平成12年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要



1.研究機関名 名城大学
 
2.研究領域 理工
 
3.研究分野 原子スケール表面・界面ダイナミクス
 
4.研究期間 平成8年度〜平成12年度
 
5.研究プロジェクト番号 96P00204
 
6.研究プロジェクト名 格子不整合の極めて大きい系における界面緩衝層の動的過程と制御

7.プロジェクト・リーダー
プロジェクト・リーダー名 フリガナ 所属部局名 職名
赤崎 勇 アカサキ イサム 理工学部 教授

8.コア・メンバー

コア・メンバー名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
竹田 美和 タケダ ヨシカズ 名古屋大学大学院工学研究科 教授
平松 和政 ヒラマツ カズマサ 三重大学工学部 教授
天野 浩 アマノ ヒロシ 名城大学理工学部 助教授

9.研究協力者

研究協力者名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
高橋 清 タカハシ キヨシ 帝京科学大学理工学部 教授
桑野 範之 クワノ ノリユキ 九州大学大学院総合理工学府 教授
田渕 雅夫 タブチ マサオ 名古屋大学大学院工学研究科 講師

10.研究成果の概要

III族窒化物は、格子不整合の極めて大きい基板上へのヘテロエピタキシーにより高性能デバイスが実用化した系であり、半導体分野では極めて特異な存在である。従来、界面緩衝層を用いることにより、格段に品質の優れた結晶を得ることに成功しているが、その微細構造や機構は殆ど未知のままであった。本研究では、界面緩衝層を介して成長するIII族窒化物結晶について、原子スケールでそれらの構造を調べるとともに、窒化物間のヘテロ接合構造形成の動的過程を捉えることにより、界面緩衝層の構造とその上の成長における原子配列、固相成長の機構と役割、および結晶欠陥の動的過程を明らかにし、この系の成長機構を総合的に解明するとともに、低次元構造形成機構とその制御法を明らかにすることを目的としてプロジェクトを開始した。4名のコアメンバーがそれぞれ、格子不整合の大きい系での結晶成長機構の解明(赤崎)、格子不整合の大きい系での結晶表面の原子配列の解明(竹田)、ヘテロ接合成長の動的観察及び低次元構造制御(平松)、及び格子不整合の大きい系での固相成長の機構と結晶欠陥の動的過程の観察(天野)というテーマに取り組み、AllnNの成長、段差基板を用いた低転位結晶成長、低温堆積層におけるX線CTR法を用いた原子レベルでの構造解析、低温中間層による応力・欠陥制御、高品質AlGaNの実現、ELOの最適化、蛍光EXAFSを用いたGalnNにおける原子レベルでの組成分離解析、転位挙動の原子レベルでの理解、表面マストランスポート現象の発見、等々多くの特筆すべき成果を挙げた。

11.キーワード

(1)III族窒化物半導体、(2)低温堆積層、(3)歪と応力
(4)横方向成長、(5)X線CTR法、(6)蛍光EXAFS
(7)転位、(8)マストランスポート、(9)窒化アルミニウムインジウム

12.研究発表(印刷中も含む)

[雑誌論文]
著者名 論文標題
T. Detchprohm, T. Kuroda, K. Hiramatsu, N. Sawaki and H. Goto The selective growth in hydride vapor phase epitaxy of GaN
雑誌名 発行年 ページ
Inst. Phys. Conf. Ser. 142・5 1996 859-862

著者名 論文標題
K. Hiramatsu, S. Kitamura and N. Sawaki Facets formation mechanism of GaN hexagonal pyramids on dot-patterns visa selective MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 395 1996 267-271

著者名 論文標題
H. Siege, P. Thurian, L. Eckey, A. Hoffman, C. Thomsen, B. K. Meyer, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, and K. Hiramatsu Spacially resolved photoluminescence and Raman scattering experiments on the GaN/sapphire interface
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 68 1996 1265-1266

著者名 論文標題
I. Akasaki and H. Amano Crystal growth of column-III nitride semiconductors and their electrical and optical properties
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 163 1996 86-92

著者名 論文標題
M. Koike, S. Yamasaki, S. Nagai, N. Koide, S. Asami, H. Amano and I. Akasaki High-quality GaInN/GaN multiple quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 68 1996 1403-1405

著者名 論文標題
D. Behr, J. Wagner, J. Schneider, H. Amano and I. Akasaki Resonant Raman scattering in hexagonal GaN
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 68 1996 2404-2406

著者名 論文標題
C. Wetzel, E. E. Haller, H. Amano and I. Akasaki Infrared reflection on GaN and AlGaN thin film heterostructures with AlN buffer layers
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 68 1996 2547-2549

著者名 論文標題
Y. J. Wang, R. Kaplan, H. K. Ng, K. Doverspike, D. K. Gaskill, T. Ikedo, H. Amano and I. Akasaki Magneto-optical studies of GaN and GaN/AlxGa1-xN:Donor Zeeman spectroscopy and two dimensional electron gas cyclotron resonance
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 79 1996 8007-8010

著者名 論文標題
I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike and H. Amano Shortest wavelength semiconductor laser diode
雑誌名 発行年 ページ
Electronics Letters 32 1996 1105-1106

著者名 論文標題
J. Burm, W. J. Schaff, L. F. Eastman, H. Amano and I. Akasaki 75A GaN channel modulation doped field effect transistors
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett 68 1996 2849-2851

著者名 論文標題
J. P. Bergman, T. Luntstrom, B. Monemar, H. Amano and I. Akasaki Photoluminescence related to the two-dimensional electron gas at a GaN/AlGaN heterointerface
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 68 1996 3456-3458

著者名 論文標題
T. Takeuchi, H. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, H. Amano and I. Akasaki Optical Properties of Strained AlGaN on GaN
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. of Appl. Phys. 36 1997 L177-L179

著者名 論文標題
T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. of Appl. Phys. 36 1997 L382-L385

