Igarashi, T. Sugimoto and I. Ohdomari Three-dimensinal Site Dependence of Single-ion-induced Charge Collection at a p-n Junction - Role of Funneling and Diffusion Processes under Different Ion Energy
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 83 1998 3413-3418

著者名 論文標題
T. Matsukawa, T. Shinada, T. Fukai and I. Ohdomari Key Technologies of Fib System for Single Ion Implantation
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B 16 1998 2479-2483

著者名 論文標題
T. Shinada, Y. Kumura, J. Okabe, T. Matsukawa and I. Ohdomari The Current Status of Single Ion Implantation
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. B 16 1998 2489-2493

著者名 論文標題
T. Watanabe, T. Handa, T. Hoshino and I. Ohdomari Effects of Fixed Particles on Periodic Adatom Arrangements on Si(111) Unreconstructed Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 130/132 1998 6-12

著者名 論文標題
T. Ishimaru, K. Shimada, T. Hoshino, H. Kawada and I. Ohdomari Stepwise Change in Gibbs Free Energy Curve Observed in Si(111) DAS Domain Growth
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 130/132 1998 18-22

著者名 論文標題
K. Shimada, T. Ishimaru, S. Katsube, H. Kawada and I. Ohdomari Reactivity of O2 with Si(111) Surfaces with Different Surface Structures
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 130/132 1998 170-175

著者名 論文標題
T. Ishimaru, T. Hoshino, H. Kawada, K. Shimada, T. Watanabe and I. Ohdomari Influence of Oxygen on the Formation of Si(111)-7×7 Domains Studied by Scanning Tunneling Microscopy
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 58 58 1998 9863-9866

著者名 論文標題
K. Hara and I. Ohdomari Morphology Control of Cu Clusters Formed on H-Si(111) Surface in Solution by Si Potential
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 L1333-L1335

著者名 論文標題
T. Ishimaru, K. Shimada, T. Hoshino, T. Yamawaki and I. Ohdomari Size Changes of n×n Stacking-fault Half Units of Dimer-adatom-stacking-fault Structures on Quenched Si(111) Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 60 1999 13592-13597

著者名 論文標題
T. Matsukawa, K. Yokoyama, S. Sawara and I. Ohdomari Lateral Migration of Point Defects in Si Induced by Localized Ion Implantation
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 74 1999 2663-2665

著者名 論文標題
M. Koh, K. Igarashi, T. Matsukawa, S. Sawara and I. Ohdomari Quantitative Characterization of Ion-induced SiO2/Si Interface Traps by Means of Mev He Single-ion Irradiation
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 85 1999 7814-7818

著者名 論文標題
T. Watanabe, H. Fujiwara, H. Noguchi, T. Hoshino and I. Ohdomari Novel Interatomic Potential Energy Function for Si, O Mixed Systems
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L366-L369

著者名 論文標題
K. Shimada, S. Katsube, T. Ishimaru, H. Kawada and I. Ohdomari Consideration on the Quantitativeness of Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity as a Tool to Monitor the Coverage of the Si(111) Surface by 7×7 Domains
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 877-880

著者名 論文標題
T. Hoshino, T. Ishimaru, H. Kawada and I. Ohdomari Dominant Role of Corner Holes in the Decomposition Process of Silicon Islands on Si(111) Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 1858-1862

著者名 論文標題
T. Shinada, A. Ishikawa, M. Fujita, K. Yamashita and I. Ohdomari Influence of Secondary Electron Detection Efficiency on Controllability of Dopant Ion Number in Single Ion Implantation
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 3419-3421

著者名 論文標題
K. Hara, T. Tanii and I. Ohdomari Nucleation and Growth of Cu Adsorbates on Hydrogen-terminated Si(111) Surface in Solution
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 6860-6863

著者名 論文標題
T. Ishimaru, K. Shimada, T. Hoshino and I. Ohdomari Rearragement of Dimers in a Dimer-adatom-stacking-fault Structure on an Si(111) Surface
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 433/435 1999 401-404

著者名 論文標題
K. Shimada, S. Katsube, T. Ishimaru, H. Kawada and I. Ohdomari Effect of Environmental O2 on Dynamical Process of the Si(111) "1×1"→7×7 Structural Phase Transition
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 433/435 1999 460-464

