平成１２年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要

プロジェクト・リーダー名	フリガナ	所属部局名	職名
押山　淳	おしやま　あつし	物理学系	教授

コア・メンバー名	フリガナ	所属研究機関名・所属部局名	職名
常行　真司	つねゆき　しんじ	東京大学物性研究所	助教授
塚田　捷	つかだ　まさる	東京大学大学院理学系研究科	教授
斎藤　晋	さいとう　すすむ	東京工業大学大学院理工学研究科	教授

研究協力者名	フリガナ	所属研究機関名・所属部局名	職名
白石　賢二	しらいし　けんじ	筑波大学物理学系	助教授
伊藤　智徳	いとう　とものり	三重大学工学部	教授
中山　隆史	なかやま　たかし	千葉大学理学部	教授

本プロジェクトは、量子力学の第一原理に立脚した全エネルギー・電子構造計算とそれに基づくシミュレーションにより、また、他プロジェクトの実験的研究との協力により、A．諸物質の表面・界面でのダイナミクスを原子スケールで解明し、B．半導体および関連物質の新構造・新機能創成技術の基礎となる知見を得る、ことを目的としてスタートした。成果は5種類に分類できる。1．第一原理計算による表面・界面ダイナミクス：工業上重要なSi、GaAsに着目し、エピタキシャル成長の素過程である、飛来原子の吸着・拡散・ステップからの結晶への取り込み、の原子スケールでの機構を解明した。またSi/SiO2界面形成の素過程を明らかにし、Si格子間原子の酸化膜中への拡散の可能性を初めて指摘した。2．第一原理計算に基づく微視的シミュレーション：1の第一原理計算の結果に基づいた、半導体エピタキシャル成長、酸化膜形成のシミュレーションを行った。特に酸化膜については、デバイスの微細化に伴う極薄膜形成の量子論に基づくシミュレーションに成功した。3．形成された表面・界面の物性：Si酸化膜の電気的特性と酸化膜中の欠陥との関連、また窒素と水素の共存による特性の向上の物理的機構を第一原理計算で明らかにした。また第一原理計算の予言能力を駆使して、半導体表面上あるいは非磁性元素のみを用いたナノ磁石の可能性を指摘した。4．第一原理計算による物質探索：未来材料としての炭素フラレン・ナノチューブの合成可能性、電子物性を第一原理計算で明らかにし、構造的特異性に根ざした新伝導体作成の可能性を示した。5．新計算手法の開発とその応用：電子励起による原子移動現象の機構解明のための「実時間密度汎関数法」を初めて開発し、半導体表面、半導体中欠陥での原子移動現象のミクロな機構を初めて明らかにした。また反射率差スペクトルの計算法を初めて開発し、表面同定に応用した。

[雑誌論文]

著者名	論文標題
Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"First principles study of Arsenic incorporation on a GaAs(001) surface during MBE growth"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Science		357/358	1996	451-454

著者名	論文標題
Tomonori Ito and Kenji Shiraishi	"A Monte Carlo simulation study on the structural change of the GaAs(001) surface during MBE growth"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Science		357/358	1996	486-489

著者名	論文標題
Tomonori Ito and Kenji Shiraishi	"A theoretical investigation of migration potentials of Ga adatom near kink and steps on GaAs (001)-(2x4) surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		35	1996	L949-L952

著者名	論文標題
Tomonori Ito and Kenji Shiraishi	"A theoretical investigation of migration potentials of Ga adatom near steps on GaAs (001)-c(4x4) surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		35	1996	L1016-L1018

著者名	論文標題
Y. Tateyama, T. Ogitsu, K. Kusakabe and S. Tsuneyuki	"Constant-pressure first-priciples studies on the transition states of the graphite-diamond transformation"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		54	1996	14994-15001

著者名	論文標題
S. Saito and M. L. Cohen	"Design of Solid C70 Conductor: Na2CsC70"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid State Commun		99	1996	891-896

著者名	論文標題
S. Saito	"Electronic Structure of Fullerenes and Fullereides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Quantum Theory of Real Materials			1996	pp.491-501

著者名	論文標題
S. Saito	"Electronic Structure of C and Si Fullerenes and Fullerides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Cluster Assembled Materials			1996	pp.233-246

著者名	論文標題
S. Saito	"Electronic Structure of Si20 Fullerene and Solid Si20"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Rev. Lett.		3	1996	721-728

著者名	論文標題
S. Saito and A. Oshiyama	"Electronic Structure of Si20 and C20 Fullerides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Symp. on Recent Advances in the Chemistry and Physics of Fullerenes and Related Materials		Vol.3	1996	p.457-461

著者名	論文標題
S. Saito, S. Okada, S. Sawada, and N. Hamada	"Electronic Structure, Structural Constituent Units, and Growth Mechanism of Fullerenes"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc: Symp. Science and Technology of Atomically Engineered Materials			1996	p.465-473

著者名	論文標題
S. Jeong and A. Oshiyama	"Adsorption and Diffusion of Si Adatom on Hydrogenated Si(100) surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. Lett.		79	1997	4425-4428

著者名	論文標題
A. Yokozawa, A. Oshiyama, Y. Miyamoto and S. Kumashiro	"Oxygen Vacancy with Large Lattice Distortion as an Origin of Leakage Currents in SiO2"
雑誌名		巻	発行年	ページ
IEDM Tech. Dig.,			1997	pp703-pp706

著者名	論文標題
A. Oshiyama	"Bistability of Oxygen Vacancy in Silicon Dioxides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 19th Int. Conf. Defects in Semiconductors			1997	pp1479-pp1484

著者名	論文標題
Y. Okamoto, M. Saito and A. Oshiyama	"Comparative Study of H2 Molecules in Si and GaAs"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		56	1997	R10016-R10019

著者名	論文標題
押山 淳	原子拡散のミクロ機構
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理学会誌		66	1997	678-684

著者名	論文標題
K. Takeda and K. Shiraishi	"Electronic Structures of Silicon Skeletal Materials. - toward designing of silicon quantum materials -"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Comments on Condensed Matter Physics		18	1997	91-138.