著者名 論文標題
S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, C. Dieker, J. Washburn, M. Koike, H. Amano and I. Akasaki TEM/HREM ANALYSIS OF DEFECTS IN GaN EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOVPE ON SiC AND SAPPHIRE
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 468 1997 287-292

著者名 論文標題
M. Kunzer, J. Baur, U. Kaufmann, J. Schneider, H. Amano and I. Akasaki Properties of Mg and Zn acceptors in MOVPE GaN as studied by optically detected magnetic
雑誌名 発行年 ページ
Solid-State Electronics 41 1997 189-193

著者名 論文標題
B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu and N. Sawaki The excitonic bandgap of GaN: Dependence on substrate
雑誌名 発行年 ページ
Solid-State Electronics 41 1997 1403-1405

著者名 論文標題
A. Hoffmann, L. Eckey, P. Maxim, J. -CHR, Holst, R. Heitz, D. M. Hofmann, D. Kovalev, G. Stevde, D. Volm, B. D. Meyer, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, H. Amano and I. Akasaki Dynamic study of the yellow luminescence band in GaN
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Electronics 41 1997 275-278

著者名 論文標題
H. Sakai, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki GaNの誘導放出機構と混晶効果
雑誌名 発行年 ページ
レーザ研究 25 1997 510-513

著者名 論文標題
I. Akasaki and H. Amano Progress and prospect of group-□ nitride semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
J. of Crystal Growth 175/176 1997 29-36

著者名 論文標題
W. Li, P. Bergman, B. Monemar, H. Amano and I. Akasaki Photoluminescence decay dynamics in an InGaN/GaN/AlGaN single quantum well
雑誌名 発行年 ページ
J. of Appl. Phys. 81 1997 1005-1007

著者名 論文標題
I. Akasaki and H. Amano Crystal Growth and Conductivity of Group□ Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. of Appl. Phys. 36 1997 5393-5408

著者名 論文標題
M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki Reduction of Etch Pit Density in Organometallic Vapor Phase Epitaxy-Grown GaN on Sapphire by Insertion of a Low-Temperature-Deposited Buffer Layer between High-Temperature-Grown GaN
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. of Appl. Phys. (to be published)   1998  

著者名 論文標題
桑野範之、滝 海、沖 憲典、川口靖利、平松和政、澤木宣彦 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 25(印刷中) 1998  

著者名 論文標題
K. Hiramatsu, H. Matsushima, T. Shibata, N. Sawaki, K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, Y. Honda, and T. Matsue Selective area growth of GaN by MOVPE and HVPE
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. (in press)   1998  

著者名 論文標題
M. Tabuchi, N. Matsumoto, Y. Takeda, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki Crystal quality and surface structure of sapphire and buffer layers on sapphire revealed by CTR scattering
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Surf. Sci., (in press)   1998  

著者名 論文標題
M. Tabuchi, N. Matsumoto, Y. Takeda, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki Crystal quality and surface structure of sapphire and buffer layers on sapphire revealed by CTR scattering
雑誌名 発行年 ページ
ICNS97 ICNS'97, Japan, 27-31 Oct. 1997., Symposium Proc.   1998  

著者名 論文標題
桑野範之、滝 海、沖 憲典、川口靖利、平松和政、澤木宣彦 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 -組成不均一の発生-
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 25.2 1998 106-112

著者名 論文標題
桑野範之 GaN系材料の微細構造 -FIBの応用-
雑誌名 発行年 ページ
第9回電顕サマースクール電子顕微鏡 基礎技術と応用1998 ~極微構造解明の新展開~ 第9回電顕サマースクール実行委員会 編 学際企画   1998 116-121

著者名 論文標題
K. Tsukamoto, W. Taki, N. Kuwano, K. Oki, T. Shibata, N. Sawaki and K. Hiramatsu Large-Angle Gradual Tilting of Crystallographic Orientations of HVPE-Grown GaN Selectively Grown on MOVPE-GaN
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 2nd Int. Sym. Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, 1998, Ed., K. Onabe, K. Hiramatsu, K. Itaya and Y. Nakano, Ohmsha, Tokyo   1998 488-491

著者名 論文標題
桑野範之、沖 憲典 InxGa1-xN/GaN/LT-AlN/α-Al2O3(0001)に形成された貫通転位先端のピット
雑誌名 発行年 ページ
日本金属学会会報まてりあ 37 1998 992

著者名 論文標題
I. Akasaki The Evolution of Nitride Semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482 1998 3-14

著者名 論文標題
H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, M. Iwaya, C. Wetzel and I. Akasaki Structural Properties of Nitrides Grown by OMVPE on Sapphire Substrate
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482 1998 479-488

著者名 論文標題
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, T. Suski, J. W. Ager, E. R. Weber, E. E. Haller and B. K. Meyer Localized Donors in GaN: Spectroscopy using Large Pressures
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 482 1998 489-500

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel. H. Amano and I. Akasaki Observation of photoluminescence from Al1-x,InxN heteroepitaxial films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 73/6 1998 830-831

著者名 論文標題
I. Akasaki Recent Progress in Crystal Growth and Conductivity Control of Widegap Group □ Nitrides
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Mat. Res. Soc. 1998 Spring Meeting 1998  

著者名 論文標題
T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka and N. Yamada Determination of piezoelectric fields in GaInN strained quantum wells using the quantum-confined Stark effect
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 73 1998 1691-1693

著者名 論文標題
I. Akasaki Recent Progress in Crystal Growth and Conductivity Control of Widegap Group □ Nitrides
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Mat. Res. Soc. 1998 Spring Meeting 1998  

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki Structural and optical properties of AlInN and AlGaInN on GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 9th Int. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy   1998  

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, R. Mizumoto, C. Anbe, S. Ikuta, M. Katsuragawa, T. Wauke, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki Crystal growth of lattice matched AlInN to GaN and the relation of strong bandgap bowing to microscopic structure
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 24th Intl. Conf. on the Phys. of Semiconductors   1998  

著者名 論文標題
H. Amano, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, and I. Akasaki Characterization of crystalline quality of GaN on sapphire and ternary alloys on GaN
雑誌名 発行年 ページ
Trans. Inst. Electron. Inform. & Commun. Engineers C-II(J81-C-II) 1998 65-71