著者名 論文標題
K. Hara and I. Ohdomari Control of Metal Nano-structure Morphology by Means of Applied Si Potential
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 144-145 1999 476-479

著者名 論文標題
T. Watanabe And I. Ohdomari Modeling of SiO2/Si(100) Interface Structure by using Extended Stillinger-Weber Potential
雑誌名 発行年 ページ
Thin Solid Films 343/344 1999 370-373

著者名 論文標題
H. Kubota, T. Sumita, S. Takami, T. Shinada and I. Ohdomari Nano-fabrication of CDW and Its Negative Resistance Phenomenon
雑誌名 発行年 ページ
J. Phys. France 9 1999 175-177

著者名 論文標題
K. Hara, M. Koh, T. Matsukawa, T. Tanii and I. Ohdomari Single-ion Detection using Nuclear Track Detector Cr-39 Plastic
雑誌名 発行年 ページ
Rev. Sci. Instrum. 70 1999 4536-4538

著者名 論文標題
T. Sumita, T. Nagai, H. Kubota, T. Matsukawa and I. Ohdomari Nano-fabricated Cdw by Ion-beam Irradiation
雑誌名 発行年 ページ
Synthetic Metals 103 1999 2234-2237

著者名 論文標題
M. Koh, T. Shinada, S. Sawara, T. Goto, Y. Ando and I. Ohdomari Simple Fabrication of Nanopyramid Array (NPA) on Si Surface by Means Focused Ion Beam Patterning Wet Etching
雑誌名 発行年 ページ
Ext. Abst. SSDM - Tokyo   1999 184-185

著者名 論文標題
K. Shimada, T. Ishimaru, T. Watanabe, T. Yamawaki, M. Osuka, T. Hoshino and I. Ohdomari Kinetics of Dimer-adatom-stacking-fault Reconstruction on Laser Quenched Si(111) Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 61 2000 2546-2551

著者名 論文標題
T. Ishimaru, T. Hoshino, K. Shimada, T. Yamawaki and I. Ohdomari Formation and Annihilation of Various Stacking-fault Half Units in Dimer-adatom-stacking-fault Structures on Quenched Si(111) Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 62 2000 15577-15580

著者名 論文標題
T. Shinada, A. Ishikawa, C. Hinoshita, M. Koh and I. Ohdomari Reduction of Fluctuation in Semiconductor Conductivity by One-by-one Ion Implantation of Dopant Atoms
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 39 2000 L265-L268

著者名 論文標題
M. Koh, S. Sawara, T. Goto, Y. Ando, T. Shinada and I. Ohdomari New Process for Si Nanopyramid Array (NPA) Fabrication by Means of Ion Beam Irradiation and Wet Etching
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 2186-2188

著者名 論文標題
M. Koh, S. Sawara, T. Goto, Y. Ando, T. Shinada, I. Ohdomari High-density Nanoetchipit-array Fabrication on Si Surface using Ultrathin SiO2 Mask
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 5352-5355

著者名 論文標題
T. Watanabe and I. Ohdomari Modeling of SiO2/Si(001) Structure Including Step and Terrace Configurations
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 162/163 2000 116-121

著者名 論文標題
S. Sawara, M. Koh, T. Goto, Y. Ando, T. Shinada And I. Ohdomari Simple Fabrication of High Density Concave Nanopyramid Array (NPA) on Si Surface
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 159/160 2000 481-485

著者名 論文標題
T. Shinada, A. Ishikawa, C. Hinoshita, M. Koh and I. Ohdomari Flat-band Voltage Control of a Back-gate Mosfet by Single Ion Implantation
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 162/163 2000 499-503

著者名 論文標題
M. Koh, S. Sawara, T. Shinada, T. Goto, A. Ishikawa and I. Ohdomari Simple Nanostructuring of Si Surfaces by Means of Focused Beam Patterning and Wet Etching
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 162/163 2000 599-603

著者名 論文標題
T. Tanii, K. Hara, K. Ishibashi, K. Ohta and I. Ohdomari Nucleation and Growth of Cu Clusters on Highly Oriented Pyrolytic Graphite Observed with an In Situ Electrochemical Scanning Tunneling Microscope
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 162/163 2000 662-665