著者名	論文標題
H. Kageshima and K. Shiraishi	"Microscopic Mechanism for SiO2/Si Interface Passivation: Si=O Double Bond Formation"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		380	1997	61-65

著者名	論文標題
Tomonori Ito and Kenji Shiraishi	"Theoretical investigations of initial growth process on GaAs(001) surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Science		386	1997	241-244

著者名	論文標題
Tomonori Ito	"Theoretical investigations of thermodynamic stability of III-III-N semiconductor alloys"
雑誌名		巻	発行年	ページ
"Japanese journal of Applied Physics		36	1997	L1065-L1067

著者名	論文標題
Tomonori Ito and Kenji Shiraishi	"A theoretical investigation of stable lattice sites for In adatom on GaAs(001)-(2x4)surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		36	1997	L1525-L1527

著者名	論文標題
H. Kageshima and K. Shiraishi,	"Momentum-matrix-element calculation using pseudopotentials"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		56	1997	14985-14992

著者名	論文標題
K. Fukasaku, K. Takeda, and K. Shiraishi	"Electronic Structures of Protein Nanotubes"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phy. Soc. Jpn.		66	1997	3387-3390

著者名	論文標題
Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"Atomic and electronic structures of surface kinks on GaAs(001) surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		121/122	1997	98-101

著者名	論文標題
Tomonori Ito and Kenji Shiraishi	"Theoretical investigations of stable growth sites on GaAs(001) surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		121/122	1997	171-174

著者名	論文標題
Kiyotaka Komoku, Kenji Shiraishi, Tomonori Ito and Iwao Teramoto	"The stability of a GaAs(001)-(2x4) surface with Si adatoms"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		121/122	1997	175-178

著者名	論文標題
T. Kawai and K. Watanabe	"Vibration and Diffusion of Surface Atoms in Strong Electric Fields"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		382	1997	320-325

著者名	論文標題
M. Murayama, T. Nakayama	"Effect of the Surface-Atomic Positions on RDS Spectra of [001]-GaAs beta2 Structure"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	L268-L271

著者名	論文標題
H. Nishizawa, T. Nakayama	"Magneto-Optic Anisotropy Effect on Photonic Band Structure"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn.		66	1997	613-617

著者名	論文標題
T. Nakayama	"Reflectance Difference Spectra of Semiconductor Surfaces and Interfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Stat. Sol.		b202	1997	741-749

著者名	論文標題
M. Murayama, T. Nakayama	"Symmetry-induced Anisotropy of Two-Photon Absorption Spectra in Zinc-blende Semiconductors"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev.		B55	1997	9628-9636

著者名	論文標題
M. Ishikawa, T. Nakayama	"Theoretical Investigation of Geometry and Electronic Structure of Layered In2Se3"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		36	1997	L1576-L1579

著者名	論文標題
M. Ishikawa, T. Nakayama	"Electronic Structures of Vacancy-plane-superstructured Ga2Te3 and Ga2Se3"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Low Dimensional Structures		11	1997	95-102

著者名	論文標題
T. Nakayama, M. Ishikawa	"Bonding and Optical Anisotropy of Vacancy-ordered Ga2Se3"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn		66	1997	3887-3892

著者名	論文標題
T. Iijima and O. Sugino	"Molecular dynamics study of adatom diffusion on Si(100) surface: importance of the exchange mechanism"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf Sci.		391	1997	L1199-L1204

著者名	論文標題
Yasuharu Okamoto, Mineo Saito, and Atsushi Oshiyama	"Comparative study of virbational frequencies of H2 molecules in Si and GaAs"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		56	1997	R10016-R10019

著者名	論文標題
垣谷公徳, 加地博子, 吉森昭夫	Ru(001)表面における吸着PF3の回転運動
雑誌名		巻	発行年	ページ
真空		40	1997	898-905

著者名	論文標題
Y. Tateyama, T. Ogitsu, K. Kusakabe S. Tsuneyuki and N. Itoh	"Proposed Synthesis Path for Hetero-Diamond BC2N"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		55	1997	10161R-10164R

著者名	論文標題
S. Tsuneyuki, T. Ogitsu, Y. Tateyama, K. Kusakabe and A. Kikuchi	"Possible Synthesis of Heavily Doped Diamond from Li Intercalated Graphite"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Advances in High Pressure Research in Condensed Matter			1997	pp.104-108

著者名	論文標題
S. Okada and S. Saito	"Rhombohedral C60 polymer: A semiconducting solid carbon structure"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		55	1997	4039-4041

著者名	論文標題
斎藤 晋	「Siクラスターとその固体相の電子状態」
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		18	1997	128-133

著者名	論文標題
S. Saito	"Carbon Nanotubes for Next-Generation Electronics Devices"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Science		278	1997	77-78

著者名	論文標題
S. Saito	"Design of Fullerene-Based Solids and Fullerides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Fullerene Symposium in the 19lst Electro-chemical Society Meeting(Montreal, May 1997)		Vol.4	1997	p.1055-1062

著者名	論文標題
N. Hamada, H. Sawada, I. Solovyev, and K. Terakura	"Electronic band structure and lattice distortion in perovskite transition-metal oxides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physica B		237-238	1997	11-13

著者名	論文標題
S. Jeong, A. Oshiyama	"Barrierless Bond Breaking and Exchange Diffusion on Si(100)-H"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		130-132	1998	287-291

著者名	論文標題
A. Oshiyama	"Hole-Injection-Induced Structural Transformation of Oxygen Vacancy in α-Quartz"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Physics		37	1998	L232-L234

著者名	論文標題
M. Mikami and A. Oshiyama	"First-Principles Band-Structure Calculation of Yttrium Oxysulfide"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		57	1998	8939-8944

著者名	論文標題
M. Saito, A. Oshiyama, and Y. Miyamoto	"Atomic Structure and Phonon in the π bonded chain of the clean diamond(111)surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		57	1998	R9412-R9415

著者名	論文標題
S. Jeong, A. Oshiyama	"Novel Diffusion Mechanism of Si Adatom on H-terminated Si(100)Surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		58	1998	12958-12963