著者名 論文標題
C. Anbe, T. Takeuchi, R. Mizumoto, H. Katoh, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko and N. Yamada GaN-based laser diode with focused ion beam-etched mirrors
雑誌名 発行年 ページ
Proc. European Materials Research Society Spring Meeting   1998  

著者名 論文標題
M. Kariya, S. Nitta, S. Yamaguchi, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki Structural properties of Al1-xInxN ternary alloys on GaN grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 L697-L699

著者名 論文標題
H. Sakai, T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Amano and I. Akasaki Stimulated emission with the longest wavelength in the blue region from GaInN/GaN multi-quantum well structures
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 831-836

著者名 論文標題
M. Katsuragawa, S. Sota, M. Komori, C. Ambe, T. Takeuchi, H. Sakai, H. Amano and I. Akasaki Themal ionization energy of Si and Mg in AlGaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 528-531

著者名 論文標題
T. Takeuchi, S., Sota, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada Quantum-confined Stark effect in strained GaInN quantum wells on sapphire(0001)
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 616-620

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Valenceband splitting and luminescence Stokes shift in GaInN/GaN thin films and multiple quantum well structures
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 621-624

著者名 論文標題
M. Tabuchi, N. Matsumoto, Y. Takeda, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Crystal quality and surface structure of sapphire and buffer layers on sapphire revealed by crystal truncation rod scattering
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 189/190 1998 291-294

著者名 論文標題
C. Pernot, A. Hirano, H. Amano and I. Akasaki Investigation of the Leakage Current in GaN P-N Junctions
雑誌名 発行年 ページ
jpn. J. Appl. Phys. 37   L1202-L1204

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano and I. Akasaki Optical bandgap in Gal-xInxN(0
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 73 1998 1994-1996

著者名 論文標題
H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason and J. Figiel Stress and Defect Control in GaN Using Low Temperature Interlayers
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 37 1998 L1540-L1542

著者名 論文標題
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, T. Suski, J. W. Ager, E. R. Weber, E. E. Haller, and B. K. Meyer Localized donors in GaN:spectroscopy using large pressures
雑誌名 発行年 ページ
Nitride Semiconductors Eds. F. A. Ponce, S. P. DenBaars, B. K. Meyer, S. Nakamura, and T. Strite, Proc. Mat. Res. Soc. Symp482   1998 489-500

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki Piezoelectric quantization in GaInN thin films and multiple quantum well structures
雑誌名 発行年 ページ
Wide-Bandgap Semiconductors for High Power, High Frequency and High Temperature, Eds. S. DenBaars, J. Palmour, M. Shur, and M. Spencer, Proc. Mat. Res. Soc. Symp. 512 1998 181-186

著者名 論文標題
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, J. W. Ager III, M. Topf, and B. K. Meyer Correlation of vibrational modes and DX-like centers in GaN:O
雑誌名 発行年 ページ
Physica B 273-274 1999 109-112

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki Piezoelectric level splitting in GaInN/GaN quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
GaN and Related Alloys Eds. S. J. Pearton, C. Kuo, T. Uenoyama, A. F. Wright, Proc. Mat. Res. Soc. Symp. 537 1999 G3.66

著者名 論文標題
H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, M. Katsuragawa, T. Takeuchi, C. Wetzel, and I. Akasaki Improvement of crystalline quality of GaN, AlGaN and AlN on sapphire using low temperature interlayers
雑誌名 発行年 ページ
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 1999 G10.1

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Kato, H. Amano, and I. Akasaki Piezoelectric effects in GaInN/GaN heterostructures and quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel, August 2-81998 (World Scientific, Singapore 1999).   1999  

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, R. Mizumoto, C. Anbe, S. Ikuta, M. Katsuragawa, T. Wauke, H. Kato, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki Crystal growth of lattice-matched Al1-xInxN to GaN and the relation of strong bandgap bowing to the microscopic structure
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 24TH Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel, August 2-8, 1998. (World Scientific, Singapore 1999).   1999  

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki Piezoelectric Franz-Keldysh effect in strained GaInN/GaN heterostructures
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys 85(7) 1999 3786-3791

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Nitta, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki Optical properties of GaInN/GaN heterostructures and quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
1998 IEEE Semiconducting and Insulating Materials Conference (Inst. Electrical and Electronics Engineers, Inc. Piscataway 1999)   1999 239-242

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki Structural and optical properties of Al,SUB>1-xInxN grown by metal organic vapor-phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 18th Electronic Materials Symposium, Shirahama-shi, Wakayama-Ken, June 30-July 2,1999   1999 73-76

著者名 論文標題
C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki Low-Intensity Ultraviolet Photodetectors Based on AlGaN
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L487-489

著者名 論文標題
T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Yano, M. Yamaguchi, N. Hayashi, M. Iwaya, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, S. Watanabe, Y. Yamaoka, R. Shioda, T. Hidaka, Ys. Kaneko, N. Yamada Fabrication and Characterization of GaN-based Laser Diode Grown on Thick n-AlGaN Contact Layer
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176 1999 31-35

著者名 論文標題
Y. Kaneko, R. Shioda, N. Yamada, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Study on electroluminescence spectrum and waveguide loss of GaInN multiple quantum well lasers
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176 1999 137-140

著者名 論文標題
C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki Improvement of low intensity ultraviolet photodetectors based on AlGaN with low threading dislocation density
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176 1999 147-151

著者名 論文標題
K. Hiramatsu, K. Nishiyama, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika and T. Maeda Recent progress in selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of III-nitrides : Effects of reactor pressure in MOVPE growth
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176 1999 535-543

著者名 論文標題
Y. Kawaguchi, S. Nambu, M. Yamaguchi, N. Sawaki, H. Miyake, K. Hiramatsu, K. Tsukamoto, N. Kuwano and K. Oki Influence of ambient gas on the epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (a) 176   561-565

