| １．研究機関名 | 早稲田大学 | |
| ２．研究領域 | 理工 | |
| ３．研究分野 | 次世代プロセス技術 | |
| ４．研究期間 | 平成8年度〜平成12年度 | |
| ５．研究プロジェクト番号 | 96P00403 | |
| ６．研究プロジェクト名 | 量子ドットのウエハスケール形成プロセス |
| プロジェクト・リーダー名 | フリガナ | 所属部局名 | 職名 |
| 大坂 敏明 | オオサカ トシアキ | 各務記念材料技術研究所 | 教授 |
８．コア・メンバー
| コア・メンバー名 | フリガナ | 所属研究機関名・所属部局名 | 職名 |
| 大泊 巌 | オオドマリ イワヲ | 各務記念材料技術研究所 | 教授 |
| 逢坂 哲彌 | オオサカ テツヤ | 各務記念材料技術研究所 | 教授 |
| 大島 忠平 | オオシマ チュウヘイ | 各務記念材料技術研究所 | 教授 |
９．研究協力者
１０．研究成果の概要
|
本プロジェクトは、次世代プロセス技術の柱の一つとして、ナノ構造材料を工業規模で生産する技術の確立を意図し、半導体シリコンウエハ全面に、実用時間内でナノメータスケールの構造体（以下、ナノ構造と略記する）を作成することを目的として、平成8年9月にスタートした。 ナノ構造作製の手段としては、従来から、走査プローブ顕微鏡（SPM）を応用する手法が広く用いられている。しかし、この手法は、長大な操作時間のゆえに本質的に工業技術としての展望を欠く、という確信に基づき、私たちは、ナノ構造をウエハスケールで作製するプロセスの研究に着手した。 平成13年3月まで、四年半にわたり研究を推進した結果、以下に述べる成果を得ることが出来た。上で述べた意図は、「イオンおよび電子線等の集束粒子ビール照射」によるナノスケール改質、および「電気化学的手法」によるウエハスケール一括処理、を新技術の柱とすることにより、ほぼ達成された。前者については、高精細電子ビーム描画装置を中核として、一辺8nm、周期20nmという世界最高密度のナノピラミッド配列が実現できた。また後者については、固体表面の性状制御を通じて、半導体デバイス特性のゆらぎ抑制や分子認識など、新機能の発現への道を拓いた。具体的な成果としてのナノ構造配列は、情報記録媒体としての活用にとどまらず、表面モフォロジー、表面電位、疎水性／親水性の制御、などを通じて、分子間相互作用の制御という革新的な機能実現への展望を開いたといえる。さらにまた、本研究において行ってきたナノ材料技術の構築を通じて、情報処理はもとより、生体の分子識別、デンドライト成長の抑制による二次電池の超高寿命化、人工触媒の表面制御、ナノトライボロジーなど、はるかに広範な学術／技術分野へも応用可能な新技術の萌芽作りに貢献ができたとわれわれは信じる。 |
１１．キーワード
(1)ナノ構造、(2)ウェハースケールプロセス、(3)表面改質
(4)ビーム照射、(5)ナノエッチピット、(6)分子認識
(7)記録媒体、(8)分子内相互作用、(9)疎水性／親水性
１２．研究発表（印刷中も含む）
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Kumamoto, T. Hoshino, K. Kokubun, T. Ishimaru and I. Ohdomari | Dynamic Growth Steps of n×n Dimer-adatom-stacking-fault Domains on the Quenced Si(111) Surface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B | 53 | 1996 | 12907-12911 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Hoshino, M. Hata, S. Oikawa, M. Tsuda and I. Ohdomari | Origin of Buckling-dimer-row Formation of Si(001) Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B | 54 | 1996 | 11331-11339 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, K. Horita, B. Shigeta, K. Igarashi, T. Matsukawa, T. Tanii, S. Mori and I. Ohdomari | Quantitative Analysis of Radiation Induced Si/SiO2 Interface Defects by Means of He Single Ion Irradiation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Phys. Lett. | 68 | 1996 | 1552-1554 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Tanii, T. Matsukawa, S. Mori, M. Koh, B. Shigeta, K. Igarashi and I. Ohdomari | Nonscalability of Alpha-particle-induced Charge Collection Area | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 35 | 1996 | L688-L690 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koyama, Y. Akita, C. Cheong, M. Koh, T. Matsukawa, K. Horita, B. Shigeta and I. Ohdomari | Quantitative Analysis of Degradation in Schottky Diode Characteristics Induced by Single Ion Implantation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 104/105 | 1996 | 253-256 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, K. Horita, B. Shigeta, T. Matsukawa, A. Kishida, T. Tanii, S. Mori and I. Ohdomari | Radiation Immunity of pMOSFETs and nMOSFETs Examined by Means of MeV He Single Ion Microprobe | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 104/105 | 1996 | 364-368 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Hoshino, T. Ishimaru, K. Kumamoto, H. Kawada and I. Ohdomari | Dynamic Features in Generation and Disappearance of Si(111)-7×7 Domains | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 107 | 1996 | 53-57 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Matsukawa, S. Suzuki, T. Fukai, T. Tanaka and I. Ohdomari | STM Observation of "Craters" on Graphite Surface Induced by Single Ion Implantation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 107 | 1996 | 227-232 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Matsukawa, S. Mori, T. Tanii, T. Arimura, M. Koh, K. Igarashi, T. Sugimoto and I. Ohdomari | Evaluation of Soft-error Hardness of DRAMs under Quasi-heavy Ion Irradiation using He Single Ion Microprobe Technique | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| IEEE Trans. Nucl. Sci. | 43 | 1996 | 2952-2959 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, K. Igarashi, T. Sugimoto, T. Matsukawa, S. Mori, T. Arimura and I. Ohdomari | Quantitative Estimation of Generation Rates of Si/SiO2 Interface Defects by MeV He Single Ion