著者名	論文標題
T. Akiyama, A. Oshiyama and O. Sugino	"Magic Numbers of Multivacancies in Crystalline Si"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn.		67	1998	4110-4116

著者名	論文標題
N. Kitamura, A. Oshiyama and O. Sugino	"Atomic and Electronic Structures of Deformed Graphite"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn.		67	1998	3976-3984

著者名	論文標題
Y. Okamoto, M. Saito, and A. Oshiyama	"Hybrid Density Functional Study on Vibrational Frequency of a H2 Molecule at the Tetrahedral Site of Silicon"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		58	1998	7701-7706

著者名	論文標題
M. Mikami and A. Oshiyama	"First-Principles Study of Intrinsic Defects in Yttrium Oxysulfide"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		60	1999	1707-1715

著者名	論文標題
S. Jeong and A. Oshiyama	"Structural Stability and Adatom Diffusion at Steps on Hydrogenated Si(100)Surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. Lett.		81	1998	5366-5369

著者名	論文標題
押山 淳	半導体表面の成長機構と第一原理計算
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本結晶成長学会誌		19	1998	pp141-146

著者名	論文標題
Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"Ga adatom induced As rearrangement during GaAs epitaxial growth:self-surfactant effect"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		57	1998	6301-6304

著者名	論文標題
K. Takeda and K. Shiraishi	"Theoretical studies of the molecular and electronic structures of polyarsine"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		57	1998	6989-6997

著者名	論文標題
Tomonori Ito and Kenji Shiraishi	"Electron counting Monte Carlo simulation of the structural change of the GaAs(001)-c(4x4)surface during Ga predeposition"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		37	1998	L262-L264

著者名	論文標題
H. Kageshima and K. Shiraishi	"First-Principles Study of Photoluminescence from Silicon/Silicon-Oxide Interfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		486	1998	337-342

著者名	論文標題
H. Motoyama, K. Takeda, and K. Shiraishi	"Electronic Structures of Halogenated Polysilanes"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		486	1998	385-390

著者名	論文標題
H. Kageshima and K. Shiraishi	"First-Principles Study of Interfacial Reaction Atomic Process at Silicon Oxidation"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		492	1998	195-200

著者名	論文標題
H. Kageshima and K. Shiraishi	"Theoretical study of the band offset at silicon-oxide/silicon interfaces with interfacial defects"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		407	1998	133-139

著者名	論文標題
H. Kageshima and K. Shiraishi,	"Silicon-kicking-out mechanism in initial oxide formation on hydrogen-terminated silicon(100)surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		130-132	1998	176-181

著者名	論文標題
Tomonori Ito, Kenji Shiraishi, Hiroyuki Kageshima and Yasuo Y. Suzuki	"A theoretical investigation of the potential for inter-surface migration of Ga adatoms between GaAs(001)and(111)B surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		37	1998	L488-L491

著者名	論文標題
A. Kawaharazuka, K. Shiraishi and Y. Horikoshi	"Electric Field Induced Recombination Centers in GaAs"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	1622-1625

著者名	論文標題
Tomonori Ito	"Empirical interatomic potentials for nitride compound semiconductors"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		37	1998	L574-L576

著者名	論文標題
Tomonori Ito	"Simple criterion for wurtzite-zinc-blende polytypism in semiconductors"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		37	1998	L1217-L1220

著者名	論文標題
Kenji Shiraishi, Yasuo Y. Suzuki, Hiroyuki Kageshima and Tomonori Ito	"Theoretical investigation of inter-surface diffusion on non-planar GaAs surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		130/132	1998	431-435

著者名	論文標題
Tomonori Ito and Kenji Shiraishi	"Theoretical investigations of adsorption behavior on GaAs(001)surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		37	1998	4234-4243

著者名	論文標題
K. Fukasaku, K. Takeda, and K. Shiraishi	"First-Principles Study on Electronic Structures of Protein Nanotubes"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn.		67	1998	3751-3760

著者名	論文標題
Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"Theoretical investigation of the adsorption behavior of Si adatoms on GaAs(001)-(2x4)surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese journal of Applied Physics		37	1998	1.L1211-L1213.

著者名	論文標題
伊藤智徳	GaAs(001)表面薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		19	1998	665-671

著者名	論文標題
白石賢二	化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		19	1998	154-160

著者名	論文標題
Hiroyuki Kageshima, and Kenji Shiraishi	"First-principles study of oxide growth on Si surfaces and at SiO2/Si interfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. Lett.		81	1998	5936-5939

著者名	論文標題
T. Kawai, K. Watanabe and K. Kobayashi	Ab Initio Study on Interaction between Carbon Atom and Si(100) Surface in Strong Electric Fields,
雑誌名		巻	発行年	ページ
Ultramicroscopy		73	1998	205-210

著者名	論文標題
M. Ishikawa, T. Nakayama	Stacking and Optical Properties of Layered In_2Se_3
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	L1125-L1127

著者名	論文標題
M. Murayama, K. Shiraishi, T. Nakayama	Reflectance Difference Spectra Calculations of GaAs(001)As-and Ga-rich Reconstruction Surface Structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		37	1998	4109-4114

著者名	論文標題
Mineo Saito, Atsushi Oshiyama, and Yoshiyuki Miyamoto	Atomic structure and phonons in the pi-bonded chain of the clean diamond(111)surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		57	1998	R9412-R9415

著者名	論文標題
Y. Yagi, K. Kakitani, H. Kaji and A. Yoshimori	Theoretical analysis of thermal desorption spectra of hydrogen adsorbed on Si(100)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the second symposium on atomic-scale surface and interface dynamics			1998	pp.159-164

著者名	論文標題
H. Aizawa and S. Tsuneyuki	"First-principles study of CO bonding to Pt(111): validity of the Blyholder model"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Sci.		399	1998	L364-L370

著者名	論文標題
A. Kikuchi and S. Tsuneyki	"Electronic structure and charge density wave state in polytypes of NbSe2"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		409	1998	458-464