著者名 論文標題
S. Watanabe, N. Yamada, Y. Yamada, T. Taguchi, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Spectral study of photoluminescence from GaInN/GaN MQWs using CW and time-resolved measurements
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (b) 216 1999 335-339

著者名 論文標題
C. Wetzel, M. Kasumi, T. Detchprohm, T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Discrete Stark-like ladder in piezoelectric GaInN/GaN quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (b) 216 1999 399-403

著者名 論文標題
H. Amano, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Kashima, S. Nitta, C. Wetzel and I. Akasaki Control of dislocations and stress in AlGaN on sapphire using a low temperature interlayer
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Stat. Sol. (b) 216 1999 683-689

著者名 論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi High purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba 4 2000 301-304

著者名 論文標題
M. Iwaya, T. kashima, R. Nakamura, T. Detchprohm, S. Kamiyama, S. Yamaguchi, S. Nitta, M. Kariya, H. Amano, and I. Akasaki Crack-free, thick and high-quality AlxGa1-xN using low-temperature interlayer
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba 4 2000 305-309

著者名 論文標題
I. Akasaki, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Takeuchi and H. Amano Growth of crack-free thick AlGaN layer for achievement of single lateral mode operation of GaN-based laser diode
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba 4 2000 311-314

著者名 論文標題
Y. Takeda, M. Tabuchi, M. Araki, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki Crystalline structure and surface morphology of AlN and GaN as buffer layers for GaN growth on sapphire surface-Atomic scale characterization-
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba 4 2000 315-321

著者名 論文標題
Y. Takeda, M. Tabuchi, M. Araki, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki Effect of crystalline structure of AlN buffer layers on GaInN/GaN growth -Atomic scale characterization-
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba 4 2000 321-324

著者名 論文標題
K. Hiramatsu, A. Motogaito, H. Miyake, H, Sone, N. sawaki, J. Christen and I. Akasaki Epitaxial lateral overgrowth of GaN by HVPE using tungsten mask and characterization of their crystalline and optical properties
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba 4 2000 325-330

著者名 論文標題
S. Nitta, S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Iwaya, T. Kashima, R. Nakamura, T. Detchprohm, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki Mass transport of GaN and reduction of threading dislocations
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba 4 2000 331-336

著者名 論文標題
N. Kuwano, K. Horibuchi, K. Hiramatsu, N. Sawaki TEM observation of microstructures in ELO-GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxial method : Influences of carrier gas species and geometry of mask
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4th Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 2000, Tsukuba 4 2000 337-340

著者名 論文標題
R. Kimura and K. Takahashi High quality epitaxial growth of h-GaN on Al2O3(0001) and c-GaN on GaAs (100) by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Int. Symp. on blue laser and light emitting diodes, Berlin (2000).   2000  

著者名 論文標題
R. Kimura and K. Takahashi High phase purity cubic-GaN grown on GaAs (100) using AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd. German-Japan joint workshop, Physica Status Solidi, Berlin (2000)   2000  

著者名 論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi High purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 209 2000 382-386

著者名 論文標題
R. Kimura, Y. Gotoh, T. Matsuzawa and K. Takahashi High purity cubic GaN grown on a AlGaAs buffer layer by molecular beam epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of 7th Int. Conf. on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Technique (ICCBE-7; 1999 Tsukuba)   1999 103-104

著者名 論文標題
R. Kimura, K. Takahashi A study of initial nucleation mechanism of MBE grown GaN on sapphire
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics (1999, Fukuoka)   1999 311-315

著者名 論文標題
寒川義裕、桑野範之、沖 憲典、伊藤 智徳 原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InP混晶中に出現するCuAu-I型規則構造形成機構の理論的解析
雑誌名 発行年 ページ
日本金属学会誌 63(6) 1999 741-746

著者名 論文標題
S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, H. Amano and I. Akasaki Improvement of Far Field Pattern in Nitride Laser Diodes using Crack-free Thick n-AlGaN Cladding layer
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 16th meeting of JSPS 162nd Research Committee, July 27, 1999, Tsukuba   1999 9-13

著者名 論文標題
S. Kamiyama, T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, T. Sato, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, and N. Yamada GaN-based semiconductor laser with stable single transverse-mode operation
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 2nd Japan-Korea Joint Workshop on Short-Wavelength Semiconductor Optoelectronic Device and Materials, Sep. 30-Oct. 2, 1999, Chiba   1999  

著者名 論文標題
S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki Performance of GaN-Based Semiconductor Laser with Spectral Broadening due to Compositional Inhomogeneity in GaInN Active Layer
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 390-392

著者名 論文標題
上山 智,佐藤敏幸、岩谷素顕、天野 浩、赤崎 勇 単一横モード型GaN系半導体レーザ
雑誌名 発行年 ページ
オプトロニクス No.1 2000 68-73

著者名 論文標題
H. Sone, S. Nambu, Y. Kawaguchi, M. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Iyechika, T. Maeda and N. Sawaki Optical and crystalline properties of epitaxial-lateral-overgrown-GaN using tungsten mask by hydride vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38/4A 1999 L356-359

著者名 論文標題
K. Hiramatsu, H. Matsushima, T. Shibata, Y. Kawaguchi, and N. Sawaki Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy and hydride vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Mater. Sci. & Eng. B59 1999 104-111

著者名 論文標題
C. Ambe, T. Takeuchi, R. Mizumoto, H. Katoh, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akaskai, Y. Kaneko and N. Yamada GaN-based laser diode with focused ion beam etched mirrors
雑誌名 発行年 ページ
Mater. Sci. Eng. B59 1999 382-385

著者名 論文標題
Y. Kawaguchi, S. Nambu, H. Sone, M. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, N. Sawaki, Y. Iyechika and T. Maeda Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN using tungsten mask
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Mat. Res. Soc. Symp. 537 1999 G4.1

著者名 論文標題
H. Miyake, A. Motogaito and K. Hiramatsu Effects of reactor pressure on epitaxial lateral overgrowth of GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 9A/B 1999 L1000-L1002

