平成12年度未来開拓学術研究推進事業研究成果報告書概要



1.研究機関名 九州大学
 
2.研究領域 理工
 
3.研究分野 原子スケール表面・界面ダイナミックス
 
4.研究期間 平成8年度〜平成12年度
 
5.研究プロジェクト番号 96P00202
 
6.研究プロジェクト名 シリコンメルト-結晶界面における母体原子・格子欠陥・不純物原子の動的挙動解明のための実験的理論的研究

7.プロジェクト・リーダー
プロジェクト・リーダー名 フリガナ 所属部局名 職名
今石 宣之 イマイシ ノブユキ 機能物質科学研究所 教授

8.コア・メンバー

コア・メンバー名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
柿本 浩一 カキモト コウイチ 九州大学・機能物質科学研究所 助教授
本岡 輝昭 モトオカ テルアキ 九州大学・大学院・工学研究院 教授
干川 圭吾 ホシカワ ケイゴ 信州大学・教育学部 教授

9.研究協力者

研究協力者名 フリガナ 所属研究機関名・所属部局名 職名
大嶋 隆一郎 オオシマ リュウイチロウ 大阪府立大学・先端科学研究所 教授
黄 新明 ファン シンミン 日本学術振興会研究員(信州大学・教育学部)  
王 育人 ワン ユーレン 日本学術振興会研究員(九州大学・機能物質科学研究所)  

10.研究成果の概要

1)マクロシミュレーション:SiCz炉の総合解析を行ない、熱・流動・酸素移動を定量解析した。磁場印加によるメルト流れと酸素濃度の制御法を提示した。
 2)マクロシミュレーション:大規模MD計算により、[001]方向の結晶引き上げでは固/液界面の{111}ファセットに伴うキンクサイトに融液原子が取り込まれて結晶成長するのに対し、[111]引き上げではダブルレイヤーの2次元核が横方向に伸びる2原子ステップのラテラル成長が支配的であること、固相と融液相の間に厚さ約1nmの遷移層が存在すること、結晶成長中の点欠陥形成は固/液界面での5輪環結合の発生に支配されることを示した。
 3)基礎物性:融液物性を精密測定し、密度異常は存在しないと結論付けた。酸素の偏析係数を0.8±0.1と決定した。酸素の融液中、結晶中の拡散係数、点欠陥の拡散係数を求めた。
 4)酸素不純物の気液界面透過速度と機構を実験およびシミュレーションにより明らかにした。
 5)X線トポグラフ装置を作製し、結晶の融解・固化過程での固液界面形状をその場観察し、固/液界面に転位が存在すると、転位部分から優先的に融解し界面は凹凸形状となること、無転位融解の場合は、平坦な形状を保持したまま融解が進行することを示した。また、高速融解時には、酸素析出物の周囲に形成された転位クラスター周囲での優先融解によるドロップレット形成を確認した。
 6)高分解能透過電子顕微鏡による界面のその場観察に成功し、2)のMD計算を裏付ける原子スケールの結晶成長過程を観察した。時間分解電界放射顕微鏡により、Si表面のB原子の表面拡散係数を決定した。
 7)ネッキングを必要としない、大型結晶に有利な、新規な無転位結晶成長技術を確立した。

11.キーワード

(1)シリコン結晶成長、(2)固液界面、(3)その場観察
(4)ミクロシミュレーション、(5)マクロシミュレーション、(6)点欠陥
(7)界面形状、(8)酸素不純物の挙動、(9)融液物性

12.研究発表(印刷中も含む)

[雑誌論文]
著者名 論文標題
牛正剛、向井楠宏、白石裕、日比谷孟俊、柿本浩一、小山正人 シリコン融液の表面張力に及ぼす酸素分圧の影響
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 Vol.23,No.5 1996 374-381

著者名 論文標題
K. Terashima, H. Nakanishi, S. Maeda, K. Abe, K. Hoshikawa and S. Kimura New Approach to CZ Si Growth-Fundamental Properties of Si Melt Doped with Impurities-
雑誌名 発行年 ページ
Proc. the 145th Committee on Processing and Characterization of Crystals   1996 64-71

著者名 論文標題
K. Abe, T. Matsumoto, S. Maeda H. Nakanishi, K. Hoshikawa, K. Terashima Oxygen Solubilities in Si Melts:influence of boron addition
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 181 1997 41-47

著者名 論文標題
K. Kakimoto H. Ozoe *Micro segregation of oxygen at a solid-liquid interface in silicon
雑誌名 発行年 ページ
Proc. the 1st Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March 13-14, Tokyo   1997 19-24

著者名 論文標題
K. Terashima, K. Abe, S. Maeda H. Nakanishi *Influence of boron addition on silicon melt -Oxygen solubility and evaporation from silicon melt surface-
雑誌名 発行年 ページ
Proc. the 1st Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March 13-14, Tokyo   1997 31-34

著者名 論文標題
T. Motooka *Molecular dynamics simulations of crystal growth from melted silicon
雑誌名 発行年 ページ
Proc. the 1st Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March 13-14, Tokyo   1997 25-29

著者名 論文標題
T. Motooka, S. Harada, M. Ishimaru Homogeneous amorphization in high-energy ion implanted Si
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. Lett. 78 1997 2980-2981

著者名 論文標題
M. Ishimaru, S. Munetoh T. Motooka *Generation of amorphous silicon structures by rapid quenching: A molecular-dynamics study
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B56 1997 15 133-15 138

著者名 論文標題
柿本浩一 液体金属シリコンの対流不安定性
雑誌名 発行年 ページ
日本物理学会誌 Vol.52,No.2 1997 90-96

著者名 論文標題
K. Kakimoto, M. Eguchi, H. Ozoe Bubble formation in silicon-quartz interface
雑誌名 発行年 ページ
The Science Reports of The Research Institutes Tohoku University, Series A 43 1997 47-49