著者名 論文標題
松川貴,大泊巌 シングルイオン照射とその応用
雑誌名 発行年 ページ
放射線 23 1997 25-34

著者名 論文標題
原謙一,大泊巌 シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会信学技報 7 1997 35-40

著者名 論文標題
原謙一,大泊巌 シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー
雑誌名 発行年 ページ
電子情報通信学会論文誌 J81-C-2 1998 675-679

著者名 論文標題
大泊巌,嶋田一義,石丸哲也 Si(111)-n×n 構造についての新しい実験事実とその解釈
雑誌名 発行年 ページ
真空 42 1999 603-607

著者名 論文標題
Tetsuya Osaka, Nao Takano and Shinichi Komaba Fabrication of Nickel Dots Using Selective Electroless Deposition on Silicon Wafer
雑誌名 発行年 ページ
Chem. Lett. 7 1998 657-658

著者名 論文標題
Nao Takano, Naohiro Hosoda, Taro Yamada and Tetsuya Osaka Mechanism of the Chemical Deposition of Nickel on Silicon Wafer in Aqueous Solution
雑誌名 発行年 ページ
J. Electrochem. Soc. 146 1999 1407-1411

著者名 論文標題
Nao Takano, Naohiro Hosoda, Taro Yamada and Tetsuya Osaka Effect of Oxidized Silicon Surface on Chemical Deposition of Nickel on n-type Silicon Wafer
雑誌名 発行年 ページ
Electrochim. Acta 44 1999 3743-3749

著者名 論文標題
Nao Takano, Daisuke Niwa, Taro Yamada and Tetsuya Osaka Nickel Deposition Behavior on n-Type Silicon Wafer for Fabrication of Minute Nickel Dots
雑誌名 発行年 ページ
Electrochim. Acta 45 2000 3263-3268

著者名 論文標題
Taro Yamada, Nao Takano, Keiko Yamada, Shuhei Yoshitomi, Tomoyuki Inoue and Tetsuya Osaka Application of Organic Monolayers Formed on Si(111): Possibilities for Nanometer-scale Patterning
雑誌名 発行年 ページ
Electrochem. Commn. 3 2001 67-72

著者名 論文標題
Taro Yamada, Nao Takano, Keiko Yamada, Shuhei Yoshitomi, Tomoyuki Inoue and Tetsuya Osaka Evaluation of Organic Monolayers Forms on Si(111) and the Effects of Electron Bombardment Aiming for Nano-scale Engineering
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. in press 2001  

著者名 論文標題
Jun Nakamura, Tomohiko Kagawa and Toshiaki Osaka Nucleation of Au on KC1(001)
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 389 1997 109-115

著者名 論文標題
Jun Nakamura, Hiroshi Nakajima and Toshiaki Osaka Structural Stability and Electronic Origin of the GaAs(111)A-2×2 Surface
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 121/122 1997 249-252

著者名 論文標題
Masayasu Nishizawa, Toyoaki Eguchi, Seiichi Omoto and Toshiaki Osaka STM Study of the InSb(111)A-(2×6)Surface
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 121/122 1997 204-207

著者名 論文標題
Toyoaki Eguchi, Jun Nakamura and Toshiaki Osaka Structure and Electronic States of the α-Sn(111)-(2×2)Surface
雑誌名 発行年 ページ
J. Phys. Soc. Jpn. 67 1998 381-384

著者名 論文標題
Tetsuya Mishima and Toshiaki Osaka Profile Imaging of the InSb{111}A, B-(2×2)Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 395 1998 L256-L260

著者名 論文標題
Masayasu Nishizawa, Toyoaki Eguchi, Tetsuya Misima, Jun Nakamura and Toshiaki Osaka Structure of the InSb(111)A-(2√3×2√3)-R30° Surface and Dynamical Formation Processes
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 57 1998 6317-6320

著者名 論文標題
Testuya Mishima, Jun Nakamura, Kenji Tsukada, Masayasu Nishizawa, Toyoaki Eguchi and Toshiaki Osaka Direct Imaging of the Evolving Au/InSb(111)B Interface
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. and Technol. B 16 1998 2324-2327

著者名 論文標題
Jun Nakamura, Testuya Mishima, Moto-hisa Masui, Sung-Pyo Cho, Masayasu Nishizawa, Toyoaki Eguchi and Toshiaki Osaka Chemical Bonding Features for Faultily Stacked Interface of GaAs{111}
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. and Technol. B 16 1998 2426-2431