著者名 論文標題
Y. Honda, Y. Iyechika, T. Maeda, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Sone and N. Sawaki Crystal orientation fluctuation of epitaxial-lateral-overgrown GaN with W mask and SiO2 mask observed by transmission electron diffraction and X-ray rocking curves
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 11B 1999 L1299-1302

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki Structural properties of InN on GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 85 1999 7682-7688

著者名 論文標題
M. Kariya, S. Nitta, S. Yamaguchi, T. Kashima, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki Structural characterization of Al1-xInxN lattice-matched to GaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 209 1999 419-423

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano and I. Akasaki Improvement of structural and optical properties of GaN and AlGaN using isoelectronic In doping
雑誌名 発行年 ページ
to be published in Inst. Int. Conf. Ser.   2000  

著者名 論文標題
M. Kariya, S. Nitta, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki Mosaic Structure of Ternary Al1-xInxN Films on GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L984-L986

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki The Effect of Isoelectronic In-Doping on the Structural and Optical Properties of (Al)GaN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 1999 L143-145

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki Strain relief by In-doping and its effect on the surface and the interface structures in (Al)GaN on sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
to be published in Appl. Surf. Sci.   1999  

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki Anomalous Features in Optical Properties of Al1-xInxN on GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett 76 1999 876-878

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasak Strain Relief and Its Effect on the Properties of GaN Using Isoelectronic In Doping Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 75 1999 4106-4108

著者名 論文標題
M. Kariya, S. Nitta, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki Effect on GaN/Al0.17Ga0.83N and Al0.05Ga0.83N/Al0.17Ga0.83N Quantum Wells by Isoelectronic In-Doping During Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 L143-145

著者名 論文標題
N. Faleev, K. Pavlov, M. Tabuchi and Y. Takeda Influence of long-range lateral ordering in structures with quantum dots in the spatial distribution of diffracted X-ray radiation
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 818-821

著者名 論文標題
K. Pavlov, N. Faleev, M. Tabuchi and Y. Takeda Specific aspects of X-ray diffraction on statistically disordered QDs in perfect crystal matrix
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38,Suppl.38-1 1999 269-272

著者名 論文標題
N. Faleev, K. Pavlov, M. Tabuchi and Y. Takeda CTR and DCXRD studies of lateral ordering of quantum dots in multilayer periodic structures
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38,Suppl.38-1 1999 277-280

著者名 論文標題
M. Tabuchi, Y. Takeda, N. Matsumoto, H. Amano and I. Akasaki X-ray interference and crystal truncation rod observation of GaN and GaInN layers grown on sapphire with AlN buffer layer
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38,Suppl.38-1 1999 281-284

著者名 論文標題
N. N. Faleev, A. Yu Egorov, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, K. M. Pavlov, V. I. Punegov, M. Tabuchi and Y. Takeda X-ray diffraction analysis of multilayer InAs-GaAs hetereostructures with InAs qunatum dots
雑誌名 発行年 ページ
Semiconductors 33 1999 1229-1237

著者名 論文標題
田渕雅夫、平山啓介、竹田美和 X線反射率測定によるIII族窒化物半導体の表面構造解析
雑誌名 発行年 ページ
X線回折研究のあゆみ 20 1999 21-24

著者名 論文標題
田渕雅夫、竹田美和 X線CTR散乱とX線反射率測定によるIII族窒化物半導体の構造解析
雑誌名 発行年 ページ
理学電機ジャーナル 30 1999 40-45

著者名 論文標題
C. Wetzel and I. Akasaki O, C and other unintentional impurities in GaN and related compounds
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, IEE, London, UK, 1999) 23 1999 284

著者名 論文標題
C. Wetzel and I. Akasaki Raman and IR studies of InN
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, IEE, London, UK, 1999) 23 1999 121

著者名 論文標題
C. Wetzel and I. Akasaki Raman and IR studies of GaN
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel(INSPEC, IEE, London, UK, 1999) 23 1999 52

著者名 論文標題
C. Wetzel and I. Akasaki Raman and IR studies of AlGaN
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel(INSPEC, IEE, London, UK, 1999) 23 1999 143

著者名 論文標題
N. Kuwano HRTEM characterization of GaN films on GaAs Properties, Processing and Application of Gallium Nitride and Related Semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Synthesis, Characterization, and Applications of Gallium Nitride and related Compounds Eds. J. Edgar, T. S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel(INSPEC, IEE, London, UK, 1999) 23 1999 243-247

著者名 論文標題
Y. Takeda and M. Tabuchi Sapphire substrates for growth of GaN and related compounds
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors(EMIS Datareviews Series No. 23)Eds. J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999) 23 1999 381-385

著者名 論文標題
H. Amano and I. Akasaki Optical properties of AlGaN
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors(EMIS Datareviews Series No. 23)Eds. J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999) 23 1999 139-142

著者名 論文標題
H. Amano and I. Akasaki X-ray diffraction characterization of GaN-based materials: triple axis diffractometry
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors(EMIS Datareviews Series No. 23)Eds. J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999) 23 1999 264-272

著者名 論文標題
T. Takeuchi and I. Akasaki GaInN quantum wells: piezoelectricity
雑誌名 発行年 ページ
Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors(EMIS Datareviews Series No.23)Eds. J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999) 23 1999 525

著者名 論文標題
桑野 範之 エピタキシャル層の構造と組織
雑誌名 発行年 ページ
III族窒化物半導体 赤崎勇編著、培風館   1999 217-238

著者名 論文標題
天野 浩、赤崎 勇 第3章III族窒化物半導体の光学的・電気的特性
雑誌名 発行年 ページ
“III族窒化物半導体"、アドバンストエレクトロニクスシリーズ、培風館、赤崎勇編著   1999 34-61

著者名 論文標題
天野 浩、赤崎 勇 第8章 有機金属化合物気相成長(MOVPE)
雑誌名 発行年 ページ
“III族窒化物半導体"、アドバンストエレクトロニクスシリーズ、培風館、赤崎勇編著   1999 147-164