著者名 論文標題
牛正剛、向井楠宏、白石裕、日比谷孟俊、柿本浩一、小山正人 シリコン融液の表面張力に及ぼす酸素と温度の影響
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 Vol.24,No.4 1997 369-378

著者名 論文標題
K. Kakimoto, M. Eguchi, H. Ozoe *Use of an inhomogeneous magnetic field for silicon crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 180 1997 442-449

著者名 論文標題
M. Watanabe, K. Kakimoto, M. Eguchi, T. Hibiya Modification of heat and mass transfers and their effect on the crystal-melt interface shape of Si single crystal during Czochralski crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 6181-6186

著者名 論文標題
K. Kakimoto, H. Noguchi, M. Eguchi Sensitivity of oxygen sensors in silicon melt to temperature fluctuation
雑誌名 発行年 ページ
J. Electrochemical Society. 144 1997 4045-4049

著者名 論文標題
M. Akamatsu, K. Kakimoto H. Ozoe *Effect of crucible rotation on the melt convection and the structure in a Czochralski method
雑誌名 発行年 ページ
Transport Phenomena in Thermal Science and Process Engineering 3 1997 637-642

著者名 論文標題
K. Kakimoto H. Ozoe *Magnetic field effects on melt convection during crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Proc. the 12th KACG Technical Meeting and the 4th Korea-Japan Electronic Materials Growth Symp.   1997 187-196

著者名 論文標題
S. Maeda, M. Kato, K. Abe, H. Nakanishi, K. Hoshikawa K. Terashima *Temperature Variation of the Surface of a Silicon Melt Due to Evaporation of Chemical Species I. Antimony Addition
雑誌名 発行年 ページ
J. Electrochemical Society 144 1997 3185-3188

著者名 論文標題
S. Maeda, M. Kato K. Abe, H. Nakanishi K. Hoshikawa K. Terashima *Analysis of Deposits Evaporated from Boron Doped Silicon Melt
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 36 1997 L971-L974

著者名 論文標題
W. C. Won, K. Kakimoto H. Ozoe *Transient analysis of melt flow under inhomogeneous magnetic fields
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 2nd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 26 February 1998   1997 57-62

著者名 論文標題
N. Imaishi, S. Yasuhiro *Three dimensional oscillatory flow in silicon melt half-zone
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 2nd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 26 February 1998   1997 63-68

著者名 論文標題
K. Hoshikawa, S. Sakai X. Huang *Measurement of oxygen dissolution rate from silica glass to silicon melt with sessile drop method
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 2nd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 26 February 1998   1997 69-74

著者名 論文標題
K. Hoshikawa, S. Sakai X. Huang *Analysis on oxygen evaporation and dissolution rate concerning with CZ Si crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 2nd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 26 February 1998   1997 75-80

著者名 論文標題
K. Terashima, H. Nakanishi, K. Abe S. Maeda *Variation of silicon melt properties -influence of boron addition-
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 2nd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 26 February 1998   1997 81-84

著者名 論文標題
K. Kakimoto, S. Kikuchi, H. Ozoe *Molecular dynamics simulation of oxygen in silicon melt
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 2nd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 26 February 1998   1997 85-90

著者名 論文標題
T. Motooka, M. Ishimaru, S. Munetoh *Defect formation during crystal growth from melted silicon
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 2nd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 26 February 1998   1997 91-96

著者名 論文標題
F. Watanabe, T. Motooka *Atomic scale dynamics of silicon at high temperatures
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 2nd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, 26 February 1998   1997 97-102

著者名 論文標題
S. H. Hahn, T. Tsukada, M. Hozawa, S. Maruyama, N. Imaishi, S. Kitagawa Global analysis of heat transfer in Si CZ furnace with specular and diffuse surfaces
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 191 1998 413-420

著者名 論文標題
大嶋隆一郎、堀 史説、上野武雄 矢口紀恵 *シリコンの融解-凝固過程の電子顕微鏡その場観察
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 25 1998 201-206

著者名 論文標題
R. Ohshima, F. Hori, M. Komatsu, H. Mori *Formation of stacking fault tetrahedra in silicon rapidly solidified from melt
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 L1430-L1432

著者名 論文標題
T, Motooka *The role of defects during amorphization and crystallization processes in ion implanted Si
雑誌名 発行年 ページ
J. Mater. Sci. & Eng. A253/1-2 1998 42-49

著者名 論文標題
M. Ishimaru, S. Munetoh, T. Motooka, K. Moriguchi, A. Shintani *Behavior of impurity atoms during crystal growth from melted silicon:carbon atoms
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 194 1998 178-188

著者名 論文標題
F. Watanabe, M. Arita, T. Motooka, K. Okano, T. Yamada *Diamond tip arrays for parallel lithography and data storage
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 194 1998 L562-L564

著者名 論文標題
M. Ishimaru, S. Munetoh, T. Motooka, K. Moriguchi, A. Shintani *Molecular-dynamics studies on defect formation processes during crystal growth of silicon from melt
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev B58 1998 12583-12585

著者名 論文標題
K. Kakimoto, H. Ozoe *Heat and mass transfer during crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Computational Materials Science 10 1998 127-133

著者名 論文標題
M. Akamatsu, K. Kakimoto H. Ozoe * Numerical computation for the secondary convection in a Czochralski crystal growing system with a rotating crucible and a static crystal rod
雑誌名 発行年 ページ
J. Materials Processing & Manufacturing Science 15 1998 329-348