著者名	論文標題
Y. Tateyama, T. Ogitsu, K. Kusakabe and S. Tsuneyuki	"First-Principles Study on High-Pressure Synthesis of Hetero-Diamond BC2N"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Review of High Pressure Science and Technology, Proc. of Int. Conf. on High Pressure Science and Technology		7	1998	187-189

著者名	論文標題
K. Kusakabe, Y. Tateyama, T. Ogitsu and S. Tsuneyuki	"Can Corrugated Si-Planes of CaSi2 Flatten under High Pressure?"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Review of High Pressure Science and Technology Vol. 7, Proc. of Int. Conf. on High Pressure Science and Technology		7	1998	193-195

著者名	論文標題
Y. Tateyama, K. Kusakabe, T. Ogitsu and S. Tsuneyuki	"Electronic States of BC2N Heterodiamond(111)Superlattices"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials - 1997, Materials Science Forum		Vols. 264-268	1998	311-314

著者名	論文標題
T. Ogitsu, T. M. Briere, K. Kusakabe, S. Tsuneyuki and Y. Tateyama	"First-Principles Study of the Ortho-KC60 polymer"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		58	1998	13925-13930

著者名	論文標題
T. Ogitsu, K. Prassides, K. Tanigaki, K. Kusakabe, and S. Tsuneyuki	"First-Principles Study of Polymerized Alkali-Fullerene Compounds"
雑誌名		巻	発行年	ページ
'Electronic Properties of Novel Materials',			1998

著者名	論文標題
T. Ogitsu, S. Margadonna, K. Prassides, K. Tanigaki, K. Kusakabe and S. Tsuneyuki	"FIRST-PRINCIPLES STUDY OF ALKALI-DOPED FULLERENE POLYMERS"
雑誌名		巻	発行年	ページ
'Recent Advances in the Chemistry and Physics of Fullerenes and Related Materials'		6		p.666

著者名	論文標題
常行真司、館山佳尚	「BCNヘテロダイヤモンドの理論設計」
雑誌名		巻	発行年	ページ
高圧力の科学と技術		8	1998	268-272

著者名	論文標題
Y. -K. Kwon, D. Tomanek, Y. H. Lee, K. H. Lee, and S. Saito	"Do carbon nanotubes spin when bundled?"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Mat. Res.		13	1998	2363-2367

著者名	論文標題
Y. -K. Kwon, S. Saito, and D. Tomanek	"Effect of intertube coupling on the electronic structure of carbon nanotube ropes"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		58	1998	R13314-R13317

著者名	論文標題
斎藤 晋	ストラティファイド素材の展望
雑誌名		巻	発行年	ページ
金属		68	1998	475-482

著者名	論文標題
斎藤 晋	“クラスレート化合物およびアモルファスシリコンの電子状態とSi20正12面体クラスター"
雑誌名		巻	発行年	ページ
まてりあ(日本金属学会誌)		37	1998	601-605

著者名	論文標題
S. Saito	"Electronic Structure and Energetics of Polymerized Fullerenes and Fullerides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials			1998	pp. 301-305

著者名	論文標題
S. Saito, S. G. Louie, and M. L. Cohen	"Tight-Binding Formalism for Ionic Fullerides and its Application to Alkali-C60 Polymers"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Materials Research Society Fall Meeting			1998	pp. 395-399

著者名	論文標題
S. Saito and S. Okada	"Energetics of Two-Dimensionally Polymerized C60 Materials"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Electronic Properties of Novel Materials: Proc. XII International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials			1998	pp.198-202

著者名	論文標題
S. Saito and F. Yabe	"Electronic Structure and Stabilities of Fullerene-Alkali-Metal Complex Clusters"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Fullerene Symposium in the 193rd Electrochemical Society Meeting		Vol. 6	1998	pp. 8-20

著者名	論文標題
S. Jeong and A. Oshiyama	"Complex Diffusion Mechanism of a Silicon Adatom on Hydrogenated Si(100) Surfaces: On terraces and near Steps"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci		433-435	1999	481-485

著者名	論文標題
M. Saito, Y. Miyamoto and A. Oshiyama	"Stability and Lattice Vibrations of the Clean Diamond (111) Surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		427-428	1999	53-57

著者名	論文標題
S. Okada, S. Saito, A. Oshiyama	"New Metallic Crystalline Carbon: Three-Dimensionally Polymerized C60 Fullerite"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. Lett.		83	1999	1986-1989

著者名	論文標題
S. Jeong and A. Oshiyama	"Energetics and Kinetics for Si-Ge Intermixing on Ge-adsorbed Hydrogenated Si(001) Surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Sci. Lett.		436	1999	L666-L670

著者名	論文標題
T. Akiyama and A. Oshiyama	"Magic Numbers of Multivacancy in Si and Its Hydrogen Decoration"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 20th Int. Conf. Defects in Semiconductors (Berkeley, USA, 1999)Physica		B 273-274	1999	516-519

著者名	論文標題
M. Saito, Y. Okamoto and and and A. Oshiyama	"Vibration of Hydrogen Molecules in Semiconductors: Anharmonicity and Electron Correlation"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 20th Int. Conf. Defects in Semiconductors (Berkeley, USA, 1999) Physica B		273-274	1999	196-199

著者名	論文標題
T. Akiyama, Y. Okamoto, M. Saito and A. Oshiyama	"Multivacancy and Its Hydrogen Decoration in Crystalline Si"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L1363-L1365

著者名	論文標題
K. Umemoto, S. Saito and A. Oshiyama	"Electronic Structure of K3Ba3C60 and Rb3Ba3C60 Superconductors"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		60	1999	16186-16191

著者名	論文標題
S. Jeong and A. Oshiyama	"Chemical Difference in Surface Diffusion: Si and Ge Adsorption at the DB Step on the Hydrogenated Si(100) Surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev B		60	1999	R11269-R11272

著者名	論文標題
S. Okada and A. Oshiyama	"Ferromagnetic Electronic Structures of Ga Wires on Si(001) Surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	4315-4317

著者名	論文標題
S. Okada, A. Oshiyama and S. Saito	"Nearly-Free-electron States in Carbon-Nanotube Solids"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		62	2000	7634-7638