Irradiation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| EEE Trans. Nucl. Sci. | 43 | 1996 | 2952-2959 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koyama, C. Cheong, K. Yokoyama and I. Ohdomari | Estimation of Spatial Extent of a Defect Cluster in Si Induced by Single Ion Irradiation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36 | 1997 | L708-L710 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koyama, C. Cheong, K. Yokoyama and I. Ohdomari | Influence of Near-surface Defects in Si Induced by Reactive Ion Etching on the Electrical Properties of the Pt/n-Si Interface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 36 | 1997 | 6682-6686 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Watanabe, T. Hoshino and I. Ohdomari | Monte Carlo Study on Formation of Periodic Structures on Si(111) Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 389 | 1997 | 375-381 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Hoshino, N. Kamijou, H. Fujiwara, T. Wantanbe and I. Ohdomari | Theoretical Investigation on the Formation Process of the Stacking-fault Triangle in the Si(111)-7×7 Structure | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 394 | 1997 | 119-128 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Watanabe, T. Hoshino and I. Ohdomari | Mechanism of H2 Desorption from H-terminated Si(001) Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 117/118 | 1997 | 67-71 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, K. Igarashi, T. Sugimoto, T. Matsukawa, S. Mori, T. Arimura and I. Ohdomari | Quantitative Characterization of Si/SiO2 Interface Traps Induced by Energetic Ions by Means of Single Ion Microprobe and Single Ion Beam Induced Charge Imaging | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 117/118 | 1997 | 171-175 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Matsukawa, Y. Fukai, S. Suzuki, K. Hara, M. Koh and I. Ohdomari | Development of Single Ion Implantation - Controllability of Implanted Ion Number | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 117/118 | 1997 | 677-683 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Shinada, H. Kimura, Y. Kumura and I. Ohdomari | Damage and Contamination Free Fabrication of Thin Si Wires with Highly Controlled Feature Size | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 117/118 | 1997 | 684-689 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| I. Ohdomari, T. Watanabe, K. Kumamoto and T. Hoshino | Consideration of Atom Movement during Si Surface Reconstruction | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phase Transitions | 62 | 1997 | 245-258 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Matsukawa, S. Mori, T. Tanii, T. Arimura, M. Koh, K. Igarashi, T. Sugimoto and I. Ohdomari | Three-dimensinal Site Dependence of Single-ion-induced Charge Collection at a p-n Junction - Role of Funneling and Diffusion Processes under Different Ion Energy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Appl. Phys. | 83 | 1998 | 3413-3418 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Matsukawa, T. Shinada, T. Fukai and I. Ohdomari | Key Technologies of Fib System for Single Ion Implantation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Vac. Sci. Technol. B | 16 | 1998 | 2479-2483 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Shinada, Y. Kumura, J. Okabe, T. Matsukawa and I. Ohdomari | The Current Status of Single Ion Implantation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Vac. Sci. Technol. B | 16 | 1998 | 2489-2493 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Watanabe, T. Handa, T. Hoshino and I. Ohdomari | Effects of Fixed Particles on Periodic Adatom Arrangements on Si(111) Unreconstructed Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 130/132 | 1998 | 6-12 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Ishimaru, K. Shimada, T. Hoshino, H. Kawada and I. Ohdomari | Stepwise Change in Gibbs Free Energy Curve Observed in Si(111) DAS Domain Growth | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 130/132 | 1998 | 18-22 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Shimada, T. Ishimaru, S. Katsube, H. Kawada and I. Ohdomari | Reactivity of O2 with Si(111) Surfaces