著者名 論文標題
K. Kakimoto, H. Ozoe *Segregation of Oxygen at a solid/liquid interface in silicon
雑誌名 発行年 ページ
J. Electrochem. Soc. 145 1998 1692-1695

著者名 論文標題
柿本浩一, 末永英俊, 尾添紘之 *等温等圧下におけるシリコンの物性のシミュレーション
雑誌名 発行年 ページ
九州大学機能質科学研究所報告 第12巻第1号 1998 7-10

著者名 論文標題
H. Fukui, K. Kakimoto, H. Ozoe *The convection under an axial magnetic field in a Czochralski configuration, Advanced Computational Methods in Heat Transfer
雑誌名 発行年 ページ
Heat Transfer V. 27 1998 135-144

著者名 論文標題
K. Kakimoto Heat and mass transfer in silicon melt under magnetic fields
雑誌名 発行年 ページ
Book of the First International School on Crystal Growth Technology   1998 172-186

著者名 論文標題
X. Wu, K. Kakimoto, H. Ozoe, Z. Guo *Numerical study of natural convection in Czochralski crystallization
雑誌名 発行年 ページ
The Chemical Engineering Journal 71 1998 183-189

著者名 論文標題
H. Tomonari, M. Iwamoto, K. Kakimoto, H. Ozoe, K. Suzuki, T. Fukuda *Standing-oscillatory natural convection computed for molten silicon in a zochralski configuration
雑誌名 発行年 ページ
The Chemical Engineering Journal 71 1998 191-200

著者名 論文標題
Y. Yamanaka, K. Kakimoto, H. Ozoe, S. W. Churchill Rayleigh-Benard oscillatory natural convection of liquid gallium heated from below
雑誌名 発行年 ページ
The Chemical Engineering Journal 71 1998 201-205

著者名 論文標題
S. Nakamura, T. Hibiya, K. Kakimoto, N. Imaishi, S. Nishizawa, A. Hirata, K. Mukai, S. Yoda, T. Morita Temperature fluctuations of the Marangoni flow in a liquid bridge of molten silicon under microgravity on board the TR1-A-4 rocket
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 186 1998 85-94

著者名 論文標題
M. Akamatsu, K. Kakimoto. H. Ozoe *Numerical calculation of natural and mixed convection in a Czochralski crucible under transverse magnetic fields
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of 11th International Heat Transfer Conference Vol.3 1998 239-244

著者名 論文標題
S. Maeda, M. Kato, K. Abe, H. Nakanishi, K. Hoshikawa K. Terashima *Evaporation of Oxygen Bearing Species from Boron Doped Silicon Melt
雑誌名 発行年 ページ
J. Electrochemical Society 145 1998 2548-2552

著者名 論文標題
S. Maeda, M. Kato, K. Abe, H. Nakanishi, K. Hoshikawa K. Terashima *Oxygen Concentration in Czochralski Silicon Crystals depending on Silicon Monoxide Evaporation from Boron Doped Silicon Melt
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 192 1998 117-124

著者名 論文標題
S. Maeda, K. Takeuchi, M. Kato, K. Abe, H. Nakanishi, K. Hoshikawa K. Terashima *Morphology variations on inner surface of silica crucibles depending on oxygen concentration in silicon melts
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 194 1998 70-75

著者名 論文標題
K. Abe, T. Matsumoto, K. Terashima, S. Maeda, H. Nakanishi, K. Hoshikawa *Oxygen Solubilities in Si Melts:influence of carbon addition
雑誌名 発行年 ページ
J. Electrochemical Society 145 1998 319-322

著者名 論文標題
K. Abe, T. Matsumoto, S. Maeda, H. Nakanishi, K. Terashima *Fused quartz dissolution rate in silicon melts: influence of boron addition
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 186 1998 557-564

著者名 論文標題
H. Nakanishi, K. Nakazato, S. Asaba, K. Abe, S. Maeda, K. Terashima *Ring Depression technique for measuring surface tension of molten germanium
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 187 1998 391-396

著者名 論文標題
H. Nakanishi, K. Nakazato S. Asaba K. Abe, S. Maeda, K. Terashima *Temperature dependence of density of molten germanium measured by a newly developed Archimedian technique
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 191 1998 711-717

著者名 論文標題
K. Terashima, K. Abe, S. Maeda H. Nakanishi *Influence of boron addition into silicon melt on oxygen atom behavior in Cz pulling system:
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 191 1998 711-717

著者名 論文標題
X. Huang, K. Saitou, S. Sakai, K Terashima K. Hoshikawa *Analysis on oxygen transportation process concerning with CZ Si crystal growth by sessile drop method
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 L193-L195

著者名 論文標題
X. Huang, K. Saitou, S. Sakai, K. Terashima, K. Hoshikawa *Analysis of oxygen evaporation rate and dissolution rate concerning with CZ Si crystal growth: Effect of Ar pressure
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 3188-3193

著者名 論文標題
X. Huang, T. Nakazawa, K. Terashima, K. Hoshikawa *Silicon crystal growth under equilibrium condition of SiO2-Si-SiO system: Equilibrium oxygen segregation coefficient
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 37 1998 L1504-L1507

著者名 論文標題
N. Imaishi, C. J. Jing, S. Yasuhiro, Y. Akiyama, M. Li *Transport phenomena in Cz furnace
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 221-224

著者名 論文標題
T. Motooka, S. Munetoh, K. Nishihira *Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 225-228

著者名 論文標題
R. Oshima, F. Hori, M. Komatsu H. Mori, T. Kamino Y. Yaguchi *In situ TEM observation of melting of silicon
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 229-234

著者名 論文標題
F. Watanabe, S. Hirayama, K. Nishihira, T. Motooka *Silicon surface diffusion studied by field emission current fluctuations method
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 235-239