著者名 論文標題
天野 浩 第15章 受光デバイス
雑誌名 発行年 ページ
“III族窒化物半導体"、アドバンストエレクトロニクスシリーズ、培風館、赤崎勇編著   1999 275-283

著者名 論文標題
天野 浩 第16章 電子デバイス
雑誌名 発行年 ページ
“III族窒化物半導体"、アドバンストエレクトロニクスシリーズ、培風館、赤崎勇編著   1999 285-293

著者名 論文標題
天野 浩,赤崎 勇 サファイア基板上□族窒化物半導体成長における低温堆積層の効果と構造
雑誌名 発行年 ページ
応用物理 68 1999 65-71

著者名 論文標題
T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Ys. Kaneko and N. Yamada Improvement of far-field pattern in nitride laser diodes
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett 75 1999 2960-2962

著者名 論文標題
T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Katoh, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki Microscopic Investigation of Al0.43Ga0.57N on Sapphire
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L363-365

著者名 論文標題
D. M. Hofmann, B. K. Meyer, F. Leiter, W. von Forster, H. Alves, N. Romanov, H. Amano and I. Akasaki Optical Transitions of the Mg Acceptor in GaN
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L1422-1424

著者名 論文標題
G. Steude, B. K. Meyer, A. Goldner, A. Hoffmann, A. Kaschner, F. Bechstedt, H. Amano and I. Akasaki Strain Modification of GaN in AlGaN/GaN Epitaxial Films
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L498-500

著者名 論文標題
T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Theoretical study of orientational dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaIn/GaN heterostructures and quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 1999 L390-392

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano and I. Akasaki The effect of isoelectronic In-doping on the structural and optical properties of(Al)GaN
雑誌名 発行年 ページ
Ext. Abst. 1999 Int. Conf. SSDM   1999 52-53

著者名 論文標題
C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki Piezoelectric polarization effects in GaInN/GaN heterostructures and some consequences for device design
雑誌名 発行年 ページ
Ext. Abst. 1999 Int. Conf. SSDM   1999  

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki Spectroscopy of piezoelectric effects in GaInN/GaN quantum well structures and devices
雑誌名 発行年 ページ
Bull. Am. Phys. Soc. 44 1999 1337

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, M. Iwaya, M. Kasumi, H. Amano and I. Akasaki In-situ spectroscopic ellipsometry of GaN and AlGaInN growth by MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
Bull. Am. Phys. Soc. 44 1999 314

著者名 論文標題
A. Watanabe, H. Takahashi, T. Tanaka, H. Ota, K. Chikuma, H. Amano and I. Akasaki Correlation between dislocation density and the macroscopic properties of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys.   1999 L1159-L1162

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki Electric-field strength, polarization dipole, and multi-interface band offset n piezoelectric Ga1-xInxN/GaN quantum-well structures
雑誌名 発行年 ページ
The American Physical Society 61 1999 2159-2163

著者名 論文標題
M. Kariya, S. Nitta, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Yamaguchi, H. Amno and I. Akasaki Effect on GaN/Al0.17Ga0.83N and Al0.05Ga0.95N/Al0.17Ga0.83N Quantum Wells by Isoelectronic In-Doping during Metalorganic Vapor PhaseEpitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39(2/2B) 2000 L143-L145

著者名 論文標題
S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano and I. Akasaki Performance of GaN-Based Semiconductor Laser with Spectral Broadening due to Compositional Inhomogeneity in GaInN Active Layer
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 L390-L392

著者名 論文標題
T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 L413-L416

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Takeuchi, C. Wetzel, H. Amano and I. Akasaki Anomalous features in the optical properties of Al1-xInxN on GaN grown by metal organic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Appl. Phys. Lett. 76(7) 2000 876-878

著者名 論文標題
Y. Takeda, M. Tabuchi, H. Amano, and I. Akasaki Characterization of Group-III Nitride Semiconductors by X-Ray CTR Scattering and Reflectivity Measurements
雑誌名 発行年 ページ
The Rigaku Journal 17(2) 2000 54-59

著者名 論文標題
M. Kariya, S. Nitta, S. Yamguchi, T. Kashima, H. Kato, H. Amano, and I. Akasaki Structural characterization of Al1-xInxN lattice-matched to GaN
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 209 2000 419-423

著者名 論文標題
S. Nitta S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Iwaya, T. Kashima, R. Nakamura, T. Detchprohm, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki Mass transport of GaN and reduction of threading dislocations
雑誌名 発行年 ページ
Proceedings of the Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   2000 331-335

著者名 論文標題
C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, J. W. Ager III, I. Grzegory, M. Topf and B. K. Meyer Localized vibrational modes in GaN:O tracing the formation of oxygen Dx-like centers under hydrostatic pressure
雑誌名 発行年 ページ
Physical Review B 61(12) 2000 8202-8206

著者名 論文標題
田淵 雅夫, 竹田 美和, 竹内 哲也, 天野 浩, 赤崎 勇 X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程(Characterization of Initial Growth Stage of GaInN Multilayered Structure by X-ray CTR Scattering and X-ray Reflectivity Method)
雑誌名 発行年 ページ
表面科学 21/3 2000 162-168

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Detchprohm, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki Piezoelectric Polarization in the Radiative Centers of GaInN/GaN Quantum Wells and Devices
雑誌名 発行年 ページ
J. Electronic Materials 29/3 2000  

著者名 論文標題
天野 浩、赤崎 勇 サファイア基板上III族窒化物半導体成長における低温堆積層(Effect of Low-temperature Deposited Layer on the Growth of Group-III Nitrides on Sapphire)
雑誌名 発行年 ページ
表面科学 21/3 2000 126-133

著者名 論文標題
M. Tabuchi, K. Hirayama, Y. Takeda, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki Characterization of initial growth stage of GaInN multi-layered structure by X-ray CTR scattering method
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science 159/160 2000 432-440