著者名	論文標題
S. Okada and A. Oshiyama	"Magnetic Ordering of Ga Wires on Si(100) Surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		62	2000	R13286-R13289

著者名	論文標題
押山 淳	原子拡散のミクロンな機構
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		68	1999	1167-1170

著者名	論文標題
押山 淳	水素化 Si(100)面上のステップ構造と IV 族アドアトムの拡散
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本結晶成長学会誌		20	1999	690-695

著者名	論文標題
押山 淳	第一原理計算で探る半導体エピタキシャル成長
雑誌名		巻	発行年	ページ
BUTSURI(日本物理学会誌)		54	1999	954-961

著者名	論文標題
Yoshihiro Kobayashi, Koji Sumitomo, Kenji Shiraishi, Tuneo Urisu, Toshio Ogino	"Control of surface composition on Ge/Si(001) by atomic hydrogen irradiation"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		436	1999	9-14

著者名	論文標題
T. Endo, Y. Sugimoto, K. Takeda, and K. Shiraishi,	"Electronic structures of polysilanes having pyrrole and thiophene groups"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Synthetic Metals		98	1999	161-172

著者名	論文標題
E. Yamaguchi, K. Shiraishi, and H. Kageshima	"Level-Resonance Transition of Deep States Produced by Nitrogen Vacancies in Nitride Semiconductors"
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. stat. sol.		b 211	1999	157-161.

著者名	論文標題
Y. Kobayashi, K. Sumitomo, K. Shiraishi, and T. Ogino	"H-induced surface chemistry on Ge/Si(100)2x1: Observation by Infrared Reflection Spectroscopy in UHV"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 12th International Conference on Fourier Transform Spectroscopy			1999	p.147-150

著者名	論文標題
Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"First-principles investigation of Ga adatom migration on the GaAs(111)A surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Crystal Growth		201/202	1999	73-76

著者名	論文標題
N. Oyama, E. Ohta, K. Takeda, K. Shiraishi and H. Yamaguchi	"First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Structures of Misfit Dislocations in InAs/GaAs(110) and GaAs/InAs(110) Heteroepitaxies"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		201/202	1999	256-259

著者名	論文標題
K. Shiriaishi, M. Nagase, S. Horiguchi, and H. Kageshima	"Theoretical Investigation of Effective Quantum Dots Induced by Strain in Semiconductor Wires"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Symp. Proc.		536	1999	533-538

著者名	論文標題
寒川義裕, 桑野範之, 沖憲典, 伊藤智徳	原子間ポテンシャルを用いたInGaAs/(110)InP混 晶中に出現する CuAu-I型規則構造形成機構の理論的解析
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本金属学会誌		63,(6)	1999	pp.741-746

著者名	論文標題
Kenji Shiraishi, Tomonori Ito, Yasuo Y. Suzuki, Hiroyuki Kageshima, Kiyoshi Kanisawa and Hiroshi Yamaguchi	"Microscopic investigation of the surface phase transition on GaAs(001) surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Sci.		433-435	1999	382-386

著者名	論文標題
N. Oyama, E. Ohta, K. Takeda, K. Shiraishi, and H. Yamaguchi	"First-Principles Studies of the Misfit Dislocations in the InAs/GaAs(110) Heteroepitaxy"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.			1999	900-903

著者名	論文標題
Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"Stable adsorption sites and potential-energy surface of a Ga adatom on a GaAs(111)A surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		60	1999	11509-11513

著者名	論文標題
Kohji Sumitomo, Yoshihiro Kobayashi, Tomonori Ito and Toshiro Ogino	"Ge segregation mechanism during Si/Ge multilayer growth"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		357	1999	76-80

著者名	論文標題
Tomonori Ito, Kenji Shiraishi and Akihito Taguchi	"Quantum mechanical simulation of thin film growth based on bond engineering"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the 4th International Symposium on Microstructures and Mechanical Properties of New Engineering Materials			1999	pp.187-192

著者名	論文標題
Atsushi Mori, Tomonori Ito, Tomoichiro Toyama and Nobuhide Kasae	"Computational study of InGaN phase separation"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Advanced Materials Development & Performance		2	1999	714-717

著者名	論文標題
小林慶裕、白石賢二、住友弘二、荻野俊郎	水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		20	1999	696-702

著者名	論文標題
Hiroyuki Kageshima and Kenji Shiraishi	"Relation between oxide growth direction and stress on silicon surfaces and at silicon-oxide/silicon interfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		438	1999	102-106

著者名	論文標題
Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi, and Masashi Uematsu	"Universal Theory of Si Oxidation Rate and Importance of Interfacial Si Emission"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L971-L974

著者名	論文標題
K. Watanabe, M. Shindo, K. Tada and K. Kobayashi	Structures and Electronic Properties of Si_nC_5-n Clusters in Electric Fields
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	5270-5273

著者名	論文標題
I. Nakajima, T. Kawai and K. Watanabe	First-Principles Determination of Potential Barriers for Field Emissions from Atomic-Scale Structures
雑誌名		巻	発行年	ページ
First-Principles Determination of Potential Barriers for Field Emissions from Atomic-Scale Structures		433-435	1999	868-872

著者名	論文標題
C. Kanai, K. Watanabe and Y. Takakuwa	Ab Initio Study of Hydrogen Desorption from Diamond C(100) Surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	L783-L785

著者名	論文標題
T. Nakayama, M. Murayama	Tight-binding-calculation Method and Physical Origins of Reflectance Difference Spectra of Semiconductor Surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		38	1999	3497-3503

著者名	論文標題
Mineo Saito, Yasuharu Okamoto, Atsushi Oshiyama, and Toru Akiyama	Vibration of hydrogen molecules in semiconductors: anharmonicity and electron correlation
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physica B condensed matter		Vol.273-274	1999	196-199

著者名	論文標題
杉野修、Byung Deok Yu	電極の界面構造・安定性の設計
雑誌名		巻	発行年	ページ
日本応用物理学会 応用物理			1999

著者名	論文標題
Toru Akiyama, Yasuharu Okamoto, Mineo Saito, and Atsushi Oshiyama	Multivacancy and lts Hydrogen Decoration in Crystalline Si
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		Vol.38	1999	L1363-L1365