with Different Surface Structures | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 130/132 | 1998 | 170-175 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Ishimaru, T. Hoshino, H. Kawada, K. Shimada, T. Watanabe and I. Ohdomari | Influence of Oxygen on the Formation of Si(111)-7×7 Domains Studied by Scanning Tunneling Microscopy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B 58 | 58 | 1998 | 9863-9866 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Hara and I. Ohdomari | Morphology Control of Cu Clusters Formed on H-Si(111) Surface in Solution by Si Potential | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 37 | 1998 | L1333-L1335 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Ishimaru, K. Shimada, T. Hoshino, T. Yamawaki and I. Ohdomari | Size Changes of n×n Stacking-fault Half Units of Dimer-adatom-stacking-fault Structures on Quenched Si(111) Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B | 60 | 1999 | 13592-13597 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Matsukawa, K. Yokoyama, S. Sawara and I. Ohdomari | Lateral Migration of Point Defects in Si Induced by Localized Ion Implantation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Phys. Lett. | 74 | 1999 | 2663-2665 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, K. Igarashi, T. Matsukawa, S. Sawara and I. Ohdomari | Quantitative Characterization of Ion-induced SiO2/Si Interface Traps by Means of Mev He Single-ion Irradiation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Appl. Phys. | 85 | 1999 | 7814-7818 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Watanabe, H. Fujiwara, H. Noguchi, T. Hoshino and I. Ohdomari | Novel Interatomic Potential Energy Function for Si, O Mixed Systems | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38 | 1999 | L366-L369 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Shimada, S. Katsube, T. Ishimaru, H. Kawada and I. Ohdomari | Consideration on the Quantitativeness of Reflection High Energy Electron Diffraction Intensity as a Tool to Monitor the Coverage of the Si(111) Surface by 7×7 Domains | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38 | 1999 | 877-880 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Hoshino, T. Ishimaru, H. Kawada and I. Ohdomari | Dominant Role of Corner Holes in the Decomposition Process of Silicon Islands on Si(111) Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38 | 1999 | 1858-1862 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Shinada, A. Ishikawa, M. Fujita, K. Yamashita and I. Ohdomari | Influence of Secondary Electron Detection Efficiency on Controllability of Dopant Ion Number in Single Ion Implantation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38 | 1999 | 3419-3421 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Hara, T. Tanii and I. Ohdomari | Nucleation and Growth of Cu Adsorbates on Hydrogen-terminated Si(111) Surface in Solution | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 38 | 1999 | 6860-6863 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Ishimaru, K. Shimada, T. Hoshino and I. Ohdomari | Rearragement of Dimers in a Dimer-adatom-stacking-fault Structure on an Si(111) Surface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 433/435 | 1999 | 401-404 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Shimada, S. Katsube, T. Ishimaru, H. Kawada and I. Ohdomari | Effect of Environmental O2 on Dynamical Process of the Si(111) "1×1"→7×7 Structural Phase Transition | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 433/435 | 1999 | 460-464 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Hara and I. Ohdomari | Control of Metal Nano-structure Morphology by Means of Applied Si Potential | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 144-145 | 1999 | 476-479 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Watanabe And I. Ohdomari | Modeling of SiO2/Si(100) Interface Structure by using Extended Stillinger-Weber Potential | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Thin Solid Films | 343/344 | 1999 | 370-373 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Kubota, T. Sumita, S. Takami, T. Shinada and I. Ohdomari | Nano-fabrication of CDW and Its Negative Resistance Phenomenon | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Phys. France | 9 | 1999 | 175-177 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Hara, M. Koh, T. Matsukawa, T. Tanii and I. Ohdomari | Single-ion Detection using Nuclear Track Detector Cr-39 Plastic | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Rev. Sci. Instrum. | 70 | 1999 | 4536-4538 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Sumita, T. Nagai, H. Kubota, T. Matsukawa and I. Ohdomari | Nano-fabricated Cdw by Ion-beam Irradiation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Synthetic Metals | 103 | 1999 | 2234-2237 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, T. Shinada, S. Sawara, T. Goto, Y. Ando and I. Ohdomari | Simple Fabrication of Nanopyramid Array (NPA) on Si Surface by Means Focused Ion Beam Patterning Wet Etching | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Ext. Abst. SSDM - Tokyo | 1999 | 184-185 | ||
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Shimada, T. Ishimaru, T. Watanabe, T. Yamawaki, M. Osuka, T. Hoshino and I. Ohdomari | Kinetics of Dimer-adatom-stacking-fault Reconstruction on Laser Quenched Si(111) Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B | 61 | 2000 | 2546-2551 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Ishimaru, T. Hoshino, K. Shimada, T. Yamawaki and I. Ohdomari | Formation and Annihilation of Various Stacking-fault Half Units in Dimer-adatom-stacking-fault Structures on Quenched Si(111) Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B | 62 | 2000 | 15577-15580 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Shinada, A. Ishikawa, C. Hinoshita, M. Koh and I. Ohdomari | Reduction of Fluctuation in Semiconductor Conductivity by One-by-one Ion Implantation of Dopant Atoms | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys | 39 | 2000 | L265-L268 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, S. Sawara, T. Goto, Y. Ando, T. Shinada and I. Ohdomari | New Process for Si Nanopyramid Array (NPA) Fabrication by Means of Ion Beam Irradiation and Wet Etching | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39 | 2000 | 2186-2188 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, S. Sawara, T. Goto, Y. Ando, T. Shinada, I. Ohdomari | High-density Nanoetchipit-array Fabrication on Si Surface using Ultrathin SiO2 Mask | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | 39 | 2000 | 5352-5355 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Watanabe and I. Ohdomari | Modeling of SiO2/Si(001) Structure Including Step and Terrace Configurations | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 162/163 | 2000 | 116-121 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| S. Sawara, M. Koh, T. Goto, Y. Ando, T. Shinada And I. Ohdomari | Simple Fabrication of High Density Concave Nanopyramid Array (NPA) on Si Surface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 159/160 | 2000 | 481-485 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Shinada, A. Ishikawa, C. Hinoshita, M. Koh and I. Ohdomari | Flat-band Voltage Control of a Back-gate Mosfet by Single Ion Implantation | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 162/163 | 2000 | 499-503 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Koh, S. Sawara, T. Shinada, T. Goto, A. Ishikawa and I. Ohdomari | Simple Nanostructuring of Si Surfaces by Means of Focused Beam Patterning and Wet Etching | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 162/163 | 2000 | 599-603 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| T. Tanii, K. Hara, K. Ishibashi, K. Ohta and I. Ohdomari | Nucleation and Growth of Cu Clusters on Highly Oriented Pyrolytic Graphite Observed with an In Situ Electrochemical Scanning Tunneling Microscope | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 162/163 | 2000 | 662-665 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 松川貴，大泊巌 | シングルイオン照射とその応用 | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 放射線 | 23 | 1997 | 25-34 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 原謙一，大泊巌 | シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 電子情報通信学会信学技報 | 7 | 1997 | 35-40 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 原謙一，大泊巌 | シングルイオン注入と電気化学反応を用いたウェハースケールテクノロジー | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 電子情報通信学会論文誌 | J81-C-2 | 1998 | 675-679 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 大泊巌，嶋田一義，石丸哲也 | Si(111)-n×n 構造についての新しい実験事実とその解釈 | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 真空 | 42 | 1999 | 603-607 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Tetsuya Osaka, Nao Takano and Shinichi Komaba | Fabrication of Nickel Dots Using Selective Electroless Deposition on Silicon Wafer | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Chem. Lett. | 7 | 1998 | 657-658 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Nao Takano, Naohiro Hosoda, Taro Yamada and Tetsuya Osaka | Mechanism of the Chemical Deposition of Nickel on Silicon Wafer in Aqueous Solution | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Electrochem. Soc. | 146 | 1999 | 1407-1411 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Nao Takano, Naohiro Hosoda, Taro Yamada and Tetsuya Osaka | Effect of Oxidized Silicon Surface on Chemical Deposition of Nickel on n-type Silicon Wafer | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Electrochim. Acta | 44 | 1999 | 3743-3749 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Nao Takano, Daisuke Niwa, Taro Yamada and Tetsuya Osaka | Nickel Deposition Behavior on n-Type Silicon Wafer for Fabrication of Minute Nickel Dots | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Electrochim. Acta | 45 | 2000 | 3263-3268 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Taro Yamada, Nao Takano, Keiko Yamada, Shuhei Yoshitomi, Tomoyuki Inoue and Tetsuya Osaka | Application of Organic Monolayers Formed on Si(111): Possibilities for Nanometer-scale Patterning | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Electrochem. Commn. | 3 | 2001 | 67-72 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Taro Yamada, Nao Takano, Keiko Yamada, Shuhei Yoshitomi, Tomoyuki Inoue and Tetsuya Osaka | Evaluation of Organic Monolayers Forms on Si(111) and the Effects of Electron Bombardment Aiming for Nano-scale Engineering | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Jpn. J. Appl. Phys. | in press | 2001 | ||
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Jun Nakamura, Tomohiko Kagawa and Toshiaki Osaka | Nucleation of Au on KC1(001) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 389 | 1997 | 109-115 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Jun Nakamura, Hiroshi Nakajima and Toshiaki Osaka | Structural Stability and Electronic Origin of the GaAs(111)A-2×2 Surface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 121/122 | 1997 | 249-252 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Masayasu Nishizawa, Toyoaki Eguchi, Seiichi Omoto and Toshiaki Osaka | STM Study of the InSb(111)A-(2×6)Surface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 121/122 | 1997 | 204-207 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Toyoaki Eguchi, Jun Nakamura and Toshiaki Osaka | Structure and Electronic States of the α-Sn(111)-(2×2)Surface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Phys. Soc. Jpn. | 67 | 1998 | 381-384 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Tetsuya Mishima and Toshiaki Osaka | Profile Imaging of the InSb{111}A, B-(2×2)Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 395 | 1998 | L256-L260 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Masayasu Nishizawa, Toyoaki Eguchi, Tetsuya Misima, Jun Nakamura and Toshiaki Osaka | Structure of the InSb(111)A-(2√3×2√3)-R30° Surface and Dynamical Formation Processes | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B | 57 | 1998 | 6317-6320 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Testuya Mishima, Jun Nakamura, Kenji Tsukada, Masayasu Nishizawa, Toyoaki Eguchi and Toshiaki Osaka | Direct Imaging of the Evolving Au/InSb(111)B Interface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Vac. Sci. and Technol. B | 16 | 1998 | 2324-2327 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| Jun Nakamura, Testuya Mishima, Moto-hisa Masui, Sung-Pyo Cho, Masayasu Nishizawa, Toyoaki Eguchi and Toshiaki Osaka | Chemical Bonding Features for Faultily Stacked Interface of GaAs{111} | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Vac. Sci. and