著者名 論文標題
N. Hayashi, S. Kamiyama, T. Takeuchi, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko and N. Yamada Electrical conductivity of low temperature deposited Al0.1Ga0.9N interlayer
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys   2000  

著者名 論文標題
T. Detchprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochiduki, T. Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki Heteroepitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Periodically Grooved Substrates: A New Approach for Growing Low-Dislocation-Density GaN Single Crystal
雑誌名 発行年 ページ
Accepted for publication in Jpn. J. App. Phys. Lett   2000  

著者名 論文標題
Isamu Akasaki The Evolution of Group □ nitride semiconductors Seeking blue light emission
雑誌名 発行年 ページ
Mater Sci. Eng B74 2000 101-106

著者名 論文標題
T. Sato, M. Iwaya, K. Isomura, T. Ukaki, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki Theoretical Analysis of Optical Transverse-Mode Control on GaN-Based Laser Diodes
雑誌名 発行年 ページ
IEICE TRANS. Electron E83-C/4 2000  

著者名 論文標題
C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki Piezoelectric Polarization in GaInN/GaN Heterostructures and Some Consequences for Devices Design
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 39 2000 2425-2427

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki The Effect of Isoelectronic In-Doping on the Structural and Optical Properties of (Al)GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 39(1/4B) 2000 2385-2388

著者名 論文標題
C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano and I. Akasaki Solar-Blind UV Photodetectors Based on GaN/AlGaN p-i-n Photodiodes
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39(2/5A) 2000 L387-L389

著者名 論文標題
Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amamo, and I. Akasaki Demonstration of solar-blind AlxGa1-xN flame detector
雑誌名 発行年 ページ
IGRC2001 Proceedings International Gas Research Conference   2000  

著者名 論文標題
I. Akasaki Progress in Crystal Growth of Nitride Semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
10th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy   2000 33-34

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, M. Kosaki, Y. Yukawa, H. Amano, and I. Akasaki Control of Crystalline Quality of MOVPE-grown GaN and (Al, Ga)N/AlGaN MQW using In-doping and /or N2 carrier gas
雑誌名 発行年 ページ
10th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy   2000 337-338

著者名 論文標題
M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, T. Dechprohm, H. Amano, I. Akasaki, A. Hirano, and C. Pernot High-Quality AlxGa1-xN using Low Temperature-Interlayer and Its Application to UV Detector
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. 595 2000 W110.1-W110.6

著者名 論文標題
H. Miyake, M. Yamaguchi, M. Haino, A. Motogaito, K. Hiramatsu, S. Nambu, Y. Kawaguchi, N. Sawaki, Y. Iyechika, T. Maeda, and I. Akasaki Fabrication of GaN with Buried Tungsten (W) Structures Using Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) via LP-MOVPE
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp 595 2000 W2.3.1-W2.3.6

著者名 論文標題
S. Nitta, T. Kashima, M. Kariya, Y. Yukawa, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki Mass Transport, Faceting and Behavior of Dislocations in GaN
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp 595 2000 W2.8.1-W2.8.6

著者名 論文標題
I. Akasaki, S. Kamiyama, T. Detchprohm, T. Takeuchi, and H. Amano Growth of Crack-Free Thick AlGaN Layer and Its Application to GaN-Based Laser Diode
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. 595 2000 W6.8.1-W6.8.6

著者名 論文標題
C. Wetzel, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki Spectroscopy in Polarized and Piezoelectric AlGaInN Heterostructures
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp 595 2000 W12.4.1-W12.4.12

著者名 論文標題
M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, and I. Akasaki Realization of crack-free and high-quality thick AlxGa1-xN for UV optoelectronics using low-temperature interlayer
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science 159-160 2000 405-413

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki Strain relief by In-doping and its effect on the surface and on the interface structures in (Al)GaN on sapphire grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science 159-160 2000 414-420

著者名 論文標題
S. Nitta, M. Kariya, T. Kashima, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki Mass transport and the reduction of threading dislocation in GaN
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science 159-160 2000 421-426

著者名 論文標題
T. Takeuchi, S. Lester, Bassile, G. Girolami, R. Twist, F. Mertz, M. Wong, R. Schneider, H. Amano, and I. Akasaki Polarization control in nitride-based semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 137-140

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Nitta, H. Amano and I. Akasaki Effect of carrier gas on the properties of MOVPE-grown GaN and GaN/AlGaN MQWs:a comparison of H2 to N2 as a carrier gas
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 141-143

著者名 論文標題
M. Yano, T. Detchprohm, R. Nakamura, S. Sano, H. Amano, and I. Akasaki Heteroepitaxy and characterization of GaN with Low Dislocation Density on Periodically Grooved Sapphire Substrate
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 292-295

著者名 論文標題
S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki Dynamical process of mass transport in GaN
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 328-330

著者名 論文標題
C. Wetzel, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki Excitation spectroscopy and level assignment in piezoelectric Ga1-xInxN/GaN quantum wells
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 510-515

著者名 論文標題
S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki Effect of impurity doping on the mechanical properties of AlxGa1-xN ternary alloys
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 640-643

著者名 論文標題
M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki High-efficiency GaN/AlxGa1-xN multi-quantum well light emitter grown on low-dislocation density AlxGa1-xN
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 833-836

著者名 論文標題
W. W. Chow, H. Amano and I. Akasaki On the feasibility of fundamental-mode operation in unstable-resonator InGaN lasers
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 895-898

著者名 論文標題
R. Mouillet, C. Pernot, Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki Optical Property of an AlGaN/GaN Hetero-Bipolar-Phototransistor
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 973-976

著者名 論文標題
A. Hirano, C. Pernot, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki Solar-Blind AlGaN PIN Hetero Junction Photodiode
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2000, Nagoya, Japan (IPAP, Tokyo, 2000)   2000 911-914

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Amano, I. Akasaki The Effect of Isoelectronic In-Doping on the Structural and Optical Properties of (Al) GaN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS   2000 52-53