著者名 論文標題
Y. Wang K. Kakimoto *The dislocation behaviour in the vicinity of molten zone: an X-ray topography study on the melting of silicon
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 241-246

著者名 論文標題
K. Kakimoto H. Ozoe *Oxygen distribution at a solid-liquid interface of silicon under transverse magnetic fields
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 247-252

著者名 論文標題
X. Huang, K. Hoshikawa *In-situ observation of the interface at the Si melt/silica glass interface
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 253-257

著者名 論文標題
K. Terashima, H. Nakazato H. Nakanishi *Problems of Archimedean technique for measuring silicon melt density
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 259-262

著者名 論文標題
T. Taishi, X. Huang, K. Tearashima K. Hoshikawa *Segregation phenomena at solid-liquid interface of silicon crystal growth with heavy boron doping
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 263-267

著者名 論文標題
K. Terashima, M. Kato *Silicon melt convection in crucible with boron addition
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Symp. on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, March 4-5 1999, Fukuoka.   1999 269-272

著者名 論文標題
C. J. Jing, N. Imaishi, S. Yasuhiro, Y. Miyazawa *Three dimensional numerical simulation of spoke pattern in oxide melt
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 200 1999 204-212

著者名 論文標題
H. Nishizawa, F. Hori R. Oshima *Lattice defects in silicon rapidly solidified from the melt
雑誌名 発行年 ページ
Physica B 273-4 1999 383-386

著者名 論文標題
Y. Mizukoshi, R. Oshima, Y. Maeda, Y. Nagata Preparation of Platinum Nanoparticles by Sonochemical Reduction of the Pt(II)Ion
雑誌名 発行年 ページ
Langmuir 15 1999 2733-2737

著者名 論文標題
R. Oshima, T. A. Yamamoto, Y. Mizukoshi, Y. Nagata, Y. Maeda Electron Microscopy of Noble Metal Alloy Nanoparticles Prepared by Sonochemical Methods
雑誌名 発行年 ページ
Nanostructured Materials 12 1999 111-114

著者名 論文標題
F. Hori, A. Morita and R. Oshima Radiation-enhanced precipitation in FeCu(C) alloys studied by electron microscopy
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. Soc. Electron Microscopy 48 1999 585-589

著者名 論文標題
T. Fujimoto, Y. Mizukoshi, Y. Maeda, Y. Nagata, R. Oshima Study on Sonochemical Preparation and Phase Stability of Binary Alloy Nanoparticles from Aqueous Solution
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. Soc. Electron Microscopy 48 1999 585-589

著者名 論文標題
F. Hori, A. Morita, H. Nishizawa R. Oshima Formation of copper precipitate in FeCu and FeCuC alloys with irradiation
雑誌名 発行年 ページ
Proc. Int. Conf. on Solid-Solid Phase Transformations '99   1999 429-432

著者名 論文標題
F. Hori, T. Chijiiwa, R. Oshima, T. Hisamatsu Positron annihilation study of dopant effects on proton-irradiation defect in silicon
雑誌名 発行年 ページ
Physica B 273-4 1999 480-484

著者名 論文標題
F. Watanabe, M. Arita, T. Motooka, K. Okano, T. Yamada *Diamond Tip Arrays for Parallel Processing of Microelectromechanical Systems
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of Foresight Institute Meeting   1999  

著者名 論文標題
R. Durikovic, T. Motooka *Modeling Material Behavior: Molecular Dynamics Simulation and Visualization
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of Int. Conf. on Shape Modeling and Applications, IEEE Computer Society Press   1999 186-191

著者名 論文標題
M. Ishimaru T. Motooka *Molecular dynamics simulations of crystal growth from melted silicon: defect formation processes
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Symp. Proc 538 1999 247-250

著者名 論文標題
K. Kakimoto, S. Kikuchi H. Ozoe *Molecular dynamics simulation of oxygen in silicon melt
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 198 1999 114-119

著者名 論文標題
尾添紘之, 福井英人, 柿本浩一 *Cz 結晶成長融液への Z 軸磁場印加効果 電滋力を利用した材料プロセッシングの新展開
雑誌名 発行年 ページ
日本鉄鋼協会   1999 221-226

著者名 論文標題
柿本浩一, 梅原猛 尾添紘之 *等圧下におけるシリコン中の点欠陥の輸送現象
雑誌名 発行年 ページ
九州大学機能物質科学研究所報告 第13巻、第2号 1999 87-91

著者名 論文標題
K. Kakimoto *Macroscopic and microscopic mass transfer in silicon Czochralski method
雑誌名 発行年 ページ
Korean Association of Crystal Growth 9 1999 381-383

著者名 論文標題
M. Watanabe, K. W. Yi, T. Hibiya K. Kakimoto Direct observation and numerical simulation of molten silicon flow during crystal growth under magnetic fields by X-ray radiography and large-scale computation
雑誌名 発行年 ページ
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 38 1999 215-238

著者名 論文標題
Y. Wang, K. Kakimoto *Dislocation effect on crystal-melt interface: an in situ observation of the melting of silicon
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 208 1999 303-312

著者名 論文標題
Y. C. Won, K. Kakimoto, H. Ozoe *Transient three-dimensional flow characteristics of Si melt in a cusp-shaped magnetic field
雑誌名 発行年 ページ
Numerical Heat Transfer, Part A 36 1999 551-561

著者名 論文標題
H. Nakanishi, K. Nakazato, S. Asaba, K. Abe, S. Maeda, K. Terashima *Temperature dependence of density of molten germanium and silicon measured by a newly developed Archimedian technique
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 203 1999 75-79

著者名 論文標題
K. Terashima S. Nishimura *Variation of silicon melt convection in a crucible with boron addition
雑誌名 発行年 ページ
Solid State Phenomena 69-70 1999 473-478