Technol. B | 16 | 1998 | 2426-2431 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 湊龍一郎, 江口豊明, 古田俊一, 三浦義弘, 加藤 良造, 森田英之, 船木貴博, 佐藤宏, 大坂敏明 | フォークト関数を用いた表面内殻準位シフトの評価 | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 表面科学 | 21 | 2000 | 426-433 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Yamamoto, E. Rokuta, Y. Hasegawa, T. Nagao, M. Trenary and C. Oshima | Oxygen Adsorption Sites on the PrB6(100)Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 348 | 1996 | 133-142 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Nagaoka, H. Ogawa, N. Arai, S. Uchiyama, T. Yamashita, C. Oshima and S. Otani | Energy Ditribution of Filed Emission Electrons from a Nb<111>Tip | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 357/358 | 1996 | 218-221 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| A. Nagashima, N. Tejima, Y. Gamou, T. Kawai and C. Oshima | lectronic States of Monolayer Hexagonal Boron Nitride Formed on the Metal Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 357/358 | 1996 | 307-311 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| H. Ogawa, N. Arai, K. Nagaoka, S. Uchiyama, T. Yamashita, H. Itou and C. Oshima | Energy Spectra of Filed Emission Electrons from a W<310>Tip | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 357/358 | 1996 | 371-375 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| N. Yamamoto, E. Rokuta, Y. Hasegawa, T. Nagao, M. Trenary and C. Oshima | Oxygen Adsorption on the LaB6(100)and(111)Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 357/358 | 1996 | 708-711 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| E. Rokuta, N. Yamamoto, Y. Hasegawa, T. Nagao, M. Trenary and C. Oshima | Phonon Dispersion of the LaB6(111)Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 357/358 | 1996 | 712-716 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| E. Rokuta, N. Yamamoto, Y. Hasegawa, T. Nagao, M. Trenary and C. Oshima | Oxygen Chemisorbed LaB6(100), (110)and(111)Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Vac. Sci. Technol. A | 14 | 1996 | 674-1678 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Takizawa, A. Yoshimi, T. Katunuma, T. Yabe and C. Oshima | Electron Stimulated Desorption Ions of Hydrogen and Deuterium Molecules in Extremely High Vacuum | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Vacuum | 47 | 1996 | 571-573 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| A. Nagashima, N. Tejima, Y. Gamou, T. Kawai, M. Terai and C. Oshima | Electronic Spectroscopic Study of Monolayer Hexagonal Boron Nitride Formed on Metal Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| International J. Modern Physics B | 10 | 1996 | 3517-3537 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| A. Nagashima, Y. Gamou, M. Terai and C. Oshima | Electronic States of Heteroepitaxial Double-layer System | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B | 54 | 1996 | 13491-13494 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| C. Oshima and A. Nagashima | Ultra-thin Epitaxial Films of Graphite and Hexagonal Boron Nitride on Solid Surfaces | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| J. Phys. Condes. Matter | 9 | 1997 | 1-20 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| C. Oshima | An Apparatus for High Resolution Field Emission Spectroscopy | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Adv. Colloid Interface Sci. | 71/72 | 1997 | 353-369 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Nagaoka, T. Yamashita, S. Uchiyama, M. Yamada, H. Fujii and C. Oshima | Monocromatic Electron Emission from the Macroscopic Quantum State | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Nature | 396 | 1998 | 557-559 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Nagaoka, T. Yamashita, S. Uchiyama, M. Yamada, H. Fujii and C. Oshima | Angular Resolved Emission Spectra from Nb | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 130/132 | 1998 | 512-517 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Terai, N. Hasegawa, M. Okuzawa, S. Otani and C. Oshima | Electronic States of Monolayer Micrographite on TiC(410) Surface | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| App. Surf. Sci. | 130/132 | 1998 | 876-882 