著者名 論文標題
湊龍一郎, 江口豊明, 古田俊一, 三浦義弘, 加藤 良造, 森田英之, 船木貴博, 佐藤宏, 大坂敏明 フォークト関数を用いた表面内殻準位シフトの評価
雑誌名 発行年 ページ
表面科学 21 2000 426-433

著者名 論文標題
N. Yamamoto, E. Rokuta, Y. Hasegawa, T. Nagao, M. Trenary and C. Oshima Oxygen Adsorption Sites on the PrB6(100)Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 348 1996 133-142

著者名 論文標題
K. Nagaoka, H. Ogawa, N. Arai, S. Uchiyama, T. Yamashita, C. Oshima and S. Otani Energy Ditribution of Filed Emission Electrons from a Nb<111>Tip
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 357/358 1996 218-221

著者名 論文標題
A. Nagashima, N. Tejima, Y. Gamou, T. Kawai and C. Oshima lectronic States of Monolayer Hexagonal Boron Nitride Formed on the Metal Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 357/358 1996 307-311

著者名 論文標題
H. Ogawa, N. Arai, K. Nagaoka, S. Uchiyama, T. Yamashita, H. Itou and C. Oshima Energy Spectra of Filed Emission Electrons from a W<310>Tip
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 357/358 1996 371-375

著者名 論文標題
N. Yamamoto, E. Rokuta, Y. Hasegawa, T. Nagao, M. Trenary and C. Oshima Oxygen Adsorption on the LaB6(100)and(111)Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 357/358 1996 708-711

著者名 論文標題
E. Rokuta, N. Yamamoto, Y. Hasegawa, T. Nagao, M. Trenary and C. Oshima Phonon Dispersion of the LaB6(111)Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 357/358 1996 712-716

著者名 論文標題
E. Rokuta, N. Yamamoto, Y. Hasegawa, T. Nagao, M. Trenary and C. Oshima Oxygen Chemisorbed LaB6(100), (110)and(111)Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
J. Vac. Sci. Technol. A 14 1996 674-1678

著者名 論文標題
M. Takizawa, A. Yoshimi, T. Katunuma, T. Yabe and C. Oshima Electron Stimulated Desorption Ions of Hydrogen and Deuterium Molecules in Extremely High Vacuum
雑誌名 発行年 ページ
Vacuum 47 1996 571-573

著者名 論文標題
A. Nagashima, N. Tejima, Y. Gamou, T. Kawai, M. Terai and C. Oshima Electronic Spectroscopic Study of Monolayer Hexagonal Boron Nitride Formed on Metal Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
International J. Modern Physics B 10 1996 3517-3537

著者名 論文標題
A. Nagashima, Y. Gamou, M. Terai and C. Oshima Electronic States of Heteroepitaxial Double-layer System
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 54 1996 13491-13494

著者名 論文標題
C. Oshima and A. Nagashima Ultra-thin Epitaxial Films of Graphite and Hexagonal Boron Nitride on Solid Surfaces
雑誌名 発行年 ページ
J. Phys. Condes. Matter 9 1997 1-20

著者名 論文標題
C. Oshima An Apparatus for High Resolution Field Emission Spectroscopy
雑誌名 発行年 ページ
Adv. Colloid Interface Sci. 71/72 1997 353-369

著者名 論文標題
K. Nagaoka, T. Yamashita, S. Uchiyama, M. Yamada, H. Fujii and C. Oshima Monocromatic Electron Emission from the Macroscopic Quantum State
雑誌名 発行年 ページ
Nature 396 1998 557-559

著者名 論文標題
K. Nagaoka, T. Yamashita, S. Uchiyama, M. Yamada, H. Fujii and C. Oshima Angular Resolved Emission Spectra from Nb
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 130/132 1998 512-517

著者名 論文標題
M. Terai, N. Hasegawa, M. Okuzawa, S. Otani and C. Oshima Electronic States of Monolayer Micrographite on TiC(410) Surface
雑誌名 発行年 ページ
App. Surf. Sci. 130/132 1998 876-882