著者名 論文標題
T. Taishi, X. Huang, M. Kubota, T. Kajigaya, T. Fukami, K. Hoshikawa *Heavily Boron-doped Silicon Single Crystal Growth: Boron Segregation
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L223-L225

著者名 論文標題
X. Huang, H. Kishi, S. Oishi, S. Sakai, H. Watanabe, K. Sanpei K. Hoshikawa *Expansion behavior of bubbles in silica glass concerning Czochralski Si growth
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L353-L355

著者名 論文標題
S. Sakai, X. Huang, Y. Okano K. Hoshikawa *Development of Sessile drop method concerning Czochralski Si growth
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 1847-1851

著者名 論文標題
大石修治, 岸 弘史 黄 新明, 干川圭吾 三瓶桂子, 渡部弘行 *シリコン結晶育成用るつぼに用いるシリカガラス中の気泡の挙動
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌. 26-3 1999 147-152

著者名 論文標題
X. Huang, K. Terashima, K. Hoshikawa *SiO Vapor Pressure in an SiO2 Glass/Si Melt/SiO Gas Equilibrium System
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L1153-L1155

著者名 論文標題
黄 新明、干川圭吾 *CZ-Si結晶成長における石英の溶解および酸素の偏析
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 26-5 1999 225-234

著者名 論文標題
K. Hoshikawa, X. Huang, T. Taishi, T. Kajigaya, T. Iino *Dislocation-Free Czochralski Silicon Crystal Growth without the Dislocation-Elimination-Necking Process
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 38 1999 L1369-L1371

著者名 論文標題
K. Nishihira T. Motooka *Molecular dynamics simulations of self-interstitial formation processes during crystal growth from melted Si
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 81-84

著者名 論文標題
R. Oshima, H. Nishizawa, F. Hori *Study on melting and rapidly solidified substructures of silicon by TEM
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 85-88

著者名 論文標題
K. Kakimoto *Crucible and crystal rotation effects on oxygen distribution at an interface between solid and liquid of silicon under transverse magnetic fields
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 89-94

著者名 論文標題
Y. Wang, K. Kakimoto *The shape of solid-melt interface estimeted from in-situ observation
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 95-100

著者名 論文標題
X. Huang, T. Taishi, I. Yonenaga K. Hoshikawa *Dislocation-free B-doped Si crystal growth without the Dash-necking process in the Czochralski method: Dislocation behavior in the growth interface
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 101-106

著者名 論文標題
K. Terashima, K. Kanno *Silicon melt density-Problems of Archimedean Technique-
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 107-112

著者名 論文標題
H. Nakanishi, K. Terashima *Surface tension variation of silicon melts by adding boron
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 113-117

著者名 論文標題
M. W. Li, N. Imaishi *Global simulation of a small silicon Cz furnace
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 119-122

著者名 論文標題
F. Watanabe, S. Hirayama, K. Nishihira, T. Motooka *Silicon surface diffusion studied by field emission current fluctuations method
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 123-128

著者名 論文標題
T. Taishi, X. Huang, T. Fukami K. Hoshikawa *Variations of growth interface resulting from occurrence of constitutional super-cooling in heavily boron-doped silicon single crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 4rth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, March, 1-2, Tsukuba.   2000 129-134

著者名 論文標題
CH. Jing, S. Yasuhiro, H. Suenaga, T. Sato N. Imaishi *Numerical simultion of oxide melt flow in a crucible with a constant temperature side wall
雑誌名 発行年 ページ
Thermal Sci. Eng. Vol.8,No.3 2000 1-8

著者名 論文標題
CH. Jing, T. Sato N. Imaishi, Y. Miyazawa *Three dimensional numerical simulation of oxide melt flow in Czochralski configuration
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 216 2000 372-388

著者名 論文標題
S. Yasuhiro, T. Sato, N. Imaishi, S. Yoda *Three dimensional Marangoni flow in liquid bridge of low Pr fluid
雑誌名 発行年 ページ
Space Forum 6 2000 39-48

著者名 論文標題
今石宣之 結晶成長炉のシミュレーション
雑誌名 発行年 ページ
シミュレーション 19 2000 91-93

著者名 論文標題
今石宣之、李明偉 塚田隆夫 *小型のシリコンCz炉内の酸素輸送とマランゴニ効果
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 27 2000 281-287

著者名 論文標題
R. Oshima, H. Nishizawa, F. Hori *In-situ HRTEM study on atomic behavior of liquid-solid interface of silicon
雑誌名 発行年 ページ
Proc. 3rd Int. Symp. on Adv. Sci. and Tech. Si Materials   2000 549-554

著者名 論文標題
Y. Mizukoshi, T. Fujimoto, Y. Nagata, R. Oshima Y. Maeda Characterization and Catalytic Activity of Core-shell Structured Gold/Palladium Bimetallic Nanoparticles Synthesized by the Sonochemical Method
雑誌名 発行年 ページ
J. Phys. Chem. B 104 2000 6028-6032

著者名 論文標題
T. Tamano, F. Hori, R. Oshima T. Hisamatsu Study on Defects of Solar Cell Silicon Irradiated with 1 MeV Electrons by Positron Annihilation
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 4693-4698

著者名 論文標題
T. Ezawa, E. Wakai, R. Oshima Radiation-induced segregation in model alloys
雑誌名 発行年 ページ
J. Nuclear Materials 283-7 2000 244-248

著者名 論文標題
K. Nishihira, S. Munetoh, T. Motooka *Uniaxial Strain Observed in Solid/Liquid Interface during Crystal Growth from Melted Si: A Molecular Dynamics Study
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 210 2000 60-64