著者名	論文標題
Osamu Sugino and Yoshiyuki Miyamoto	Density-fucntional approach to electron dynamics: Stable simulation under a self-consistent field
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		59	1999	2579-2586

著者名	論文標題
M. P. Jigato, D. A. King and A. Yoshimori	The Chemisorption of Spin Polarised NO on Ag(111)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Chemical Phys. Letters		300	1999	639-644i

著者名	論文標題
H. Aizawa, S. Tsuneyuki and T. Ogitsu	"Population analysis study of etching processes at Si(100) surfaces with adsorbed halogens and hydrogens"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Sci.		438	1999	18

著者名	論文標題
辰巳夏生、松本益明、相澤秀昭、常行真司、福谷克之、岡野達雄	「Pt(111)表面上のNO分子の吸着構造」
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Vac. Soc. Jpn. (真空)		42	1999	572-576

著者名	論文標題
S. Okada and S. Saito	"Electronic structure and energetics of pressure-induced two-dimensional C60 polymers"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		59	1999	1930-1936

著者名	論文標題
Y. Shimakawa, Y. Kubo, N. Hamada, J. D. Jorgensen, Z. Hu, and S. Short	Crystal structure, magnetic and trnsport properties, and electronic band structure of A2Mn2O7 pyrochlores(A=Y, In, Lu and Tl)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		59	1999	1249-1254

著者名	論文標題
A. Yanase and N. Hamada	Electronic structure in high temperature phase of Fe3O4
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn		68	1999	1607-1613

著者名	論文標題
S. Okada, M. lgami, K. Nakada, and A. Oshiyama	"Border States in Hetero-Sheets with Hexagonal Symmetry"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		62	2000	9896-9899

著者名	論文標題
T. Akiyama and A. Oshiyama	"Stability and Vibrational Properties of Multivacancy-Oxygen Complexes in Crystalline Si"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 25th Int. Conf. Physics of Semiconductors			2000

著者名	論文標題
J. W. Jeong and A. Oshiyama	"Microscopic Mechanisms of Boron Diffusion in Crystalline Silicon"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 25th Int. Conf. Physics of Semiconductors			2000

著者名	論文標題
S. Okada and A. Oshiyama	"Nano-scale Ferromagnets on Semiconductors: Ga Adsorbates on Si(100) Surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. 25th Int. Conf. Physics of Semiconductors			2000

著者名	論文標題
Tomonori Ito	"Systematic Investigations of Ther-modynamic Stability of Nitride Semiconductor Alloys"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physica status Solidi b		217	2000	R7-R9

著者名	論文標題
H. Tamura, K. Shiraishi, and H. Takayanagi	"Ferromagnetism in semidonductor dot arrays"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L241-L243

著者名	論文標題
K. Shiraishi, M. Nagase, S. Horiguchi, H. Kageshima, M. Uematsu, Y. Takahashi, and K. Murase	"Designing of Silicon Effective Quantum Dots by Using Oxidation-Induced Strain: A Theoretical Approach"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physica E		7	2000	337-341

著者名	論文標題
Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"First-principles study of the elemen-tal process of the epitaxial growth on a GaAs(111)A surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physical Review B		61	2000	12670-12673

著者名	論文標題
Kohji Sumitomo, Kenji shiraishi, Yoshihiro Kobayashi, Tomonori Ito and Toshiro Ogino	"Surface segregation and interdiffu-sion of Ge on Si(001) studied by Medium-Energy Ion Scattering"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Thin Solid Films		369	2000	112-115

著者名	論文標題
Yoshihiro Kangawa, Noriyuki Kuwano, Kensuke Oki and Tomonori Ito,	"Numerical calculation with empirical interatomic potential for formation mechanism of CuAu-I type ordered structure in InGaAs/(110)InP"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science		159-160	2000	368-373

著者名	論文標題
Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"Self-surfactant effect of As on a GaAs(111)A surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Applied Surface Science			2000	PP.354-358

著者名	論文標題
Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"Stable Microstructures on a GaAs(111)A Surface: The Smallest Unit for Epitaxial Growth"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Japanese Journal of Applied Physics		39	2000	4270-4274

著者名	論文標題
Yoshihiro Kangawa, Tomonori ito, Atsushi Mori and Akinori Koukitsu	"Anomalous behavior of excess energies of InGaN"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Crystal Growth		220	2000	401-404

著者名	論文標題
K. Okajima, K. Takeda, N. Oyama, E. Ohta, K. Shiraishi, and T. Ohno	"Phenomenological Theory of Semiconductor Epitaxial Growth with Misfit-Dislocations"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L917-L920

著者名	論文標題
K. Shiraishi, H. Kageshima and M. Uematsu	"Phenomenological Theory on Si Layer-by-Layer Oxidation with Small Interfacial Islands"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L1263-L1266

著者名	論文標題
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Atsushi Mori and Akinori Koukitsu,	"Empirical interatomic potential calculation for compositional instability of III-V nitride alloys in lattice mismatch systems"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors		Series 1	2000	p.681-684.

著者名	論文標題
白石賢二	シリコン表面プロセスにおける水素の役割と挙動
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		69	2000	15-21

著者名	論文標題
白石賢二、小山紀久、岡島康、武田京三郎、山口浩司、伊藤智徳、太田英二	半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 --マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係--
雑誌名		巻	発行年	ページ
結晶成長学会誌		27	2000	250-256

著者名	論文標題
Hiroyuki Kageshima, Akihito Taguchi, and Kazumi Wada	"Theoretical investigation of nitrogen-doping effect in vacancy aggregation processes in Si"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Letts.		76	2000	3718-3720

著者名	論文標題
Masashi Uematsu, Hiroyuki Kageshima, and Kenji Shiraishi	"Unified Simulation of Silicon Oxidation Based on the Interfacial Silicon Emission Model"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L699-L702

著者名	論文標題
Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi, Hiroya Ikeda, Shigeaki Zaima, and Yukio Yasuda	"Selectivity rule for O adsorption position on dihydride Si(100) surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159-160	2000	14-18