著者名 論文標題
E. Rokuta, N. Yamamoto, Y. Hasegawa, M. Trenary, T. Nagao and C. Oshima Deformation of Boron Network at Lanthanum Boride (111) Surfuace
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 416 1998 363-379

著者名 論文標題
C. Oshima, H. Fujii, T. Yamashita, S. Uchi-yama, M. Yamada, K. Nagaoka and T. Sakurai Construction of a Low-temperature Gun and High-resolution Emission Spectra
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci. 146 1999 143-147

著者名 論文標題
E. Rokuta, Y. Hasegawa, A. Itoh, K. Yamashita, T. Tanaka, S. Otani and C. Oshima Vibrational Spectra of h-BN and Graphite Films on Facetted Ni(755)
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 427/428 1999 97-101

著者名 論文標題
C. Oshima Monochromatic Field Electron Emission from a Nb Superconductor
雑誌名 発行年 ページ
Ultramicroscopy 78 1999 27-32

著者名 論文標題
K. Nagaoka, T. Yamashita, M. Yamada, H. Fujii, R. Seo, K. Matsuda, S. Uchiyama and C. Oshima Field Emission Energy Spectra from Superconducting and Normal States of an Nb Tip
雑誌名 発行年 ページ
Ultramicroscopy 79 1999 51-57

著者名 論文標題
D. Farias, K. H. Rieder, A. M. Shikin, V. K. Adamchuk, T. Tanaka and C. Oshima Modification of the Surface Phonon Dispersion of a Graphite Monolayer Adsorbed on Ni(111) Caused by Intercalation of Yb, Cu and Ag
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Sci. 454/456 2000 437-441

著者名 論文標題
C. Oshima, T. Tanaka, A. Itoh, E. Rokuta and T. Sakurai A Hetero-Eepitaxial Multi-Atomic Layer System of Grarphene and h-BN
雑誌名 発行年 ページ
Surf. Rev. Lett. 5/6 2000 521-526

著者名 論文標題
C. Oshima, A. Itoh, E. Rokuta, T. Tanaka, K. Yamashita and T. Sakurai A Hetero-Epitaxial-Double-Atomic Layer System of Monolayer Graphite/Monolayer h-BN on Ni(111)
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Commun. 116 2000 37-40

著者名 論文標題
C. Oshima, A. Itoh, E. Rokta, N. Tanaka and K. Yamashita Hetero-Epitaxial Double Atomic Layer Graphene/Monolayer h-BN Studied by HREELS
雑誌名 発行年 ページ
Inst. Phys. Conf. Ser. 165 2000 313-314.

著者名 論文標題
K. Matsuda, H. Fuji, M. Komaki, Y. Murata, K. Nagaoka and C. Oshima Field Emission Spectra from a Superconducting Nb Tip
雑誌名 発行年 ページ
Inst. Phys Conf. Ser. 165 2000 481-483

著者名 論文標題
M. Tagawa, M. Okuzawa, T. Kawasaki, C. Oshima, S. Otani and A. Nagashima Atomic Structure of TiC(100) Surface Studied with Low-Energy Electron Diffrcation Intensity Analysis
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 63 2001 In press

著者名 論文標題
長岡克己, 大島忠平 超コヒーレント電子ビーム実現の試み
雑誌名 発行年 ページ
表面科学 17 1996 28-34

著者名 論文標題
蒲生康男, 長島礼人, 若林聖, 寺井真之, 大島忠平 Ni(111)表面上の単原子層グラファイトの構造解析
雑誌名 発行年 ページ
表面科学 17 1996 35

著者名 論文標題
大島忠平 なぜ炭素は電子放出特性が優れているか?
雑誌名 発行年 ページ
炭素 188 1999 155

著者名 論文標題
大島忠平 超伝導Nb金属からの電界電子放出
雑誌名 発行年 ページ
FSST NEWS 74 1999 16-20

著者名 論文標題
松田孝平, 山下哲胤, 大島忠平 超コヒーレント電子ビーム
雑誌名 発行年 ページ
電子顕微鏡 35 2000 272-275

著者名 論文標題
大野僚子, 細田真希, 奥沢昌彦, 田川美穂, 大島忠平, 大谷茂樹 Pt(755)とTiC(755)上に成長させた単原子層グラファイトの電子状態
雑誌名 発行年 ページ
炭素 195 2000 400-404


戻る