著者名 論文標題
T. Motooka, K. Nisihira, S. Munetoh, K. Moriguchi, A. Shintani *Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Growth mechanisms
雑誌名 発行年 ページ
Phys. Rev. B 61 2000 8537-8540

著者名 論文標題
T. Motooka, K. Nisihira, S. Munetoh, K. Moriguchi, A. Shintani *Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Growth mechanisms
雑誌名 発行年 ページ
Mat. Res. Symp. Proc. 584 2000 263-268

著者名 論文標題
本岡輝昭 *シリコン結晶成長の分子動力学シミュレーション
雑誌名 発行年 ページ
J. Japan Soc. Simulation Technology Vol.19,No.2 2000 100-107

著者名 論文標題
T. Motooka, K. Nishihira *Molecular dynamics simulations of crystal growth from melted Si: Self-interstitial formation at the solid/liquid interface
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the 3rd Int. Symp. on Advanced Science and Technology of Silicon Materials   2000 565-570

著者名 論文標題
本岡輝昭 *シリコン融液成長における固液界面の形状と点欠陥生成過程
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶学会誌 42 2000 510-515

著者名 論文標題
S. Harada, T. Motooka Recrystallization and electrical properties of MeV P implanted 6H-SiC
雑誌名 発行年 ページ
J. Appl. Phys. 87 2000 2655-2657

著者名 論文標題
T. Motooka, Y. Kusano, K. Nishihira, N. Kato Ellipsometric analysis of ultrathin oxide layers on SIMOX wafers
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surf. Sci. 159-160 2000 111-115

著者名 論文標題
Y. Wang, K. Kakimoto *Dislocation effect on crystal-melt interface: an in situ observation of the melting of silicon
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 208 2000 303-312

著者名 論文標題
K. Kakimoto, T. Umehara, H. Ozoe *Molecular dynamics analysis on diffusion of point defects
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 210 2000 54-59

著者名 論文標題
N. Machida, Y. Shimizu K. Hoshikawa *The effects of argon gas flow rate and furnace pressure on oxygen concentration in Czochralski silicon single crystals grown in a transverse magnetic field
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 210 2000 532-540

著者名 論文標題
K. Kakimoto, H. Ozoe *Oxygen distribution at a solid-liquid interface of silicon under transverse magnetic fields
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 212 2000 429-437

著者名 論文標題
K. Kakimoto *Atomic and Macroscale simulation of transport phenomena during crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Second Inter. School on Crystal Growth Technology(ISCGT-2)   2000 130-137

著者名 論文標題
K. Kakimoto, T. Umehara, H. Ozoe *Molecular dynamics analysis of point defects in silicon near solid-liquid interface
雑誌名 発行年 ページ
Applied Surface Science   2000 387-391

著者名 論文標題
J. S. Szmyd, M. Jaszczur, H. Ozoe K. Kakimoto *Numerical analysis of buoyancy driven convection and radiation from the free surface of the fluid in a vertical cylinder
雑誌名 発行年 ページ
Japn. Soc. Mech. Eng. International J. B-FLUID 43 2000 679-685

著者名 論文標題
前田 進、安部啓成、中西秀夫、寺嶋一高 *Cz-Si 結晶中酸素濃度均一性と融液自由表面からの SiO 蒸発
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会 Vol27No.5 2000 267-274

著者名 論文標題
K. Abe T. Matsumoto K. Terashima *Initial Dissolution Rate of Quartz Rods in Silicon Melts:Influence of Quartz Surface Conditions
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 L644-L646

著者名 論文標題
H. Nakanishi, K. Nakazato K. Terashima *Surface Tension Variation of molten silicon measured by ring tensiometry technique and related temperature and impurity dependence
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 6487-6492

著者名 論文標題
K. Terashima, M. Kato, S. Nishimura *Variation of Silicon Melt Convections with Boron Addition
雑誌名 発行年 ページ
Proc. The 145th Commitee on Processing and Characterization of Crystals   2000 585-591

著者名 論文標題
T. Taishi, X. Huang, M. Kubota, T. Kajigaya, T. Fukami, K. Hoshikawa *Heavily Boron-doped Silicon Single Crystal Growth: Constitutional Supercooling
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 39 2000 L5-L8

著者名 論文標題
T. T aishi, X. Huang, T. Fukami K. Hoshikawa *Dislocation-Free Czochralski Si Crystal Growth without the Dash-Necking Process: Growth from Undoped Si Melt
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 39 2000 L191-L194

著者名 論文標題
X. Huang, T. Taishi, I. Yonenaga K. Hoshikawa *Dislocation-Free Si crystal growth without Dash-necking using hevily B and Ge codoped Si seed
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys 39 2000 L1115-L1117

著者名 論文標題
X. Huang, T. Taishi, I. Yonenaga K. Hoshikawa *Dislocation-Free B-Doped Si Crystal Growth without the Dash-Necking Process in Czochralski Method: Influence of B concentration
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth 39 2000 L1115-L1117

著者名 論文標題
T. Taishi, X. Huang, M. Kubota, T. Kajigaya T. Fukami K. Hoshikawa *Heavily boron-doped Czochralski (CZ) silicon crystal growth: segregation and constitutional supercooling
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science and Engineering B72 2000 169-172

著者名 論文標題
K. Hoshikawa X. Huang *Oxygen transportation during Czochralski silicon crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science and Engineering B72 2000 73-79

著者名 論文標題
X. Huang, K. Yamahara, K. Hoshikawa *In situ observation of the Si melt-silica glass interface concerning CZ-Si crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Materials Science and Engineering B72 2000 164-168