著者名	論文標題
Masashi Uematsu, Hiroyuki Kageshima, and Kenji Shiraishi	"Simulation of high-pressure oxidation of silicon based on the interfacial silicon emission model"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L952-L954

著者名	論文標題
Masashi Uematsu, Hiroyuki Kageshima, and Kenji Shiraishi	"Oxidation simulation of (111) and (100) silicon substrates based on the interfacial silicon emission model"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	L1135-L1137

著者名	論文標題
Masashi Uematsu, Hiroyuki Kageshima, and Kenji Shiraishi	"Oxidation simulation of (111) and (100) silicon substrates based on the interfacial silicon emission model"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		89	2000	1948-1953

著者名	論文標題
影島博之、白石賢二、植松真司	解説 「Si/SiO2 界面形成における歪みの役割」
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		第21巻、第6号	2000	pp.361(43)-366(48)

著者名	論文標題
C. Kanai, K. Watanabe and Y. Takakuwa	Theory of Hydrogen Extraction from Hydrogenated Diamond Surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159-160	2000	599-602

著者名	論文標題
K. Sano, T. Nakayama	Monte Carlo Simulation of ZnSe/GaAs Heterovalent Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	4289-4291

著者名	論文標題
Y. Gohda, Y. Nakamura, K. Watanabe, and S. Watanabe	"Self-Consistent Density Functional Calculation of Field Emission Currents from Metals"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. Lett.		85	2000	1750-1753

著者名	論文標題
T. Nakayama, M. Murayama	Electronic Structures of Hexagonal ZnO/GaN Interfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth,		214/215	2000	299-303

著者名	論文標題
T. Nakayama, M. Murayama	Chemical Trend of Reflectance Difference Spectra of Anion-rich Compound Semiconductor Surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159/160	2000	260-264

著者名	論文標題
T. Nakayama, M. Murayama	Optical Response Spectra Calculation of Wide-gap ZnSe Surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		39	2000	4523-4524

著者名	論文標題
M. Ishikawa, T. Nakayama	Vacancy ordering/disordering and electronic structures of II_1III_2VI_4 compounds
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth		214/215	2000	452-456

著者名	論文標題
M. Murayama, T. Nakayama	A. Natori, Electronic Structures and the Charge Transfer of Au Overlayer on Si(111) Surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Surf. Sci.		159/160	2000	45-49

著者名	論文標題
村山美佐緒, 中山隆史	光を使った表面・界面の観測(反射率差分光の物理)
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		69	2000	1210-1214

著者名	論文標題
K. Ohmura, N. Aoki, T. Nakayama	Raman Spectra Calculation of Ordered-vacancy Ga_2Se_3 Compounds; Origin of Anisotropy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn.		69	2000	3860-3863

著者名	論文標題
T. Nakayama, M. Murayama	Atom-scale optical determination of Si-Oxide layer thickness during layer-by-layer oxidation: Theoretical study
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.,		77	2000	4286-4289

著者名	論文標題
Byung Deok Yu, Yoshiuyki Miyamoto, and Osamu Sugino	Efficient n-type doping of diamond using surfactant-mediated epitaxial growth
雑誌名		巻	発行年	ページ
Appl. Phys. Lett.		Vol.76	2000	976-978

著者名	論文標題
Yoshiuyki Miyamoto and Osamu Sugino	First-principles electron-ion dynamics of excited systems: H-terminated Si(111) surfaces,
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		62	2000	2039-2044

著者名	論文標題
吉森昭夫	表面科学の発展と応用物理(巻頭言)
雑誌名		巻	発行年	ページ
応用物理		70	2000	1155

著者名	論文標題
吉森昭夫	総論:表面・界面研究 表面・界面構造, 動的過程,様々な原子分解能顕微鏡法
雑誌名		巻	発行年	ページ
学術月報		53	2000	1254-1258

著者名	論文標題
S. Tsuneyuki, Y. Tateyama, T. Ogitsu and K. Kusakabe	"Theoretical Search for New Materials: Low-Temperature Compression of Graphitic Layered Materials"
雑誌名		巻	発行年	ページ
'Physics Meets Mineralogy'			2000	pp.299-307

著者名	論文標題
K. Umemoto, S. Saito, and A. Oshiyama	"Electronic structure of K3Ba3C60 and Rb3Ba3C60 superconductor"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		60	2000	16186-16191

著者名	論文標題
S. Okada and S. Saito	"Stable polymers of C74 and C78 fullerenes"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Chem. Phys. Lett.		321	2000	156-162

著者名	論文標題
K. Umemoto and S. Saito	"Electronic structure of the Ba4C60 superconductor"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B		61	2000	14204-14208

著者名	論文標題
K. Umemoto and S.Saito	"Hybridization between K and C60 Electronic States in Superconducting K3Ba3C60"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mol. Cryst. Liq. Cryst		340	2000	605-610

著者名	論文標題
S. Saito	"Electornic Properties of Potassium-Doped Carbon Nanotube Lattice"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Proc.		Vol.593	2000	pp.161-165

著者名	論文標題
N. Umezawa and S.Saito	"Excitation Spectra in the Time-Dependent Density-Functional Theory with Gradient Correction"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Mat. Res. Soc. Proc.		Vol.579	2000	pp.75-80

著者名	論文標題
S. Saito and K. Umemoto	"Electronic Structure of Body-Centered Lattice Fullerides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. XIV International Winterschool on Electronic Properties of Novel Materials		Vol.544	2000	pp.14-18

著者名	論文標題
M. Usuda and N. Hamada	Empirical LSDA+U study for electronic structure of hexagonal NiS
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn.		69	2000	744-748

著者名	論文標題
N. Hamada and H. Ihara	Electronic band structure of CuBa2Ca3Cu4O{10+x} (x=0, 1)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Physica B		284-288	2000	1073-1074

著者名	論文標題
H. Yanagi, S. Inoue, K. Ueda, H. Kawazoe, H. Hosono, and N. Hamada	Electronic structure and optoelectronic properties of transparent p-type conducting {CuAlO2}
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Appl. Phys.		88	2000	4159-4163