著者名 論文標題
I. Akasaki Renaissance and Progress in Research on Nitride Semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
Proceedings of The 19th Symposium on Materials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology Hosei University   2000  

著者名 論文標題
M Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, T. Detchprohm, H. Amano, I. Akasaki, A. Hirano, and C. Pernot High-quality AlxGa1-xN using low temperature-interlayer and its application to UV detector
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Soc. Symp. 595 2000 W1.10.1-W1.10.6

著者名 論文標題
Y. Takeda, M. Tabuchi, H. Amano, and I. Akasaki Characterization of Group-III Nitride Semiconductors by X-Ray CTR Scattering and Reflectivity Measurements
雑誌名 発行年 ページ
The Rigaku Journal 17(20) 2000  

著者名 論文標題
I. Akasaki Progress in crystal growth of nitride semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Crystal Growth 221 2000 231-239

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, T. Kashima, M. Kosaki, Y. Yukawa, H. Amano, I. Akasaki Control of crystalline quality of MOVPE-grown GaN and(Al, Ga)N/AlGaN MQW using In-doping and/or N2 carrier gas
雑誌名 発行年 ページ
Journal of Crystal Growth 221 2000 327-333

著者名 論文標題
I. Akasaki Renaissance and Progress in Nitride Semiconductors
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1   2001 1-6

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Nitta, H. Amano, and I. Akasaki Effect of carrier gas on the properties of MOVPE-grown GaN and GaN/AlGaN MQWs: a comparison of H2 to N2 as a carrier gas
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1   2001 141-143

著者名 論文標題
M. Yano, T. Detchprohm, R. Nakamura, S. Sano, S. Mochizuki, T. Nakamura, H. Amano and I. Akasaki Heteroepitaxy and characterization of GaN with low dislocation density on periodically grooved sapphire substrate
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1   2001 292-295

著者名 論文標題
S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano and I. Akasaki Dynamical Process of Mass Transport in GaN
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1   2001 328-330

著者名 論文標題
S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki Effect of Impurity Doping on the Mechanical Properties of AlxGa1-xN Ternary Alloys
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1   2001 640-643

著者名 論文標題
M. Iwaya, R. Nakamura, S. Terao, T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki High-Efficiency GaN/AlxGa1-xN Multi-Quantum Well Light Emitter Grown on Low-Dislocation Density AlxGa1-xN
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1   2001 833-836

著者名 論文標題
T. Detchprohm, M. Yano, S. Sano, R. Nakamura, S. Mochizuki, T. Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki Heteroepitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Periodically Grooved Substrates: A New Approach for Growing Low-Dislocation-Density GaN Single Crystals
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 20(2/1A/B) 2001  

著者名 論文標題
M. Iwaya, S. Terao, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki Defect and stress control of AlxGa1-xN and fabrication of high-efficiency UV-LED
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   2001 77-78

著者名 論文標題
S. Yamaguchi, M. Kariya, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Mochizuki, T. Nakamura, H. Amano, and I. Akasaki Strain and crystalline quality of nitride semiconductors:GaN, AlGaN, AlInN and multiple quantum well structures
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   2001 91-96

著者名 論文標題
M. Haino, A. Motogaito, H. Miyake, K. Hiramatsu, N. Sawaki, Y. Iyechika, T. Maeda, and I. Akasaki Fabrication and characterization of high quality buried tungsten metal structure by epitaxial-lateral-overgrown GaN via low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   2001 105-108

著者名 論文標題
S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki In-situ observation of fracture during grown of AlGaN on GaN
雑誌名 発行年 ページ
Proceedings of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   2001 109-112

著者名 論文標題
S. Nitta, Y. Yukawa, M. Kosaki, M. Iwaya, S. Yamaguchi, H. Amano, and I. Akasaki Mass transport in nitrides
雑誌名 発行年 ページ
Proceedings of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics   2001 113-116

著者名 論文標題
S. Terao, M. Iwaya, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki Fracture of AlxGa1-xN/GaN Heterostructure-Compositional and Impurity Dependence
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl, Phys 40 2001 L195-L197

著者名 論文標題
I. Akasaki and H. Amano Semiconductors and Semimetals High brightness light emitting diodes Edited by G. B. Stringfellow and M. G. Craford
雑誌名 発行年 ページ
ACADEMIC PRESS   1997 469

著者名 論文標題
I. Akasaki and H. Amano Semiconductors and Semimetals/Vol. 50 Gallium nitride (GaN)I, Edited by J. I. Pankove, T. D. Moustakas
雑誌名 発行年 ページ
ACADEMIC PRESS 50 1997 503

著者名 論文標題
I. Akasaki and H. Amano "Lasers" in Gallium Nitride (GaN)□ in Semiconductors and Semimetals, Vol 50, Chap. 15, ed. by J. I. Pankove and T. D. Moustakas, Academic Press, San Diego, U. S. A. 1998
雑誌名 発行年 ページ
ACADEMIC PRESS 50 1997 469

著者名 論文標題
I. Akasaki (Principal Editor) Progress in Visible Light Emitting
雑誌名 発行年 ページ
Diodes Display and Imaging (Jpn. ed. ) 8 2000  

著者名 論文標題
天野 浩, 赤崎 勇 格子不整合系のエピタキシャル成長の欠陥制御
雑誌名 発行年 ページ
共立出版 第7章 2000  

[図書]
著者名 出版者
C. Wetzel, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, H. Katoh, H. Amano, and I. Akasaki Blue Laser and Light Emitting Diodes II. eds. K. Onabe, K. Hiramatsu, K. Itaya, Y. Nakano, Tokyo, Japan: Ohmsha, 1998
書名 発行年 総ページ数
Piezoelectric field induced transitions in GaInN/GaN multiple quantum wells 1998 646-649

著者名 出版者
I. Akasaki Blue Laser and Light Emitting Diodes II. eds. K. Onabe, K. Hiramatsu, K. Itaya, Y. Nakano, Tokyo, Japan: Ohmsha, 1998
書名 発行年 総ページ数
Progress and prospects of group III nitride semiconductors 1998 9-13


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