著者名 論文標題
X. Huang, T. Wang, K. Yamahara, T. Taishi, K. Hoshikawa *In situ Observation of the Interfacial Phase Formation at Si Melt/Silica Glass Interface
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 39 2000 3281-3285

著者名 論文標題
町田倫久、干川圭吾、清水保雄 *シリコン融液表面のアルゴンガス流れと単結晶中の酸素濃度
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会誌 Vol.27No.5 2000 11-16

著者名 論文標題
Y. Misukoshi, E. Takagi, H. Okuno, R. Oshima, Y. Maeda, Y. Nagata Preparation of platinum nanoparticles by sonochemical reduction of the Pt(IV)ions: Role of surfactants
雑誌名 発行年 ページ
Ultrasonics Sonochemistry 8 2000 1-6

著者名 論文標題
T. Tamano, F. Hori, R. Oshima T. Hisamatsu *Study on Behavior of Electron-Irradiation Defects and Impurities of Czochralski Silicon with Annealing by Positron Annihilation
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 40 2001 452-456

著者名 論文標題
T X. Huang, T. Taishi, I. Yonenaga K. Hoshikawa *Dislocation-Free Czochralski Si Crystal Growth without Dash Necking: Heavily B-Doping and Lightly Doping
雑誌名 発行年 ページ
Jpn. J. Appl. Phys. 40 2001 12-17

著者名 論文標題
T. Motooka K. Nishihira *Molecular dynamics simulations of defect formation during Si melt growth: A microscopic picture of V/G
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 117-120

著者名 論文標題
T R. Oshima, H. Nishizawa, F. Hori, N. Fujita *Study on atom behaviors of liquid-solid interface of silicon by HRTEM
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 121-126

著者名 論文標題
X. Huang, T. Taishi, K. Hoshikawa *Effect of B and Ge codoping on dislocation behavior in Czochralski Si crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 127-132

著者名 論文標題
Y. Wang, K. Kakimoto *Dislocations and crystal-melt interfaces in the melting process of silicon
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 133-140

著者名 論文標題
K. Terashima, H. Nakanishi, K. Abe, S. Maeda *Fundamental properties of Si melts and the uniformity of Si crystals
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 141-144

著者名 論文標題
K. Kakimoto *Oxygen distribution in silicon melt under inhomogeneous transverse magnetic fields
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 145-150

著者名 論文標題
S. Hirayama, F. Watanabe T. Takahashi *Surface Diffusivity Measurements on Boron Covered Silicon Surfaces by Field Emission
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 151-158

著者名 論文標題
H. Nakanishi, K. Abe, S. Maeda, K. Terashima *Si melt flow in a crucible during crystal pulling process depending on surface tension variation
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 159-166

著者名 論文標題
S. Maeda, K. Abe, H. Nakanishi, K. Terashima *Uniformity of Oxygen atom distribution related to evaporation of SiO from melt surface
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 167-176

著者名 論文標題
K. Hoshikawa, X. Huang, S. Sakaia, S. Oishi, T. Taishi, K. Yamahara *Dynamic behavior of oxygen, heavily doped other impurities and grown-in defect in the Czochralski Si crystal
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 177-182

著者名 論文標題
S. Yasuhiro, M. W. Li, N. Imaishi *Role of the Marangoni effect on silicon melt flow
雑誌名 発行年 ページ
Proc. of the Fifth Symp. on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics.   2001 183-186

著者名 論文標題
安部啓成、寺嶋一高、松元健、前田進、中西秀夫 *シリコン単結晶中の酸素濃度制御技術の開発
雑誌名 発行年 ページ
湘南工科大学紀要 第35巻 第1号 2001 37-46

著者名 論文標題
前田進、安部啓成、中西秀夫、加藤正樹 寺嶋一高 *シリコン単結晶中の酸素濃度均一性と融液の蒸発
雑誌名 発行年 ページ
湘南工科大学紀要 第35巻 第1号 2001 47-62

著者名 論文標題
中西秀夫、安部啓成 前田進、寺嶋一高 *円環法によるシリコン融液の表面張力測定と表面張力温度依存性を考慮した坩堝内融液流れ
雑誌名 発行年 ページ
湘南工科大学紀要 第35巻 第1号 2001 63-74

著者名 論文標題
N. Imaishi,, S. Yasuhiro Y. Akiyama, S. Yoda Oscillatory Marangoni flow in half-zone liquid bridge of low Pr fluid
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth In press 2001  

著者名 論文標題
M. W. Li, Y. R. Li, N. Imaishi, T. Tsukada *Global simulation of a silicon Czochralski furnace
雑誌名 発行年 ページ
Submitted to J. Crystal Growth   2001  

著者名 論文標題
M. W. Li, Y. R. Li, N. Imaishi, Y. Akiyama, T. Tsukada *Global simulation of a small silicon Czochralski furnace
雑誌名 発行年 ページ
To be submitted to J. Crystal Growth      

著者名 論文標題
M. W. Li, Y. R. Li, Y. Akiyama, N. Imaishi *Global simulation of a small silicon Czochralski furnace
雑誌名 発行年 ページ
To be submitted to J. Chem. Eng. Jpn      

著者名 論文標題
T. Motooka,, K. Nishihira, S. Munetoh, K. Moriguchi, A. Shintani *Reply to "Comment on 'Molecular-dynamics simulations of solid-phase epitaxy of Si: Growth mechanisms'
雑誌名 発行年 ページ
to be published in Phys. Rev. B   2001  

著者名 論文標題
S. Munetoh, K. Moriguchi, A. Shintani, K. Nisihira, T. Motooka *Molecular dynamics simulations of solid phase epitaxy of Si: Defect formation processes
雑誌名 発行年 ページ
to be published in Phys. Rev. B   2001  