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| E. Rokuta, N. Yamamoto, Y. Hasegawa, M. Trenary, T. Nagao and C. Oshima | Deformation of Boron Network at Lanthanum Boride (111) Surfuace | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 416 | 1998 | 363-379 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| C. Oshima, H. Fujii, T. Yamashita, S. Uchi-yama, M. Yamada, K. Nagaoka and T. Sakurai | Construction of a Low-temperature Gun and High-resolution Emission Spectra | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Appl. Surf. Sci. | 146 | 1999 | 143-147 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| E. Rokuta, Y. Hasegawa, A. Itoh, K. Yamashita, T. Tanaka, S. Otani and C. Oshima | Vibrational Spectra of h-BN and Graphite Films on Facetted Ni(755) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 427/428 | 1999 | 97-101 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| C. Oshima | Monochromatic Field Electron Emission from a Nb Superconductor | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Ultramicroscopy | 78 | 1999 | 27-32 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Nagaoka, T. Yamashita, M. Yamada, H. Fujii, R. Seo, K. Matsuda, S. Uchiyama and C. Oshima | Field Emission Energy Spectra from Superconducting and Normal States of an Nb Tip | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Ultramicroscopy | 79 | 1999 | 51-57 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| D. Farias, K. H. Rieder, A. M. Shikin, V. K. Adamchuk, T. Tanaka and C. Oshima | Modification of the Surface Phonon Dispersion of a Graphite Monolayer Adsorbed on Ni(111) Caused by Intercalation of Yb, Cu and Ag | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Sci. | 454/456 | 2000 | 437-441 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| C. Oshima, T. Tanaka, A. Itoh, E. Rokuta and T. Sakurai | A Hetero-Eepitaxial Multi-Atomic Layer System of Grarphene and h-BN | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Surf. Rev. Lett. | 5/6 | 2000 | 521-526 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| C. Oshima, A. Itoh, E. Rokuta, T. Tanaka, K. Yamashita and T. Sakurai | A Hetero-Epitaxial-Double-Atomic Layer System of Monolayer Graphite/Monolayer h-BN on Ni(111) | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Solid State Commun. | 116 | 2000 | 37-40 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| C. Oshima, A. Itoh, E. Rokta, N. Tanaka and K. Yamashita | Hetero-Epitaxial Double Atomic Layer Graphene/Monolayer h-BN Studied by HREELS | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Inst. Phys. Conf. Ser. | 165 | 2000 | 313-314. | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| K. Matsuda, H. Fuji, M. Komaki, Y. Murata, K. Nagaoka and C. Oshima | Field Emission Spectra from a Superconducting Nb Tip | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Inst. Phys Conf. Ser. | 165 | 2000 | 481-483 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| M. Tagawa, M. Okuzawa, T. Kawasaki, C. Oshima, S. Otani and A. Nagashima | Atomic Structure of TiC(100) Surface Studied with Low-Energy Electron Diffrcation Intensity Analysis | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| Phys. Rev. B | 63 | 2001 | In press | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 長岡克己, 大島忠平 | 超コヒーレント電子ビーム実現の試み | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 表面科学 | 17 | 1996 | 28-34 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 蒲生康男, 長島礼人, 若林聖, 寺井真之, 大島忠平 | Ni(111)表面上の単原子層グラファイトの構造解析 | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 表面科学 | 17 | 1996 | 35 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 大島忠平 | なぜ炭素は電子放出特性が優れているか? | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 炭素 | 188 | 1999 | 155 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 大島忠平 | 超伝導Nb金属からの電界電子放出 | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| FSST NEWS | 74 | 1999 | 16-20 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 松田孝平, 山下哲胤, 大島忠平 | 超コヒーレント電子ビーム | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 電子顕微鏡 | 35 | 2000 | 272-275 | |
| 著者名 | 論文標題 | |||
| 大野僚子, 細田真希, 奥沢昌彦, 田川美穂, 大島忠平, 大谷茂樹 | Pt(755)とTiC(755)上に成長させた単原子層グラファイトの電子状態 | |||
| 雑誌名 | 巻 | 発行年 | ページ | |
| 炭素 | 195 | 2000 | 400-404 | |