著者名	論文標題
N. Nakaoka, K. Tada, S. Watanabe, H. Fujita, and K. Watanabe	"Partitioned Real-Space Density Functional Calculations of Bielectrode Systems under Bias Voltage and Electric Field"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. Lett.		86	2001	540-543

著者名	論文標題
S. Jeong and A. Oshiyama	"Atomic and Electronic Structures of N-incorporated Si Oxides"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. Lett.		86	2001	3574-3577

著者名	論文標題
S. Okada, S. Saito, and A. Oshiyama	"Energetics and Electronic Structures of Carbon nanotubes Encapsulating C60"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. Lett.		86	2001	3835-3838

著者名	論文標題
S. Horiguchi, M. Nagase, K. Shiraishi, H. Kageshima, Y. Takahashi and K. Murase	"Mechanism of Potential Profile Formation in Silicon Single-Electron Transistors Fabricated Using Pattern-Dependent Oxidation"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jpn. J. Appl. Phys.		40	2001	L29-L32

著者名	論文標題
H. Tamura, K. Shiraishi, and H. Takayanagi	"Semiconductor Ferromagnetism in Quantum Dot Array"
雑誌名		巻	発行年	ページ
phys. Stat. sol.		b 224	2001	723-725

著者名	論文標題
宮本良之、杉野修	「電子励起後の原子移動と非断熱過程の第一原理計算」
雑誌名		巻	発行年	ページ
固体物理			2001

著者名	論文標題
H. Kaji, K. Kakitani and A. Yoshimori	Rotational motion of PF3 gear network on Ru(001)surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Sci.		473	2001	183-192

著者名	論文標題
T. Akiyama and A. Oshiyama	"First-principles Study of Multivacancy and Hydrogen Trapping in Silicon"
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Phys. Soc. Jpn.			2001	in press

著者名	論文標題
S. Okada, S. Saito, A. Oshiyama, and Y. Miyamoto	"Electronic Structure and Energetics of Carbon nanotubes Encapsulating C60"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proc. Int. Sympo. Nanonetwork Materials: Fullerenes, Nanotubes and Related Systems

著者名	論文標題
Tomonori Ito, Kenji Shiraishi and Akihito Taguchi	"A simple approach to structural stability of semiconductors and their interfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Jorurnal of Crystal Growth				in press

著者名	論文標題
Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi and Tomonori Ito	"First-principles study of Si incorpora-tion process on GaAs(111)A surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Journal of Crystal Growth			2001	in press

著者名	論文標題
Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi, Yoshihiro Kangawa and Tomonori Ito	"Theoretical investigations of adatom adsorptions on the As-stabilized GaAs(111)A surface"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Science			2001	in press

著者名	論文標題
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Akihito Taguchi, Kenji Shiraishi and Tadashi Ohachi	"A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Science			2001	in press

著者名	論文標題
Yoshihiro Kangawa, K. Wakizono, Noriyuki Kuwano and Tomonoti Ito	"Formation mechanism of Al segre-gated region in InAlAs/(110)InP"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Science				in press

著者名	論文標題
Yoshihiro Kangawa and Tomonori Ito	"A new empirical interatomic potential for compound semiconductors and its application to thermodynamic stabilities"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of 27th International Symposium on Compound Semiconductors				in press

著者名	論文標題
N. Miyagishima, K. Okajima, K. Takeda, N. Oyama, T. Ohno, K. Shiraishi and T. Ito	"Theoretical study on epitaxial growth of lattice-mismatched semiconductor systems"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the 25th Interbnational Conference on the Physics of Semiconductors				in press

著者名	論文標題
K. Shiraisi, H. Kageshima, and M. Uematsu,	"Microscopic mechanism of Si oxidation"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the 25th Interbnational Conference on the Physics of Semiconductors				in press

著者名	論文標題
H. Okamoto, M. Kasahara, K. Takeda, and K. Shiraishi	"Theoretical Possibility of Semiconductive Properties in Peptide Nanotubes"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Proceedings of the 25th Interbnational Conference on the Physics of Semiconductors				in press

著者名	論文標題
小山紀久, 岡島康, 武田京三郎, 白石賢二, 山口浩司, 伊藤智徳, 大野隆央	InAsGaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
雑誌名		巻	発行年	ページ
表面科学		22		印刷中

著者名	論文標題
C. Kanai, K. Watanabe and Y. Takakuwa	Ab Initio Calculations on Etching of Graphite and Diamond Surfaces by Atomic hydrogen
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. B,				in press

著者名	論文標題
T. Nakayama, K. Sano	Monte Carlo Simulation of Defect Formation in ZnSe/GaAs Heterovalent Epitaxy
雑誌名		巻	発行年	ページ
J. Cryst. Growth				in press

著者名	論文標題
M. Murayama, T. Nakayama, A. Natori	Electronic structures of sqrt3*sqrt3-Au/Si(111)surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Science				in press

著者名	論文標題
S. Sakurai, T. Nakayama	Cl adsorption process on Si(111)surfaces
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surf. Science				In press

著者名	論文標題
Yoshiyuki Miyamoto	Anti-bonding driving caused by electron emission: Halogen desorption from Si surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Solid State Communication				In press

著者名	論文標題
Mineo Saito and Osamu Sugino	"Anomalous temperature effect on the broad asymmetric Frank-Condon photoelectron spectrum of the C10 monocyclic ring cluster"
雑誌名		巻	発行年	ページ
Phys. Rev. A				in press

著者名	論文標題
K. Kakitani, A. Yoshimori, H. Aizawa and M. Tsukada	Theoretical analyses of Phase transition and Debaye-Waller factor of Si(111)-Ag surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Sci.				in press

著者名	論文標題
Y. Yagi, H. Kaji, K. Kakitani and A. Yoshimori	Thermal desorption in the lattice gas model: H adsorbed on Si(100)
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Sci.				in press

著者名	論文標題
H. Kaji, K. Kakitani and A. Yoshimori	Quantum rotational states of PF3 molecule pair on Ru(001) surface
雑誌名		巻	発行年	ページ
Surface Sci.				in press

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