著者名 論文標題
S. Munetoh, K. Moriguchi, K. Kamei, A. Shintani, T. Motooka *Epitaxial growth of a low-density framework form of crystalline silicon
雑誌名 発行年 ページ
to be published in Phys. Rev. Left.   2001  

著者名 論文標題
Y. R. Wang, K. Kakimoto *An in-situ observation of dislocations and crystal-melt interface during the melting of silicon
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth. In press 2001  

著者名 論文標題
Y. R. Wang, K. Kakimoto *An in-situ X-ray topography observation of dislocations, crystal-melt interface and melting of silicon
雑誌名 発行年 ページ
Microelectronic Engineering. In press 2001  

著者名 論文標題
Y. R. Wang, K. Kakimoto *The dislocation dependence of the crystal-melt interface shape: An in-situ X-ray Topography Study
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth accepted 2001  

著者名 論文標題
K. Kakimoto *Oxygen distribution in silicon melt under inhomogeneous transverse-magnetic fields
雑誌名 発行年 ページ
J. Crystal Growth accepted 2001  

著者名 論文標題
S. Maeda, M. Kato, K. Terashima *Uniformity of silicon Czochralski crystals grown under controlled conditions
雑誌名 発行年 ページ
Submitted to J. Crystal Growth      

著者名 論文標題
S. Nishimura K. Terashima *Variation of silicon melt viscosity with boron addition
雑誌名 発行年 ページ
To be ubmitted to J. Crystal Growth      

著者名 論文標題
T. Tsuchiya, K. Terashima *The silicon melt density variation measured by Archimedean Technique with observing infrared signal
雑誌名 発行年 ページ
To be ubmitted to J. Crystal Growth      

著者名 論文標題
K.. Terashima, H. Noguchi *The effect of boron addition on the generation of extended defects
雑誌名 発行年 ページ
To be ubmitted to J. Crystal Growth      

著者名 論文標題
K.. Terashima, H. Noguchi The effects of boron impurity to the extended defects in CZ silicon crystals grown under interstitial rich conditions
雑誌名 発行年 ページ
To be ubmitted to J. Crystal Growth      

著者名 論文標題
入沢寿美, 三上益弘, 柿本浩一、斉藤幸夫 結晶成長における熱と物質の移動の計算機シミュレーション, 計算機でみる結晶成長
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会   1996  

著者名 論文標題
K. Kakimoto Use of an inhomogeneous magnetic fields for silicon crystal growth
雑誌名 発行年 ページ
HIGH MAGNETIC FIELDS:APPLICATIONS・GENERATION・MATERIALS, World Scientific Edited by Hans J. Schneider-Muntau, 1997      

著者名 論文標題
柿本浩一 結晶成長と相図、結晶工学の基礎
雑誌名 発行年 ページ
応用物理学会   1997  

著者名 論文標題
入沢寿美, 三上益弘, 柿本浩一、斉藤幸夫 結晶成長における熱と物質の移動の計算機シミュレーション、計算機でみる結晶成長
雑誌名 発行年 ページ
日本結晶成長学会   1997  

著者名 論文標題
K. Hoshikawa Oxygen concentration control and magnetic field application technologies in Czochralski silicon crystal growth,
雑誌名 発行年 ページ
Trend in Material Science: Edited by S. Radhakrishna, Narosa PublishingHouse   1997 163-174

著者名 論文標題
柿本浩一 結晶工学の基礎、結晶成長と成長メカニズム1
雑誌名 発行年 ページ
応用物理学会結晶工学スクールテキスト   1998  

著者名 論文標題
K. Terashima Chapter 2:Essential interest in Si melt fundamentals pp. 15-46
雑誌名 発行年 ページ
In "Recent Development of Bulk Crystal Growth 1998", edited by M. Issiki, Research Signpost Publ., 1998      

著者名 論文標題
干川圭吾 「現代エレクトロニクスを支える単結晶成長技術」
雑誌名 発行年 ページ
(福田承生, 干川圭吾共編 共著)倍風館   1999 55-73

著者名 論文標題
K. Hoshikawa, X. Huang *Si melt growth:oxygen transportation during Czochralski growth, pp. 23-32
雑誌名 発行年 ページ
in "Crystalline Silicon", edited by R. Hull, Inspec publication System, 1999      

著者名 論文標題
柿本浩一 第1章 融液の熱流動シミュレーション
雑誌名 発行年 ページ
計算力学 [VI] … 電子デバイス/機器設計における計算力学の適用 …: 養賢堂   1999  

著者名 論文標題
K. Terashima 1.1 Si melt: density, surface tension and viscosity pp. 3-7
雑誌名 発行年 ページ
R. Hull ed. Properties of crystalline silicon Emis Datareviews Series No. 20, INSPEC publication      

著者名 論文標題
K. Kakimoto Si melt convection in a crucible
雑誌名 発行年 ページ
R. Hull ed. Properties of crystalline silicon Emis Datareviews Series No. 20, INSPEC publication      

著者名 論文標題
柿本浩一 融液内熱・物質移動解析
雑誌名 発行年 ページ
現代エレクトロニクスを支える単結晶成長技術: 培風館   1999  

著者名 論文標題
柿本浩一 結晶成長の基礎、試料作製技術2
雑誌名 発行年 ページ
丸善実験物理学講座4: 丸善   2000  

著者名 論文標題
干川圭吾 「バルク結晶育成技術」
雑誌名 発行年 ページ
小間篤編:実験物理学講座 「資料作成技術」:丸善   2000 29-55

著者名 論文標題
N. Imaishi, K. Kakimoto Convective instability in crystal growth system
雑誌名 発行年 ページ
In "Annual Review of Heat Transfer, vol. 12", Begel House Inc. Publisher, 2001      


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